各类ROM.FLASH,RAM,内存芯片理解

常见存储器：RAM,SRAM,SSRAM、DRAM,SDRAM,DDRSDRAM、ROM,。

1、什么是存储器 存储器单元实际上是时序逻辑电路的⼀种，是许多存储单元的集合，按单元号顺序排列。

每个单元由若⼲三进制位构成，以表⽰存储单元中存放的数值，这种结构和数组的结构⾮常相似，故在VHDL语⾔中，通常由数组描述存储器。

存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，⽤来存放程序和数据信息。

计算机中全部信息，包括输⼊的原始数据、计算机程序、中间运⾏结果和最终运⾏结果都保存在存储器中。

它根据控制器指定的位置存⼊和取出信息。

有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常⼯作。

2、存储器的分类 构成存储器的存储介质主要采⽤半导体器件和磁性材料。

存储器中最⼩的存储单位就是⼀个双稳态半导体电路或⼀个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储⼀个⼆进制代码。

由若⼲个存储元组成⼀个存储单元，然后再由许多存储单元组成⼀个存储器。

根据存储材料的性能及使⽤⽅法的不同，存储器有⼏种不同的分类⽅法： （1）按存储介质分类 半导体存储器：⽤半导体器件组成的存储器。

磁表⾯存储器：⽤磁性材料做成的存储器。

（2）按存储⽅式分类 随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置⽆关。

顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间与存储单元的物理位置有关。

（3）按存储器的读写功能分类 只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，它是只能读出⽽不能写⼊的半导体存储器，在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存⼊并永久保存。

当电源关闭时，ROM仍然可以保存数据，不会丢失。

ROM⼀般⽤于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。

其物理外形⼀般是双列直插式（DIP）的集成块。

随机读写存储器(RAM)：既能读出⼜能写⼊的半导体存储器。

当电源关闭时，存于RAM中的数据会丢失。

我们通常购买或升级的内存条就是⽤作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在⼀起的⼀⼩块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占⽤的空间。

ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。

其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。

通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。

ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。

ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，计算机启动用的BIOS芯片，手机、MP3、MP4、数码相机等一些电子产品的相应的自带程序代码，这种用户可以通过刷机方式读写RAM。

此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM 。

EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和NAND Flash)，性能同ROM，但可改写。

一般读出比写入快，写入需要比读出更高的电压（读5V写12V）。

而Flash可以在相同电压下读写，且容量大、成本低，如今在U盘、MP3中使用广泛。

在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。

RAM（random access memory）随机存储器。

存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。

这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。

按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。

所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。

相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）当电源关闭时RAM不能保留数据。

储存器IC：RAM随机储存器ROM只读储存器一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。

它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。

根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。

存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。

因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。

02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。

每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。

03.VRAM（Video RAM，视频内存）它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。

它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。

多用于高级显卡中的高档内存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。

传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。

而FRM DRAM 在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。

由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。

存储芯片分类存储芯片是计算机系统中常见的一种主要硬件设备，用于存储和读取数据。

根据不同的工作原理和使用场景，存储芯片可以分为多种不同的类型。

下面将介绍几种比较常见的存储芯片分类。

一、随机存取存储器（RAM）随机存取存储器，即RAM（Random Access Memory），是指可以按照任意顺序访问的存储器。

RAM芯片根据存储单元的基本结构和工作方式的不同，可以分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类。

1. 静态RAM（SRAM）静态RAM（SRAM）在存储每一位数据时，使用一个触发器来存储，因此读写速度快，且不需要刷新操作。

但是，由于每个触发器需要多个晶体管，所以芯片密度较低，成本也较高。

静态RAM主要用于高速缓存存储器等需要快速读写的应用。

2. 动态RAM（DRAM）动态RAM（DRAM）使用电容来存储每一位数据。

虽然动态RAM的存储单元比静态RAM简单，因此可以实现更高的芯片密度，但是电容容易失去电荷，需要定期进行刷新操作，因此读写速度相对较慢。

动态RAM广泛应用于主存储器等大容量存储需求较高的环境。

二、只读存储器（ROM）只读存储器，即ROM（Read-Only Memory），是指在制造过程中被烧写或者写入之后就无法再次修改的存储器。

根据ROM芯片的工作原理和可修改性，可以将ROM分为多种不同类型。

1. 掩模式只读存储器（Mask ROM）掩模式只读存储器（Mask ROM）在制造过程中被烧写了数据，一旦烧写完成后就无法再次修改。

掩模式只读存储器的成本比较低，但是需要在设计阶段提前确定需要存储的内容。

2. 可编程只读存储器（Programmable ROM）可编程只读存储器（Programmable ROM）可以在生产过程中通过特定的设备进行一次性的编程。

可编程只读存储器的成本比较低，但是编程过程不可逆。

3. 电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable ROM）电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable ROM，EEPROM）可以通过电压调节擦除和编程操作，可以多次擦写和编程。

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么？ROM指的是“只读存储器”，即Read-Only Memory。

这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进行修改。

这玩意一般在大批量生产时才会被用的，优点是成本低、非常低，但是其风险比较大，在产品设计时，如果调试不彻底，很容易造成几千片的费片，行内话叫“掩砸了”！PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。

这样的产品只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。

PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)，以实现对其“编程”的目的。

PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。

另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。

EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。

它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。

这一类芯片特别容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住，以防止遭到阳光直射。

EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。

sram、dram、硬盘、rom、ram、eprom、flash区别和联系sram和dram的区别和联系：(电脑中的内存属于DRAM，CPU中的二级缓存属于SRAM)存储原理RAM（Random Access Memory ）随机存取存储器，主要的作用就是存储代码和数据供CPU 在需要的时候调用。

但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。

对于RAM 等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0 和1 的代码，但是不同的组合就是不同的数据。

让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10 行和10 列格子（每行和每列都有0-9 的编号），有100 本书要存放在里面，那么我们使用＋个行的编号＋个列的编号就能确定某一本书的位置。

如果已知这本书的编号87，那么我们首先锁定第8 行，然后找到第7 列就能准确的找到这本书了。

在RAM 存储器中也是利用了相似的原理。

现在让我们回到RAM 存储器上，对于RAM 存储器而言，数据总线是用来传入数据或者传出数据的。

因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的，所以我们可以通过这个规则来把数据存放到存储器上相应的位置，而进行这种定位的工作就要依靠地址总线来实现了。

对于CPU 来说，RAM 就象是一条长长的有很多空格的细线，每个空格都有一个唯一的地址与之相对应。

如果CPU 想要从RAM 中调用数据，它首先需要给地址总线发送地址数据定位要存取的数据，然后等待若干个时钟周期之后，数据总线就会把数据传输给CPU。

下面的示意图可以帮助你很好的理解这个过程。

上图中的小园点代表RAM 中的存储空间，每一个都有一个唯一的地址线同它相连。

当地址解码器接收到地址总线送来的地址数据之后，它会根据这个数据定位CPU 想要调用的数据所在的位置，然后数据总线就会把其中的数据传送到CPU。

内存芯片参数介绍
一、内存芯片介绍
内存芯片是一种用于存储数据的集成电路，其主要功能是存储数据和程序，供计算机操作所需。

内存芯片一般由大量的静态存储单元和其中一种特殊结构组成，计算机系统通过总线从内存芯片中读写数据。

二、常用的内存芯片种类
1.静态RAM（SRAM）：SRAM由一组可用于读/写操作的静态门阵列组成，具有良好的高速性能，所以是高速缓存的主要组成部分。

2.动态RAM（DRAM）：DRAM是计算机系统中最常用的存储单元，它以比SRAM更小的封装尺寸实现更大的容量，即使失去了电源也可以保持数据完整性和准确性，因此也是主存系统的主要组成部分。

3.ROM（只读存储器）：ROM是一种只读存储器，它的特点是只支持一次写入操作，而不能够进行读写操作，因此，它适用于存储一些不常变动的数据和程序，具有可靠性强、可存储量大的优点。

4. Flash（闪存）：Flash是一种存储芯片，它拥有尺寸极小、写入能力强等特点，因此，它可以存储大量数据，因此，它正在被广泛应用于从小型存储卡到计算机移动存储设备等。

三、内存芯片参数及其特点
1.SRAM：SRAM的字长一般为4位/8位/16位/32位，它的主要特点是可以在很短的时间内完成读写操作，且可以在电源关闭后保存数据。

一、ROM(Read Only Memory)ROM(Read Only Memory),只读存储器。

用来存储和保存数据。

ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。

即使是断电，ROM也能够保留数据。

ROM也有很多种:PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM;EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM；EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长，写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器。

特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。

这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。

具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。

因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

二、RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory),随机存取存储器。

是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。

它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,当电源关闭时RAM不能保留数据。

RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。

静态RAM（Static RAM/SRAM）:SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2Cache)。

动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短(需要内存刷新电路，每隔一段时间，刷新充电一次，否则数据会消失)，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

为便于使 用和大批 量 生产 ，进一步发展了可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除，使用很不方便。20世纪 80 年代制出的 EEPROM ，克服了EPROM的不足，但集成度不高 ，价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构同 EPROM 相似的快闪存储器 。其集成度高、功耗低 、体积小 ，又能在线快速擦除 ，因而获得飞速发展，并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管制成。
内存(RAM或ROM)和FLASH存储的真正区别总结2009-11-24 19:063.ROM和RAM指的都是半导体存储器
1）ROM是Read Only Memory的缩写
是一种半导体内存，其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的'闪盘'，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。
目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

解释概念：主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存，又称内存，是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。

计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。

内存（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。

只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。

内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。

辅存狭义上是我们平时讲的硬盘。

科学地说是外部存储器（需要通过I/O系统与之交换数据，又称为辅助存储器）。

存储容量大、成本低、存取速度慢，以及可以永久地脱机保存信息。

主要包括磁表面存储器、软盘存储器、磁带存储设备、光盘存储设备。

cache 高速缓冲存储器一种特殊的存储器子系统，其中复制了频繁使用的数据以利于快速访问。

存储器的高速缓冲存储器存储了频繁访问的RAM 位置的内容及这些数据项的存储地址。

当处理器引用存储器中的某地址时，高速缓冲存储器便检查是否存有该地址。

如果存有该地址，则将数据返回处理器；如果没有保存该地址，则进行常规的存储器访问。

因为高速缓冲存储器总是比主RAM 存储器速度快，所以当RAM 的访问速度低于微处理器的速度时，常使用高速缓冲存储器。

RAM（Random Access Memory）随机存取存储器主要用于存储计算机运行时的程序和数据，需要执行的程序或者需要处理的数据都必须先装入RAM内，是指既可以从该设备读取数据，也可以往里面写数据。

RAM的特点是：计算机通电状态下RAM中的数据可以反复使用，只有向其中写入新数据时才被更新；断电后RAM中的数据随之消失。

SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

2、NOR Flash容量一般较小，通常在1MB~8MB之间。而NAND Flash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。NAND Flash在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场所占份额最大。
NAND Flash
性能比较
1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；
2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；
3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。
4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROMEPROME2 NhomakorabeaROMFlash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。
容量和成本
1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。
接口差别
1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。

半导体存储器是计算机和电子设备中常用的内部存储器类型，根据不同的特性和用途，可以分为多种分类。

以下是常见的半导体存储器分类：1.RAM（随机存取存储器）：SRAM（静态随机存取存储器）：使用触发器构建，读写速度快，但需要较多的芯片面积和功耗。

DRAM（动态随机存取存储器）：基于电容的存储单元，需要定期刷新，但相对较高的存储密度使其成为主流内存选项。

2.ROM（只读存储器）：PROM（可编程只读存储器）：用户一次性编程，无法擦除或重新编程。

EPROM（可擦除可编程只读存储器）：需要特殊设备进行擦除，然后重新编程。

EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）：可通过电子擦除和编程，较为灵活，但擦写次数有限。

Flash 存储器：类似于EEPROM，但支持块擦除，用于各种应用，包括闪存驱动器、存储卡和固态硬盘。

3.Cache 存储器：L1、L2、L3 Cache：位于处理器内部的高速缓存，用于加速数据访问。

缓存存储器层次结构：不同级别的缓存通过层次结构来平衡速度和容量。

4.寄存器文件：寄存器组：在CPU 内部的小型存储器单元，用于存储指令、数据和控制信号。

5.存储卡和存储棒：SD 卡、MicroSD 卡、USB 存储棒等：用于移动设备和计算机的便携式存储。

6.堆栈存储器：堆栈内存：用于存储函数调用、局部变量和返回地址等，通常遵循先进后出（LIFO）原则。

7.内存芯片：内存芯片：集成了多个存储单元，通常作为外部存储器使用。

这些存储器类型在不同的应用场景中具有不同的特点和用途。

随着技术的发展，各类存储器不断优化和演进，以满足日益复杂的计算和数据存储需求。

常用芯片介绍随着科技的不断发展，芯片作为计算机技术的核心之一，应用范围也越来越广泛。

芯片是现代信息技术的核心之一，能够运行各种程序，实现各种功能。

本文将对常用的芯片进行介绍。

一、CPU芯片CPU芯片是计算机的中央处理器，负责处理计算机的数据。

它的主要功能是对数据进行计算和处理，控制和管理计算机的硬件设备，如内存、硬盘和输入输出设备。

在计算机系统中，CPU芯片是最为重要的硬件部件之一。

它在计算机操作中起着举足轻重的作用。

二、GPU芯片GPU芯片是图形处理器芯片，它被用来加速图形处理任务。

GPU芯片在游戏和视频处理中十分重要，能够给用户流畅、高质量的体验。

GPU芯片还被应用于科学计算和情感计算等领域。

三、RAM芯片RAM芯片是随机存储器，主要作用是暂时存储CPU芯片计算所需要的数据。

在计算机系统中，RAM芯片是非常重要的存储器。

它存储了计算机运行所需要的数据和程序，使计算机能够在运行中实时访问和使用这些数据及程序。

四、ROM芯片ROM芯片是只读存储器，主要作用是存储一些无需更改的固定程序和数据。

ROM芯片内的数据是无法修改的，但也正是这种特性，使得ROM芯片在存储程序启动引导程序和其他基础操作系统信息方面很有用。

五、Flash芯片Flash芯片是一种基于闪存技术的存储器，它主要用于数据存储与传输。

Flash芯片不需要电源供应，在断电时它们的内部状态也不会遗失，因此被广泛应用于可移动存储介质和数码相机等设备中。

六、NOR Flash和NAND Flash芯片NOR Flash和NAND Flash芯片是Flash芯片的两种主要类型，它们具有不同的结构和功能。

NOR Flash芯片通常用于存储一些重要的启动代码，而NAND Flash芯片则主要用于存储数据。

两种芯片都有它们独特的应用场景。

七、EPROM芯片EPROM芯片是一种可擦写的只读存储器，它通过紫外线来擦除和重写储存的数据。

EPROM芯片常用于存储程序和固件，是一种常见的存储器类型。

到底什么是nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram最近被nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram搞的有点头⼤，所以在这⾥总结⼀下，也为了更好的分清他们之间的关系，以⾄于别⼈问的时候不⾄于说不清。

我们不谈这些名次的由来，只说明他们是做什么的，能⽤来⼲什么，在哪⾥我们⽤到过三部分说明1、Nandflash是flash⾮易失性闪存，即⼀种快速存储的芯⽚。

是⽤来存储数据的，类似于SD卡是⽤于我们⼿机内存等，但⼿机内存⼀般是flash和DDR合起来的芯⽚2、Norflash是flash⾮易失性闪存，即⼀种快速存储的芯⽚，与Nandflash相似是⽤来存储数据的玩过mini2440的同学都知道他有个nandflash启动和norflash启动，现在看来其实没什么差别，只是速度和操作⽅式的不同，当然存储的⼤⼩也不同，norflash⽐较贵，现在⼀般都⽤nandflash因为存储能⼒⽐较⼤嘛3、ram是随机存储内存，断电数据丢失，存储短时间使⽤程序。

是⽤来存储当前数据的，⽐如⼿机程序运⾏时需要占⽤内存是为机器运⾏软件提供内存的芯⽚sdram就是ram器件4、rom是只读内存，是⾮易失性固态半导体存储器⽐如flash就是rom器件对⽐ram和rom可以类⽐电脑的内存和硬盘，⼿机或者嵌⼊式产品使⽤的内存是sdram(DDR),⽽使⽤的存储设备⼤多是flash;电脑内存指的是内存条，其实也是DDR，⽽硬盘有的是机械的还有固态硬盘，机械的就是磁头和扇区组成的，固态硬盘其实就是flash和DRAM芯⽚组成的;ram的作⽤其实就是程序的运⾏以及数据的交换，⽽rom芯⽚负责存储各种⽂件，程序，软件等。

我们现在使⽤的ARM芯⽚其实是内置多少G，多少M的SDRAM，现在SDRAM已经打到DDR3，即速度已经⾮常之快。

那么emmc技术则是现在最先进的⼀项技术了，有时间的可以了解⼀下。

RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介
最近因为在找实习工作,做了一些大公司的硬件笔试题,发现很多公司都有
对存储器的考察,从来没有系统的整理过存储器的种类，是时候来一波整理了
以下主要讲了：RAM、ROM和FLASH三大类。
RAM包括：SRAM、DRAM、SDRAM、DDRSDRAM、DDR2SDRAM
和DDR3SDRAM
ROM包括：PROM、EPROM和EEPROM
FLASH包括：NORFLASH和NANDFLASH
RAM
速度最快，掉电丢失数据，容量小，价格贵
RAM英文名randomaccessmemory，随机存储器，之所以叫随机存储器
是因为：当对RAM进行数据读取或写入的时候，花费的时间和这段信息所
EEPROM：升级版，可以多次编程更改，使用电擦除
FLASH
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
FLASH：存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电
子可擦ห้องสมุดไป่ตู้可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读
取数据。分为NANDFLASH和NORFLASH，NORFLASH读取速度比
ROM
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
ROM英文名Read-OnlyMemory，只读存储器，里面数据在正常应用的时
候只能读，不能写，存储速度不如RAM。
PROM：（P指的programmable）可编程ROM，根据用户需求，来写入
内容，但是只能写一次，就不能再改变了
EPROM：PROM的升级版，可以多次编程更改，只能使用紫外线擦除
SDRAM是同步（S指的是synchronous）DRAM，同步是指内存工作需要

终于有⼈说清楚了什么是DRAM、什么是NANDFlash所有使⽤者对“存储器”这个名词可是⼀点都不陌⽣，因为所有的电⼦产品都必须⽤到存储器，且通常⽤到不只⼀种存储器。

不过对于存储器种类、规格与形式，很多⼈容易搞混。

⽐如，最近价格贵到炸的 NAND Flash，产业新闻⾥常常提到的DRAM，还有SRAM、SDRAM、DDR 3、DDR 4、NOR Flash … 这些⼜是什么？先来⼀段百度百科。

存储器是⽤来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常⼯作。

存储器的种类很多，按其⽤途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器⼜称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。

外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器⼀般断电后仍然能保存数据。

常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。

⽽简单来说，DRAM就是我们⼀般在⽤的内存，⽽NAND Flash 闪存，它在做的事情其实是硬盘。

（这段是给电脑⼩⽩的科普，⼤家可以酌情跳过）不熟悉PC知识的朋友常常在选购设备时问，硬盘和内存到底有什么差别？我硬盘容量明明有 1TB，但PC还是跑得很慢哎？硬盘和内存的差异，在于把电源关掉后、空间中储存的数据还会不会留着。

就算关掉电源，硬盘的数据也不会消失。

但我们要运算数据时，如果 CPU 要直接从硬盘⾥⾯抓数据，时间会太久。

所以”内存”会作为中间桥梁，先到硬盘⾥⾯复制⼀份进来、再让 CPU 直接到内存中拿数据做运算。

这样会⽐直接去硬盘抓数据，快约数百万倍。

打开任务管理器，就可以看到现在执⾏中程序占掉的内存空间，很多⼈就在骂Chrome 耗费的运算资源很⾼，内存使⽤率⾼于其他浏览器，多开⼏个分页内存就被吃完了。

所以简单来说，计算机在运作就像是办公⼀样，喝饮料、看书本、听⾳响… 想⼀次使⽤越多东西、桌⾯（内存）就要越⼤。

但其他⼀时间没有要⽤到的东西，都会放在抽屉（硬盘）⾥⾯。

所以硬盘就算再⼤，你⼀次想执⾏很多任务，还是得要看内存⼤⼩。

Memory是涉及整个存储行业的统称，细分RAM和ROMRAM说白了就是真正的内存，就是SRAM（静态存储，品牌如ISSI等）、DRAM（动态存储，依次升级有DDR1、DDR2、DDR3及低功耗级别也就是前缀带LP的…），特殊的叫SDRAM（品牌例如华邦、Etron、ESMT…）ROM就是Flash，说白了也可以理解为硬盘，用于大容量存储，分Nor flash（如华邦、MXIC、GD）、NAND flash（HY、Samsung、Micron、Toshiba…），现最新发展升级有eMMC （内部集成了一个控制IC，便于客户灵活研发、产品升级、缩短开发周期）MCP产品是RAM和ROM的结合集成产品，封在一起，也就是2合1功能，也叫行动式内存，是目前消费类市场主流。

应用分类：消费类产品(Consumer)行业泛指包括智能手机、平板电脑、MID…主力品牌HY（价格最好，超联价格好）、Samsung（友尚价格好）、Micron（安富利价格好）、Toshiba、Sandisk （威健、增你强价格好）…非消费类产品泛指除了以上所说销售类之外排除的全部分，该部分是华邦、南亚等台系的重点推广领域。

以下以智能手机为例说明：随着智能终端处理的数据量越来越大，速度越来越快，主频越来越高，Memory在手机中的地位也越来越重要了，这里表现在不仅对性能与功耗的影响，也表现在对BOM单的影响，Memory在BOM单中的地位早已升至前三甲，比如目前最高端的eMCP 32+16报价大于40美元，这已比价目前顶级的手机CPU的价格。

手机的Memory由两大块组成，俗称RAM与ROM。

RAM则是上面提到的DRAM，相当于电脑中的内存，对智能手机的性能影响最大，价格也贵，特别是目前新一代的LPDDR2的价格，同等容量时比电脑中采用的PC DDR3的价格贵一倍左右。

今年底，下一代LPDDR3也将被一些高端平台采用，价格将更昂贵。

ROM则是Flash指标，用来存储智能手机中的各种数据。