下载文档原格式
思考与练习答案第1章半导体器件一、填空题1.过热烧毁击穿2.单向导电性3.放大区截止区饱和区放大区4.发射结集电结放大区截止区饱和区5.100 2.5mA6.正偏反偏7.几~几十1.5〜3V8.光电反偏9.放大10.100 4mA11.集电极发射极12.⑴集电基发射(2)50 ⑶PNP13.电压电场效应14.结绝缘栅15.源极漏极16.控制极触发P N栅极反向维持二、选择题1. B2.B3.B A4.B5.C6.C7.A8. B9. B 10. B 11.B 12.C A B三、综合题1.图(a)“Ao = 6V；图(b)”Ao = 0V;图(C)U A0=12V；图(d)U A0=-6V2,两只稳压值不等的稳压管串联使用，有4种接法，结果分别为13. 5V、6. 7V、8. 2V、1.4V；两只稳压值不等的稳压管并联使用，有4种接法，只是得到的稳压值只有两种，结果为6V 和0. 7V；四、实训题1.答：⑴黑笔接的是万用表内部电源的正极，红笔接的是万用表内部电源的负极。
在万用表测得的阻值小的情况下，说明此时二极管外加的电压是正向电压(正向偏置)，所以黑笔(电源正极)接的是二极管的正极，红笔接的是二极管的负极。
⑵若将红、黑笔对调后，万用表指示的方向与⑴相反，即阻值很大，近似为无穷大。
(3)如正向、反向电阻值均为无穷大，二极管内部为断路。
(4)如正向、反向电阻值均为零，二极管内部短路。
(5)如正向和反向电阻值接近，说明此时二极管已不具有单向导电的性能。
2.答：⑴基极 (2)基极NPN 型PNP 型第2章 三极管放大电路一、填空题1.静态 Q /BQ /CQ U BEQ U CEQ2.动态 输入信号 电源直流交流3.不失真地放大输入信号4.开路 短路 短路5.基极 射极 集电极6.相反7,同 减小 低提高8.截止失真减小饱和失真增大输入信号过大 9.截止饱和R B10.集电 共集电极11. 1电压 电流和功率 相同 12.共射组态 共集组态 共射组态 13.阻容耦合 变压器耦合直接耦合14.减小增大 15. 30 P A 3mA16. (1) 48u A,2.4mA, 5.2V,放大(2) 1000uA,50mA, 0V,饱和 (3) 10 V, 截止二、选择题1. C2. B3.B4. B5. A C6. C四、实训题 1.答：用万用表测量静态工作点/CQ 时，应选择万用表的电流挡位(具体挡位应根据被测电 路的参数来选择)，将万用表串联接在电路中。
\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\第一章1.1 何谓通信系统？通信系统由哪几部分组成？答：用电信号（或光信号）传输信息的系统称为通信系统。
它由输入变换器、发送设备、传输信道、接收设备、输出变换器等组成。
1.2 无线电通信为什么要采用调制技术？常用的模拟调制方式有哪些？答：采用调制技术可使低频基带信号装载在高频载波上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，而且不同的发射台其载波频率不同，在接收端便于选择接收。
此外，采用调制可进行频分多路通信，实现信道的复用，提高信道利用率；还可以提高系统性能指标，提高抗干扰能力。
常用的模拟调制方式有振幅调制（AM ）、频率调制（FM ）和相位调制（PM ）。
1.3 已知频率为 3kHz 、1000kHz 、100MHz 的电磁波，试分别求出其波长并指出所在波段名称。
解：根据λ=c /f （其中 c =3×108m/s ）分别得出 100km （为超长波）、300m （为中波）和 3m （为超短波）。
1.4 画出无线广播调幅发射机组成框图，并用波形说明其发射过程。
答：参见图 1.3.1。
第二章二、选择题1. LC 串联回路谐振时阻抗最 ，且为纯电阻，失谐时阻抗变 ，当 f < f o回路呈，当 f > f o 回路呈。
A. 容性B ．感性C ．大D ．小2. LC 组成的并联谐振回路谐振时，阻抗为 ，谐振时电压为 ；电纳为 ，回路总导纳为 。
A. 最大值B ．最小值C ．零D ．不能确定3. 把谐振频率为 f o 的 LC 并联谐振回路串联在电路中，它的信号通过。
A. 允许频率为 f oB. 阻止频率为 f oC. 使频率低于 f oD. 使频率高于 f o4. 在自测题 1 图所示电路中， ω1 和ω2 分别为其串联谐振频率和并联谐振频率。
它们之间的大小关系为。
A. ω1 等于ω2B ． ω1 大于ω2C ． ω1 小于ω2D ．无法判断自测题 1 图5. 强耦合时，耦合回路 η 越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷程度。
第2章 小信号选频放大器2.1 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。
[解]900.035610Hz 35.6MHz f ===⨯=3640.722.4k 22.361022.36k 35.610Hz35.610Hz 356kH z100p R Q f BW Q ρρ===Ω=⨯Ω=Ω⨯===⨯=2.2 并联谐振回路如图P2.2所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。
[解]0465kHz f ==0.7010114kΩF////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42kΩ371.14k ΩP F/465k H z /37=12.6k H zp e s pLee e R Q R R RR R Q BW f Q ρρ===========2.3 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ∆=时电压衰减倍数。
如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6262120115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C --===⨯=⨯⨯⨯⨯ 6030.7101066.715010f Q BW ⨯===⨯8.1p oU U ∙∙== 当0.7300kHz BW =时6030.746120101033.33001033.31.061010.6k 2π2π10105010e e e ef Q BW Q R Q f C ρ-⨯===⨯====⨯Ω=Ω⨯⨯⨯⨯而471266.72.131021.2k 2π105010p R Q ρ-===⨯Ω=Ω⨯⨯⨯由于,p e pRR R R R =+所以可得10.6k 21.2k 21.2k 21.2k 10.6k e p p eR R R R R Ω⨯Ω===Ω-Ω-Ω2.4 并联回路如图P2.4所示,已知：360p F ,C =1280μH,L ==100,Q 250μH,L = 12=/10,n N N =L 1k R =Ω。
![第五章高频功率放大器答案[五篇]](https://img.taocdn.com/s1/m/f1d1be250640be1e650e52ea551810a6f524c8a9.png)
第五章高频功率放大器答案[五篇]第一篇：第五章高频功率放大器答案第五章高频功率放大器（一）选择题1．高频功率放大器输出功率是指____D____。
A）信号总功率B）直流信号输出功率C）二次谐波输出功率D）基波输出功率2．高频功率放大器功率增益是指_____B__________。
A）基极激励功率与集电极输出功率之比B）集电极输出功率与基极激励功率之比 C）不能确定3．丙类高频功率放大器晶体三极管作用是______B__________。
A）开关作用B）按照输入信号变化的规律，将直流能量转变为交流能量C）A 和B 4．丙类高频功率放大器中两电源的作用_____B___和___C_____。
A）UBB是能量的来源 B）UCC是能量的来源C）UBB保证晶体管工作在丙类 D）UCC保证晶体管工作在丙类5．为使高频功率放大器有较高的效率，应工作____B____状态，角度___C_____。
A）乙类B）丙类C）小于90° D）大于90°（三）判断题1．丙类高频功率放大器原工作于临界状态，由于外接负载的变化而使Re增加，致使放大器工作于过压状态。
现若将输入信号Ub减小，使放大器仍工作在临界状态，这时放大器的输出与原来相同。
（×）2．丙类高频功率放大器的输出功率为P 1I2R，UCC、UBB、Ub 一定时，Re越大，则0c1e2（×）P0也越大。
3．在谐振功率放大器的输出级中，匹配网络的阻抗变化作用时将负载转换为放大器所要求的最佳负载电阻。
（√）4．丙类高频功率放大器，若要求输出电压平稳，放大器应选择临界工作状态。
（×）5．原工作于临界状态的丙类高频放大器，当其负载断开，IC0减小，IC1减小，P减小。
0（√）6．不可以用高频功放构成倍频器。
（×）（四）问答题和计算题1．甲类、乙类、丙类功率放大器各有什么特点?试详细比较。
解：甲类功率放大器，是指当输入信号较小时，在整个信号周期中，晶体管都工作于它的放大区，电流的导通角为180，适用于小信号低频功率放大，且静态工作点在负载线的中点。
高频电子线路第五版课后习题答案高频电子线路第五版课后习题答案高频电子线路是电子工程中的一个重要分支，其研究的是高频电路的设计、分析和优化。
在学习高频电子线路的过程中，课后习题是巩固知识、提高技能的重要方式。
本文将为大家提供高频电子线路第五版课后习题的答案，希望对大家的学习有所帮助。
第一章：基础知识1. 什么是高频电子线路？高频电子线路是指工作频率在几十千赫兹（kHz）到几百千赫兹（MHz）之间的电子线路。
它主要应用于无线通信、雷达、卫星通信等领域。
2. 高频电子线路的特点有哪些？高频电子线路的特点包括信号失真小、传输损耗小、耦合效应显著、传输线效应显著、元器件参数变化大等。
3. 什么是S参数？S参数是描述高频电子线路中信号传输和反射特性的参数。
S参数包括S11、S12、S21和S22四个参数，分别表示输入端反射系数、传输系数、输出端反射系数和逆传输系数。
第二章：传输线1. 什么是传输线？传输线是一根用于传输高频信号的导线。
常见的传输线有平行线、同轴电缆和微带线等。
2. 传输线的特性阻抗有哪些？传输线的特性阻抗包括平行线的特性阻抗、同轴电缆的特性阻抗和微带线的特性阻抗等。
3. 传输线的特性阻抗如何计算？平行线的特性阻抗可以通过导线间距、导线半径和介质介电常数等参数计算得到。
同轴电缆的特性阻抗可以通过内外导体半径和介质介电常数等参数计算得到。
微带线的特性阻抗可以通过导线宽度、介质厚度和介质介电常数等参数计算得到。
第三章：射频二极管1. 什么是射频二极管？射频二极管是一种特殊的二极管，其工作频率在几十千赫兹（kHz）到几百千赫兹（MHz）之间。
射频二极管具有快速开关速度和低噪声等特点。
2. 射频二极管的工作原理是什么？射频二极管的工作原理是基于PN结的电子流动和载流子的注入与抽取。
当正向偏置时，电子从N区域流向P区域，形成电流；当反向偏置时，电子不能流动，形成电流截止。
3. 射频二极管的主要参数有哪些？射频二极管的主要参数包括最大工作频率、最大直流电流、最大反向电压、最大功率损耗和最大噪声系数等。
第四章部分习题解答4．1．3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ，P CM =150mW ，V （BR ）CEO =30V ，若它的工作电压V CE =10V ，则工作电流I C 不得超过多大？若工作电流I C =1mA,则工作电压的极限值应为多少？解： BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏.当工作电压V CE 确定时,应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ，即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。
当V CE =10V 时，mA V P I CECMC 15==此值小于I CM =100mA ，故此时工作电流不超过15mA 即可。
同理，当工作电流I c 确定时，应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V （BR ）CEO 确定工作电压V CE 的大小。
当I C =1mA 时，为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限值应为30V 。
4．3．3 若将图题3。
3。
1所示输出特性的BJT 接成图题3。
3.3所示电路，并设V CC =12V ，R C =1k Ω,在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。
求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值，设V BE =0.7V 。
图题3.3。
1图题 3.3.3解： 由题3.3。
1已求得β=200，故mA R V V I bBEBB B 03.0=-=I C =βI B =200×0。
03mA=6mA V CE =V CC —I C R c =6V4。
3.5 图题3。
3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线,试求：（1）电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；（2）电阻R b 、R e 的值;（3)输出电压的最大不失真幅度;（4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少？图题3.3.6解:（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小,故V CC =6V 。
模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程，其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。
以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案，供参考：第一章：半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
在室温下，硅的电阻率大约是1kΩ·cm，而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。
2. N型半导体中，多数载流子是自由电子，而P型半导体中，多数载流子是空穴。
3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压，N型半导体加上负电压，此时PN结导通。
第二章：二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电，稳压二极管主要用于电路中稳定电压。
2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大。
3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管，它在反向偏置时具有稳定的电压。
第三章：双极型晶体管1. 双极型晶体管（BJT）分为NPN和PNP两种类型，其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。
2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。
3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大，使得集电极电流达到最大值，此时晶体管不能进一步放大信号。
第四章：场效应晶体管1. 场效应晶体管（FET）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
2. JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种常见的FET。
3. MOSFET在截止状态下，其源极和漏极之间的电阻非常大，几乎相当于断路。
第五章：放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。
2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一，它具有较高的电压增益和中等的电流增益。
3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值，对共模信号不敏感。
第六章：反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。
2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度，但可能会降低增益。
一•填空题1. 为了改善系统性能，实现信号的有效传输及信道的复用,通信系统中广泛采用调制技术。
2. 用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程，称为调制,用基带信号去改变载波信号的幅度，称为调幅。
3. 无线电波传输方式大体可分为沿地面传播（地播）,沿空间直线传播（空间播）, 依靠电离层传播（电播）。
4. 非线性器件能够产生新的频率分量,具有频率变换作用。
1. LC并联回路谐振时阻抗为最大且为纯电阻,当频率高于谐振频率而失谐时，阻抗将减小,并呈容性。
2. 小信号谐振放大器以谐振回路作为负载,它不仅有放大作用,还有选频作用。
3. 矩形系数K0.1是用来说明小信号选频放大器选择性好坏的性能指标，其值越接近于2,放大器的选择性越好。
单调谐放大器的KO.l^lOo4. 电路中同一端口的宜号功率与噪吏功率之比，称为信噪比，其值越大，噪声的影响就越小。
1. 丙类谐振功率放大器的特点是：晶体管基级偏压VbbvUbe（on）,集电极电流为余弦脉冲，其导通角0小于90°,故放大器具有很高的效率；放大器负载采用LC谐振网络,用以滤出谐波,实现阻抗匹配获得大功率输出。
2. 丙类谐振功率放大器工作在临界状态，当负载回路等效电阻Re减小时，放大器将进入欠压状态,此时输出功率减小,管耗增大。
3. 谐振功率放大器中晶体管工作进入包河区，集电极电流脉冲出现巴陷，称为过压状态。
4. 谐振功率放大器集电极直流馈电电路有里僮和并馈两种形式。
5. 传输线变压器与普通变压器相比较，其主要特点是工作频带极宽,能量以传输线和变压器方式传输。
1. 反馈镇正弦波振荡器主要由放大电路,正反馈网络,选频网络等部分组成。
2. 设放大电路的放大倍数为A,反馈网络的反馈系数为F,则正弦波振荡器的振幅平衡条件是AF=1,相位平衡条件是（n二0,1, 2, ........................................ ）。
第五章 高频功率放大器
一、简答题
1．什么叫做高频功率放大器？它的功用是什么？应对它提出哪些主要要求？为什么高频功放一般在B 类、C 类状态下工作？为什么通常采用谐振回路作负载？ 答：高频功率放大器是一种能将直流电源的能量转换为高频信号能量的放大电路，其主要功能是放大放大高频信号功率，具有比较高的输出功率和效率。
对它的基本要求是有选频作用、输出功率大、自身损耗小、效率高、所以为了提高效率，一般选择在B 或C 类下工作，但此时的集电极电流是一个余弦脉冲，因此必须用谐振电路做负载，才能得到所需频率的正弦高频信号。
2．已知高频功放工作在过压状态，现欲将它调整到临界状态，可以改变哪些外界因素来实现，变化方向如何？在此过程中集电极输出功率如何变化？ 解：可以通过采取以下措施
1）减小激励Ub ，集电极电流Ic1和电压振幅UC 基本不变，输出功率和效率基本不变。
2）增大基极的负向偏置电压，集电极电流Ic1和电压振幅UC 基本不变，输出功率和效率基本不变。
3）减小负载电阻RL ，集电极电流Ic1增大，IC0也增大，但电压振幅UC 减小不大，因此输出功率上升。
4）增大集电极电源电压，Ic1、IC0和UC 增大，输出功率也随之增大，效率基本不变。
3．丙类功率放大器为什么要用谐振回路作为负载？
解：利用谐振回路的选频作用，可以将失真的集电极电流脉冲变换为不失真的输出余弦电压。
同时，谐振回路还可以将含有电抗分量的外接负载转换为谐振电阻
P R ，而且调节A L 和A C 还能保持回路谐振时使P R 等于放大管所需要的集电极负
载值，实现阻抗匹配。
因此，在谐振功率放大器中，谐振回路起到了选频和匹配的双重作用。
4． 改正图示线路中的错误，不得改变馈电形式，重新画出正确的线路。
解： 改正后
二、计算题
1.已知集电极电流余弦脉冲max 100mA C i =，试求通角120θ=︒，70θ=︒时集电极电流的直流分量0c I 和基波分量1c m I ；若CC 0.95cm U V =，求出两种情况下放大器的效率各为多少？
解： (1) 120θ=︒，0()0.406αθ=，1()0.536αθ=
01100.40610040.6mA,0.53610053.6mA
()110.536
0.9562.7%
2()20.406
c c m cm c CC I I U V αθηαθ=⨯==⨯==
=⨯⨯=
(2) 70θ=︒，0()0.253αθ=，1()0.436αθ=
010.25310025.3mA,0.43610043.6mA 10.4360.9581.9%
20.253
c c m c I I η=⨯==⨯==⨯⨯=
2.已知谐振功率放大器的CC 24V V =，C0250mA I =，5W o P =，cm CC 0.9U V =，试求该放大器的D P 、C P 、C η以及c1m I 、max C i 、θ。
解： 00.25246W D C CC P I V ==⨯=
2
C 2
E 2
L
1651W
5
83.3%6
225
0.463A 0.924
C D o o C D o c m cm P P P P P P I U η=-=-==
==⨯=
==⨯
11
()220.833 1.85,500.9
CC C cm V g U θηθ==⨯⨯==︒ 0max 00.25 1.37()0.183
C C I i A αθ=
== 3.一谐振功率放大器，CC 30V V =，测得C0100mA I =，cm 28V U =，70θ=︒，求e R 、
o P 和C η。
解： 0max 0100
395mA (70)0.253
c C I i α=
==︒
1max 1(70)3950.436172mA c m C I i α=︒=⨯=
128
163Ω0.172
cm e c m U R I =
== 111
0.17228 2.4W 22o c m cm P I U =
=⨯⨯= 2.480%0.130o C D P P η===⨯
4.已知CC 12V V =，BE(on)0.6V U =，BB 0.3V U =-，
放大器工作在临界状态cm 10.5V U =，要求输出功率o 1W P =，60θ=︒，试求该放大器的谐振电阻e R 、输入电压im U 及集电极效率C η。
解： 22
1110.555221
cm e o U R P =
==Ω 10()0.6(0.3)
1.8V
cos 0.5
(60)110.39110.578.5%
2(60)20.21812
BE BB im cm C CC U on V U U V θαηα---=
==︒===︒
5.高频功率晶体管3DA4参数为fT ＝100MHz ，20β=，集电极最大允许耗散功率PCM ＝20W ，饱和临界线跨导gcr ＝0.8A/V ，用它做成2MHz 的谐振功率放大器，选定VCC ＝24V ，0max 70, 2.2c C i A θ==，并工作于临界状态。
试计算Rp 、Po 、Pc 、c P η＝与。
01[(70)0.436]α=，00[(70)0.253]α=。
解：
01max 110100max 00000()(2.20.436)0.96[(70)0.436]11
0.9621.2510.222
() 2.20.2530.557[(70)0.253]240.55713.3610.20.76376.3%13.36
13.3610.cm C c CM CM c C c CC C C C I i A A P I V W I i A P V I W
P P P P P αθααθαη=====⨯===
=⨯===⨯====⨯==
====-=-12 3.1621.2522.10.96CM CM P CM P V V
R I A
=<=
==Ω
min max ,c cr c c C c c i g v v v i i ==当时，＝，因此得：
max min min 2.2 2.750.8/(24 2.75)21.25C C cr CM CC C i A
v V g A V
V V v V V ===-=-=＝。
