(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910192143.X
(22)申请日 2019.03.14
(71)申请人 上海交通大学
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
(72)发明人 杨志 刘一剑 陈辛未 周志华
苏言杰 胡南滔 张亚非
(74)专利代理机构 上海智晟知识产权代理事务
所(特殊普通合伙) 31313
代理人 陆黎明
(51)Int.Cl.
H01L 27/146(2006.01)
H01L 27/12(2006.01)
(54)发明名称一种X射线平板探测器及其制作方法(57)摘要本发明提供了一种X射线平板探测器及其制作方法。
X射线平板探测器包括TFT背板、传感光电二极管矩阵面板、栅驱动信号电路系统、传感信号读取电路系统、图像信号处理电路系统以及其他的外围功能电路等部分。
其中TFT背板是整个系统的重要部分，TFT可实现开关信号通道的功能。
本发明的特别之处在于，在TFT背板中引入了多晶硅TFT技术，由于多晶硅TFT的沟道材料具有较大的电子迁移率，可有效提高TFT的开关速率，进而提高X射线平板探测器的数据读取速率，使平板探测器更加适合高速连续拍照的应用场合，有效提高了X射线平板探测器的性能，减少了
鬼影和拖尾的现象。
权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 109920809 A 2019.06.21
C N 109920809
A
权 利 要 求 书1/1页CN 109920809 A
1.一种X射线平板探测器，其特征在于，包括TFT背板、传感光电二极管矩阵面板、栅驱动信号电路系统、传感信号读取电路系统、图像信号处理电路系统以及外围功能电路，其中所述TFT背板采用包含多晶硅薄膜材料的TFT背板。
2.如权利要求1所述的一种X射线平板探测器，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料的多晶硅晶化率在30～95％之间。
3.如权利要求1所述的一种X射线平板探测器，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料的迁移率范围为10～200cm2/(V·s)。
4.如权利要求1所述的一种X射线平板探测器，其特征在于，所述TFT背板的开关器件为多晶硅薄膜晶体管，所述TFT背板还包含有传感器信号数据导线、TFT栅极信号扫描导线和偏置电压导线。
5.如权利要求4所述的一种X射线平板探测器，其特征在于，所述多晶硅薄膜晶体管的沟道长度在1～100μm之间，所述多晶硅薄膜材料的厚度在10nm～5μm之间。
6.如权利要求4所述的一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，所述开关器件的沟道层薄膜材料是直接沉积的多晶硅薄膜材料。
7.如权利要求6所述的一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料由低温工艺制得，所述低温工艺的温度范围是20～450℃。
8.如权利要求6所述的一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜材料由高温工艺制得，所述高温工艺的温度范围是450～900℃。
9.如权利要求4所述的一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，所述开关器件的沟道层薄膜材料是在沉积的非晶硅薄膜材料的基础上，进行多晶化技术处理后得到的多晶硅薄膜材料。
10.如权利要求9所述的一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜使用的多晶化技术包含快速热退火技术、金属诱导晶化技术以及激光晶化技术的一种或多种的组合使用。
2。
