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SMB8J16,TVS瞬变抑制二极管中文资料

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.SMB8J16 POWER: 8 00Wa t VOLTAGE RANGE: 5.0 - 40VSMB8J5.0A(CA) - SMB8J40A(CA)

(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA = 25 °C per Fig. 2(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminalSYMBOL VALUEUNIT Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µsPPPM800W Peak pulse current with a 10/1000 µs waveform (1) IPPM See next table A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only (2) IFSM 100A

Operating junction and storage temperature range T

J, TSTG - 55 to + 150

°C FeaturesLow profile package

Maximum Ratings@ TA= 25°C unless otherwise specifiedSURFACE MOUNT TRANSIENT VOLAGE SUPPESSOR DIODE

SMBDimMinMaxA3.303.94B4.064.70C1.912.21D0.150.31E5.005.59G0.100.20H0.761.52J2.002.62All Dimensions in mmABCDGHEJCharacteristic!!!!!!Low incremental surge resistanceVery fast response timeExcellent clamping capabilityAvailable in uni-directional and bi-directionalGlass passivated chip junctionIdeal for automated placement!Case:SMB, Transfer Molded EpoxyTerminals: Solderable per MIL-STD-202,Method 208Polarity Indicator: Cathode Band(Note: Bi-directional devices have no polarityindicator.)Weight:0.1 grams (approx.)Mechanical Data!!!!

1 of 2.SMB8J16

1MR 1MQ1MP1MN

1MM1ML1MK1MH1MG1MF1ME1MD1LZ 1LY1LX1LW1LV 1LU1LT1LS1LR1LQ1LP1LN1LM 1LL 1LK1LH1LG1LF 1LE 1LD1KZ1KY 1KX 1KW 1KV 1KU1KT1KS1KR 1KQ1KP1KN 1KM 1KL1KK 1KH1KG1KF1KE1KD SMB8J8.5A

SMB8J40A SMB8J40SMB8J36A SMB8J36SMB8J33ASMB8J33SMB8J30ASMB8J30SMB8J28ASMB8J28SMB8J26A SMB8J26SMB8J24ASMB8J24SMB8J22ASMB8J22SMB8J20A SMB8J20SMB8J18A SMB8J18SMB8J17ASMB8J17SMB8J16ASMB8J16SMB8J15A SMB8J15 SMB8J14ASMB8J14SMB8J13A SMB8J13 SMB8J12ASMB8J12SMB8J11A SMB8J11SMB8J10ASMB8J10SMB8J9.0ASMB8J9.0SMB8J8.5SMB8J8.0A SMB8J8.0SMB8J7.5ASMB8J7.5SMB8J7.0A SMB8J7.0SMB8J6.5A SMB8J6.5SMB8J6.0A SMB8J6.0SMB8J5.0A SMB8J5.0

Notes:(1)Pulse test: tp≤ 50 ms(2)Surge current waveform per Fig. 3 and derate per Fig. 2(3)All terms and symbols are consistent with ANSI/IEEE C62.35ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) DEVICE TYPEDEVICE MARKING CODE BREAKDOWN VOLTAGE VBR(1) (V) TEST CURRENT AT IT(mA) STAND-OFF VOLTAGE VWM (V)MAXIMUM REVERSE LEAKAGEAT VWM ID (µA) (3)MAXIMUM PEAK PULSE SURGE CURRENTIPPM (A) (2)MAXIMUM CLAMPING VOLTAGE AT IPPM VC (V)MIN.MAX.6.40 7.82 10 5.0 2000 83.3 9.6 6.40 7.25 10 5.0 2000 87.0 9.2 6.67 8.15 10 6.0 2000 70.2 11.4 6.67 7.37 10 6.0 2000 77.7 10.3 7.22 8.82 10 6.5 1000 65.0 12.3 7.22 7.98 10 6.5 1000 71.4 11.2

44.4 49.1 1.0 40 1.0 12.4 64.5 44.4 54.3 1.0 40 1.0 11.2 71.4 40.0 44.2 1.0 36 1.0 13.8 58.1 40.0 48.9 1.0 36 1.0 12.4 64.3 36.7 40.6 1.0 33 1.0 15.0 53.3 36.7 44.9 1.0 33 1.0 13.6 59.0 33.3 36.8 1.0 30 1.0 16.5 48.4 33.3 40.7 1.0 30 1.0 15.0 53.5 31.1 34.4 1.0 28 1.0 17.6 45.4 31.1 38.0 1.0 28 1.0 16.0 50.0 28.9 31.9 1.0 26 1.0 19.0 42.1 28.9 35.3 1.0 26 1.0 17.2 46.6 26.7 29.5 1.0 24 1.0 20.6 38.9 26.7 32.6 1.0 24 1.0 18.6 43.0 24.4 26.9 1.0 22 1.0 22.5 35.5 24.4 29.8 1.0 22 1.0 20.3 39.4 8.89 9.83 1.0 8.0 100 58.8 13.6 7.78 9.51 10 7.0 400 60.2 13.3 7.78 8.60 10 7.0 400 66.7 12.0

17.8 21.8 1.0 16 1.0 27.8 28.8 8.33 10.2 1.0 7.5 200 55.9 14.3 9.44 11.5 1.0 8.5 40 50.3 15.9 8.89 10.9 1.0 8.0 100 53.3 15.0 8.33 9.21 1.0 7.5 200 62.0 12.9 9.44 10.4 1.0 8.5 40 55.6 14.4 10.0 12.2 1.0 9.0 20 47.3 16.9 11.1 13.6 1.0 10 10 42.6 18.8 11.1 12.3 1.0 10 10 47.1 17.0 10.0 11.1 1.0 9.0 20 51.9 15.4 12.2 14.9 1.0 11 5.0 39.8 20.1 12.2 13.5 1.0 11 5.0 44.0 18.2 13.3 16.3 1.0 12 5.0 36.4 22.0 14.4 17.6 1.0 13 1.0 33.6 23.8 14.4 15.9 1.0 13 1.0 37.2 21.5 13.3 14.7 1.0 12 5.0 40.2 19.9 15.6 19.1 1.0 14 1.0 31.0 25.8 15.6 17.2 1.0 14 1.0 34.5 23.2 16.7 20.4 1.0 15 1.0 29.7 26.9 16.7 18.5 1.0 15 1.0 32.8 24.4 18.9 23.1 1.0 17 1.0 26.2 30.5 18.9 20.9 1.0 17 1.0 29.0 27.6 22.2 27.1 1.0 20 1.035.8 22.3 20.0 22.1 1.0 18 1.0 27.4 29.2 22.2 24.5 1.0 20 1.0 24.7 32.4 20.0 24.4 1.0 18 1.0 24.8 32.2 17.8 19.7 1.0 16 1.0 30.8 26.0 SMB8J5.0CSMB8J5.0CA SMB8J6.0CSMB8J6.0CA SMB8J6.5CSMB8J6.5CA

SMB8J40CA SMB8J40CSMB8J36CA SMB8J36C SMB8J33CASMB8J33CSMB8J30CASMB8J30C SMB8J28CASMB8J28CSMB8J26CA SMB8J26CSMB8J24CASMB8J24CSMB8J22CASMB8J22CSMB8J8.0CA SMB8J7.0CSMB8J7.0CA

SMB8J16CSMB8J7.5C SMB8J8.5C SMB8J8.0CSMB8J7.5CASMB8J8.5CA SMB8J9.0C SMB8J10CSMB8J10CASMB8J9.0CASMB8J11C SMB8J11CA SMB8J12CSMB8J13C SMB8J13CA SMB8J12CASMB8J14C SMB8J14CASMB8J15C SMB8J15CA SMB8J17CSMB8J17CASMB8J20CSMB8J18CA SMB8J20CA SMB8J18CSMB8J16CA1AD 1AE1AG1AK

1CR 1CP1CN 1CH1CE1AR 1AM 1AN 1AS1AT1AU1AY 1AZ1BD1BF 1BG1BE 1BH1BL 1BM 1BQ1BR1BT1BV 1BS1AL1AV 1AX

1CQ1CM1CL1CK1CG1CF1CD1BZ 1BY1BX1BW1BU1BP1BK1AW 1AQ1AP1AH1AF

1BN

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SMAJ190CA,TVS瞬变抑制二极管中文资料

SMAJ190CA,TVS瞬变抑制二极管中文资料

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLAGE SUPPESSOR DIODESMAJ5.0A(CA) - SMAJ440A(CA)

POWER: 400Wa t VOLTAGE RANGE: 5.0 - 440 V

See Page 2ABCDGHEJSMADimMinMaxA2.292.92B4.004.60C1.271.63D0.150.31E4.805.59G0.100.20H0.761.52J2.012.62All Dimensions in mmMaximum Ratings@ TA= 25°C unless otherwise specifiedPeak Pulse Power Dissipation(Non repetitive current pulse derated above TA=25°C)(Note1)PPK400WPeak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half SineWaveSuperimposedonRatedLoad(JEDECMethod)(Notes1,2,&3)IFSM40AInstantaneous Forward Voltage@IPP= 35A(Notes 1, 2, & 3)VF3.5VOperating and Storage Temperature RangeTj,TSTG-55 to +150°CNotes:1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.2. Measured with 8.3ms single half sine-wave. Duty cycle = 4 pulses per minute maximum.3. Unidirectional units only.Glass Passivated Die ConstructionUni- and Bi-Directional Versions AvailableExcellent Clamping CapabilityFast Response TimePlastic Material: UL FlammabilityClassification Rating 94V-0Mechanical DataCase:SMA, Transfer Molded EpoxyTerminals: Solderable per MIL-STD-202,Method 208Polarity Indicator: Cathode Band(Note: Bi-directional devices have no polarityindicator.)Marking: Date Code and Marking CodeWeight:0.064 grams (approx.)Features!!!!!!!!!!

TVS瞬态电压抑制二极管(钳位二极管)原理参数

TVS瞬态电压抑制二极管(钳位二极管)原理参数

TVS瞬态电压抑制二极管（钳位二极管）原理参数

瞬态电压抑制二极管(TVS)又叫钳位二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时间仅为10-12毫秒，因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。

瞬态电压抑制二极管允许的正向浪涌电流在TA＝250C，T＝10ms条件下，可达50～200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压钳制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等，是一种理想的保护器件。耐受能力用瓦特(W)表示。

瞬态电压抑制二极管的主要电参数

（1）击穿电压V(BR)

器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。

（2）最大反向脉冲峰值电流IPP

在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。 IPP与最大钳位电压VC(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。

使用时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。

瞬态电压抑制二极管的分类

瞬态电压抑制二极管可以按极性分为单极性和双极性两种，按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的专用型器件。如：各种交流电压保护器、 4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列（适用多线保护）、贴片式、组件式和大功率模块式等。

瞬态电压抑制二极管的应用

目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/ 直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、 I/O、LAN、ISDN 、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。

tvs瞬态抑制二极管参数

tvs瞬态抑制二极管参数

TVS瞬态抑制二极管参数

1. 介绍

瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor Diode，简称TVS二极管）是一种用于保护电子电路免受瞬态电压干扰的器件。它可以有效地抑制过电压和过电流，保护电路中的其他元件不受损坏。

本文将重点介绍TVS瞬态抑制二极管的参数，包括其电气参数、封装参数和可靠性参数。

2. 电气参数

2.1 额定电压（Vr）

额定电压是指TVS二极管能够正常工作的最大电压。当电压超过额定电压时，TVS二极管将开始导通，以保护电路免受过电压的影响。

2.2 尖峰脉冲功率（Ppp）

尖峰脉冲功率是指TVS二极管能够吸收的瞬态脉冲能量。它表示了TVS二极管在瞬态电压出现时能够承受的最大功率。通常情况下，尖峰脉冲功率越大，TVS二极管的抑制能力越强。

2.3 最大反向峰值电流（Ipp）

最大反向峰值电流是指TVS二极管能够承受的最大反向电流。当电路中的电压超过额定电压时，TVS二极管将导通，使电流通过，以保护电路。最大反向峰值电流越大，TVS二极管的抑制能力越强。

2.4 动态电阻（Rd）

动态电阻是指TVS二极管在导通状态下的电阻。动态电阻越小，TVS二极管的抑制能力越强。因此，低动态电阻是衡量TVS二极管性能好坏的重要指标之一。

3. 封装参数

3.1 封装类型

TVS瞬态抑制二极管有多种封装类型可供选择，常见的封装类型有DO-214、SMA、SMB等。不同的封装类型适用于不同的应用场景。选择合适的封装类型可以提高电路的可靠性和稳定性。 3.2 封装尺寸

封装尺寸是指TVS二极管的外部尺寸。在进行电路设计时，需要考虑TVS二极管的封装尺寸是否符合电路板的布局要求，以确保TVS二极管能够正确安装在电路板上。

3.3 焊接温度

焊接温度是指TVS二极管在焊接过程中所能承受的最高温度。在进行电路组装时，需要控制焊接温度，避免超过TVS二极管的最大焊接温度，以免影响其性能和可靠性。

瞬态抑制二极管

瞬态抑制二极管

博学笃行 自强不息

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瞬态抑制二极管

一、工作原理

瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode，简称TVS二极管）是一种特殊的二极管，其工作原理基于反向击穿效应。当工作电压高于二极管的击穿电压时，电压快速上升，使二极管发生击穿并形成短路，从而将过电压导向地或其他引线。通过这种方式，它可以将过电压引导到一个安全的电平，从而保护其他部件免受电压过高的损害。

二、特性

1. 反应速度快：瞬态抑制二极管响应速度非常快，可以在纳秒级别完成击穿操作，从而能够迅速抑制电路中的过电压。

2. 高击穿电压：瞬态抑制二极管的击穿电压通常较高，能够承受较大的电压冲击而不受损坏。这使得它成为电路保护的理想选择。

3. 低泄漏电流：瞬态抑制二极管的泄漏电流通常很小，在正常工作条件下几乎可以忽略不计。这有助于减少功耗并提高电路的效率。

博学笃行 自强不息

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4. 大电流承受能力：瞬态抑制二极管能够承受较大的电流冲击，从而保护电路中的其他元器件免受过电流损害。

5. 长寿命：由于瞬态抑制二极管一般工作在击穿电压以下的电压范围内，因此其寿命较长，可靠性较高。

三、应用案例

瞬态抑制二极管在电子行业有着广泛的应用。以下是几个常见的应用案例：

1. 电源保护：在电源电路中，瞬态抑制二极管被用来保护负载设备免受电压突波和瞬态电压的影响。它能够将高电压引导到地线，从而保护电路中的其他元件。

2. 通信设备保护：瞬态抑制二极管可以用于保护通信设备中的电子元器件免受雷击和电磁干扰的影响。当突发电压超过设备工作范围时，TVS二极管能迅速击穿，吸收过电压，保护设备正常工作。

3. 汽车电子系统：汽车电子系统需要抵抗来自电磁干扰和电压峰值的损害。瞬态抑制二极管被广泛应用于汽车电子设备中，以保护各种电子元器件，如发动机控制单元(ECU)、电动机驱动器和GPS设备。

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