[高分子材料] 中山大学岳晚课题组在有机电化学晶体管(OECT)材料方面取得重要进展

外加载荷对镀Pt探针与ZnO纳米棒接触电学特性的影响姜燕;沈坚;张伟【摘要】The electrical characteristics of Pt-coated tip contact to single ZnO nanorod are studied with atomic force microscopy. The measured I-V curves are nonlinear and near symmetric,which indicates a good Schottky contact between Pt tip and ZnO nanorod. When the load is increased, the contact area between the tip and sample gets large. Therefore, the reverse breakdown voltage and the forward voltage go up, and the ideality factor decreases.%利用原子力显微镜研究了镀Pt探针与生长在银基底上的单根ZnO纳米棒接触的电学特性.实验测得的Ⅰ-Ⅴ特性曲线呈基本对称的非线性形状,表明镀Pt针尖与ZnO纳米棒顶端形成了良好的肖特基接触.同时,研究发现随着外加载荷的增加,针尖与样品间接触面积增大,使得反向截止电压和正向导通电压均有所升高,而理想因子降低.【期刊名称】《南京航空航天大学学报》【年(卷),期】2011(043)006【总页数】4页(P837-840)【关键词】氧化锌纳米棒;Ⅰ-Ⅴ特性;肖特基;原子力显微镜【作者】姜燕;沈坚;张伟【作者单位】江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013;江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013;江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013【正文语种】中文【中图分类】TN303;TB34ZnO纳米结构材料有着优异的电学和光学特性[1],在纳电子器件[2]、光子器件[3]、化学传感[4]等方面有着巨大的潜在应用。

CdO薄膜的电化学沉积及表征岳兰;孟繁新;许志军【摘要】采用阴极电沉积的方法,用CdCl2的二甲基亚砜溶液做电解液在导电玻璃上制备了CdO薄膜.研究了沉积电流与电解液浓度对薄膜结构特性和电学性质的影响.XRD分析表明CdO薄膜为具有强的(200)晶面择优取向生长的立方结构,且随电流与沉积液浓度的变化,薄膜的(200)晶面择优取向程度发生了明显的变化.霍尔测试表明随着电解液浓度的升高,薄膜的面电阻增大.在较低的电解液浓度下薄膜的面电阻值最小为2.1×102Ω/sq..SEM显示CdO晶粒为球状颗粒,电解液浓度对CdO晶粒大小及膜的致密性有一定影响.【期刊名称】《通化师范学院学报》【年(卷),期】2010(031)010【总页数】3页(P16-18)【关键词】电沉积;CdO;XRD谱图;电学性质【作者】岳兰;孟繁新;许志军【作者单位】【正文语种】中文【中图分类】TN204透明导电薄膜(TCO)作为一种重要的光电子薄膜功能材料，由于其接近金属的导电率、可见光范围内的高透射比、红外高反射比以及半导体特性，被广泛应用于各种平板显示器、太阳能电池、低辐射窗、电致变色窗、热镜、仪器仪表的防静电及电磁屏蔽等[1].自从20世纪初在Cd的氧化物中第一次发现透光性与导电性可以共存后[2]，便得到国内外学者的广泛关注.由于CdO薄膜中存在大量的间隙Cd原子和氧空位作为浅施主，使得CdO在未掺杂的情况下就有很高的电子浓度和较好的电学性能[3]，加之其作为一类宽禁带氧化物半导体材料(带隙为2.4eV[4])在可见光范围具有高的透过率，这些优异的光电性能使得CdO薄膜在新型透明导电薄膜研究中受到人们的重视，被认为是最具开发潜力的光电材料之一[5]，它可应用于太阳能电池材料、光电晶体管材料、光电二极管材料、透明电极材料和气体传感器等[6，7].目前，国内外已通过许多方法成功的制备出了CdO薄膜.考虑到电化学沉积法具有成本低廉、操作简单、安全、适合工业化大规模生产等优点，本文即采用电化学沉积的方法来制备CdO薄膜.同时，为了克服常温下电沉积法制备的薄膜粘附性差及水溶液体系下制备CdO薄膜会伴有Cdx(OH)y，Cd(OH)xCly等副产品的生成，本研究在较高温度的非水溶液体系下，采用阴极电沉积法制备CdO薄膜，并分析了沉积电流及电解液浓度对CdO薄膜的结构及电学性能的影响.1 实验过程采用DMDEL363型三电极恒电位仪制备薄膜，透明导电玻璃为工作电极，铂电极为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极.用含有CdCl2的二甲基亚砜溶液做电解液，KCl做辅助电解液.向电解液中通入氧气作为CdO合成的氧源.整个电解池放置在油浴锅中维持电解液温度在150℃.样品的晶体衍射数据是在Y-2000型X射线衍射仪上收集；使用英国Bio-Rad公司的HL5500PC霍尔效应测试系统对样品的电学参数进行了测试；采用德国Leo1430VP型扫描电子显微镜对薄膜的表面形貌进行表征.2 实验结果与分析2.1 XRD分析(1)沉积电流对CdO薄膜结构的影响.图1为用含有0.3M的CdCl2的二甲基亚砜溶液做电解液，在不同沉积电流下制备的CdO薄膜的XRD谱图.谱图中，自下向上沉积电流I从小到大依次分别取2、4、6、8mA.根据立方结构的CdO可把图中各衍射峰指标化，其结果与标准立方结构的CdO的X射线衍射卡片(卡片号为：65-2908)一致.与标准卡片相比较，可以明显看出，在不同的沉积电流下制备的CdO薄膜的最强峰均在(200)晶面处，与标准卡片中最强峰峰位(100)相比较，可以发现在不同的沉积电流下制备的CdO薄膜均存在(200)择优生长取向.由于(200)峰的峰强比其他的衍射峰峰强要大得多，从而使得其他衍射峰峰强看上去很弱.由图1可知在不同的沉积电流下我们均得到了强的(200)晶面择优取向的立方结构的纯的CdO薄膜.由XRD图可看出，随着电流I的增大，CdO薄膜的(200)的衍射峰的强度随着电流值从2mA增大到6mA而明显地逐渐增大，而电流值由6mA变到8mA时这个强度明显减小，表明随着沉积电流的变化，CdO薄膜择优取向程度发生了明显变化，为了更准确描述这一程度变化趋势，我们计算了(200)晶面的织构系数式中，TC(200)×100%表明了(200)晶面择优取向程度，I(hkl)和I0(hkl)分别为具有择优取向和无择优取向薄膜(hkl)晶面的X射线相对强度，N为计算所取衍射峰的个数.本实验计算中，I0(hkl)近似取自卡片65-2908中无择优取向的标准的X射线衍射相对强度.在计算CdO薄膜的织构系数TC(200)时，取(200)、(220)和(311)3个晶面的X射线衍射相对强度值作为式中的加和.图1 不同沉积电流下薄膜的XRD图图2 (200)晶面织构系数TC(200)%随沉积电流的变化图2是(200)晶面织构系数TC(200)%随沉积电流的变化情况图.显然随着电流值从2mA增大到6mA取值，CdO薄膜(200)晶面择优取向趋势的程度在逐渐增大，而当I由6mA开始继续增大到8mA时，(200)晶面择优取向程度开始下降了.在刻画晶面择优取向生长程度方面，可以发现沉积电流对CdO薄膜的影响与我们前期工作中[9]所研究的沉积电流对纳米ZnO薄膜C轴择优取向的影响有着类似的结果.由此也可以看出，对于同一族元素的氧化物的制备，其制备参数也存在着一些共性.(2)电解液浓度对CdO薄膜结构的影响.图3为沉积电流取6mA，电解液取不同浓度下的薄膜的XRD图.谱图中，自下向上电解液CdCl2的浓度C由小到大依次取为：0.1M、0.2M、0.3M、0.4M和0.5M.为了便于比较，图中同时给出了根据X 射线衍射卡片(卡片号为：65-2908)绘制的立方结构的CdO的标准衍射谱.可以看出，浓度从0.1～0.5M范围内变化，除了CdO的峰以外，并没有发现其他的杂峰，说明这一浓度变化范围内均能制备出纯的CdO薄膜.同样，与标准卡中最强峰峰位在(100)相比，可以得出结论，浓度从0.1-0.5M范围内变化时，均能制备出存在一定(200)择优取向生长的CdO薄膜.图3 不同电解液浓度下薄膜的XRD图图4 (200)晶面织构系数TC(200)%随电解液浓度的变化由图3可以看出，当电解液浓度为0.1M时，CdO薄膜的(200)晶面的衍身峰峰强最大，当浓度由0.1M开始增大到0.2M时，晶面的强度明显下降，而浓度再增大到0.3M时，晶面的强度又增大，浓度继续由0.3M增大到0.5M的过程中，强度逐渐减小.这说明，浓度对CdO薄膜的(200)晶面择优取向趋势的程度有着明显的影响，为了更准确描述这一程度变化趋势，同样计算了在不同浓度下制备的CdO薄膜的(200)晶面织构系数TC(200)%.(200)晶面织构系数TC(hkl)%随电解液浓度的变化情况如图4所示.由图4发现，(200)晶面择优取向的程度随浓度的变化情况与前面根据XRD谱图分析的结果一致.电解液浓度为0.1M时，CdO薄膜的(200)晶面择优取向程度最大.当电解液浓度由0.3M增大到0.5M的过程中，择优取向程度逐渐减弱.这可能是由于浓度小时晶粒中平行表面的(200)晶面生长较快，则薄膜表现为较强的(200)择优生长的原故.2.2 电学性能分析使用英国Bio-Rad公司的HL5500PC霍尔效应测试系统对样品的面电阻进行测试，测试表明CdO薄膜样品为n型导电.图5为不同沉积条件下制备出的CdO薄膜样品的面电阻值(R)随电解液浓度(C)和沉积电流(I)变化的关系图.可以看出，沉积电流值从2mA增大到8mA过程中，样品的面电阻值变化不是很大，在所取的电流变化范围内，电流为6mA时薄膜的面电阻最小，达到了5.3×102Ω/sq.；在沉积电流为6mA，当电解液浓度从0.1M增大到0.5M时，CdO薄膜样品的面电阻值从2.1×102Ω/sq.逐渐增大到11.8×102Ω/sq.；显然，沉积液浓度的变化对CdO薄膜的面电阻值影响较大，随着沉积液浓度的升高，CdO薄膜的面电阻增大，结合SEM分析，这可能是由于电液浓度较高时，由于解薄膜晶粒边界存在局部的裂纹从而影响了薄膜的电学性能.通过实验分析，可以确定的是：在沉积电流为6mA，电解液浓度最小为0.1M时，制备出的CdO薄膜样品的导电性能较好.图5 样品的面电阻值(R)随电解液浓度(C)和沉积电流(I)的变化2.3 SEM分析图6给出了浓度分别为0.1M和0.5M的CdO薄膜在30K放大倍数下的SEM图.整体来看膜由球状颗粒组成，并且能发现这些球状颗粒表面是不光滑的，说明在不同浓度下制备的CdO晶粒形貌为球状颗粒.但可以明显发现，在0.1M浓度下的球状颗粒要小，且长得也较均匀，整体上看膜的致密性和粘连性都较好.而在0.5M浓度下的球状颗粒要大，且薄沿着完整的晶粒边界存在局部的裂纹.这可能是由于在浓度较大时，沉积过程中离子的传输加强，晶核生长速度比成核速度要快，从而得到了较大的晶粒.同时，由于沉积速率提高了，膜也相应的长得厚，则大的球状颗粒在相互填充时由于相互挤压从而使薄由于受力不均匀而出现了局部裂纹.图6 浓度分别为0.1M和0.5M的CdO薄膜在30K放大倍数下的SEM图3 结论利用电沉积法，采用CdCl2的二甲基亚砜溶液做电解液在较高温度下在导电玻璃上成功的制备出了纯度较高、具有强的(200)晶面择优取向生长的立方结构的CdO 薄膜.并研究了沉积电流与电解液浓度对薄膜的结构及电学性能的影响.XRD分析表明，随电流与沉积液浓度的变化，薄膜的(200)晶面择优取向程度发生了明显的变化.电学测试表明随着沉积液浓度的升高，CdO薄膜的面电阻增大，在沉积电流为6mA，电解液浓度最小为0.1M时制备的样品的面电阻值最小，数值为2.1×102Ω/sq..SEM表明实验所得的CdO晶粒为球状，随着浓度的增大，晶粒长大.在浓度为0.1M下制备的薄膜的致密性、粘连性较好.参考文献：[1]李世涛，乔学亮，陈建国.透明导电膜的研究现状及应用[J].激光与光电子学进展，2003，40(7):53-59.[2]Granqvist C G，Hultaker A. Transparent and conducting ITO films: new developments and applicatons[J].Thin Solid Films，2002，411:1-5.[3]宋永东，黄同，吕淑媛.CdO电子结构的第一性原理计算[J].铸造技术，2008，29(8):1106-1109.[4]Kim B J，Oka Y W，Seonga T Y，et al.Structural properties of CdO layers grown on GaAs(001)substrates by metalorganic molecular beam epitaxy[J].J Cryst Growth，2003，252(1-3):219-225.[5]Gurumurugan K，Mangalaraj D，Narayandass S K.Structural characterization of cadmium oxide thin films deposited by spraypyrolysis[J]J Cryst Growth，1995，147:355-358.[6]Ortega M，Santana G，Morales-Acevedo A.Optoelectronic properties of CdO/Si photodetectors [J].Solid-State Electronics，2000，44(10):1765-1769.[7]Ramakrishna-Reddy K T，Sravanib C，Miles R W.Characterisation of CdO thin films deposited by activated reactive evaporation[J].J Cryst Growth，1998，184/185(3):1031-1034.[8]Dalchiele E A，Giorgi P，Marotti R E，et al.Electrodeposition of ZnO thin films on n-Si(100)[J].Sol Energy Mater Sol Cells，2001，70(3):245-254.[9]岳兰，郑毓峰，孙言飞.沉积电流对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响[J].半导体光电，2007，28(1):83-86.。

第43卷第7期2022年7月Vol.43No.7July,2022发光学报CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE砷化镓热氧化法制备β‑Ga2O3体块薄膜刁肇悌，陈威，董鑫*，焦腾，李政达（吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室，吉林长春130012）摘要：通过对p型砷化镓（p‑GaAs）单晶衬底高温热氧化方法制备了β‑Ga2O3体块薄膜。

探讨了高温氧化过程中O2流量对β‑Ga2O3体块薄膜形貌的影响。

通过对体块薄膜的晶体质量、结构特性、光致发光特性的测试分析，可以发现在高温高氧环境下GaAs转变为β‑Ga2O3体块薄膜的过程与Langmuir蒸发相关。

当O2流量较低时（0.2L/min），GaAs衬底处于缺氧状态，所制备样品呈现纳米线状形貌；而当通入O2流量超过0.4L/min时，GaAs 衬底被完全氧化为具有纳米岛状结构的β‑Ga2O3体块薄膜，且晶体质量得到显著提高。

本文提出的砷化镓单晶热氧化工艺可以高效、低成本地获得较高结晶质量的纳米结构β‑Ga2O3体块薄膜，对于β‑Ga2O3材料的应用具有极大的丰富作用。

关键词：热氧化；纳米岛状体块薄膜；β-Ga2O3；氧气流量中图分类号：O482.31文献标识码：A DOI：10.37188/CJL.20210399β-Ga2O3Bulk Films Prepared by Thermal Oxidation of GaAs DIAO Zhao-ti，CHEN Wei，DONG Xin*，JIAO Teng，LI Zheng-da（State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics，College of Electronic Science and Engineering，Jilin University，Changchun130012，China）*Corresponding Author，E-mail：dongx@Abstract：In this paper，β-Ga2O3bulk films were prepared by high-temperature thermal oxidation of p-type gallium arsenide（p-GaAs）single crystal substrate.The effect of O2flow rate on the morphol‑ogy ofβ-Ga2O3bulk films was also discussed.By testing and analysing the crystal quality，structural characteristics and photoluminescence characteristics of the bulk films，we found that the transfor‑mation of GaAs intoβ-Ga2O3bulk films was related to Langmuir evaporation.When the O2flow rate was low（0.2L/min），GaAs substrate was in anoxic state，and the prepared samples showed nanolin‑ear morphology.However，when the flow rate of O2exceeds0.4L/min，GaAs substrate is completely oxidized intoβ-Ga2O3bulk film with nanometer island structure，and the crystal quality is signifi‑cantly improved.The thermal oxidation process based on the GaAs single crystal proposed in this ar‑ticle can obtain nano-structuredβ-Ga2O3bulk films of high crystal quality with high efficiency and low cost.This process enriches the application ofβ-Ga2O3materials greatly.Key words：thermal oxidation；nano island bulk film；β-Ga2O3；oxygen flow rate1引言作为第三代半导体材料，氧化镓（Ga2O3）近年来得到了业界广泛的关注。

氧化钨纳米阵列的制备与紫外光电探测研究宋周周;张瑶;张唐磊;张翔晖【摘要】采用真空热蒸发法在硅片上实现了大面积、形貌均匀氧化钨纳米阵列的合成.X 射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)结果均表明,所合成的氧化钨为单斜结构的W18O49,纳米线的生长方向为(010)晶向.利用介电泳技术,在叉指电极上实现了氧化钨纳米线的准定向排列和电极接触.研究了氧化钨纳米线的紫外光探测性能,发现其对365 nm的紫外光具有良好的响应能力.在1 V偏压下,氧化钨纳米线的紫外光响应度为6.67 A/W,响应时间和恢复时间分别为0.17 s和0.15 s.研究结果表明,氧化钨纳米线在高性能光电探测器应用中展示良好前景.%In this work, large-area and uniform tungsten oxide nanowire arrays were grown on silicon substrates by high temperature physical evaporation deposition method. The X-ray diffraction (XRD) and transimission electron microscope (TEM) results confirm that the nanowires as prepared exhibite a monoclinic structure and single-crystal (W18O49) as grown along the (010) direction. Furthermore, the tungsten oxide nanowire UV photodetector was fabricated by the dielectrophoresis method. Under 365 nm UV light irradiation and 1 V bias voltage, the photo responsivity of as fabricated photodetector is 6.67 A/W. The response and recovery time of tungsten oxide are 0.17 s and 0.15 s, respectively. This work indicates that tungsten oxide shows great potential opportunity in the high performance photodetection application.【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2018(037)004【总页数】5页(P62-66)【关键词】氧化钨;单斜W18O49;纳米阵列;真空热蒸发;介电泳;紫外光探测【作者】宋周周;张瑶;张唐磊;张翔晖【作者单位】湖北大学铁电压电材料与器件湖北省重点实验室物理与电子科学学院,湖北武汉 430062;湖北大学铁电压电材料与器件湖北省重点实验室物理与电子科学学院,湖北武汉 430062;湖北大学铁电压电材料与器件湖北省重点实验室物理与电子科学学院,湖北武汉 430062;湖北大学铁电压电材料与器件湖北省重点实验室物理与电子科学学院,湖北武汉 430062【正文语种】中文【中图分类】TN361在众多过渡族氧化物中，氧化钨由于具有独特的物理和化学性质而备受关注。

中山大学化学学院郑治坤教授课题组在晶态聚合物均孔膜研究
方面取得重要进展
佚名
【期刊名称】《中山大学学报（自然科学版）（中英文）》
【年(卷),期】2024(63)3
【摘要】中山大学化学学院郑治坤教授团队通过构建编织晶界,建立了一种改善晶态材料脆性并同步增强其机械强度和韧性的方法,该工作以“Elastic films of single-crystal two-dimensional covalent organic frameworks”为题,于2024年5月8日在线发表在Nature。

高结晶度材料的机械物理性能主要取决于其缺陷结构,缺陷特别是晶界缺陷严重破坏高结晶度材料的机械性能,而天然和合成晶态材料通常为多晶,故晶态材料机械稳定性不高。

同时,同木材、玻璃和塑料等一样,晶态材料的机械强度(材料在外力作用下抵抗破坏的能力)与韧性(材料在受到外力冲击时吸收能量并抵抗断裂的能力)相互制约,如何改善高结晶材料的脆性,同步增强其机械强度和韧性为晶态材料当前面临的一个巨大挑战。

【总页数】1页(PF0003)
【正文语种】中文
【中图分类】TG1
【相关文献】
1.中山大学数学学院周天寿教授课题组在非马氏生化系统研究取得重要进展
2.中山大学化学学院欧阳钢锋教授团队在酶@MOFs杂交材料的可控设计取得重要进展
3.郑州大学化工学院张亚涛教授课题组在共轭微孔聚合物膜领域取得新进展
4.中山
大学地球科学与工程学院郑卓教授团队华南植被演变及全新世人类扰动过程研究取得重要进展5.新疆师范大学化学化工学院努扎艾提·艾比布教授团队在微塑料与砷复合污染的环境行为研究方面取得重要进展
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4月25日上午，听取华中师范大学教授张礼知教授卤氧铋光催化材料的报告，研究背景包括太阳燃料合成和环境污染治理，卤氧铋是极具潜力的光催化材料，优点主要有宽太阳光谱吸收，易调节能带氧化还原电位，独特的层状结构，卤氧铋晶面依赖特性，首次合成出两种晶面暴露卤氧铋晶片，晶面依赖光反应活性，001表面原子结构和合适的内建场，高紫外降解污染物特性，010面高表面积和开放通道，更好染料敏化光降解污染物性能，晶面依赖分子氧活化特性，晶面依赖碳均匀掺杂特性，不同表面原子结构导致两个晶面光照下形成氧光位活性不同，进而形成不同的分子氧吸附方式，001晶面活化氧分子形成氧自由基，浅晶格的碳掺杂是最有效果的，卤氧铋内建场调控，纳米片厚度依赖内建厂强度，控制合成不同厚度，内建场强度依赖于010晶面，均匀碳掺杂增强内建场强度和体相电荷分离效率，可达百分之八十。

卤氧铋氧空位效应，氧化物表面与小分子之间的相互作用，完美表面强，缺陷表面弱，氧空位特点电子富裕，配位不饱和，氧空位诱导光化学固氮，可见光响应合适能带位置，基于乙二醇与表面氧原子氧化还原的溶剂特点，含有氧化铋纳米片能在可见光下将大气中的氮气还原为氨，氮中质子直接来源于水，氧空位与光化学固氮模式，在固氮过程中形成肼中间体，氧空位诱导形成双面神双层结，4月25日下午，听取了汪的华教授关于资源高效与循环利用新技术研究，中国经济的发展面临着资源瓶颈和环境容量的严重制约。

讲座分析了我国资源利用现状，以资源减量化为前提，倡导采用循环经济和技术经济，以提高资源利用效率，循环经济是以资源循环利用为基本特征的经济发展模式。

循环经济追求资源的减量化、再利用、再循环，是一种以资源高效利用和循环利用为核心，以3R原则作为社会经济活动的准则，将传统经济的资源-产品-污染排放单项线性流动的经济转变为资源-产品-再生资源的物质反复循环流动的经济。

循环经济本身强调的是经济，强调可资源化的资源迅速实现资源化，以减少对源头资源的太多依赖和对环境的负面影响，同时强调源头的减量化，从而解除源头资源瓶颈的制约。

中国科学技术大学硕士学位论又Ａｕ电极上氢析出反应和Ｐｔ电极上氧还原反应的温度效应作者姓名：学科专业：导师姓名：完成时间：汤志强物理化学陈艳霞教授二Ｏ一二年五月图１．５不同催化剂上电催化氧还原反应的转换频率ＴＯＦ７６图１．５给出了在不同催化剂上电催化氧还原反应的单个位点上的转换频率ＴＯＦ，从图中看出，·非铂催化剂的催化效率仍然远远低于铂基催化剂，而对于铂基催化剂，随着粒径的减小存在着所谓的尺寸效应，低于特定尺寸的Ｐｔ纳米粒子，其活性随着粒径减小而降低从而降低了活性面积增加的效应。

因此如何在小尺寸的纳米粒子上保持Ｐｔ位点的活性成为关键。

这就需要对氧还原的机理形成清楚的认识，理解影响氧还原动力学行为的因素，为设计出高效廉价催化剂打好基础：Ｐｔ上氧还原作为一个４电子多步骤的电化学反应，将涉及到多个基元步骤以及众多可能的中间产物如０２２。

、０２‘、Ｈ０２‘、Ｈ２０２以及Ｐｔ表面的氧化物以及氢氧化物等。

仅仅Ｓｈａ０７７等报道其在碱性溶液中利用ＳＥＩＲＡＳ技术观测到０２．的谱峰，’但是其实验结果未被其他小组重复，因此迄今为止还未能通过原位光谱技术如ＡＴＲ．ＦＴＩＲ和ＳＥＲＳ直接测量到学界公认的氧还原的中间产物，所以很多小组关于氧还原的机理判断都是基于间接的实验数据或者理论计算得到的，由于各个小组的实验条件不同，而不同小组理论计算所选取的模型和使用的参数又不尽相同，因此对氧还原的机理还未达成统一认识。

根据文献中的报道，氧还原可能以如图１．６中所示的两种途径发生反应，列出如下：ｉ）直接反应途径：直接发生４电子还原生成Ｈ２０（速率常数为ｋ１）且Ｐ：０２＋４Ｈ＋＋４ｅ．一２Ｈ２０，Ｅｏ＝１．２２９Ｖ（１．７）第二章实验装置与技术图２．１单晶电极形成的实际过程（ａ－ｂ）与固液界面结构示意图（ｃ）图２．２单晶电极上晶面取向图将烧好的金球从烧结处烧断并固定在角位仪上，利用激光光路确定晶面。

其原理图如图２．３中所示，使平面反射镜和半透半反镜都与底座平面成４５度并互相平行，先通过调整金球粗调４个（１１１）面的反射光斑的位置，使相对光斑的连线与角位仪底座边大致平行，用平面镜替代金球在白纸上得到一个光斑并做好标记，并换上晶体并调节晶面使光斑与用平面镜标记的点重合，这样即可确定了（１１１）面。

高迁移率有机半导体材料与器件的研究2023国家自然科学奖1. 引言1.1 概述随着信息技术的迅速发展，有机半导体材料作为一种新型材料，引起了广泛的关注和研究。

高迁移率有机半导体材料是近年来研究的热点之一，其在电子器件领域具有广阔的应用前景。

本文将重点探讨高迁移率有机半导体材料与器件的研究，并对2023国家自然科学奖对该领域研究的支持和影响进行分析。

1.2 研究背景传统的硅基半导体材料具有成熟稳定的性能和制备工艺，但在柔性电子、可穿戴设备等领域存在局限性。

相比之下，有机半导体材料具有轻质、柔性可弯曲、低成本等优势，因此被认为是未来电子器件发展的重要方向之一。

然而，传统有机半导体材料通常具有较低的载流子迁移率，限制了其在高性能电子器件中的应用。

为了解决这个问题，高迁移率有机半导体材料被提出并广泛研究，以期实现高性能有机器件的制备。

1.3 目的和意义本文旨在系统地介绍高迁移率有机半导体材料及其相关器件的研究进展，并探讨其在电子器件领域的应用前景。

同时，文章将对2023年国家自然科学奖对于该领域研究的支持和影响进行分析，以便更好地了解该领域的最新发展和未来趋势。

相信通过本文的阐述，可以进一步推动高迁移率有机半导体材料与器件的研究，在相关领域取得更多重要突破，并为推动我国信息技术产业发展贡献力量。

以上是“1. 引言”部分内容，接下来将详细阐述“2. 高迁移率有机半导体材料的特点与应用”的相关内容。

2. 高迁移率有机半导体材料的特点与应用2.1 高迁移率有机半导体材料的概念高迁移率有机半导体材料是一类具有高电子或空穴迁移率的有机化合物。

相比传统无机半导体材料，高迁移率有机半导体材料在电子输运速度、可加工性和柔性等方面具备显著优势。

这些材料通常由有机分子或聚合物构成，其分子结构可以被调控和设计以实现更高的载流子迁移率。

2.2 材料特性与性能分析高迁移率有机半导体材料展示了许多独特的特性和优良的性能，使其在各种领域中拥有广泛的应用前景。

第 39 卷第 4 期2024 年 4 月Vol.39 No.4Apr. 2024液晶与显示Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展李强，葛春桥*，陈露，钟威平，梁齐莹，柳春锡，丁金铎（中山智隆新材料科技有限公司，广东中山 528459）摘要：基于金属氧化物半导体（MOS）的薄膜晶体管（TFT）由于较高的场效应迁移率（μFE）、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点，已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。

经过30余年的研究，非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）率先替代非晶硅（a-Si）在TFT中得到推广应用。

然而，为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能（如高分辨率、高刷新率等）和更低功耗等多元升级要求，需要迁移率更高的MOS TFTs技术。

本文从固体物理学的角度，系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展，并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。

最后，总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。

关键词：金属氧化物半导体；薄膜晶体管；场效应迁移率；偏压稳定性中图分类号：TN321+.5 文献标识码：A doi：10.37188/CJLCD.2024-0032Research progress of high mobility metal oxide semiconductorthin film transistorsLI Qiang，GE Chunqiao*，CHEN Lu，ZHONG Weiping，LIANG Qiying，LIU Chunxi，DING Jinduo （Zhongshan Zhilong New Material Technology Co. Ltd.， Zhongshan 528459， China）Abstract：Thin-film transistor （TFT）based on metal oxide semiconductor （MOS）has become a key technology to boost the development of the flat panel display or flexible display industry due to their high field-effect mobility （μFE）， extremely low cut-off leakage current and good large-area electrical uniformity. After more than 30 years of research，amorphous indium gallium zinc oxide （a-IGZO）is the first to be popularized in TFT by replacing the amorphous silicon （a-Si）. However， in order to simultaneously meet the multiple upgrade requirements of the display industry for higher productivity，better display performance （such as high resolution， high refresh rate，etc.） and lower power consumption， MOS TFTs technology with higher mobility is required.From the perspective of solid-state physics，this paper reviews the research progress of MOS TFTs to achieve high mobility characteristics through multi-component MOS materials， and discusses the relationship between mobility and device stability. Finally， the status quo and development trend of MOS TFTs are summarized and prospected.文章编号：1007-2780（2024）04-0447-19收稿日期：2024-01-23；修订日期：2024-02-14.基金项目：中山市科技计划（No.LJ2021006，No.CXTD2022005，No.2022A1009）Supported by Zhongshan Science and Technology Development Plan（No.LJ2021006，No.CXTD2022005，No.2022A1009）*通信联系人，E-mail：gechunqiao@zhilong.pro第 39 卷液晶与显示Key words： metal oxide semiconductor； thin-film transistor； field-effect mobility； bias stability1 引言在各类消费电子和工业设备显示中，薄膜晶体管（TFT）驱动背板是保障显示屏幕稳定运行的核心部件。

表面技术第52卷第3期激光功率对低碳钢表面激光熔覆钛合金涂层组织和性能的影响高炜1，俞宏英1,3，蒋旭洲2，斯佳佳1,3，孙冬柏2,3（1.中山大学 材料学院，广东 深圳 518107；2.中山大学 材料科学与工程学院，广州 510006；3.南方海洋科学与工程广东省实验室（珠海），广东 珠海 519080）摘要：目的利用激光熔覆简便、高效的特点，在低碳钢表面开发低成本、短流程的耐蚀钛合金涂层，拓宽钛合金在海洋工程装备上的应用。

方法选择球形纯钛粉末，采用同步送粉式激光熔覆技术在低碳钢表面制备一层薄的钛合金涂层。

通过单色红外测温仪对熔池的温度变化进行监测。

利用光学显微镜（OM）、扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）和X射线衍射仪（XRD）等表征涂层的宏观形貌、微观形貌和相组成。

借助万能试验机和维氏硬度计测试涂层的结合强度、剪切强度和硬度。

使用电化学工作站在NaCl（质量分数3.5%）溶液中测试涂层的极化曲线和阻抗（EIS），以评价涂层的耐蚀性能。

结果采用激光熔覆技术在低碳钢表面成功制备了一层薄的耐蚀钛合金涂层。

激光功率的选择对在低碳钢表面制备性能良好的钛合金涂层至关重要。

一方面，激光功率会影响熔池的温度演变，随着功率的降低，熔池的最高温度降低，熔池寿命缩短。

通过引入粉末沉积密度（ρPDD）和单位面积有效能量输入（E eff）进一步描述工艺参数与涂层质量之间的关系。

结果表明，在ρPDD（0.009 g/mm2）不变的情况下，要获得表面质量良好的涂层，需要将E eff 控制在一定范围（45~54 J/mm2）内。

另一方面，激光功率会影响铁元素的热扩散，功率的增大会导致涂层表面的铁元素增多。

由于铁元素在熔覆过程中的剧烈扩散，涂层的平均硬度皆大于400HV，预期对涂层的耐磨性能有正面影响。

受到粉末束流对熔池的搅动作用，界面处形成了TiFe和Fe2Ti的混合区域，此时涂层的结合强度降低。

通过调控功率来减少涂层表面的铁元素含量，有利于提高涂层的耐蚀性能，P10涂层表面铁元素的含量最少，其自腐蚀电位最正（−0.298 V），自腐蚀电流密度（1.117×10–7 A/cm2）最低，EIS结果也进一步证实P10涂层具有良好的耐蚀性。

两亲性聚烯烃核-壳结构高分子材料的合成肖冬洁，高海洋副教授*（中山大学化学与化学工程学院高分子研究所，广州，510275）摘要本文串联链行走聚合和点击化学，合成了PE为核，PEG为壳的两亲性聚合物。

首先，使用DCC和DMAP催化三种不同分子量的MPEG与戊炔酸进行酯化反应定量合成了端炔基MPEG。

其次，利用阳离子型α-二亚胺钯催化剂催化乙烯和极性单体BIEA直接共聚合成了末端带溴的超支化聚乙烯，并进行了Br-N3的基团转换。

通过点击反应成功合成了具有亲油性PE内核与亲水性PEG外壳的两亲性超支化聚合物。

关键词链行走聚合；阳离子型α-二亚胺钯催化剂；点击化学；两亲性超支化聚合物Synthesis of Amphiphilic Polymers withPolyolefins-Core StructureXiao Dongjie, Gao Haiyang*(Institute of Polymer Science, School of Chemistry and Chemical Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275)Abstract A tandem polymerization methodology, chain walking polymerization (CWP) followed by click chemistry, was developed for synthesis of amphiphilic polymers with polyolefins as core and PEG as shell. Firstly, Polyethylene glycol monomethylether(MPEG) bearing alkynyl ends were synthesized by quantitative esterification reaction between MPEG and amylalkynyl acid using DCC and DMAP as catalysts. Then, using the chain walking palladium-α-diimine catalyst, hyperbranched polymers bearing multiple Br groups were synthesized via coplymerization of ethylene and BIEA. PE-N3 derived from subsequent substitution by sodium azide of Br-terminated PE. Finally, the click reaction was successfully carried out to achieve three hyperbranched amphiphilic polymers with hydrophobic PE core and hydrotropic PEG shell.Key words chain walking; Pd-α-diimine catalyst; click chemistry; amphiphilic hyperbranched polymers1 前言聚烯烃是工业产量大和应用面广的高分子材料。

2018,V〇I.35N〇.04 Chemistry & Bioengineeringd o i:10.3969".issn.1672 —5!25.2018.0!.011张建华，马红星，蒋玉思，等.一种复合氧化物涂层钦电极的电化学性能及其在废水处理中的应用[J(化学与生物工程，2018,35 ⑷ $3-57.Z H A N G J H,M A H X,JIA N G Y S,e t al. Electrochem ical properties of a com posite oxide coated titanium electrode and its applica­tion in w astew ater tre a tm e n t[J]. C hem istry U B ioengineering,2018,35(4) ：53-57.一种复合氧化物涂层钛电极的电化学性能及其在废水处理中的应用张建华，马红星，蒋玉思，程华月，刘斌(广东省稀有金属研究所，广东广州510651)摘要：通过稳态极化曲线和循环伏安曲线，比较了复合氧化物涂层钬电极和镀铂钬电极的析氯和析氧电化学性能；通过循环伏安曲线，分析了复合氧化物涂层钬电极在不同溶液中的电化学性能，初步探索了复合氧化物涂层钬电极的电化学氧化机理；并将复合氧化物涂层钬电极安装在低压高频水处理装置中用于重金属废液和有机废液的电化学降解。

结果表明，复合氧化物涂层钬电极相比镀铂钬电极具有更高的析氯和析氧催化活性及析氯和析氧反应效率；复合氧化物涂层钬电极在酸性溶液中析出的铜容易氧化成铜离子，出现铜返溶现象，而析出的镍不容易氧化，很难出现镍返溶现象；复合氧化物涂层钬电极具有较高的电化学催化性能，在电流密度为1 300 A•m 2时，连续电解氧化120 m in后的铜离子去除率达到90[、镍离子去除率达到97[,连续电解氧化200 m in后的铵离子去除率达到98[、氰根离子去除率达到95[。

专利名称：一种吲哚二酮类小分子及其制备方法和应用专利类型：发明专利
发明人：岳晚,段傢耀,朱修远
申请号：CN202210277184.0
申请日：20220316
公开号：CN114671881A
公开日：
20220628
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明属于有机半导体材料技术领域，具体涉及一种吲哚二酮类小分子及其制备方法和应用，本发明通过一种非常简单的方法，合成出了一种新型的吲哚二酮类小分子化合物，本发明的合成方法简便，得到的化合物具有较好的溶解性能和吸收能级，相比于其他聚合物材料，小分子化合物的优势在于结构确定，产物纯度高，且具有较高的产率。

用该简单方法获得的小分子化合物具有良好的平面刚性结构，具有良好的堆积，有利于电子在分子间的传输，并且最大吸收波长在可见光领域，在有机电化学晶体管(OECT)、有机热电(OTE)、有机场效应晶体管等领域具有潜在的应用前景。

申请人：中山大学
地址：510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
国籍：CN
代理机构：深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人：高冰
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