(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案

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(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案

第一章 第 1 页 共 18 页 模拟电子技术基础

第一章

1.1 电路如题图1.1所示,已知5siniutV,二极管导通电压降D0.7VU。试画出iu和ou的波形,并标出幅值。

解:通过分析可知:

(1) 当37Viu.时,37ou.V

(2) 当37V37Vi.u.时,oiuu

(3) 当37Viu.时,37ou.V

总结分析,画出部分波形图如下所示:

1.2 二极管电路如题图1.2所示。(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算AO两端的电压AOU。

解:对于(a)来说,二极管是导通的。

采用理想模型来说,6VAOU (完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案

第一章 第 2 页 共 18 页 采用恒压降模型来说,67VAOU.

对于(c)来说,二极管1D是导通的,二极管2D是截止的。

采用理想模型来说,0AOU

采用恒压降模型来说,07VAOU.

1.3 判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D?I

解:(b)先将二极管断开,由KVL定律,二极管左右两端电压可求出:

25101515V182255U.左==

10151V14010U右==

故此二极管截止,流过的电流值为0DI=

(c)先将二极管断开,由KVL定律,二极管左右两端电压可求出:

151525V255U.左==,2252005V182U..左==

10151V14010U右==

由于05VUU.右左,故二极管导通。

运用戴维宁定理,电路可简化为

05327μA153D.I..

1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。

解: T1: 硅管,PNP,11.3V对应b, 12V对应e, 0V对应c (完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案

第一章 第 3 页 共 18 页 T2: 硅管,NPN,3.7V对应b, 3V对应e, 12V对应c

T3: 硅管,NPN,12.7V对应b, 12V对应e,15V对应c

T4: 锗管,PNP,12V对应b, 12.2V对应e, 0V对应c

T5: 锗管,PNP,14.8V对应b, 15V对应e, 12V对应c

T6: 锗管,NPN,12V对应b, 11.8V对应e, 15V对应c

模拟电子技术基础

第二章

2.2 当负载电阻L1kR时,电压放大电路输出电压比负载开路(LR)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻or。

解:由题意知: LL08OCOCoUR.UrR

解得025kΩor.

2.5 电路如题图2.2所示,设BJT的06VBEU.,CEOI、CESI可忽略不计,试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时,BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流CI。

解:1243mACSI/,38000375mABSI/.

(1) 开关打在A上:12060285mA40BBS.I.I,故三极管工作在饱和区。

3mACCSII

(2) 开关打在B上:120600228mA500BBS.I.I,故三极管工作在放大区。

18mACBII.

(3) 开关打在C上:发射结和集电结均反偏,故三极管工作在截止区。

IC=0

2.9 题图2.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线,试求:

(1)电源电压CCV,静态电流BI、CI和管压降CEV的值; (完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案

第一章 第 4 页 共 18 页 (2)电阻bR、cR的值;

(3)输出电压的最大不失真幅值;

(4)要使该电路不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?

解:(1)由输出特性图中可以读到: 20uABI,1mACI,3VCEU, 6VCCV。

(2) 300kΩCCbBVRI,3kΩCCCECCVURI

(3) 45330815V'OMCECEQCEQCESUmin(UU,UU)min(.,.).

(4)要使电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值取20uA

2_11、单管放大电路如图题3.4.2所示已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点;

(2)画出简化 H参数小信号等效电路;(3)估算 BJT的朝人电阻 rbe;(4)如输出端接入 4 kΩ的电阻负载,计算iOVVVA及SOVSVVA。

解(1)估算Q点

ARVIbCCB40 mAIIBC2

VRIVVCCCCCE4

(2)简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。

(3)求rbe

863226)501(20026)1(200mAmVImVrEbc

(4)116)||('0beLCbeLiVrRRrRVVA

73||||00bebsbebVsiiVsiisVSrRRrRARRRAVVVVVVA (完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案

第一章 第 5 页 共 18 页

2-14.电路如图所示,设耦合电容和旁路电容的容量均足够大,对交流信号可视为短路.

(1)求Au=Uo/Ui,ri,ro

(2)求Au=Uo/Us

(3)如将电阻Rb2逐渐减小,将会出现什么性质的非线形失真?画出波形图.

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第一章 第 6 页 共 18 页

2.15 电路如题图2.11所示。

(1)画出放大电路的微变等效电路;

(2) 写出电压放大倍数iouUUA..11iouUUA..22的表达式;

(3)求输入电阻ir;

(4)画出当ecRR时的输出电压1ou、2ou的波形(输入iu为正弦波,时间关系对齐)

解:(1)

(2)

ebeCebbebCbiouRrRRiriRiUUA)1()1(..11

221111.obeeu.bbebebeeiU()iR()RAir()iRr()RU

(3) '//ibirRr,其中1'ibeerr()R

(4)由于考虑到ecRR,因而21uuAA其波形图可参考如下: VRb2RcC1C2+++Ucc=+20V+_UoRb1Re2CeRe1+UsRs100kΩ 6.8kΩ

20kΩ 1kΩ 150Ω

2kΩ β=100

ri ro 13.(1)

3811ebecuRrRA121bbbCCBRRRUUmARRUUIeeBEBE2.121kIrrEbbbe5.2261RrRRrebebbi1////121kRrco8.6(3) Rb2减小将会产生饱和失真 VRb1Rb2RcRe1Re2+Ucc直流通路

VRb1Rb2RcRe1Rs+_+_UiUoUs交流通路

(2) 5.34usiiusARrrA