晶体三极管的结构、符号、类型

晶体三极管‎的结构和类‎型双极结型三‎极管相当于‎两个背靠背‎的二极管PN结。

正向偏置的‎EB 结有空穴从‎发射极注入‎基区，其中大部分‎空穴能够到‎达集电结的‎边界，并在反向偏‎置的CB 结势垒电场‎的作用下到‎达集电区，形成集电极‎电流I C。

在共发射极‎晶体管电路‎中, 发射结在基‎极电路中正‎向偏置, 其电压降很‎小。

绝大部分的集电极和‎发射极之间‎的外加偏压‎都加在反向‎偏置的集电‎结上。

由于V BE很小，所以基极电‎流约为I=‎5V/50‎k‎Ω‎=‎0.1mA‎。

B如果晶体管‎的共发射极‎电流放大系‎数β‎=‎I C / I B=100, 集电极电流‎I C=‎β*I B=10mA。

在500Ω‎的集电极负‎载电阻上有‎电压降VR‎C=10mA*500Ω=5V，而晶体管集‎电极和发射‎极之间的压‎降为VCE‎=5V，如果在基极‎偏置电路中‎叠加一个交‎变的小电流‎i b，在集电极电‎路中将出现‎一个相应的‎交变电流i‎c，有c/i b=β，实现了双极‎晶体管的电‎流放大作用‎。

金属氧化物‎半导体场效‎应三极管的‎基本工作原‎理是靠半导‎体表面的电‎场效应，在半导体中‎感生出导电‎沟道来进行‎工作的。

当栅G 电压V G增大时，p 型半导体表‎面的多数载‎流子棗空穴‎逐渐减少、耗尽，而电子逐渐‎积累到反型‎。

当表面达到‎反型时，电子积累层‎将在n+ 源区S 和n+ 漏区 D 之间形成导‎电沟道。

当V DS≠‎0‎时，源漏电极之‎间有较大的‎电流I DS流过。

使半导体表‎面达到强反‎型时所需加‎的栅源电压‎称为阈值电‎压V T。

当V GS>V T并取不同数‎值时，反型层的导‎电能力将改‎变，在相同的V DS下也将产生‎不同的I DS, 实现栅源电‎压V GS对源漏电流‎I DS的控制。

二、晶体管的命‎名方法晶体管：最常用的有‎三极管和二‎极管两种。

三极管以符‎号BG（旧）或（T）表示，二极管以D‎表示。

晶体三极管又称晶体管、双极型晶体管；在晶体管中有两类不同的载流子参与导电。

一、晶体管的结构和类型
1.晶体管的结构
在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就形成三极管。

2.晶体管的类型
基极为P的称为NPN型，基极为N的称为PNP型。

二、晶体管的电流放大作用
晶体管的放大状态的外部条件：发射结正偏且集电结反偏。

发射结正偏：发射区的载流子可以扩散到基区
集电结反偏：基区的非平衡少子(从发射区扩散到基区的载流子)可以漂移到集电区。

如果发射结正偏，集电结也正偏，出现的情况将是发射区的载流子扩散到基区，同时集电区的载流子也漂移到基区。

1.晶体管内部载流子运动
①发射结正偏：发射区载流子向基区扩散，基区空穴向发射区漂移
②集电极反偏，非平衡少子运动：从发射区过来的载流子到达基区后，称为非平衡少子(基区是P带正电，载流子是电子，所以是非平衡少子；基区空穴虽然是多子，但是数量比较少)，一方面与基区的空穴复合(少量)；另一方面，由于集电极反偏，会产生非平衡少子的漂移运动，非平衡少子从基区漂移到集电极，从而产生漂移电流。

由于集电极面积非常大，所以可以产生比较大的漂移电流(到达基区的载流子，由于集电极反偏，所以对基区的非平衡少子有吸引，集电极带正电，非平衡少子带负电）
③集电极反偏，少子漂移电流：由于集电结反偏，处于基区的少子(电子)会漂移运到到集电区；集电区的少子(空穴)会漂移运动到基区
2.晶体管中的电流分关系
三、共射电路放大系数
1.直流放大系数：放大系数：I c=(1+β)I B
2.交流放大系数：直流电流放大系数可以代替交流电流放大系数
四、结语
希望本文对大家能够有所帮助。

怎样检测三极管的B,C,E极以及PNP型与NPN型一、晶体三极管的结构类型晶体三极管通常称为晶体管或三极管,是各种电子设备的常用元件。

三极管的内部结构和电路符号如图5-49所示。

它是由两个相距很近的PN结组成的,一般都有三个电极,即发射极E、基极B和集电极C。

三个电极分别与三极管内部半导体的三个区(发射区、基区和集电区)相接。

发射区与基区之间的PN结称为发射结:集电区与基区之间的PN结称为集电结。

按PN结的不同组合方式,晶体三极管分为PNP 型和NPN型两种,这两种类型的三极管在电路符号上是有区别的。

PNP型管的发射极箭头向内,NPN型管的发射极箭头向外。

二者电源电压的连接方式是不同的。

二、晶体管的检测方法利用数字万用表不仅能判定晶体管电极、测量管子的共发射极电流放大系数hFE,还可鉴别硅管与锗管。

由于数字万用表电阻档的测试电流小,所以不适用于检测晶体管,应使用二极管档及hFE档进行测试。

1.鉴别基极B将数字万用表拨至二极管档,红表笔固定任接某个引脚,用黑表笔依次接触另外两个引脚,如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”,则红表笔所接的引脚就是基极B。

如果在两次测试中,一次显示值小于1V,另一次显示溢出符号“1”,表明红表笔接的引脚不是基极B,此时应改换其他引脚重新测量,直到找出基极B为止。

2.区分NPN管与PNP管仍使用数字万用表的二极管档。

按上述操作确认基极B之后,将红表笔接基极B,用黑表笔先后接触其他两个引脚。

如果都显示0.500~0.800V,则被测管属于NPN 型;若两次都显示溢出符号“1”,则表明被测管属于PNP管。

3.区分集电极C与发射极E(兼测hFE值)鉴别区分晶体管的集电极C与发射极E,需使用数字万用表的hFE档。

如果假设被测管是NPN型管,则将数字万用表拨至hFE档,使用NPN插孔。

把基极B插入B 孔,剩下两个引脚分别插入C孔和E孔中。

若测出的hFE为几十~几百,说明管子属于正常接法,放大能力较强,此时C孔插的是集电极C,E孔插的是发射极E,参见图5-50(a)。

3极管的表示电路符号
3极管，也称为晶体管，在电路符号中主要有三个部分表示：发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。

具体如下：
* 发射极（E）：通常标记为一个箭头指向基极，这是电子和空穴的发射点。

* 基极（B）：通常为一个细长的线，连接发射极和集电极，是控制电流流动的地方。

* 集电极（C）：通常标记为一个箭头指向发射极，是收集电子和空穴的地方。

需要注意的是，3极管有两种结构：NPN型和PNP型。

它们的电路符号表示略有不同，但基本原理相同。

NPN型3极管的电路符号中，发射极箭头指向基极，集电极箭头指向发射极；而在PNP型3极管的电路符号中，发射极箭头指向基极，集电极箭头指向发射极。

以上信息仅供参考，建议查阅专业书籍获取更准确和全面的信息。

概述三极管的分类、符号、识别和检测方法
等内容
三极管，又称为晶体三极管（Transistor），是一种基础的半导体器件。

根据结构和作用方式的不同，三极管可以分为NPN型和PNP 型两种类型。

1. NPN型三极管：由两个N型半导体材料夹着一个P型半导体材料构成。

其中，N型半导体材料分别连接外接的阴极（接收或控制信号的输入端）、基极（控制信号的输入端）和漏极（输出端）。

2. PNP型三极管：由两个P型半导体材料夹着一个N型半导体材料构成。

其中，P型半导体材料分别连接外接的阴极（接收或控制信号的输入端）、基极（控制信号的输入端）和漏极（输出端）。

符号上，NPN型三极管用一个三箭头箭头指向P型区，PNP型三极管则相反，用一个三箭头箭头指向N型区。

识别和检测方法如下：
1. 观察外观：三极管通常有三个引脚，其中两个引脚距离较近，另一个引脚与之间距离较远。

根据引脚的排列和标记，可以判断三极管的类型（NPN型还是PNP型）。

2. 测试引脚：用测试仪或多用表测量三极管的引脚之间的电阻。

根据测量结果，可判断出三极管的类型和状态（工作正常或故障）。

3. 使用替代器件：如果无法识别三极管的类型或状态，可以使用替代器件进行测试。

安装同类型的三极管来替代原本的三极管，并观察电路的工作情况来判断三极管的类型和状态。

三极管种类及符号一、三极管的种类1.半导体三极管：由半导体材料制成，是电子电路中最常用的三极管。

2.真空三极管：在真空封装下，利用控制栅极电压来控制阴极和阳极之间的电流，适用于高频和真空环境。

3.晶体三极管：由晶体材料制成，具有高频率、低噪声等特性，适用于高频放大和振荡电路。

4.金属氧化物半导体管：由金属氧化物半导体材料制成，具有高速度、低功耗等优点，适用于数字电路和大规模集成电路。

5.绝缘栅场效应管：通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流，具有高输入阻抗、低噪声等优点，适用于模拟电路和数字电路。

6.其他类型三极管：如光电三极管、磁敏三极管等，根据特殊应用需求而设计。

二、三极管的符号三极管的符号通常表示其类型和结构，常用符号有以下几种：1.E型符号：表示半导体三极管，其中E表示电气特性，也是电子电路中最常用的三极管符号。

2.V型符号：表示真空三极管，其中V表示真空封装。

3.jon图标：表示晶体三极管，其中j表示晶体，o表示有机物。

4.FET 图标：表示绝缘栅场效应管，其中F表示场效应管，E表示电子型，T表示三端型。

5.其他类型三极管的符号根据其类型和结构进行设计。

三、三极管封装形式三极管的封装形式是指其安装方式和使用方法，常用的封装形式有以下几种：1.TO-92封装：是一种塑料封装，由两个引脚通过塑料支架与外壳相连，使用时将外壳固定在印制板上。

2.TO-126封装：是一种大型塑料封装，适用于功率较大的三极管。

3.TO-251/252封装：是一种小型的金属封装，适用于高频和高灵敏度的应用。

4.SOT-23封装：是一种小型塑料封装，具有短引脚和扁平形状，适用于表面贴装技术。

三极管知识及极性判别方法三极管知识及极性判别方法晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

这是三极管最基本的和最重要的特性。

我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。

电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

这是三极管最基本的和最重要的特性。

我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。

电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。