半导体集成电路管壳检验

半导体检验与测试管理流程半导体检验与测试管理流程主要包括以下几个步骤：一、规划与设计在产品开发的初始阶段，就需要对检验与测试流程进行规划和设计。

这包括明确产品的规格和性能要求，确定需要检测的关键参数和指标。

同时，要根据产品的特点和生产工艺，选择合适的检验与测试方法和设备。

例如，对于芯片的电学性能测试，可能需要用到高精度的测试仪器，如半导体参数分析仪；对于芯片的外观检测，则可能需要使用高分辨率的光学显微镜。

二、原材料检验半导体的生产离不开各种原材料，如硅晶圆、光刻胶、化学试剂等。

在原材料入库前，必须进行严格的检验，以确保其质量符合生产要求。

这包括对原材料的纯度、杂质含量、物理特性等方面进行检测。

对于不合格的原材料，要及时退货或进行处理，防止其进入生产环节，影响最终产品的质量。

三、生产过程中的检验与测试在半导体的生产过程中，需要进行多次的检验与测试，以监控生产工艺的稳定性和产品的质量。

例如，在光刻工艺中，需要对光刻图形的精度和对准度进行检测；在蚀刻工艺中，需要对蚀刻的深度和均匀性进行测量。

这些中间环节的检验与测试结果，可以及时发现生产中的问题，便于采取措施进行调整和改进，从而保证产品的一致性和可靠性。

四、成品检验当半导体产品完成生产后，要进行全面的成品检验。

这包括对产品的功能性能、电学参数、可靠性等方面进行测试。

功能性能测试主要是验证芯片是否能够按照设计要求正常工作，如逻辑运算、存储功能等；电学参数测试则包括对电阻、电容、电压、电流等参数的测量；可靠性测试则是评估产品在不同环境条件下的稳定性和使用寿命，如高温、低温、湿度、振动等。

五、数据分析与处理在检验与测试过程中，会产生大量的数据。

对这些数据进行有效的分析和处理，可以帮助我们了解产品的质量状况，发现潜在的问题，并为生产工艺的优化提供依据。

数据分析可以采用统计分析方法，如均值、标准差、控制图等，以评估数据的分布和趋势。

对于异常数据，要进行深入的分析和追溯，找出问题的根源。

半導體元器件IQC檢驗方法一﹑二極體1﹑外觀檢驗﹕用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗二極體﹐無裂痕﹑殘缺等外觀不良現象。

2﹑尺寸檢驗﹕用游標卡尺根據廠商規格檢驗二極體本體長度﹑寬度﹑腳長度﹑腳間距﹑相對二腳間之距離﹑腳厚度﹐其它測試要點按照材料規格書所示﹐測試結果應在規定公差范圍內。

3﹑正向導通電阻﹕用萬用表測試﹐紅表筆接正極﹐黑表筆接負極﹐測量值應在0.5~~0.65KΩ范圍內。

表筆反接﹐阻值接近無窮大﹐帶黑色標記的一端為負極。

若兩方向之讀數均高﹐則二極管斷路。

反之為短路。

硅管正向電阻為數百至數千歐﹐反向1M歐以上。

鍺管正向電阻為數10Ω~~1000Ω。

4﹑逆向耐壓值﹕逆向耐壓值例如100V﹑用GPI-735&GPR-7510HD(直流高壓機&電源供給器)進行測試﹐反接于電路中﹐即紅表筆接負極﹐黑表筆接正極﹐經過10秒后﹐二極管不被擊穿。

具體測試方法如附件﹕5﹑耐熱性﹕●將二極體浸入260±5℃錫爐中﹐經10秒后取出來﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐外觀應無異常變化﹐無特性不良等現象。

●將二極體過Air Reflow【260+0/-5℃﹐時間為10~30秒】﹐總程6分鐘後取出﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐外觀應無異常變化﹐無特性不良等現象。

此為必檢項目。

6﹑焊錫性﹕浸助焊劑后﹐將二極管浸入235±5℃錫溶液中﹐經2±0.5秒后取出﹐二極管兩端有95%以上附著新錫﹐檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)。

此為必檢項目。

二﹑電晶體1﹑分類﹕DIP (ATV﹑SPT﹑TO-92) 有2SD1863﹑2SD1768S﹑KSD1616A等。

SMD (SOT-23,SMT3,MPT3,SOT-89 )有KST4401﹑2SC2411K﹑2SD1664﹑2SD1898等。

2﹑外觀檢驗﹕用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗電晶體﹐無裂痕﹑殘缺等外觀不良現象。

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常用集成电路好坏检测的方法集成电路的型号很多，内部电路千变万化，故检测集成电路好坏较为复杂。

下面介绍一些常用集成电路好坏检测的方法。

1.开路测量电阻法开路测量电阻法是指在集成电路未与其他电路连接时，通过测量集成电路各引脚与接地引脚之间的电阻来判别好坏的方法。

集成电路都有一个接地引脚(GND)，其他各引脚与接地引脚之间都有一定的电阻，由于同型号的集成电路内部电路相同，因此同型号的正常集成电路的各引脚与接地引脚之间的电阻均是相同的。

根据这一点，可使用开路测量电阻的方法来判别集成电路的好坏。

检测时，万用表拨至R×100Ω挡，红表笔固定接被测集成电路的接地引脚，黑表笔依次接其他各引脚，如图12-18所示，测量并记下各引脚与接地引脚之间的电阻，然后用同样的方法测出同型号的正常集成电路的各引脚对地电阻，再将两个集成电路各引脚的对地电阻一一对照，如果两者完全相同，则被测集成电路正常;如果有引脚电阻差距很大，则被测集成电路损坏。

测量各引脚电阻时最好用同一挡位，如果因某引脚电阻过大或过小难以观察而需要更换挡位时，则测量正常集成电路的该引脚电阻时也要换到该挡位。

这是因为集成电路内部大部分是半导体元器件，不同的欧姆挡提供的电流不同，对于同一引脚，使用不同欧姆挡测量时内部元器件导通程度有所不同，故不同的欧姆挡测量同一引脚得到的阻值可能有一定的差距。

采用开路测量电阻法判别集成电路的好坏比较准确，并且对大多数集成电路都适用，其缺点是检测时需要找一个同型号的正常集成电路作为对照，解决这个问题的方法是平时多测量一些常用集成电路的开路电阻数据，以便以后检测同型号集成电路时作为参考，另外也可查阅一些资料来获得这方面的数据。

图12-19所示是一种常用的内部有四个运算放大器的集成电路LM324，表12-15列出了其开路电阻数据，测量使用数字万用表200kΩ挡。

表中有两组数据，一组为红表笔接11脚(接地脚)、黑表笔接其他各脚测得的数据;另一组为黑表笔接11脚、红表笔接其他各脚测得的数据。

集成电路检测方法集成电路是一种采纳肯定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型电子器件或部件。

其中全部元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和和高牢靠性方面迈进了一大步。

它在电路中用字母“IC”表示。

一、集成电路检修之常规方法集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线测量法和代换法。

1.非在线测量非在线测量潮在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比，以确定其是否正常。

2.在线测量在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常，来推断该集成电路是否损坏。

3.代换法代换法是用已知完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路，可以推断出该集成电路是否损坏。

二、集成电路检修之检测技巧通常一台设备里面有很多个集成电路，当拿到一部有故障的集成电路的设备时，想要找到故障所在必需通过检测，集成电路行之有效的检测方法包括：1.微处理器集成电路的检测微处理器集成电路的关键测试引脚是VDD电源端、RESET复位端、XIN 晶振信号输入端、XOUT晶振信号输出端及其他各线输入、输出端。

在路测量这些关键脚对地的电阻值和电压值，看是否与正常值（可从产品电路图或有关修理资料中查出）相同。

不同型号微处理器的RESET复位电压也不相同，有的是低电平复位，即在开机瞬间为低电平，复位后维持高电平；有的是高电平复位，即在开关瞬间为高电平，复位后维持低电平。

2.开关电源集成电路的检测开关电源集成电路的关键脚电压是电源端（VCC）、激励脉冲输出端、电压检测输入端、电流检测输入端。

测量各引脚对地的电压值和电阻值，若与正常值相差较大，在其外围元器件正常的状况下，可以确定是该集成电路已损坏。

电子测量方法与测量仪器8——半导体测量(四) 半导体器件检测半导体器件也叫“晶体管”，如：（双极型）三极管、二极管、场效应管、晶闸管、各种集成电路等，种类繁多，广泛应用于各种电子电路中。

判断电路中半导体器件的好坏、检测其基本的性能，是电器电路故障诊断的重要测量项目。

本节探讨：使用万用表欧姆档，或者配合使用一些简单装置，检测半导体器件的方法，这在电器电路故障诊断中具有非常重要的实用意义。

(1) PN结特性与半导体器件基本检测方法在半导体材料中，P型区域与N型区域的交界处附近会形成一个特殊的区域，这个区域叫PN结，如图（3-23）所示。

PN结是半导体器件的核心，检测半导体器件实际上就是通过外部引脚（线），测量内部PN结。

PN结具有三个重要特征：单向导电；正向导通压降；反向击穿电压，它们是判断PN结好坏、识别无标识的半导体器件类型和各引脚电极的主要依据。

由于二极管就是一个单独封装的PN结，因此二极管和PN结用相同的符号表示。

以下通过对二极管的特性描述，说明单独PN结的上述三个特征：单向导电：当给二极管施加正向电压时，即正极（连接到P区）接正、负极（连接到N区）接负，如图（3-23）中所示方向。

二极管呈现为导通状态，有正向电流流过，并且该电流将随着正向电压的增加，急剧增大；当给二极管施加相反的电压时，二极管呈现为截止状态，只有少量的穿透电流I BO（uA级以下）流过。

正向导通压降：二极管加上正向电压导通后，会保持一个相对固定的端电压V F，V F称为“正向导通压降”，其数值依选用的半导体基材不同有别，锗半导体约为0.3V；硅半导体约为0.7V。

反向击穿电压：当给二极管施加的反向电压值达到其所能承受的极限值（反向击穿电压V Z，大小因二极管的型号不同有别）时，二极管呈现为导通状态，且在允许的反向电流范围内，其端电压会基本保持为V Z，即二极管反向击穿后具有“稳压特性”。

伏安特性曲线：在直角坐标系中，如果以二极管的端电压V为横坐标，电流I为纵坐标，可以将二极管的上述特性用一条曲线来定量的描述，该曲线称为二极管的伏安特性曲线，图（3-24）所示是普通硅二极管的伏安特性曲线。

半导体放电管检测要求及测试方法1 本要求遵循的依据1.1YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》1.2YD/T694—1999《总配线架》1.3GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》2 测试前准备及测试环境条件2.1对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。

2.2在标准大气条件下进行试验2.2.1温度：15～35℃2.2.2相对湿度：45％～75％2.2.3大气压力：86～106Ｋpa所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行：温度：25±5℃相对湿度：45％～75％大气压力：86～106Ｋpa在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。

2.3按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。

按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。

3 检测要求和测试方法3.1外形检查3.1.1要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。

3.1.2金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。

3.1.3外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。

3.1.4产品标志应清晰耐久3.1.5包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用3.2直流击穿电压测试3.2.1用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。

3.2.1半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。

集成电路(IC)封装的截面显微组织检验方法引言电子学是工程学的一个重要分支, 它是一门关于为了有用的目的而对电子进行控制的学科。

运用物理学的知识得知, 电子的流动可以在真空、气体、或液体中进行，也可以在固体中受限制地流动（半导体）、接近不受限制地流动（导体）、或完全不受限制地流动（超导体）。

当今, 电子产品正变得越来越复杂，工程技术人员总是力图将许多部件放在一个小小的“黑匣子”中。

制造商总是想把大部分资金用在改善其生产设施，而只愿意留下很少一部分资金用于质量控制。

最坏的情况是，大多数公司宁愿把他们的质量控制资金用于基本设备投资，例如购买新型扫描电子显微镜、透射电子显微镜，或是厄歇谱仪，只剩下很少一部分钱用来购买试样制备设备和消耗器材。

一个众所周知的现象就是人们对试样制备的重要性一直不够重视。

另一方面, 毫无疑问，最终产品的质量和可靠性取决于每个部件的性能。

然而，这也总是电子工业的一个令人头痛的问题。

对电子产品的截面进行金相检验是一种众所周知并通常广为接受的检验方法。

然而，大多数电子产品的金相技术人员可能面临的一个问题就是他们需要进行磨光和抛光的材料比预期的复杂和困难。

他们也许从来没有学习过如何去处理多层基体材料，而他们在大学学习时只学过如何恰当地制备均匀的材料，例如钢、铜合金或铝合金。

此外，他们还须面对设备很差的金相实验室，消耗器材的品种也很有限，并且使用所谓的“传统或常规方法”来制备先进的电子产品试样。

一般情况下，常规试样制备方法是从240#碳化硅砂纸开始，先进行磨成平面工序，接着使用600#、12 00#砂纸，然后用0.3 μm 氧化铝进行粗抛光，以及0.05 μm 氧化铝在长绒毛织物上进行最终抛光，这样可获得光亮的表面。

制备方法还可能因地而异，甚至还取决于实验室有哪些现成的消耗器材。

当今，这种制备方法已经不适于用来制备先进材料。

此外，他们也没有想到他们的试样是否好到足以和先进的显微镜或扫描电子显微镜相匹配。

半导体集成电路测试方法标准qj
半导体集成电路测试方法标准QJ是指针对半导体集成电路测试
而制定的标准和规范。

在半导体行业中，由于集成电路的复杂性和
多样性，测试方法的标准化对于确保产品质量、降低生产成本和提
高效率至关重要。

标准QJ涵盖了多个方面，包括测试流程、测试设备、测试参数、测试标准等内容。

首先，测试流程是指在半导体集成电路生产过程中，进行测试
的具体步骤和方法。

标准QJ会规定测试流程中的各个环节，如前期
准备、测试方案设计、测试数据采集、结果分析等，以确保测试过
程的严谨性和可靠性。

其次，测试设备是指用于进行集成电路测试的各类设备和工具。

标准QJ会对测试设备的选型、校准、维护等方面进行规范，以保证
测试设备的稳定性和准确性。

测试参数是指在集成电路测试过程中需要关注和记录的各项参数，如电压、电流、频率、温度等。

标准QJ会规定测试参数的范围、精度要求、采集频率等，以确保测试结果的可比性和准确性。

最后，测试标准是指针对不同类型的集成电路制定的测试规范和要求。

标准QJ会根据具体的集成电路类型和用途，制定相应的测试标准，以保证产品的性能和质量符合要求。

总的来说，半导体集成电路测试方法标准QJ涵盖了测试流程、测试设备、测试参数、测试标准等多个方面，旨在规范和标准化集成电路测试过程，确保产品质量和性能达到要求。

这些标准的制定和遵守对于推动半导体产业的发展和进步具有重要意义。

半导体集成电路识别与测试集成电路是发展最快的电子元器件。

用于电子技术的各个方面，种类繁多，而且新品种层出不穷，这里仅从应用的角度介绍常用集成电路的类别、封装、引脚识别等应用知识。

1.1集成电路的分类1. 按制造工艺和结构分类可分为：半导体集成电路、膜集成电路、混合集成电路。

通常所说的集成电路指的就是半导体集成电路。

膜集成电路又可分为薄膜和厚膜两类。

膜集成电路和混合集成电路一般用于专用集成电路，通常称为模块。

2. 按半导体工艺分类⑴双极型集成电路在硅片上制作双极型晶体管所生产的集成电路。

⑵MOS集成电路硅片制作MOS场效应管所生产的集成电路。

⑶双极型—MOS集成电路（BIMOS）常将MOS电路作输入电路，双极型晶体管作输出电路，构成BIMOS集成电路。

3. 按集成度分类集成度是指一块硅片上含有元件数目。

表1-14给出了早期对集成度的分类：表1-14一般常用集成电路以中、大规模集成电路为主，超大规模集成电路主要用于存储器及计算机CPU等专用芯片中。

4.按使用功能分按使用功能划分集成电路是国外很多公司的通用方法，如表1-15。

还可按应用领域分类为：军用、工业用和民用集成电路三大类，相对而言对集成电路的性能指标要求有所不同。

还有通用和专用集成电路之分，特殊专门用途的称为专用集成电路。

专用集成电路性能稳定，功能强，保密性好，具有广泛的前景和广阔的市场。

表1-15按功能分类集成电路国产集成电路的型号命名基本与国际标准接轨，如表2-16所示。

同种集成电路虽各厂家基本用相同的数字标号（表中第二部分），而以不同字头代表不同厂商，功能、性能、封装和引脚排列都完全一致，使用中可以互换。

1.3集成电路封装与引脚识别不同种类的集成电路，封装不同，按封装形式分：普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等。

按封装体积大小排列分：最大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装、双列扁平、四列扁平为最小。