模拟电子技术基础期末试题(西安交大)
- 格式:doc
- 大小:1020.50 KB
- 文档页数:13
277RR21uiou CR 附录1 西安交通大学模拟电子技术基础考试题(2001年12月)一、填空题(每空1分,共15分):请在空格中填上合适的词语,将题中的论述补充完整。
1.PN 结的主要的特性是_____2.多级放大电路的耦合方式有____耦合、________ 耦合和变压器耦合三种。
3.硅稳压管常使其工作在____ 状态,用来稳定直流电压。
4.N 沟道结型场效应管要求输入回路的PN 结_______偏置,且管子工作在放大区的条件是DS u ____ 。
5.增强型场效应管当DS u _________ , GS u _____ 时,有电流流过沟道。
6.场效应管组成_________ 、____ 和共漏三种基本放大电路。
7.如果电路需要稳定输出电流,且增大输入电阻,可以选择引入____反馈。
8.反馈放大电路发生自激振荡的条件是________ 。
9.图1所示的电路是 ____滤波器。
10.试判断图2所示电路能否振荡。
(a )图 _________,(b )图 ____。
图1(a ) (b )图2二、(20分)电路如图3所示,设F 10321μ===C C C ,F 474μ=C ,F 20L p C = ,10021==ββ,Ω='300b b r 。
试求:1.各级电路的静态工作点(包括I CQ1和U CEQ1,I CQ2和U CEQ2); 2.画出电路的微变等效电路;3.电路总的电压增益io /U U A u =; 4.电路的输入电阻i R 和输出电阻o R ;L1C2785.近似估算电路的下限截止频率L f 和上限截止频率H f ;6.现有一个μF 100的电容器,你将替换C 1~C 4中哪个电容,就能明显改善电路的低频特性。
图3三、(6分)电路如图4所示,如果电路需要引入反馈来稳定输出的电压,则反馈支路应加在电路的什么位置(指A 、B 、C 、D 、E 、F 、G 点)哪两个点之间,回答在答题纸上。
《模拟电子技术基础》试题(A 卷)一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。
(10分) (1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
( ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。
( ) (3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
( ) (4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
( ) (5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
( ) (6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
( ) (7)未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。
( ) (8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
( ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
( ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
( ) 二、选择填空 (10分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。
(A )电流负反馈 (B )电压负反馈 (C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2)RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。
(A )感性 (B )阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D )差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
(A )β (B )β2 (C )2β (D )1+β(5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 。
(A )共基放大电路 (B )共集放大电路 (C )共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E 。
(A ) > (B ) < (C ) = (D )≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
单选题N型半导体中,自由电子的数目和空穴的数目()。
单相桥式整流电路中,设变压器二次电压有效值为20V,若某个二极管开路,则负载电阻上的压降为()。
当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律。
()多级放大电路总的电压放大倍数是各分级电压放大倍数()。
放大电路中,引入并联电压负反馈后可以稳定()。
共发射极放大电路负载开路时,放大倍数()某班有45个学生,若用二进制对其编码,最少需要二进制码的位数是()。
某放大电路要求R1大,输出电流稳定,应选()负反馈。
三端固定输出集成稳压器CW7912(CW7812)的输出电压为()。
三端固定输出集成稳压器的输出电压为12V(-5V),则它的型号可能是()。
三极管处于截止状态时()。
要使放大电路输入电阻和输出电阻都减小(含其余情况),应引入的负反馈是()要用n位二进制数为N个对象编码,必须满足()。
已知两个单管放大电路的电压放大倍数分别为20和30,若将它们连接起来组成两级阻容耦合放大电路,其总的电压放大倍数约为()。
以下电路中可以属于时序逻辑电路的是()。
由理想二极管组成的电路如下图所示,则U0= ()在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V,则这只三极管在放大电路中引入电压串联负反馈时()判断题当输入信号是一个失真信号时,加入负反馈不能使失真得到改善。
()多级放大器中,后一级的输入电阻相当于前一级的负载。
()多级放大电路输入电阻为各级输入电阻之和。
()多级阻容耦合放大电路的静态工作点互不影响。
()发射结处于正向偏置的三极管,一定是工作在放大状态。
()环境温度升高时双极型三极管的UBE,β,ICBO都升高。
集成运算放大器的输出级一般采用差动放大电路。
()逻辑函数F=逻辑函数逻辑函数n个变量的逻辑函数共有2n最小项N型半导体可通过在纯净半导体掺入五(三)价元素而获得。
()P型半导体的多数载流子是空穴,因此带正电。
()三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。
西交《模拟电子技术》在线作业试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 30 道试题,共 60 分)1. 三极管是一种( )的半导体器件A. 电压控制B. 电流控制C. 既是电压控制又是电流控制D. 功率控制答案:B2.在滤波电路中,与负载并联的元件是()。
A. 电容B. 电感C. 电阻D. 开关答案:A3.稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须()它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于截止状态。
()A. 正偏,大于B. 反偏,大于C. 正偏,小于D. 反偏,小于答案:B4.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入()。
A. 电压串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流串联负反馈D. 电流并联负反馈答案:B5.三极管的输出特性曲线中,每一条曲线与 ( )对应A. 输入电压B. 基极电压C. 基极电流D. 输出电压答案:C6.有一晶体管的极限参数:PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。
若工作电流IC=1mA,则工作电压UCE不得超过()V。
A. 15B. 100C. 30D. 150答案:C7.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的()A. 差模放大倍数数值增大B. 抑制共模信号能力增强C. 差模输入电阻增大答案:B8.结型场效应管发生预夹断后,管子( )A. 关断B. 进入恒流区C. 进入饱和区D. 可变电阻区答案:B9.射极输出器是典型的( )放大器A. 电压串联负反馈B. 电流串联负反馈C. 电压并联负反馈D. 电流并联负反馈答案:A10.在单级共射放大电路的射极回路加入射极电阻Re后,将使电压放大倍数( )A. 增大B. 不变化C. 下降D. 小于1答案:C11.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )A. 基本正常B. 将被击穿C. 将被烧坏D. 电流为零答案:C12.( )场效应管能采取自偏压电路。
模拟电⼦技术基础期末试题(西安交⼤)模电试题三、计算题(每题10分,共60分)1.某放⼤电路输⼊电阻Ri=10kΩ,如果⽤1µA电流源驱动,放⼤电路短路输出电流为10mA,开路输出电压为10V。
求放⼤电路接4k Ω负载电阻时的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap。
2.⼆极管电路如图题所⽰,试判断图中的⼆极管是导通还是截⽌,并求出AO两端电压V AO。
设⼆极管是理想的。
3.电路如图题所⽰,设BJT的β=80,V BE=0.6 V,I CEO、V CES可忽略不计,试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时,BJT各⼯作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流Ic。
4.电路参数如图所⽰,FET⼯作点上的互导g m=1 ms,设r d>>R d。
(1)画出电路的⼩信号模型;(2)求电压增益Av;(3)求放⼤器的输⼊电阻Ri。
5.电路如图所⽰,假设运放是理想的,试写出电路输出电压V o的值。
6.由运放组成的BJT电流放⼤系数β的测试电路如图所⽰,设BJT 的V BE=0.7 V。
(1)求出BJT的c、b、e各极的电位值;(2)若电压表读数为200mV,试求BJT的β值。
⼀、选择题(每题2分,共20分)(1)PN结加正向电压时,PN结将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿(3)当晶体管⼯作在放⼤区时,发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(4)在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价(5)当温度升⾼时,⼆极管的反向饱和电流将。
A.增⼤B. 不变C. 减⼩(6)⼯作在放⼤区的某三极管,如果当I B从12µA增⼤到22µA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100(7)已知变压器副边电压有效值U2为10V,采⽤桥式整流R L C≥3(T/2)(T为电⽹电压的周期)。
西安交通大学19年3月课程考试《电子技术基础》作业考核试题(含主观题)请注意:本答案仅有全部选择题答案、主观题(名词解释,简答,填空)仅有部分或没有!请谅解!1、C2、D3、B4、B5、C一、单选题共30题,60分1、已知晶体管的输入信号为正弦波,下图所示输出电压波形产生的失真为( )。
A饱和失真B交越失真C截止失真D频率失真正确答案是:C2、能使输出电流稳定的是( )。
A串联负反馈B电压负反馈C并联负反馈D电流负反馈正确答案是:D3、符合右边真值表的是( )门电路A与B与非C或D非正确答案是:B4、晶体管三极管放大条件是( )。
A发射结要正向偏置B发射结要正向偏置,集电结要反向偏置C集电结要反向偏置D发射结要反向偏置,集电结要正向偏置正确答案是:B5、集成运放工作在线性放大区,由理想工作条件得出两个重要规律是( )。
AU+=U-=0,i+=i-BU+=U-=0,i+=i-=0CU+=U-,i+=i-=0DU+=U-=0,i+≠i-正确答案是:C6、测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V,V2=-5V,V3=-0.3V,则可判断( )。
A该管为NPN管,材料为硅,1极为集电极B该管为NPN管,材料为锗,2极为集电极C该管为PNP管,材料为硅,1极为集电极D该管为PNP管,材料为锗,2极为集电极正确答案是:D7、编码器、译码器为( )。
A组合逻辑电路B时序逻辑电路CA和B正确答案是:A8、在要求放大电路有最大不失真输出信号时,应该把静态工作点设置在( )。
A交流负载线的中点B交流负载线的上端C直流负载线的中点D直流负载线的上端正确答案是:A9、有两个2CW15稳压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为7.5V,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是( )。
A8VB7.5VC15.5V正确答案是:B10、一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态,其发射结电压和集电结电压分别为( )。
西安交通大学14年6月课程考试《模拟电子技术》考查课试题一、单选题(共10 道试题,共30 分。
)1. 负反馈放大电路的含义是( )。
A. 输出与输入之间有信号通道。
B. 电路中存在使输入信号削弱的反向传输通道。
C. 除放大电路以外,还有别的信号通道。
D. 电路中存在反向传输的信号通道。
正确答案:B2.题1.8图示电路中的反馈类型是()负反馈。
A. 电压并联B. 电流并联C. 电压串联D. 电流串联正确答案:C3.在题1.10图示电路中,A为理想运算放大器,三端集成稳压器的2、3端之间的电压用UREF 表示,则电路的输出电压可表示为()。
A.B.C.D.正确答案:B4.题1.9图示滤波器的截止频率为()。
A.B.C.D.正确答案:D5. 在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为( )MOS管。
A. N沟道耗尽型B. P沟道耗尽型C. P沟道增强型D. N沟道增强型正确答案:A6.互补推挽功率放大电路如题1.4图所示,在输出电压的幅值Uom为()时,晶体管的管耗最大。
A. 0.2VCCB. 0.5VCCC. 0.6VCCD. VCC正确答案:C7.某放大电路中,三极管各电极对地的电位如题1.3图所示,由此可判断该三极管为( )。
A. NPN硅管B. NPN锗管C. PNP硅管D. PNP锗管正确答案:D8.理想二极管电路如题1.1图所示,则UAB为()。
A. -12VB. –15VC. –3VD. 0V正确答案:A9. 放大电路产生零点漂移的主要原因是()。
A. 采用了直接耦合方式B. 晶体管的电流放大倍数太大C. 电路的电压放大倍数太大D. 环境温度变化引起了电路参数变化正确答案:D10. 场效应管的工作原理是()。
A. 输入电压控制输入电流B. 输入电压控制输出电流C. 输出电压控制输出电流D. 输出电压控制输入电流正确答案:B二、主观填空题(共10 道试题,共20 分。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF )BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
《模拟电子技术基础》试题(A 卷)一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。
(10分) (1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
( ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。
( ) (3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
( ) (4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
( ) (5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
( ) (6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
( ) (7)未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。
( ) (8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
( ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
( ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
( ) 二、选择填空 (10分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。
(A )电流负反馈 (B )电压负反馈 (C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2)RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。
(A )感性 (B )阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D )差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
(A )β (B )β2 (C )2β (D )1+β(5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 。
(A )共基放大电路 (B )共集放大电路 (C )共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E 。
(A ) > (B ) < (C ) = (D )≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空(每题2,共2分)1.硅稳压二极管在稳压电路中稳压时,通常工作于()。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是()。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈()。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用的滤波电路是()。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均大于零的运算电路是()。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。
()(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为()。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空(共10题,每题2分,共20分)1、在室温(27℃)时,锗二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V,硅二极管的死区电压约 V;导通后在较大电流下的正向压降约 V。
模拟电子技术基础A第1次作业本次作业是本门课程本学期的第1次作业,注释如下:一、单项选择题(只有一个选项正确,共10道小题)1. N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应()。
(A) 带负电(B) 带正电(C) 不带电正确答案:C解答参考:2.电路如图所示,二极管 D、D 为理想元件,判断 D、D的工作状态为()。
(A)(B)(C)(D)正确答案:A解答参考:3.电路如图所示,RF 引入的反馈为 ( ) 。
(A) 串联电流负反馈(B) 串联电压负反馈(C) 并联电流负反馈(D) 并联电压负反馈正确答案:C解答参考:4. 自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置,此装置之所以能输出信号是因为()。
(A) 有外加输入信号(B) 满足了自激振荡条件(C) 先施加输入信号激励振荡起来,后去掉输入信号正确答案:B解答参考:5.电路如图所示,二极管为理想元件,ui=6sint V,U=3V,当t =π/2瞬间,输出电压 uO 等于()。
(A) 0 V(B) 6 V(C) 3 V正确答案:B解答参考:6. 电容滤波器的滤波原理是根据电路状态改变时,其()。
(A) 电容的数值不能跃变(B) 通过电容的电流不能跃变(C) 电容的端电压不能跃变正确答案:A解答参考:7.放大电路如图所示,其中的晶体管工作在( )。
(A) 放大区(B) 饱和区(C) 截止区正确答案:B解答参考:8.整流电路如图所示,输出电流平均值I0=50mA,则流过二极管的电流平均值I D是()。
(A) I D=50mA(B) I D=25mA(C) I D=12.5mA正确答案:B解答参考:9.直流电源电路如图所示,用虚线将它分成四个部分,其中滤波环节是指图中()。
(A) (1)(B) (2)(C) (3)(D) (4)正确答案:C解答参考:10. 单相半波整流、电容滤波电路中,设变压器副边电压有效值为U2,则通常取输出电压平均值U0等于()。
模电试题
三、计算题(每题10分,共60分)
1.某放大电路输入电阻Ri=10kΩ,如果用1μA电流源驱动,放大电路短路输出电流为10mA,开路输出电压为10V。
求放大电路接4kΩ负载电阻时的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap。
2.二极管电路如图题所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端电压V AO。
设二极管是理想的。
3.电路如图题所示,设BJT的β=80,V BE=0.6 V,I CEO、V CES可忽略不计,试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时,BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流Ic。
4.电路参数如图所示,FET工作点上的互导g m=1ms,设r d>>R d。
(1)画出电路的小信号模型;(2)求电压增益Av;(3)求放大器的输入电阻Ri。
5.电路如图所示,假设运放是理想的,试写出电路输出电压Vo的值。
6.由运放组成的BJT电流放大系数β的测试电路如图所示,设BJT的V
=0.7 V。
(1)求出BJT的c、b、e各极的电位值;(2)若电压表BE
读数为200mV,试求BJT的β值。
一、选择题(每题2分,共20分)
(1)PN结加正向电压时,PN结将。
A. 变窄B.基本不变C.变宽
(2)稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏
(4)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体。
A.五价B. 四价C.三价
(5)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C. 减小
(6)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C 从1mA变为2mA,那么它的β约为。
A. 83
B. 91
C. 100
(7)已知变压器副边电压有效值U2为10V,采用桥式整流R L C≥3(T/2)(T为电网电压的周期)。
测得输出电压平均值U O可能的数值为A.14V B. 12V C.9V D.4.5V
(8)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大。
A.交流功率B.直流功率C.交直流功率
(9)功率放大电路的转换效率是指。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
(10)在OTL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为。
A.1W B.0.5W C.0.2W
二、判断题(每题2分,共20分)
(1)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
(╳)
(2)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
(√)
(3)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。
(√)
(4)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(╳)
(5)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;(╳)(6)可以说任何放大电路都有功率放大作用;(√)
(7)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;(╳) (8)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(╳)
(9)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;(√)
(10)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;(╳)
三、计算题(每题10分,共60分)
1.有以下三种放大电路备用:(1)高输入电阻型:Ri1=1MΩ,Avo1=10,Ro1=10kΩ;(2)高增益型:Ri2=10kΩ,Avo2=100,Ro2=lk Ω;(3)低输出电阻型:Ri3=10kΩ,Av03=1,Ro3=20Ω。
用这三种放大电路组合,设计一个能在100Ω负载电阻上提供至少0.5W功率
的放大器。
已知信号源开路电压为30mV,内阻为Rs=0.5MΩ。
2.如图所示为稳压电路,已知稳压管的Izmax=20mA,Izmin=5mA,r z=10 Ω,Vz=6V,负载电阻最大值R L max=10kΩ。
(1)确定R;(2)确定最小允许的R L值;(3)若R L=l kΩ,当Vi增加1V时,求ΔV。
值。
3.电路如图所示,已知BJT的β=100,V BE=-0.7 V。
(1)试估算该电路的静态工作点;(2)画出简化的H参数小信号等效电路;(3)求该电路的电压增益Av,输入电阻Ri、输出电阻Ro;(4)若V o中的交流成分出现图所示的失真现象,问是截止失真还是饱和失真?为消除此失真,应调整电路中的哪个元件?如何调整?
5.电路如图所示,设运放是理想的,试求Vo1、Vo2及V o的值。
6.积分电路如图所示,设运放是理想的,已知初始状态时Vc(0)=0,试回答下列问题:(1)当R1=100kΩ、C=2μF时,若突然加入Vs(t)=1 V的阶跃电压,求1s后输出电压V o值,(2)当R1=100kΩ,C=0.47μF,输入电压波形如图所示,试画出V o的波形,并标出V o的幅值和回零时间。
信号与系统第3、4、5章练习
一、 填空题
1. )(t δ的傅里叶变换结果 =___________
)1(-t δ的傅里叶变换结果 =___________
2. t 4cos 的拉普拉斯变换的结果=___________
3. s 1
对应的原函数(拉普拉斯逆变换)是什么=
4. 25
+ωj 的傅里叶逆变换结果是______
5. 已知系统函数)2)(1(3
)(-++=s s s s H ,则其初值)0(+f =______
其终值=∞)(f ______
二、用所学的性质与理论阐述“信号抽样”的大致过程与原理。
用所学的性质与理论阐述 “调制解调”的大致过程与原理。
三、作图题
1、请给出电感的S 域模型(包含有初始状态与无初始状态两种情况)
2、请给出电容的S 域模型(包含有初始状态与无初始状态两种情况) 3、已知系统函数)2)(1(3
)(-++=s s s s H ,
(1)画其零极点分布图;(2)判断该系统是否稳定?
(3)判断是否为最小相移系统?
四、计算
1. 系统表示为y''(t ) + 5y '(t ) + 6y (t ) = 2f '(t ) + 8f (t),激励 f(t ) = e -t u (t),初始状态y (0-)=3,y '(0-)=2,求响应y (t )。
(如果是1阶微分方程组,采用同样的思路与方法解决)
2. 若输入由正弦信号变为)(2t u e t -或者是)(t δ时,输出又是怎样的?
(采用第五章的方法求解,也可考虑用第四章的方法能否解决)
()()()?
3sin ,2sin ,sin j 11
j 输出为多少时的
当输入分别为若t t t H ωω+=。