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常用电子元器件大全一、电阻器1. 固定电阻器：阻值固定，常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻等。
2. 可变电阻器：阻值可调，如电位器、滑动变阻器等。
3. 熔断电阻器：具有过载保护功能，当电流超过一定值时，电阻器会自动断开。
二、电容器1. 无极性电容器：如陶瓷电容器、聚脂电容器等。
2. 有极性电容器：如电解电容器、钽电容器等。
3. 可变电容器：如空气可变电容器、真空可变电容器等。
三、电感器电感器是一种能产生电磁感应的电子元件，主要用于滤波、振荡、扼流等电路。
常见电感器类型如下：1. 固定电感器：线圈绕制在磁性材料上，如空心电感、磁芯电感等。
2. 可变电感器：线圈匝数可调，如空气可变电感、磁芯可变电感等。
3. 螺线管电感器：具有线性或非线性特性，如线性螺线管、非线性螺线管等。
四、二极管1. 整流二极管：如硅整流二极管、肖特基二极管等。
2. 稳压二极管：如硅稳压二极管、锗稳压二极管等。
3. 发光二极管：如普通LED、红外LED等。
五、晶体管晶体管是一种具有放大功能的半导体器件，是电子电路中的核心元件。
常见晶体管类型如下：1. 双极型晶体管（BJT）：如NPN型、PNP型等。
2. 场效应晶体管（MOSFET）：如N沟道、P沟道等。
3. 达林顿晶体管：具有高放大倍数的晶体管。
六、集成电路（IC）1. 运算放大器（OpAmp）：用于放大、滤波、比较等电路。
2. 逻辑门电路：如与门、或门、非门等，是数字电路的基础。
3. 微控制器（MCU）：集成CPU、内存、输入输出接口等，用于控制应用。
七、传感器传感器是一种能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件，它们是电子设备感知外界环境的关键部件。
1. 温度传感器：如热敏电阻、热电偶等，用于测量温度变化。
2. 光电传感器：如光敏电阻、光电二极管等，用于检测光强变化。
3. 压力传感器：用于测量气体或液体的压力。
八、继电器继电器是一种电控制器件，它具有控制系统（输入回路）和被控制系统（输出回路），通常用于实现电路的自动控制。
常用电子元器件介绍常用电子器件性能、用途、参数等,用归类及图片的形式详细介绍。
常用电子元器件介绍在我们电子设计的过程中会用到很多的电子元器件，常用的一般有电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管、led、变压器、各类集成块、芯片等，下面就让我们来了解他们吧！一）电容常见电容器：纸介电容器、有机薄膜电容、云母电容、陶瓷电容、电解电容器、表贴电容器、空气介质可变电容等。
具体的分类如下：1. 从结构分：固定电容器、可变电容器和微调电容器。
2. 从电解质分：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。
3. 从用途分：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。
以下是几种具体的电容的介绍：名称：聚酯（涤纶）电容符号：CL 电容量：40p--4u 额定电压：63--630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差常用电子器件性能、用途、参数等,用归类及图片的形式详细介绍。
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路名称：聚苯乙烯电容符号：CB 电容量：10p--1u 额定电压：100V--30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路名称：聚丙烯电容符号：CBB 电容量：1000p--10u 常用电子器件性能、用途、参数等,用归类及图片的形式详细介绍。
额定电压：63--2022年V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路名称：云母电容符号：CY 电容量：10p--0.1u 额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路名称：高频瓷介电容符号：CC 电容量：1--6800p 额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好常用电子器件性能、用途、参数等,用归类及图片的形式详细介绍。
应用：高频电路名称：空气介质可变电容器符号：电容量：100--1500p（可变）主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等名称：玻璃釉电容符号：CI 电容量：10p--0.1u 额定电压：63--400V 常用电子器件性能、用途、参数等,用归类及图片的形式详细介绍。
常用电子元器件大全电子元器件指的是电子设备中所使用的各种电子部件，也是电子产品的核心组成部分。
随着科技的不断发展，电子元器件的种类也日益增多，覆盖了各个领域。
本文将介绍一些常见的电子元器件，以帮助读者更好地了解和应用电子技术。
一、半导体器件1. 二极管（Diode）：具有单向导电性质的半导体器件，广泛应用于整流、开关、稳压等电路中。
2. 晶体三极管（Transistor）：是一种具有放大、开关等功能的半导体器件，被广泛用于集成电路、放大电路等领域。
3. 场效应晶体管（FET）：也是一种常见的半导体器件，适用于高频放大、开关等电路。
4. 可变电容二极管（Varactor Diode）：具有可变电容的二极管，常用于无线电频率调谐电路。
二、电容器1. 固定电容器：用于存储电荷和稳定电压的电子元件，常见的有电解电容器、陶瓷电容器等。
2. 可变电容器：具有可调节电容值的电子元件，可用于调谐电路、滤波电路等。
3. 互感器：由两个或多个线圈绕制而成，能够在不同线圈之间传递电能和信号。
三、电阻器1. 固定电阻器：具有恒定电阻值的电子元件，被广泛应用于电路中的限流、限压、分压等功能。
2. 可变电阻器：通常由可调节的滑动活塞或转轴来改变电阻值，用于调节电路中的信号或电流。
四、集成电路集成电路（Integrated Circuit，IC）是在一块半导体材料上集成了数百至数百万个电子元件的微小电路。
常见的集成电路有以下几种类型：1. 数字集成电路（Digital IC）：用于数字信号处理和逻辑运算等。
2. 模拟集成电路（Analog IC）：用于处理模拟信号，如放大、滤波、调制等。
3. 混合集成电路（Mixed Signal IC）：结合数字和模拟电路的功能，常用于通信、控制等应用。
五、传感器传感器是将感知信号（如光、温度、压力等）转换为可用电信号的装置。
常见传感器有以下几种：1. 温度传感器：用于测量温度变化的元件，广泛应用于工业自动化、环境监测等领域。
最全电子元器件介绍电子元器件是电子技术中最基本的组成部分，广泛应用于电子设备和电子系统中。
下面是对常见的电子元器件进行介绍。
1.电阻器：用来提供电阻，限制电流流过的元器件。
常见的有固定电阻器（通过改变电阻的材料和尺寸来决定电阻值）和变阻器（通过机械或电子方式改变电阻值）。
2.电容器：用来存储电荷并产生电场的元器件。
常见的有固定电容器（电容值固定）和可变电容器（电容值可调节）。
3.电感器：用来储存磁场和产生电压的元器件。
常见的有铁芯电感器（通过铁芯增强磁感应强度）和空芯电感器（无铁芯）。
4.二极管：由PN结组成，用来控制电流的流向。
具有正向导通和反向截止的特性。
常见的有普通二极管、肖特基二极管和发光二极管等。
5.三极管：由三个PN结组成，用来放大电流和控制电流的元器件。
可以分为NPN型和PNP型。
常见的有普通三极管、场效应晶体管和双极型晶体管等。
6.MOSFET：金属氧化物半导体场效应管，利用电场控制电流。
主要分为N沟道型和P沟道型。
常见的有增强型MOSFET和耗尽型MOSFET等。
7.电压稳压器：用来稳定电压输出的元器件。
常见的有线性稳压器和开关稳压器。
8.发光二极管（LED）：能够将电能转化为光能的元器件。
常见的有红、绿、蓝等多种颜色。
9.操作放大器（OP-AMP）：用来放大电压和信号的元器件。
是一种差分放大器。
10.半导体存储器：用来存储数字信息的元器件。
常见的有EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM等。
11.传感器：用来感知环境信息并将其转化为电信号的元器件。
常见的有温度传感器、压力传感器、光传感器等。
12.集成电路（IC）：在一个芯片上集成了多个电子元器件，并通过内部连接实现相应功能。
有大规模集成电路（LSI）、中小规模集成电路（MSI）和小规模集成电路（SSI）等。
13.光电器件：利用光电效应将光信号转化为电信号或将电信号转化为光信号的元器件。
常见的有光敏电阻、光电二极管和激光二极管等。
电子行业常用电子元器件大全简介在电子行业中，使用各种各样的电子元器件是非常常见的。
这些电子元器件可以说是电子设备的基石，起到了连接、调节和控制的重要作用。
本文将介绍一些电子行业中常见的电子元器件，帮助读者对电子元器件有更深入的了解。
一、电阻器（Resistor）电阻器是电子电路中最基本的被动元件之一，它的主要作用是限制电流的流动。
电阻器的阻值可以根据实际需求来选择，常见的有固定电阻器和可变电阻器两种。
1. 固定电阻器固定电阻器是最常见的电子元器件之一，通常由炭陶瓷等材料制成。
它的阻值是固定的，不可调节，用于限制电路中的电流和分压。
2. 可变电阻器可变电阻器也被称为电阻器，其阻值可以根据需要进行调节。
常见的可变电阻器有旋钮式和拉线式两种，用于调节电路中的电阻值，以实现对电流的调节。
二、电容器（Capacitor）电容器是一种以两个不导电材料之间的电介质为媒介的元器件。
电容器主要用于储存和释放电荷，并在电路中充当电流的分配器。
1. 电解电容器电解电容器是常见的极性电容器，根据极性连接正负极。
电解电容器具有大容量和较高的电压稳定性，常用于电源滤波和能量存储电路。
2. 陶瓷电容器陶瓷电容器是一种非极性电容器，通常由瓷土制成。
它具有体积小、频率特性好等特点，常见于振荡电路和调谐电路中。
三、二极管（Diode）二极管是一种电子元器件，它具有单向导电性。
二极管通常由半导体材料制成，在电路中常用于整流和开关电路。
1. 整流二极管整流二极管也被称为二极管，主要用于将交流电信号转换为直流电信号。
它具有低压降和高反向击穿电压，适用于高频电路和电源供电电路。
2. 射频二极管射频二极管是一种特殊用途的二极管，主要用于射频和微波电路中。
它具有较高的频率特性和快速开关速度，适用于高频放大器和调制解调器等设备。
四、晶体管（Transistor）晶体管是一种半导体器件，可以放大和控制电流。
它是现代电子器件中最重要的组成部分之一，常用于放大、开关和振荡电路中。
十大最常用电子元器件介绍对于从事电子行业的工程师来说，电子元器件就像人们日常进口的米饭一样，是每天都需要去接触，每天都需要用到的，但其实里面的门门道道很多工程师未必了解。
这里列举出工程师门常用的十大电子元器件，及相关的基础概念和知识，和大家一起温习一遍。
一、电阻作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的。
它的重要性，毋庸置疑。
人们都说“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。
”电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。
电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。
没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。
不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。
在物理学中，用电阻(Resistance)来表示导体对电流阻碍作用的大小。
导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。
不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。
电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。
电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。
电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。
1、参数识别：电阻的单位为欧姆(Ω)，倍率单位有：千欧(KΩ)，兆欧(MΩ)等。
换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。
a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472表示47×100Ω(即4.7K);104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻(精密电阻)。
2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差(%)银色/x0.01±10金色/x0.1±5黑色0+0/棕色1x10±1红色2x100±2橙色3x1000/黄色4x10000/绿色5x100000±0.5蓝色6x1000000±0.2紫色7x10000000±0.1灰色8x100000000/白色9x1000000000/。
常见电子元器件介绍常见的电子元器件有：1.电阻器：电阻器是用来限制电流流动的元件。
它的主要作用是将电能转化为热能，从而起到限制电流的作用。
电阻器的单位为欧姆，常用于电路中的电流分配、电流测量和电阻匹配等。
2.电容器：电容器是一种用来储存电荷的元件。
它由两个导体之间的绝缘材料隔开，当电压施加在电容器上时，电容器会储存电荷。
电容器的单位为法拉，常用于储存能量、分离直流和交流信号以及滤波等。
3.电感器：电感器是一种储存磁能的元件。
它由线圈或线圈组成，在电流通过时会产生磁场。
电感器的单位为亨利，常用于滤波、变压、电能转换和振荡电路等。
4.二极管：二极管是一种具有非线性电阻特性的元件。
它由两个半导体层组成，能够让电流在一个方向上通过，而在反向时会有很高的电阻。
二极管的主要作用是将交流信号转换成直流信号、限制电压和保护电路。
5.三极管：三极管是一种具有放大功能的元件。
它由三个半导体层组成，用来控制电流的放大。
三极管的主要作用是放大电流、控制信号和构成逻辑门等。
6.巨大磁阻器：巨大磁阻器是一种具有特殊磁阻特性的元件。
它由可压缩材料制成，当外加磁场时，材料的磁阻会发生显著变化。
巨大磁阻器的主要作用是测量磁场强度、磁信号传感和磁变速控制等。
7.可变电阻器：可变电阻器是一种可以调节电阻值的元件。
它由电阻材料和调节装置组成，能够通过调节电阻值来改变电路性能。
可变电阻器的主要作用是调节电路增益、调整信号幅度和控制电路偏置等。
8.开关：开关是一种用于控制电流流动的元件。
它能够在打开和关闭状态之间切换电路的通断状态。
开关的主要作用是控制电路开关、选择电路路径以及实现逻辑运算等。
9.集成电路：集成电路是将多个电子元件集成到一个芯片上的元件。
它由晶体管、电阻器、电容器和连接线等组成。
集成电路的主要作用是实现多种电路功能、提高电路性能和减小电路尺寸等。
10.稳压器：稳压器是一种用来稳定电压的元件。
它能够根据输入电压的变化自动调节输出电压，以保持电路的稳定性。
常见电子元器件介绍第一部分：功率电子器件第一节：功率电子器件及其应用要求功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。
这些设备都是自动化系统中必不可少的，因此，我们了解它们是必要的。
近年来，随着应用日益高速发展的需求，推动了功率电子器件的制造工艺的研究和发展，功率电子器件有了飞跃性的进步。
器件的类型朝多元化发展，性能也越来越改善。
大致来讲，功率器件的发展，体现在如下方面：1．器件能够快速恢复，以满足越来越高的速度需要。
以开关电源为例，采用双极型晶体管时，速度可以到几十千赫；使用MOSFET和IGBT，可以到几百千赫；而采用了谐振技术的开关电源，则可以达到兆赫以上。
2．通态压降（正向压降）降低。
这可以减少器件损耗，有利于提高速度，减小器件体积。
3．电流控制能力增大。
电流能力的增大和速度的提高是一对矛盾，目前最大电流控制能力，特别是在电力设备方面，还没有器件能完全替代可控硅。
4．额定电压：耐压高。
耐压和电流都是体现驱动能力的重要参数，特别对电力系统，这显得非常重要。
5．温度与功耗。
这是一个综合性的参数，它制约了电流能力、开关速度等能力的提高。
目前有两个方向解决这个问题，一是继续提高功率器件的品质，二是改进控制技术来降低器件功耗，比如谐振式开关电源。
总体来讲，从耐压、电流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定场合，仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。
但一般的工业自动化场合，功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT，特别是IGBT获得了更多的使用，开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件。
第二节：功率电子器件概览一．整流二极管：二极管是功率电子系统中不可或缺的器件，用于整流、续流等。
目前比较多地使用如下三种选择：1．高效快速恢复二极管。
压降0.8-1.2V，适合小功率，12V左右电源。
2．高效超快速二极管。
0.8-1.2V，适合小功率，12V左右电源。
3．肖特基势垒整流二极管SBD。
0.4V，适合5V等低压电源。
缺点是其电阻和耐压的平方成正比，所以耐压低（200V以下），反向漏电流较大，易热击穿。
但速度比较快，通态压降低。
目前SBD的研究前沿，已经超过1万伏。
二．大功率晶体管GTR分为：单管形式。
电流系数：10-30。
双管形式——达林顿管。
电流倍数：100-1000。
饱和压降大，速度慢。
下图虚线部分即是达林顿管。
图1-1：达林顿管应用实际比较常用的是达林顿模块，它把GTR、续流二极管、辅助电路做到一个模块内。
在较早期的功率电子设备中，比较多地使用了这种器件。
图1-2是这种器件的内部典型结构。
`图1-2：达林顿模块电路典型结构两个二极管左侧是加速二极管，右侧为续流二极管。
加速二极管的原理是引进了电流串联正反馈，达到加速的目的。
这种器件的制造水平是1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz左右（参考）。
三．可控硅SCR可控硅在大电流、高耐压场合还是必须的，但在常规工业控制的低压、中小电流控制中，已逐步被新型器件取代。
目前的研制水平在12KV/8000A左右（参考）。
由于可控硅换流电路复杂，逐步开发了门极关断晶闸管GTO。
制造水平达到8KV/8KA，频率为1KHz左右。
无论是SCR还是GTO，控制电路都过于复杂，特别是需要庞大的吸收电路。
而且，速度低，因此限制了它的应用范围拓宽。
集成门极换流晶闸管IGCT和MOS关断晶闸管之类的器件在控制门极前使用了MOS 栅，从而达到硬关断能力。
四．功率MOSFET又叫功率场效应管或者功率场控晶体管。
其特点是驱动功率小，速度高，安全工作区宽。
但高压时，导通电阻与电压的平方成正比，因而提高耐压和降低高压阻抗困难。
适合低压100V以下，是比较理想的器件。
目前的研制水平在1000V/65A左右（参考）。
商业化的产品达到60V/200A/2MHz、500V/50A/100KHz。
是目前速度最快的功率器件。
五．IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
这种器件的特点是集MOSFET与GTR的优点于一身。
输入阻抗高，速度快，热稳定性好。
通态电压低，耐压高，电流大。
目前这种器件的两个方向：一是朝大功率，二是朝高速度发展。
大功率IGBT模块达到1200-1800A/1800-3300V的水平（参考）。
速度在中等电压区域（370-600V），可达到150-180KHz。
它的电流密度比MOSFET大，芯片面积只有MOSFET的40%。
但速度比MOSFET低。
尽管电力电子器件发展过程远比我们现在描述的复杂，但是MOSFET和IGBT，特别是IGBT已经成为现代功率电子器件的主流。
因此，我们下面的重点也是这两种器件。
第三节：功率场效应管MOSFET功率场效应管又叫功率场控晶体管。
一．原理：半导体结构分析略。
本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。
实际上，功率场效应管也分结型、绝缘栅型。
但通常指后者中的MOS管，即MOSFET （Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。
它又分为N沟道、P沟道两种。
器件符号如下：N沟道P沟道图1-3：MOSFET的图形符号MOS器件的电极分别为栅极G、漏极D、源极S。
和普通MOS管一样，它也有：耗尽型：栅极电压为零时，即存在导电沟道。
无论VGS正负都起控制作用。
增强型：需要正偏置栅极电压，才生成导电沟道。
达到饱和前，VGS 正偏越大，IDS越大。
一般使用的功率MOSFET多数是N沟道增强型。
而且不同于一般小功率MOS管的横向导电结构，使用了垂直导电结构，从而提高了耐压、电流能力，因此又叫VMOSFET。
二．特点：这种器件的特点是输入绝缘电阻大（1万兆欧以上），栅极电流基本为零。
驱动功率小，速度高，安全工作区宽。
但高压时，导通电阻与电压的平方成正比，因而提高耐压和降低高压阻抗困难。
适合低压100V以下，是比较理想的器件。
目前的研制水平在1000V/65A左右（参考）。
其速度可以达到几百KHz，使用谐振技术可以达到兆级。
三．参数与器件特性：无载流子注入，速度取决于器件的电容充放电时间，与工作温度关系不大，故热稳定性好。
（1）转移特性：ID 随UGS变化的曲线，成为转移特性。
从下图可以看到，随着UGS的上升，跨导将越来越高。
I D图1-4：MOSFET 的转移特性（2）输出特性（漏极特性）：输出特性反应了漏极电流随V DS 变化的规律。
这个特性和V GS 又有关联。
下图反映了这种规律。
图中，爬坡段是非饱和区，水平段为饱和区，靠近横轴附近为截止区，这点和GTR 有区别。
图1-5：MOSFET 的输出特性V GS =0时的饱和电流称为饱和漏电流I DSS 。
（3）通态电阻Ron：通态电阻是器件的一个重要参数，决定了电路输出电压幅度和损耗。
该参数随温度上升线性增加。
而且V GS 增加，通态电阻减小。
（4）跨导：MOSFET 的增益特性称为跨导。
定义为：G fs =ΔI D /ΔV GS显然，这个数值越大越好，它反映了管子的栅极控制能力。
（5）栅极阈值电压栅极阈值电压V GS 是指开始有规定的漏极电流（1mA）时的最低栅极电压。
它具有负温度系数，结温每增加45度，阈值电压下降10%。
（6）电容MOSFET 的一个明显特点是三个极间存在比较明显的寄生电容，这些电容对开关速度有一定影响。
偏置电压高时，电容效应也加大，因此对高压电子系统会有一定影响。
有些资料给出栅极电荷特性图，可以用于估算电容的影响。
以栅源极为例，其特性如下：可以看到：器件开通延迟时间内，电荷积聚较慢。
随着电压增加，电荷快速上升，对应着管子开通时间。
最后，当电压I DIV DSV GSV GS增加到一定程度后，电荷增加再次变慢，此时管子已经导通。
图1-6：栅极电荷特性（8）正向偏置安全工作区及主要参数MOSFET 和双极型晶体管一样，也有它的安全工作区。
不同的是，它的安全工作区是由四根线围成的。
最大漏极电流I DM ：这个参数反应了器件的电流驱动能力。
最大漏源极电压V DSM ：它由器件的反向击穿电压决定。
最大漏极功耗P DM ：它由管子允许的温升决定。
漏源通态电阻Ron：这是MOSFET 必须考虑的一个参数，通态电阻过高，会影响输出效率，增加损耗。
所以，要根据使用要求加以限制。
图1-7：正向偏置安全工作区第四节：绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
一．原理：半导体结构分析略。
本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。
该器件符号如下：N 沟道P 沟道图1-8：IGBT 的图形符号注意，它的三个电极分别为门极G、集电极C、发射极E。
GGC EC EI D V DSV DSM I DMP CMR ON图1-9：IGBT 的等效电路图。
上面给出了该器件的等效电路图。
实际上，它相当于把MOS 管和达林顿晶体管做到了一起。
因而同时具备了MOS 管、GTR 的优点。
二．特点：这种器件的特点是集MOSFET 与GTR 的优点于一身。
输入阻抗高，速度快，热稳定性好。
通态电压低，耐压高，电流大。
它的电流密度比MOSFET 大，芯片面积只有MOSFET 的40%。
但速度比MOSFET 略低。
大功率IGBT 模块达到1200-1800A/1800-3300V 的水平（参考）。
速度在中等电压区域（370-600V），可达到150-180KHz。
三．参数与特性：（1）转移特性图1-10：IGBT 的转移特性这个特性和MOSFET 极其类似，反映了管子的控制能力。
（2）输出特性图1-11：IGBT 的输出特性它的三个区分别为：靠近横轴：正向阻断区，管子处于截止状态。
爬坡区：饱和区，随着负载电流Ic 变化，U CE 基本不变，即所谓饱和状态。
水平段：有源区。
（3）通态电压Von：I CU GEV CEV GEI CIIIGBTMOSFET图1-12：IGBT 通态电压和MOSFET 比较所谓通态电压，是指IGBT 进入导通状态的管压降V DS ，这个电压随V GS 上升而下降。
由上图可以看到，IGBT 通态电压在电流比较大时，Von 要小于MOSFET。
MOSFET 的Von 为正温度系数，IGBT 小电流为负温度系数，大电流范围内为正温度系数。
（4）开关损耗：常温下，IGBT 和MOSFET 的关断损耗差不多。
MOSFET 开关损耗与温度关系不大，但IGBT 每增加100度，损耗增加2倍。
开通损耗IGBT 平均比MOSFET 略小，而且二者都对温度比较敏感，且呈正温度系数。
两种器件的开关损耗和电流相关，电流越大，损耗越高。
（5）安全工作区与主要参数I CM 、U CEM 、P CM ：IGBT 的安全工作区是由电流I CM 、电压U CEM 、功耗P CM 包围的区域。
