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ESD（Electro-Static discharge）的意思是―静电释放‖。
ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。
因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。
1认证标准我国已经成为电子产品的加工基地，在珠三角、长三角集中了众多的电子产品加工企业。
这些企业的ESD 控制工作绝大多数没有按照美国标准建立ESD20.20 方案，工厂的ESD控制工作无非是购买防静电工作服和手腕带这些简单的ESD 用品，距离ESD 20.20 标准有很大的差距。
很多企业在遇到国外的大客户现场稽核时，往往在做了精心的准备之后，却还是因为ESD 问题被拒之门外。
ESD 技术水平的提高是整个电子行业的当务之急，ESD 体系标准的推广和普及任务艰巨。
ANSI/ESD相关知识ANSI成立于1918年，原名是美国工程标准委员会（American Engineering Standards Committee；AESC），1928年改名为美国标准协会（American Standards Association；ASA），1966年改名为美国标准学会（America Standards Institute；USASI），1969年正式改为现名美国国家标准学会（American National Standards Institute，ANSI）。
ESD20.20 标准ANSI/ESD S20.20:2007 是美国ESD Association（ESD 协会）于2000 年正式推出认可的认证项目，该协会由电子元器件的制造、使用商组成的，主要成员包括了IBM，MOTOROLA 等公司，这些公司的OEM 工厂或供货商必须要通过ESD S20.20 认证认可，才能获取和保持OEM 和供应产品的资格。
所以，可以认为ESD20.20 是一个买方认证标准，对于那些芯片、电子元器件、电源及转换器、显示屏的制造商而言，要成为知名品牌的供应商，ESD20.20 近似于一个强制认证标准。
集成电路中ESD防护研究作者：赵瑞来源：《环球市场》2017年第20期摘要：随着集成电路的发展，芯片采用先进的工艺，性能越来越好。
然而这些先进的工艺对芯片的静电放电（ESD）的承受能力削弱，同时人们对于芯片 ESD 的防护要求不但没有降低，反而越来越高，这使得 ESD 防护电路更加不容易设计。
国内 ESD 防护的研究相对落后于国际先进水平，特别是国产的集成电路芯片，ESD 已经使芯片的成品率和可靠性大大降低，因此对芯片 ESD 的研究意义非常重大。
本文对集成电路的 ESD 防护技术进行了研究。
关键词：集成电路；ESD 防护技术；应用当今科技日新月异，发展更新速度飞快，尤其是是在电子信息领域。
在集成电路设计方面，集成电路（IC）的工艺水平不断发展进步，集成电路的工艺尺寸不断下降，高分子材料也在集成电路中得到广泛使用，但是在器件特征尺寸的缩小以及新材料得到应用的同时，不可避免的会带来一些负面的影响，其中静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）保护器件的设计就变得越来越困难，使得产品的静电现象的产生日益严重，因而静电的危险性越来越大，也使得芯片的静电放电（ESD）保护电路的设计越来越复杂。
1、ESD防护电路设计的基本原则①保护器件在电路正常工作的时候必须处于关闭状态（即没有ESD事件发生时），这与ESD器件的触发电压有关，否则误触发会导致核心电路出现故障；②当微电子芯片遭遇ESD 事件时，该保护器件必须迅速打开（纳秒级别），特别是对于快的ESD事件尤为重要，如器件充电模型（CDM），否则如果保护电路不能及时开启，会导致核心电路损毁；③芯片pin管脚上的电压（即落在ESD保护器件上的电压与金属互连线上的电压之和），必须不能超过核心电路所能承受的最高电压，否则会导致核心电路损毁；④在设计的ESD保护等级下，保护电路必须不被损毁，这是ESD器件鲁棒性相关问题；⑤在ESD事件发生过后，保护器件必须回到关闭状态，否则，器件会进入到被禁止的闩锁状态，导致核心电路发生故障。
2023-11-07CATALOGUE目录•引言•esd抑制器概述•esd抑制器可行性分析•esd抑制器设计优化建议•esd抑制器可行性的实验验证•结论与展望01引言随着科技的不断发展，静电放电（ESD）对电子设备的影响日益严重。
ESD事件可能导致设备损坏、系统故障，甚至引发重大事故。
因此，ESD抑制器的需求不断增加。
目前，市面上存在多种类型的ESD抑制器，但它们在性能、效果和可靠性等方面存在差异，且价格也高低不等。
因此，对ESD抑制器的可行性进行研究具有重要的现实意义。
研究背景VS研究目的和意义研究目的通过对不同类型ESD抑制器进行性能评估，分析其优缺点，为电子设备制造商和用户提供可靠的选型建议。
研究意义提高电子设备对静电放电的抵抗能力，降低因ESD引起的设备损坏和系统故障，保障电子设备的安全性和稳定性。
研究内容和方法研究内容本研究将针对市面上常见的几种ESD抑制器进行实验测试，包括性能指标、使用寿命、可靠性等方面。
同时，还将对不同类型ESD抑制器的价格进行调查和分析。
研究方法通过实验室测试和现场测试相结合的方式，对ESD抑制器的性能进行评估。
采用文献综述的方法，对ESD抑制器的原理、分类、优缺点等进行梳理和分析。
运用统计分析方法，对实验数据进行分析和处理，得出结论并提出建议。
02 esd抑制器概述静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）是一种常见的自然现象，由于物体之间的摩擦或接触，导致物体上产生静电荷。
当这些静电荷在物体之间的电位差超过一定阈值时，就会发生静电放电。
ESD现象可能会对电子设备造成严重的危害。
静电放电产生的瞬时电流可能损坏设备的电路或元件，导致设备性能下降或完全失效。
此外，ESD还可能引发火灾或爆炸等安全问题。
ESD现象ESD危害esd现象及其危害ESD抑制器的作用ESD抑制器是一种用于电子设备的保护元件，旨在降低设备对静电放电的敏感度，提高设备的可靠性和稳定性。
静电纺丝与传统的纺丝方法不同，它可以得到纳米/亚微米级的纤维。
静电纺丝具有制备方法简单、材料可选择范围广、形貌可控、比表面积高等优点，在能源存贮、卫生保健、生物技术、过滤以及防护安全等许多领域有着十分广泛的应用。
所以该纺丝方法一经发明就引起了人们的极大关注。
1999年Reneke等利用电场纺丝得到聚丙烯腈纤维和沥青纤维，再进行稳定化处理、碳化制得了直径为100nm到几微米的碳纤维。
2003年美国Pennsylvania 大学Santiago-Aviles提出静电纺丝制备HCMFs的技术，他们将PAN和N, N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液混合后纺出的单前驱体PAN纤维在真空炉中高温(1273K)分解30min，得到直径120nm左右高度无序的纤维。
从这个时候起，各国的科研研究人员就对该纺丝方法进行研究，静电纺丝技术得到了迅速的发展：例如运用同轴纺丝技术可以制备出中空纳米管和具有皮芯结构的纳米线。
Xia等采用PVP 作为芯层，PVP与Ti(OiPr)4的乙醇溶液作为皮层，经同轴静电纺获得皮芯型纳米复合纤维，通过辛烷萃取除去芯层的矿物油后得到了含有PVP和Ti(OiPr)4的中空纤维，或通过高温锻烧除去纤维中的PVP成分也能够获得多晶的纳米陶瓷管。
Song等用油酸作稳定剂将FePt磁性纳米粒子分散在己烷中，作为芯液；PCL 溶解在2, 2, 2-三氟乙醇中，作为壳液，纺出了FePt/PCL皮芯结构的纳米纤维。
静电纺丝过程中，又存在许多的原因，使得收集到的纤维是不规则排列的，这样得到的纤维是没有实际上的应用，所以必须改进实验装置来进行。
现在基本上都是通过改进收集装置从而获得定向收集的纤维，例如采用平行板收集法、动静态水浴收集法、滚筒式平行电极接受、锥形圆盘接受等，所收集到的纤维有序程度都有很大的提高。
静电纺丝在过滤方面的应用发展的较快，例如用可以用四氟乙烯聚合合成聚四氟乙烯（PTFE）氟碳聚合物，但是在生产过程中必须加入许多润滑添加剂，会造成严重的环境污染。
电磁态势感知与构建国内外研究现状电磁态势感知与构建是一项重要的研究领域，旨在通过获取和分析电磁信号，实现对电磁环境的感知和理解。
在国内外的研究中，人们对于电磁态势感知与构建的研究已经取得了一系列重要的成果。
电磁态势感知与构建的研究主要包括三个方面：电磁信号采集与处理、电磁态势建模与分析、以及电磁态势应用与决策。
在电磁信号采集与处理方面，研究者们通过部署各种类型的传感器，如雷达、无线电频谱传感器等，对电磁信号进行采集。
然后，利用信号处理技术对采集到的电磁信号进行预处理、分析和提取特征。
这些特征可以包括信号的频率、幅度、相位等信息，通过对这些特征的分析，可以获取到电磁信号所包含的有关电磁环境的信息。
在电磁态势建模与分析方面，研究者们通过对采集到的电磁信号进行建模和分析，来获取电磁态势的全面信息。
这些建模和分析方法可以基于统计学、机器学习等技术，通过对大量的电磁信号数据进行学习和训练，从而发现电磁信号中的规律和模式。
在建模和分析的过程中，研究者们需要考虑电磁信号的时空关系、噪声干扰等因素，以提高电磁态势的准确性和可靠性。
在电磁态势应用与决策方面，研究者们将电磁态势的信息应用于各种实际场景中，以支持决策和应对各种电磁环境下的挑战。
例如，在军事领域，电磁态势感知与构建可以用于敌我识别、目标跟踪、干扰抵抗等方面；在民用领域，电磁态势感知与构建可以应用于电磁环境监测、频谱管理、无线电干扰监测等方面。
这些应用需要基于对电磁态势的准确理解和分析，从而帮助决策者做出正确的决策。
国内外对于电磁态势感知与构建的研究已经取得了许多重要的成果。
例如，美国的“电磁谱监测网”项目和中国的“电磁态势感知与构建”项目都是在电磁态势感知与构建领域进行的重要研究项目。
这些项目通过大规模的数据采集和分析，实现了对电磁态势的全面感知和建模。
此外，研究者们还提出了许多创新的方法和算法，如基于深度学习的电磁态势分析、基于博弈论的电磁态势决策等，这些方法为电磁态势感知与构建的研究提供了新的思路和方向。
集成电路中ESD防护研究的开题报告一、选题背景随着集成电路技术的不断发展，集成度和复杂度越来越高，对ESD保护的要求也越来越高，因为任何微小的ESD放电都会对芯片造成严重的损害。
因此，对于目前越来越多的高集成度、高灵敏度集成电路来说，研究高效的ESD防护方案已经成为了一项非常迫切的任务。
二、研究目的本论文主要研究集成电路中ESD防护方法，重点探讨ESD防护的原理、现有的ESD防护方案的优缺点及存在的问题，并针对当前ESD防护面临的挑战，提出一种更加高效的防护方案。
三、研究内容1. ESD防护技术的概述与发展历程。
2. 现有的ESD防护方案，如硅保护器、电流限制器、瞬态电压抑制器、EMC防护等，对其原理、性能和优缺点的分析比较。
3. 针对现有方案存在的问题，提出集成电路ESD仿真模型，并进行ESD仿真，分析仿真结果，找出不足之处。
4. 在仿真结果的基础上，提出一种新的ESD防护方案，并进行实验验证。
5. 对研究结果进行总结和分析，展望ESD防护技术的未来发展方向。
四、论文进度安排第一阶段（1-2周）：完成研究选题及文献调查。
第二阶段（3-4周）：研究ESD防护技术的概述与发展历程。
第三阶段（5-6周）：对现有的ESD防护方案进行分析比较。
第四阶段（7-8周）：提出集成电路ESD仿真模型，并进行仿真分析。
第五阶段（9-10周）：提出新的ESD防护方案，并进行实验验证。
第六阶段（11-12周）：撰写论文，并对研究成果进行总结和分析。
五、预期成果1. 对ESD防护技术的发展历程和现状的全面了解。
2. 对现有ESD防护方案优缺点进行分析、评估，找出其存在的问题。
3. 提出一种新的ESD防护方案，提高芯片的ESD耐受能力。
4. 对研究结果进行总结和分析，并根据实验验证结果提出结论和未来发展方向。
六、参考文献[1] Chen, L., Chen, Y., &Hu, P. (2012). ESD Protection Circuit Design with Novel Wake-UpCurrent Reduction for Power-Gating Designs. IEEE Transactions on ComputerAided Design of Integrated Circuits andSystems, 31(8), 1261-1266.[2] Miao, Y., & Chan, P. C. (2017). Design and Optimization ofLow-CapacitanceESD Protection Devices with SOG Layer for High-Speed I/O Circuits. IEEE Journalof Solid-State Circuits, 52(8), 2330-2340.[3] Kuo, P.-Y. (2014). A Novel ESD Protection Circuit for High-Speed Analog Intellectual Property Cores. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration(VLSI) Systems, 22(2), 507-511.。
国内外电子工业防静电标准国内外电子工业防静电标准综述与发展本文简要介绍了国内外有关电子工业防静电标准制定的情况、特点和动态，并就此提出了进一步加强电子工业防静电标准化工作的思路。
一、关于电子产品静电防护由于物体间的接触分离（如摩擦、剥离、撕裂和搬运中的碰撞等）或电场感应，都会因物体之间或物体内部带电粒子的扩散、转移或迁移而形成物体表面电荷的积聚，即呈现带电现象。
这种现象的存在，有可能导致物体表面电荷对空气中带异性电荷的微粒子尘埃的吸引，造成电子敏感元器件绝缘性能的降低、结构腐蚀或破坏。
当外界条件适宜时，这种积聚电荷还会产生静电放电，使元器件局部破损或击穿，严重时，还会引起火灾、爆炸等。
曾报道某厂在修理程控交换机上的半导体集成电路时因静电引起爆炸事故的文章。
应当指出，静电引起电子元器件局部结构破损和性能降低，是对元器件使用寿命的一种潜在威胁，它可能比爆炸和燃烧造成的危害更有过之。
因为它难于检查，故造成事故的随机性更大，并且易于与其他失效原因混淆而被掩盖。
当前，电子产品技术的发展一方面随着高分子材料的广泛使用，致使产品静电现象的产生变得日益严重；另一方面，电子元器件日趋微小型化，使得静电的危险性越来越大。
现国外微电路的制造已普通采用了0.8～1.0μm技术，国内也已达到2～3μm水平，这种微细加工技术和产品细微结构，使其对静电的敏感性越来越高，并且已达到不可忽视的程度。
电子产品的静电防护工作，具有下述明显特点：1．超细、超薄的加工工艺和产品细微结构，使其对于静电放电的敏感性明显高于其他行业和产品，即便20V以下的静电放电电压也可能造成电子元器件的损害或破坏。
2．对静电敏感的产品，如半导体分立器件、集成电路、厚薄膜电路及电阻器、电容器、压电晶体等，尤其是前三种电子敏感器件，它们可谓是电子设备的“心脏”。
有鉴于此，对静电危害的防护问题，几乎涉及电子产品的各个技术领域，特别是那些要求体积小、工作频率高、安装密度大的电子设备更是如此。
内镜黏膜下剥离术(ESD)在消化道肿瘤治疗中应用的新进展刘靖正【摘要】Endoscopic submucosal dissection (ESD) plays an important role in the treatment of gastrointestinal tumors. It is possible to completely resect submucosal lesions and provide sufficient pathological information,postoperative follow-up have proved its superiority. Now it has been widely used for the treatment of gastrointestinal tumor. ESD operation consists of marking,injection to elevate the lesion, pre-cutting, dissecting and wound processing. Bleeding and perforation were the most frequent complications. This review describes current advances in the treatment of gastrointestinal tumors by ESD.%内镜黏膜下剥离术(endoscopic submucosal dissection,ESD)在消化道肿瘤的治疗中发挥着重要作用,应用ESD能一次性完整切除较大的病变组织,提供完整的病理诊断资料,术后随访也证明了其优越性.目前国内应用ESD治疗消化道肿瘤的临床报告呈逐年递增趋势.ESD的手术操作分为标记、抬起、切缘、剥离和创面处理等五步,出血和穿孔是治疗中最常见的并发症.本文就ESD应用于消化道肿瘤治疗的适应证和禁忌证、手术步骤和注意事项、并发症及其处理、技术评价等内容作一综述.【期刊名称】《复旦学报（医学版）》【年(卷),期】2012(039)002【总页数】5页(P198-202)【关键词】消化道;肿瘤;内镜黏膜下剥离术(ESD)【作者】刘靖正【作者单位】复旦大学附属中山医院内镜中心上海200032【正文语种】中文【中图分类】R735;R459.9近年来，内镜治疗技术发展迅速，新的内镜下治疗器械不断开发应用；内镜黏膜下剥离术（endoscopic submucosal dissection，ESD）是在内镜黏膜切除术（endoscopic mucosal resection，EMR）的基础上使用内镜下专用高频电刀及其他辅助设备对消化道肿早期瘤进行切割、剥离的一项新技术。
第18卷第5期2006年10月军械工程学院学报Journal of O rdnance Engineering CollegeVol118No15Oct.,2006 文章编号:1008-2956(2006)05-0027-05ES D对微电子器件造成潜在性失效的研究综述祁树锋1,杨洁1,刘红兵2,巨楷如1,刘尚合1(1.军械工程学院静电与电磁防护研究所,河北石家庄 050003;2.中国电子科技集团第13研究所,河北石家庄 050051)摘要:静电放电(ES D)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视。
国内外学者在微电子器件ES D潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展。
研究表明: MOS电路等微电子器件,在ES D作用下确实存在潜在性失效问题。
因此,开展ES D潜在性失效研究具有重要意义。
关键词:ES D;微电子器件;潜在性失效中图分类号:O441 文献标识码:ARev i ew of Exper i m en t I nvesti ga ti on onLa ten t Fa ilure of ES D on M i croelectr i c D ev i ceQ I Shu-feng1,Y ANG J ie1,L I U Hong-bing2,JU Kai-ru1,L I U Shang-he1(1.I nstitute of Electr ostatic and Electr omagnetic Pr otecti on,O rdnance Engineering College,Shijiazhuang050003,China;2.The13th Research I nstitute of China Electr on Gr oup,Shijiazhuang 050051,China)Abstract:Latent ES D failures are one of the most i m portant potential p r oble m s facing the m icr oelectric industry t oday and have received more and more attenti on warranted.The devel opment p r os pect of the detecti on of latent ES D failures and exp l oring the physical failures mechanis m in foreign is intr oduced in this paper.It shows that the p r oble m of latent failure exists f or MOS circuit after the ES D stresses i m2 posed on it.It is significant for us in China t o devel op latent ES D failures research.Key words:ES D;m icr oelectric device;latent failure 静电放电(ES D)是造成微电子器件失效的重要原因之一。
