模电试卷(2)

模电考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。

A. 基极电流小于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都反向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C3. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。

A. 相同B. 相反C. 相差90度D. 相差180度答案：B4. 差分放大器的主要优点是（）。

A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 放大共模信号D. 放大差模信号和抑制共模信号答案：D5. 场效应管的控制量是（）。

A. 漏极电流B. 栅源电压C. 漏源电压D. 栅漏电流答案：B6. 集成运放的输出电压范围主要取决于（）。

A. 电源电压B. 输入信号C. 反馈电阻D. 负载电阻答案：A7. 负反馈可以（）。

A. 增加放大倍数B. 减少非线性失真C. 增加输入电阻D. 减少输出电阻答案：B8. 直流稳压电源中的滤波电路是（）。

A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：A9. 正弦波振荡器的振荡条件是（）。

A. 相位平衡条件B. 幅度平衡条件C. 相位平衡条件和幅度平衡条件D. 只有幅度平衡条件答案：C10. 调制的目的是（）。

A. 放大信号B. 改变信号的频率C. 使信号便于传输D. 改变信号的相位答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在共基极放大电路中，输入阻抗与输出阻抗相比，输入阻抗________输出阻抗。

答案：小2. 理想运算放大器的差模输入电阻为________，共模抑制比为________。

答案：无穷大，无穷大3. 差分放大器的差模电压增益是共模电压增益的________倍。

答案：1+2Rf/R4. 场效应管的漏极电流与栅源电压的关系是________。

答案：非线性5. 负反馈可以提高放大电路的________。

5套模电大学期末考试试题《模拟电子技术》期末考试试卷一．填空（25 分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为0.6V ，锗二极管的导通电压约为0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端丌同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而发，称为幅频特性，而输出信号不输入信号的相位差随信号频率而发，称为相频特性。

（8）假设n级放大电路的每一级的放大倍数分别为u u u un A AA ......A 1 23 、、，那么多级放大电路的放大倍数u A ＝u u un A A ......A 1 2（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2 分，共20 分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（B）；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入（C）。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RCf f2π10 = =时呈。

（A）感性（B）阻性（C）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）β （B）β2 （C）2β （D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是（B）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（C）。

模电试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。

A. 滤波B. 整流C. 放大D. 调制答案：C2. 运算放大器的差分输入电压是指（）。

A. 两个输入端电压之和B. 两个输入端电压之差C. 两个输入端电压之积D. 两个输入端电压之商答案：B3. 理想运算放大器的开环增益是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 共发射极放大电路中的电流放大倍数β是指（）。

A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 发射极电流与集电极电流之比5. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。

A. 直接耦合B. 变压器耦合C. 电容耦合D. 电感耦合答案：C6. 晶体管的静态工作点设置不正确可能导致（）。

A. 截止失真B. 饱和失真C. 截止和饱和失真D. 线性放大答案：C7. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。

A. 增加B. 减少C. 保持不变D. 先增加后减少答案：B8. 在模拟电路中，电源去耦是指（）。

A. 增加电源的内阻B. 减少电源的内阻C. 增加电源的纹波D. 减少电源的纹波答案：D9. 场效应管的控制极是（）。

B. 源极C. 漏极D. 基极答案：A10. 模拟信号的数字化过程包括（）。

A. 采样、量化、编码B. 滤波、放大、调制C. 调制、解调、编码D. 放大、滤波、编码答案：A二、填空题（每空1分，共10分）1. 放大器的输入电阻越大，对前级电路的________越好。

答案：负载效应2. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。

答案：高3. 差分放大器可以有效地放大两个输入端之间的________。

答案：差模信号4. 运算放大器的饱和输出电压通常为________V或________V。

答案：+Vcc -Vee5. 晶体管的截止频率是指晶体管的放大倍数下降到________的频率。

模电试题及答案Title: 模电试题及答案详解Introduction:在学习电子工程方向的学生中，模拟电路课程一直被认为是较为重要且有挑战性的课程之一。

为了帮助大家更好地掌握和理解模拟电路，本文提供了一系列常见的模拟电路试题，并附带详细的答案解析，希望能够对读者有所帮助。

1. 试题一：题目描述：根据以下电路图，计算并求解输出电压Vo。

[电路图]解析：根据电路图，我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电压Vo。

首先，根据电压分压原理，我们可以得到：Vo = Vin * (R2 / (R1 + R2))其中，Vin为输入电压，R1和R2分别为电阻1和电阻2的阻值。

2. 试题二：题目描述：在以下示意图中，根据给定的电路参数和输入信号波形，计算并绘制输出电压波形。

[示意图]解析：根据示意图，我们可以得到输入电压Vin的波形如下：[输入信号波形图]根据电路参数和输入信号波形，我们可以进行电路分析，计算并绘制输出电压Vo的波形。

具体的计算和绘图步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电压波形图]3. 试题三：题目描述：根据给定的操作放大电路图，计算并分析输入信号和输出信号之间的增益。

[操作放大电路图]解析：操作放大器是一种常见的电路组件，用于放大输入信号。

我们可以根据给定的操作放大电路图，进行电路分析来计算增益。

具体步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [计算结果，即输入输出信号之间的增益]4. 试题四：题目描述：根据电路图，计算并绘制输出电流随时间的变化曲线。

[电路图]解析：根据电路图，我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电流随时间的变化曲线。

具体步骤如下：1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电流随时间的变化曲线图]5. 试题五：题目描述：根据给定的振荡器电路图，计算并分析输出信号的频率。

试卷二1．单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。

每小题2分，共20分)(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( C )。

A ．掺杂浓度 B ．工艺 C.温度 D ．晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B )。

A ．正向导通状态B ．反向电击穿状态C ．反向截止状态D ．反向热击穿状态(3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示，A ．NPN 型硅管B ．NPN 型锗管C ．PNP 型锗管D ．PNP 型硅管 (4)温度上升时，半导体三级管的( A )。

A ．β和I CBO 增大，U BE 下降B ．β和U BE 增大，I CBO 减小C ．β减小，I CBO 和U BE 增大D ．β、I CBO 和U BE 均增大(图1)(5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕｏ与ｕｉ相位相反、 ︱A U ︱>1的只可能是( D )。

A ．共集电极放大电路B ．共基极放大电路C ．共漏极放大电路D ．共射极放大电路(6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( B )。

A ．电压并联负反馈 B ．电压串联负反馈 C ．电流并联负反馈 D ．电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( D )。

A ．A ｕ等于各级电压放大倍数之积B ．R ｉ等于输入级的输入电阻C ．R 。

等于输出级的输出电阻D ．Ａｕ等于各级电压放大倍数之和（8） 用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的( D )。

A ．︱A ｕｄ︱B ． ︱A ｕｅ︱C ．ＲｉｄD ．ＫＣＭＲ(9)电路如图2所示，其中U ２＝20V ，C ＝100ｕF 。

变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压U ０≈( B )。

A ．24V B ．28VC ．－28VD ．－18V(图2) (10)在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是( A )。

模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。

A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。

A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。

D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。

4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。

A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。

A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。

昆明理⼯⼤学模电试卷模拟电⼦技术试卷（第1套）⼀、⼀、填空题（20分，每空1分）1．双极型三极管是控制器件，当其⼯作在放⼤区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。

场效应管是控制器件。

2．在有源滤波器中，运算放⼤器⼯作在区；在滞回⽐较器中，运算放⼤器⼯作在区。

3．在三极管多级放⼤电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放⼤器，A u2是放⼤器，A u3是放⼤器。

4．在双端输⼊、单端输出的差动放⼤电路中，发射极R e 公共电阻对信号的放⼤作⽤⽆影响，对信号具有抑制作⽤。

差动放⼤器的共模抑制⽐K CMR ＝。

5．设某⼀阶有源滤波电路的电压放⼤倍数为2001200fj A += ，则此滤波器为滤波器，其通带放⼤倍数为，截⽌频率为。

6．如图所⽰的功率放⼤电路处于类⼯作状态；其静态损耗为；电路的最⼤输出功率为；每个晶体管的管耗为最⼤输出功率的倍。

⼆、基本题：（每题5分，共25分）1．如图所⽰电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。

2．测得电路中NPN 型硅管的各级电位如图所⽰。

试分析管⼦的⼯作状态（截⽌、饱和、放⼤）。

3．已知BJT 管⼦两个电极的电流如图所⽰。

求另⼀电极的电流，说明管⼦的类型（NPN 或PNP ）并在圆圈中画出管⼦。

4．如图所⽰电路中，反馈元件R 7构成级间负反馈，其组态为；其作⽤是使输⼊电阻、放⼤电路的通频带变。

三、如图所⽰电路中，β＝100，Ω='100b b r ，试计算：(15分)1．放⼤电路的静态⼯作点；（6分）2．画出放⼤电路的微变等效电路；（3分）3．求电压放⼤倍数A u 、输⼊电阻R i 和输出电阻R o ；（6分）四、判断如图所⽰电路中引⼊了何种反馈，并在深度负反馈条件下计算闭环放⼤倍数。

（9分）五、电路如图所⽰。

试⽤相位条件判断下⾯的电路能否振荡，将不能振荡的电路加以改正。

（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（）a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。

a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）。

a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。

a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（）。

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为 D ；图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 . 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV;共模输入电压u Ic=90μV 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。

6．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78。

5％ ，但这种功放有 交越 失真.二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，—10 V ，-9。

3 V ，则这只三极管是（ A )。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管 D 。

PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为( D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高B 。

输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大 6。

RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D )。

A. 基本共射放大电路 B 。

基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7。

已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（ A ）. A.积分运算电路 B.微分运算电路 C 。

过零比较器 D 。

滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时,其工作在（ C ），发光二极管发光时，其工作在（ A )。