C8051F35X单片机内部Flash存储器的擦写方法

单片机擦除程序
单片机擦除程序是用于将单片机中存储的程序和数据全部清除
的程序。

在单片机设计中，有时需要重新编程，或者需要清空已有程序和数据，此时就需要使用单片机擦除程序。

擦除程序可以使用专用的编程器进行操作，也可以通过编写特定的程序实现擦除。

一般来说，使用编程器擦除比较方便和稳定，但是编写擦除程序可以增加学习和了解单片机工作原理的机会。

单片机擦除程序的实现原理是将单片机的存储单元中的数据全
部清零，包括程序存储区和数据存储区。

这样就可以将单片机恢复到出厂状态，准备重新编程或者使用。

需要注意的是，擦除程序的操作是不可逆的，一旦擦除，就无法恢复已经丢失的程序和数据。

因此在使用擦除程序前一定要进行备份，以免重要的程序和数据遗失。

总之，单片机擦除程序是单片机编程和设计中非常重要的工具，使用方法和注意事项需要认真学习和掌握。

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单片机flash的擦写过程
单片机flash的擦写过程是指对存储在flash芯片中的数据进行擦除和写入的过程。

在进行擦写操作之前，需要先对flash进行擦除操作，将需要写入的数据覆盖在已经擦除的区域中。

擦写操作的过程可以分为以下几个步骤：
1. 擦除操作：在进行写入操作之前，需要对flash进行擦除操作。

擦除操作会将需要擦除的区域中的所有数据清空，以便写入新的数据。

2. 写入操作：在擦除操作完成之后，可以进行写入操作。

写入操作将需要写入的数据存储在flash芯片的相应区域中。

写入操作时需要对flash进行写入保护，以免误操作导致数据的丢失。

3. 校验操作：在写入操作完成之后，需要进行校验操作，以确保写入的数据和原始数据一致。

校验操作可以使用CRC等校验算法进行验证。

4. 读取操作：在校验操作完成之后，可以进行读取操作，以验证写入的数据是否被正确保存在flash中。

读取操作可以使用读取指令进行。

总之，单片机flash的擦写过程是一个非常重要的操作，需要注意各个环节的细节，以确保数据的正确性和可靠性。

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单片机flash储存结构体的方式单片机的Flash存储结构体的方式可以通过以下几种方式实现：
1. 直接存储，将结构体直接存储到Flash中。

这种方式需要考
虑Flash的写入擦除次数，以及Flash的页大小和擦除块大小，避
免频繁写入导致Flash寿命缩短。

2. 分页存储，将结构体分成适当大小的页，然后按页写入Flash。

这样可以减少对Flash的擦除次数，延长Flash的使用寿命。

3. 压缩存储，对结构体进行压缩，然后再存储到Flash中。

这
种方式可以节省Flash的空间，但在读取时需要进行解压缩操作。

4. 文件系统存储，使用文件系统将结构体以文件的形式存储到Flash中，例如FAT文件系统。

这种方式可以方便地管理存储的结
构体数据，但会增加额外的存储空间和读写开销。

无论采用哪种方式，都需要考虑数据的完整性和一致性，以及
对Flash的读写操作进行合理的管理，避免出现数据损坏或者
Flash寿命缩短的情况。

同时，还需要考虑结构体数据的访问方式和频率，选择合适的存储方式来满足系统的需求。

C8051f020 Flash读写擦除操作1 flash写操作：置程序存储写允许位PSWE为1，使用MOVX指令对flash进行写操作PSCTL.0=1；void WriteFlash(unsigned int addr,unsigned char data){char xdata * xdptr;xdptr=addr;FLSCL|=0x01; //允许由用户软件写/擦除FLASHPSCTL|=0x01; //允许FLASH写* xdptr=data; //写数据到指定地址PSCTL&=0xfc; // 禁止Flash写擦除操作FLSCL&=0xfe; //禁止由用户软件写/擦除FLASH}2 flash擦除操作：如果要擦除FLASH存储器的一个页面，程序存储擦除允许PSEE位和程序存储写允许PSWE位必须被置1，这时flash写操作被认为是擦除操作void OnchipFlashErase(unsigned char saddr){char xdata * xdptr;xdptr=saddr*0x200; // 512字节一扇区FLSCL|=0x01; //允许由用户软件写/擦除FLASHPSCTL|=0x02; //允许FLASH扇区擦除PSCTL|=0x01; //允许FLASH写* xdptr=0xff; //擦除整个扇区PSCTL&=0xfc; // 禁止Flash写擦除操作FLSCL&=0xfe; //禁止由用户软件写/擦除FLASH}3 flash读操作用MOVC指令读FLASH存储器，MOVX读操作将总是指向XRAM，与PSWE的状态无关void ReadFlash(unsigned int addr,unsigned char data){data= CBYTE[addr]; //读指定flash地址数据data= XBYTE[addr]; //读指定xram地址数据}4 读写另外128字节临时存储器扇区置位PSCTL寄存器中的SFLE位为逻辑1，该扇区不能用于存储程序代码。

单⽚机内部flash读写1、⾃定义⼯程名称。

2、选择英⽂路径，否则会丢失启动⽂件⽽⽆法编译通过，需要⼿动添加启动⽂件： startup_stm32l431xx.s3、选择MDK-ARM V5开发软件，即KEIL5软件代码编写说明1、按键KEY1按下时，把数据写⼊MCU的flash2、按键KEY2按下时，把写⼊MCU的flash数据并读取出来，打印数据。

调⽤函数：1、HAL_FLASH_Unlock(void);//解锁2、FLASH_EraseInitTypeDef FLASH_EraseInitSturcture;//配置需要擦除的参数3、HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit, uint32_tPageError);//擦除4、HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);//写数据到flash5、HAL_FLASH_Lock(void);//锁住6、HAL_GPIO_ReadPin(GPIO_TypeDef* GPIOx, uint16_t GPIO_Pin);//检测按键7、void HAL_Delay(uint32_t Delay);//延时8、HAL_GPIO_TogglePin(GPIO_TypeDef* GPIOx, uint16_t GPIO_Pin);//点亮和熄灭LED9、uint8_t OneWord=(__IO uint32_t)addr;//读取地址数据10、printf();//打印数据到串⼝函数需要重新定义函数fputc();才能正常使⽤printf();int fputc(int ch,FILE*f){uint8_t temp[1]={ch};HAL_UART_Transmit(&huart1,temp,1,2);return HAL_OK;}代码编写说明• FLASH读写流程：1、对FLASH写⼊数据流程：1）解锁FLASH：调⽤HAL_FLASH_Unlock(void);2）擦除FLASH：调⽤HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit, uint32_t PageError);3）写⼊数据到FLASH：调⽤HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);4）锁住FLASH：调⽤HAL_FLASH_Lock(void);2、FLASH读取数据流程直接读取相应的FLASH地址即可：通过(__IO uint32_t)ADDR读取该地址数据代码编写实现#define strLen sizeof(strWriteToFlash1)/sizeof(uint8_t) //写⼊数据的长度#define ADDR 0x0803f800 //写地址写⼊FLASH数据：void writeflash(int addr, uint32_t* writeFlashData){uint32_t PageError = 0;int i=0; HAL_FLASH_Unlock();FLASH_EraseInitTypeDef f;f.Banks=1;f.NbPages=1;f.Page=255;f.TypeErase=0;HAL_FLASHEx_Erase(&f,&PageError);HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD,addr,writeFlashData[i]);HAL_FLASH_Lock();}代码编写实现while(1)循环内程序：if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY1_GPIO_Port,KEY1_Pin)==GPIO_PIN_RESET){HAL_Delay(100);if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY1_GPIO_Port,KEY1_Pin)==GPIO_PIN_RESET){printf("KEY1 Press\r\n");writeflash(ADDR,(uint32_t*)&writeFlashData);//擦除并写⼊数据 HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port,LED_Pin);//LED电平翻转}}if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY2_GPIO_Port,KEY2_Pin)==GPIO_PIN_RESET){HAL_Delay(100);if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY2_GPIO_Port,KEY2_Pin)==GPIO_PIN_RESET){printf("KEY2 Press\r\n"); ReadFlashData(ADDR,sizeof(writeFlashData),R_OldFlash);//读取写⼊的数据HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port,LED_Pin); //LED电平翻转 }}```**读取FLASH数据**：`void ReadFlashData(int addr,uint32_t strSize,uint8_t* ReadData){uint8_t OneWord; for(int i=0;i<strSize;i++){OneWord=*(__IO uint32_t*)addr;ReadData[i]=OneWord;addr++;}printf("Read the flash data:>>%s<<,address:%x\r\n",ReadData,addr-strSize);// 显⽰该地址的数据}`**扩展实验**：将移植flash.c，该⽂件有实现写数据到FLASH的多种⽅式，如写字符串数据到 FLASH等。

单片机片内存储器如何烧写几种烧写方式介绍单片机应用系统由硬件和软件组成，软件的载体是硬件的程序存储器，程序存储器采用只读存储器，这种存储器在电源关闭后，仍能保存程序，在系统上电后，CPU 可取出这些指令重新执行。

只读存储器(Read Only Memory,ROM)中的信息一旦写入，就不能随意更改，特别是不能在程序运行过程中写入新的内容，故称只读存储器。

向ROM中写入信息称为ROM编程。

根据编程方式不同，掩模ROM.在制造过程中编程，是以掩模工艺实现的，因此称为掩模ROM。

这种芯片存储结构简单，集成度高，但是由于掩模工艺成本较高，只适合于大批量生产。

可编程ROM(PROM).芯片出厂时没有任何程序信息，用独立的编程器写入。

但是PROM 只能写一次，写入内容后，就不能再修改。

EPROM.用紫外线擦除，用电信号编程。

在芯片外壳的中间位置有一个圆形窗口，对该窗口照射紫外线就可擦除原有的信息，使用编程器可将调试完毕的程序写入。

E2PROM(EEPROM).用电信号擦除，用电信号编程。

对E2PROM的读写操作与RAM存储器几乎没什么差别，只是写入速度慢一些，但断电后仍能保存信息。

Flash ROM.闪速存储器(简称闪存)，是在EPROM和E2PROM的基础上发展起来的一种电擦除型只读存储器。

特点是可快速在线修改其存储单元中的数据，改写次数达一万次(ROM 都有改写次数)，读写速度快，存取时间可达70ns，而成本比E2PROM低得多，因此正逐步取代E2PROM。

注意：更多存储器内容请参考，《电子技术基础》数字部分(第五版) 主编康华光. 第七章，或者电工学(第七版)(下册) 主编秦曾煌第22章.烧写器、烧录器、编程器、下载器、仿真器、调试器单片机编程器(烧写器、烧录器)是用来将程序代码写入存储器芯片或者单片机内部的工具。

编程器主要修改只读存储器中的程序，编程器通常与计算机连接，再配合编程软件使用。

如下图所示是一个典型的编程器外形。

单片机片内存储器如何烧写几种烧写方式介绍单片机片内存储器如何烧写几种烧写方式介绍单片机应用系统由硬件和软件组成，软件的载体是硬件的程序存储器，程序存储器采用只读存储器，这种存储器在电源关闭后，仍能保存程序，在系统上电后，CPU 可取出这些指令重新执行。

只读存储器(Read Only Memory,ROM)中的信息一旦写入，就不能随意更改，特别是不能在程序运行过程中写入新的内容，故称只读存储器。

向ROM中写入信息称为ROM编程。

根据编程方式不同，掩模ROM.在制造过程中编程，是以掩模工艺实现的，因此称为掩模ROM。

这种芯片存储结构简单，集成度高，但是由于掩模工艺成本较高，只适合于大批量生产。

可编程ROM(PROM).芯片出厂时没有任何程序信息，用独立的编程器写入。

但是PROM 只能写一次，写入内容后，就不能再修改。

EPROM.用紫外线擦除，用电信号编程。

在芯片外壳的中间位置有一个圆形窗口，对该窗口照射紫外线就可擦除原有的信息，使用编程器可将调试完毕的程序写入。

E2PROM(EEPROM).用电信号擦除，用电信号编程。

对E2PROM 的读写操作与RAM存储器几乎没什么差别，只是写入速度慢一些，但断电后仍能保存信息。

Flash ROM.闪速存储器(简称闪存)，是在EPROM和E2PROM的基础上发展起来的一种电擦除型只读存储器。

特点是可快速在线修改其存储单元中的数据，改写次数达一万次(ROM 都有改写次数)，读写速度快，存取时间可达70ns，而成本比E2PROM低得多，因此正逐步取代E2PROM。

注意：更多存储器内容请参考，《电子技术基础》数字部分(第五版) 主编康华光. 第七章，或者电工学(第七版)(下册) 主编秦曾煌第22章.烧写器、烧录器、编程器、下载器、仿真器、调试器单片机编程器(烧写器、烧录器)是用来将程序代码写入存储器芯片或者单片机内部的工具。

编程器主要修改只读存储器中的程序，编程器通常与计算机连接，再配合编程软件使用。

NAND flash读写擦除操作本文主要介绍SAMSUNG公司的S3C2410处理器和K9F1208NAND flash的读写擦除操作。

一、K9F1208NAND flash芯片介绍S3C2410处理器集成了8位NAND flash控制器。

因NAND flash K9F1208、K9F1G08的数据页大小分别为512B、2KB，在寻址方式上有一定的差异，所以程序代码并不通用。

K9F1208的器件存储容量为64M字节和2048K字节的spare存储区，8位I/O 端口采用地址、数据和命令复用的方法。

该器件的引脚图如下所示该器件的引脚功能描述如下表所示引脚名称英文描述描述I/O0～I/O7Data input/outputs数据输入输出CLE Command latch enable命令锁存使能ALE Address latch enable地址锁存使能CE#Chip enable片选RE#Read enable读使能WE#Write enable写使能WP#Write protect写保护R/B#Ready/Busy output准备好/忙碌输出VCC Power(+2.7V~3.6V)电源(+2.7V~3.6V)VSS Ground地N.C No connection空引脚NAND flash的数据是以bit的方式保存在memory cell。

一般一个cell中只能存储一个bit。

这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte（X8）/word（X16），这就是NAND device的位宽。

这些line组成page，page再组织形成一个block。

K9F1208的相关数据如下：1block=32page；1page=528byte=512byte(main area)+16byte(spare area)总容量为=4096(block)*32(page/block)*512(byte/page)=64MBNAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。

Flash存储芯片工作原理引言概述：Flash存储芯片是一种非易失性存储设备，被广泛应用于各种电子设备中。

本文将详细介绍Flash存储芯片的工作原理，包括擦除、写入和读取操作的过程，以及其优缺点和应用领域。

一、擦除操作：1.1 擦除单元：Flash存储芯片的最小擦除单元是一个扇区或者一个块，通常为64KB或者256KB。

擦除操作是将整个扇区或者块的数据全部擦除为1。

1.2 擦除方法：Flash存储芯片采用电子擦除方法，通过向存储单元中加入高电压来擦除数据。

这个过程中，存储单元中的浮栅电荷被清除，将其电压重新设置为初始状态。

1.3 擦除速度：Flash存储芯片的擦除速度相对较慢，普通需要几毫秒到几十毫秒的时间。

这是因为擦除操作需要较高的电压和较长的时间来完成。

二、写入操作：2.1 写入单元：Flash存储芯片的最小写入单元是一个页面，通常为512字节或者2KB。

写入操作是将数据写入到一个空白的页面中。

2.2 写入方法：Flash存储芯片采用电子写入方法，通过向存储单元中加入适当的电压来改变单元的电荷状态。

这个过程中，存储单元中的浮栅电荷被改变，将其电压重新设置为目标状态。

2.3 写入速度：Flash存储芯片的写入速度相对较快，普通需要几微秒到几十微秒的时间。

这是因为写入操作只需要改变存储单元的电荷状态，不需要擦除整个扇区或者块。

三、读取操作：3.1 读取单元：Flash存储芯片的最小读取单元是一个字节。

读取操作是将存储单元中的数据读取出来。

3.2 读取方法：Flash存储芯片采用电子读取方法，通过检测存储单元中的电荷状态来读取数据。

根据电荷状态的不同，可以判断出单元中存储的是0还是1。

3.3 读取速度：Flash存储芯片的读取速度相对较快，普通需要几纳秒到几微秒的时间。

这是因为读取操作只需要检测存储单元的电荷状态，不需要改变单元的电荷状态。

四、优缺点和应用领域：4.1 优点：Flash存储芯片具有非易失性、体积小、功耗低、抗震动、抗电磁干扰等优点。

flash擦写方式一、概述Flash擦写是指将Flash存储器中的数据全部或部分清除并重新写入新的数据的过程。

Flash存储器是一种非易失性存储器，因此在擦写过程中需要特别小心以避免数据丢失或损坏。

二、Flash存储器的结构Flash存储器通常由多个块组成，每个块又由多个扇区组成。

每个扇区包含一个或多个页面，每个页面包含若干字节的数据。

三、Flash擦写方式1. 扇区擦除方式扇区擦除是最常见的Flash擦写方式。

它通过将整个扇区中所有页面的数据清除来实现。

这种方式可以确保所有数据都被清除，但也会导致擦写时间较长。

2. 页面擦除方式页面擦除是一种相对较快的Flash擦写方式。

它只会清除指定页面中的数据，而不影响其他页面。

但是，这种方式可能会导致某些未使用的空间被占用，从而降低了可用空间。

3. 块擦除方式块擦除是一种比较特殊的Flash擦写方式。

它通过将整个块中所有扇区的数据清除来实现。

这种方式可以确保所有数据都被清除，并且擦写时间相对较短。

但是，它也会导致块内所有数据丢失。

四、Flash擦写流程1. 擦除Flash擦写的第一步是擦除。

在这个阶段，需要将要写入的扇区或页面中的所有数据清除掉，以确保不会出现任何残留数据干扰新数据的写入。

2. 编程编程是指将新数据写入Flash存储器中。

在这个阶段，需要将新数据逐个字节地写入到指定的扇区或页面中。

3. 验证验证是指检查已经编程的数据是否正确地存储在Flash存储器中。

在这个阶段，需要读取刚刚编程的数据并与原始数据进行比较，以确保两者完全一致。

五、注意事项1. 擦写次数限制Flash存储器有一个重要的特点：每次擦写都会减少其寿命。

因此，在进行Flash擦写时应该尽量减少不必要的操作，避免过多地使用同一个扇区或页面。

2. 操作顺序在进行Flash擦写时应该按照正确的顺序执行各个步骤：首先是擦除、然后是编程、最后是验证。

如果顺序出错，可能会导致数据丢失或损坏。

用存储器映射的方法实现片外FLASH的擦写1引言在DSP系统的设计中，经常要使用片外存储器扩充系统存储空间。

特别是当DSP的片内数据存储器和程序存储器容量比较小时, 必须把一部分数据，如常量、原始数据库等存储到片外的存储器中，从而节省DSP芯片内部的存储器资源。

在实际应用中，片外存储器通常选择RAM或FLASH MEMORY。

RAM数据掉电即丢失，不适合长期保存数据。

对于一些无需频繁读写但需要长期保存的数据，如字模数据、端口地址等时，通常选择片外FLASH作伪扩展的数据存储器。

使用片外FLASH必须要解决对其擦写的问题。

在实际应用中，对片外FLASH的擦写有两种方式：一是使用通用编程器对FLASH芯片进行擦写；二是直接由DSP对FLASH进行擦写。

对于需要修改或已安装在电路板上的FLASH 芯片无法使用第一种方式，只能采用第二种方式，且便于调试。

本文介绍一种利用存储器映射技术实现对DSP片外FLASH擦写的方法。

DSP56F805 芯片是Motorola公司在DSP56800 的基础上开发的系列DSP芯片之一。

该芯片采用先进的修正哈佛结构，三个内部地址总线和四个内部数据总线支持数据传输；采用MCU 形式的指令集，寻址方式灵活；具有较强的片外存储空间扩展能力；功耗小，高度并行。

但是该芯片的片内数据存储器空间最大为64k，程序存储空间寻址范围是64k，内部模式（Mode0A和Mode0B）下只有31.5k。

对于一些需要复杂中文图形用户界面的DSP系统来说芯片存储资源显得不够，必须对芯片存储空间进行扩展。

考虑到具体要求，本文使用片外FLASH来扩展系统数据存储空间，将DSP系统的中文图形用户界面中用到的所有字模数据和页面内容数据存放到片外FLASH中，大大节省了片内的数据存储器空间。

CodeWarrior IDE是由Metrowerks公司专为Motorola的DSP56800系列设计的开发平台。

该平台具有简单明了的图形用户界面和丰富的软件开发工具，适合于开发基于DSP56800系列的应用程序、插件程序等各种程序代码。