12特殊二极管

开关电源中的肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊的二极管，由肖特基效应得名。

肖特基效应是指当P型半导体与n型半导体接触时，由于能带差异，形成一个肖特势垒。

肖特基二极管的结构与普通二极管类似，但其由P型半导体和n型半导体组成，而不是P型半导体和N型半导体。

肖特基二极管具有许多优点，使其在开关电源中得到广泛应用。

首先，肖特基二极管的正向压降较低，通常在0.2至0.4伏之间，远低于普通二极管的正向压降。

这意味着在开关电源中，使用肖特基二极管可以减少能量损耗，提高整体效率。

肖特基二极管具有快速恢复特性。

在开关电源中，当开关管关闭时，负载电感中的能量需要通过反向恢复二极管释放。

普通二极管的恢复时间较长，而肖特基二极管由于其低载流子浓度和短载流子寿命，其恢复时间非常短，可以有效减少开关过程中的电压尖峰。

肖特基二极管还具有低漏电流和低容量的特点。

漏电流是指在反向偏置情况下，二极管的泄漏电流。

肖特基二极管由于其特殊的结构，其漏电流较低，可以减少功耗。

容量是指二极管的结电容，肖特基二极管由于其载流子浓度低，其结电容也较低，可以提高开关速度。

在开关电源中，肖特基二极管主要用于整流电路和反向恢复电路。

在整流电路中，肖特基二极管可以实现高效的整流，减少能量损耗。

在反向恢复电路中，肖特基二极管可以快速释放负载电感中的能量，保护开关管，提高开关电源的可靠性。

肖特基二极管虽然具有许多优点，但也存在一些局限性。

首先，由于肖特基二极管的制造工艺较为复杂，成本较高。

其次，肖特基二极管的反向耐压较普通二极管低，一般在30伏以下，不适用于高压应用场景。

此外，肖特基二极管的温度特性较为敏感，在高温环境下，其性能可能会受到影响。

肖特基二极管在开关电源中具有重要的应用价值。

其低正向压降、快速恢复、低漏电流和低容量等特点，使其成为提高开关电源效率、减少能量损耗的重要元件。

随着半导体技术的不断发展，肖特基二极管的性能将进一步提升，应用范围也将更加广泛。

二极管的分类及参数一．半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。

普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。

二.半导体二极管的主要参数1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。

在常温下，硅管的IR 为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。

2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。

目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。

3. 最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。

这是设计时非常重要的值。

4. 最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。

它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。

5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。

这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。

因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。

最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。

目前最高的VRM值可达几千伏。

6. 最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。

用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。

点接触式二极管的fM 值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。

8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。

实际上，一般要延迟一点点时间。

决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。

虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。

也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。

二极管的类型及工作原理二极管（Diode）是一种基本的半导体器件，它通常由P型半导体和N型半导体组成。

二极管有许多类型，包括普通二极管、肖特基二极管、肖特基隧道二极管等。

二极管在电子学领域中有着广泛的应用，包括电源供应、信号整形、无线通信、光电探测等。

本文将从二极管的基本工作原理和各种类型进行详细介绍。

一、二极管的基本工作原理1. PN结的形成二极管是由P型半导体和N型半导体通过扩散或外延生长形成PN结，PN结即正负电荷区域。

当P型半导体和N型半导体相连接时，在PN结处形成空间电荷区，这个区域即为耗尽层。

耗尽层内部形成电场，使得P区电子向N区移动，N区空穴向P区移动，形成内建电场。

2. 正向偏置当二极管正向通电时，P区的P型载流子（空穴）和N区的N型载流子（自由电子）受到外加电压的驱动，穿越耗尽层，导致电流流动。

在正向偏置下，二极管的耗尽层变窄，电阻减小，使得电流可以通过二极管，此时二极管处于导通状态。

3. 反向偏置当二极管反向通电时，P区的正电荷和N区的负电荷受到外加电压的驱动，使得耗尽层变宽，电阻增大，导致极小的反向漏电流。

在反向偏置的情况下，二极管处于截止状态，不导通。

二、普通二极管1. 硅二极管硅二极管是最常见的一种二极管，广泛应用于各种电子电路中。

硅二极管具有正向导通压降约0.7V~0.8V，工作温度范围广，稳定性好等特点。

2. 锗二极管锗二极管是二极管的一种，其正向导通压降约为0.3V~0.4V，工作频率范围相对较宽，但稳定性比硅二极管差。

三、损耗二极管1. 肖特基二极管肖特基二极管是一种具有快速开关特性和低漏电流的二极管。

它是由金属和半导体直接接触形成，具有低正向导通压降和快速恢复时间。

肖特基二极管在高频整流电路和开关电源中有着广泛的应用。

2. 肖特基隧道二极管肖特基隧道二极管是一种具有负差阻特性的器件，其反向漏电流与电压成指数关系。

它具有极低的反向漏电流，适用于超低功耗和高灵敏度的电路应用。

肖特基二极管又称肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），是一种特殊的二极管，其结构和特性与普通的二极管有所不同。

它利用了肖特基效应（Schottky effect）的原理，具有低漏电流、快速开关速度和低压降等优点，因此在各种电子电路中得到广泛应用。

一、肖特基二极管的结构肖特基二极管由金属和半导体材料组成，其结构如下：1. 金属-半导体接触面：用金属和半导体材料制成金属-半导体接触面，形成势垒；2. P型半导体材料：通常采用P型硅（p-Si）材料制成。

二、肖特基二极管的特性肖特基二极管相比普通二极管具有以下特点：1. 低漏电流：由于金属-半导体接触面的势垒形成，使得肖特基二极管的漏电流比普通二极管小很多；2. 快速开关速度：肖特基二极管的导通和截止速度较快，因此在高频电路中得到广泛应用；3. 低压降：肖特基二极管在导通时的压降比普通二极管小，对电路的功耗影响较小。

三、肖特基二极管的应用肖特基二极管在电子电路中有广泛的应用，主要体现在以下几个方面：1. 短波无线电接收机：肖特基二极管可以作为高频检波二极管，实现无线电信号的检波和解调；2. 低功耗电路：由于肖特基二极管的低漏电流和低压降特性，适合用于设计低功耗的电路；3. 微波频率倍频器：肖特基二极管在微波频率电路中具有较高的性能，常被用作频率倍增器；4. 太阳能电池：肖特基二极管作为太阳能电池的组成部分，可以将光能转化为电能。

四、肖特基二极管与MOS管的比较肖特基二极管与MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构和特性上有所不同。

1. 结构：肖特基二极管由金属和P型半导体材料组成，而MOS管由金属氧化物和半导体材料组成。

2. 功能：肖特基二极管主要用于整流和高频开关电路中，而MOS管主要用于放大和开关电路中。

3. 特性：肖特基二极管的优点在于低漏电流和快速开关速度，但其直流特性和温度特性较差；MOS管的特点在于良好的输入输出特性和高集成度，但功耗较大。

二极管的种类和应用
二极管是一种最简单的电子器件，它有许多不同的种类和应用。

以下是常见的二极管种类和应用：
1. 散热二极管：用于电源和放大器电路中，可承受高频高功率。

2. 整流二极管：用于电源和电路中，将交流信号转变为直流信号。

3. 可控硅二极管：可控硅二极管也称为Triac，常用于交流电
控制开关、调光和电压调节等应用。

4. 快速恢复二极管：用于高频电路和脉冲电路，具有快速恢复速度。

5. 功率二极管：用于功率放大器、逆变器、电源等高功率电路。

6. 齐纳二极管：用于雷达接收、光电检测和高速开关等应用。

7. 发光二极管（LED）：用于指示灯、显示屏、照明等应用，可以发出不同颜色的光。

8. 光敏二极管（光电二极管）：用于光电传感器、光控开关等应用，可将光信号转化为电信号。

9. 二极管激光：用于激光器和光通信等高功率激光器应用。

除了上述常见的二极管种类外，还有许多其他特殊用途的二极
管，如：微波二极管、电容二极管、变容二极管、太阳能电池等。

二极管的分类与特性参数一、二极管的分类1.按材料分类：（1）硅二极管：硅二极管是最常见的二极管，具有较高的工作温度和较低的导通电压。

（2）锗二极管：锗二极管具有较低的导通电压，适用于低功耗和低电压应用。

2.按结构分类：（1）环绕式二极管：环绕式二极管是最简单的结构，由P型和N型两种半导体材料组成。

（2）肖特基二极管：肖特基二极管是一种PN结构的二极管，特点是导通电压低，反向漏电流小。

（3）合金二极管：合金二极管是一种PN结构的二极管，具有高转导特性和高工作频率。

3.按工作电压分类：（1）低压二极管：低压二极管的导通电压一般在0.2V以下。

（2）中压二极管：中压二极管的导通电压一般在0.2V~0.6V之间。

（3）高压二极管：高压二极管的导通电压一般在0.6V以上。

二、二极管的特性参数1.最大可逆电压（VRM）：指二极管可承受的最大反向电压，超过该电压会导致二极管击穿损坏。

2.最大正向电流（IFM）：指二极管可承受的最大正向电流，超过该电流会使二极管过热损坏。

3.最大反向电流（IRM）：指二极管在反向电压下的最大反向漏电流，超过该电流会导致负载电路的误操作。

4.导通电压降（VF）：指二极管在正向工作时的导通电压，也称为正向压降。

5.反向漏电流（IR）：指二极管在反向电压下的漏电流，也称为反向电流或反向饱和电流。

6.反向恢复时间（tRR）：指二极管从正向导通转为反向截止的时间，也称为反向恢复速度。

时间越短，二极管的高频特性越好。

7.热稳定工作电流（Iz）：指二极管在指定温度下的稳态工作电流，也称为额定工作电流。

8.温度系数：指二极管的电压、电流等参数随温度变化的大小，也称为温度稳定性。

9.前导电压降（VF1）：指二极管开始正向导通时的电压降。

10.储电容（Cj）：指二极管内部的储电容量，是二极管的一个重要参数，与二极管的高频特性有关。

三、总结二极管是电子电路中使用最广泛的器件之一，根据不同的分类标准，二极管可以分为硅二极管、锗二极管、环绕式二极管、肖特基二极管和合金二极管等。

稳压二极管的工作原理及型号稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其V-A特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡。

稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。

稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。

而且，稳压管与其它普能二极管不同之反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。

稳压二极管的参数:（1）稳定电压（2）电压温度系数（3）动态电阻（4）稳定电流，最大、最小稳定电流（5）最大允许功耗不同种类二极管如何选用1．检波二极管的选用检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，例如2AP系列等。

选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。

2．整流二极管的选用整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。

选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。

例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。

开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。

3．稳压二极管的选用稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。

选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。

稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50%左右。

二极管的种类及应用二极管是一种常见的电子元件，具有仅能导电一个方向的特性。

根据其结构和应用领域的不同，可以分为多种类型的二极管。

下面将介绍几种常见的二极管及其应用。

1.散热二极管：散热二极管，也称为肖特基二极管，是利用金属和半导体之间的肖特基势垒形成的。

这种二极管通常具有较低的导通电压降和快速的开关特性。

它们通常用于高频电路、开关电路和功率放大电路。

此外，散热二极管还常用于直流电源的接口保护以及硬盘驱动器和电动工具等电感负载的停车保护。

2.热电偶二极管：热电偶二极管，也称为Peltier二极管，是通过Peltier效应将热能转换为电能的二极管。

它们通过模块中的两个异质半导体结将电流引入设备，并基于电流的方向将热能从一个界面转移到另一个界面。

热电偶二极管通常用于冷却电子元器件、制冷器、热电转换器、温度传感器以及热能发电器等领域。

3. Zener二极管：Zener二极管是一种特殊的二极管，具有反向击穿电压的特性。

当反向电压超过特定值时，Zener二极管会发生击穿并引入限流电路。

这种二极管通常用于稳压电路，可以通过选择不同的Zener二极管来获得所需的稳定电压。

4.发光二极管：发光二极管，也称为LED（Light Emitting Diode），是一种将电能转换为光能的二极管。

根据不同的材料和结构，LED可分为多种类型，如红、绿、蓝、白光发光二极管等。

发光二极管具有节能、寿命长、体积小等优点，广泛应用于指示灯、显示屏、室内照明、游戏机、汽车灯等领域。

5.二极管阵列：二极管阵列是将多个二极管集成在一个芯片上的组合器件。

它们常用于逆变器、整流器、稳压器、开关电路等应用中，用于实现特定的功能和电路布局。

二极管阵列具有封装紧凑、结构稳定、安装方便等特点。

除了上述几种常见的二极管之外，还有其他类型的二极管，如射频二极管、光电二极管、烈性化触发二极管等。

每种类型的二极管都具有特定的电特性和应用场景，可以根据实际需求选择合适的二极管。

各种二极管的分类及参数二极管是一种电子器件，广泛应用于电子电路中。

根据不同的分类标准，二极管可以分为多种类型，并具有不同的参数。

按照功能分类，二极管可以分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、检波二极管等。

整流二极管：用于将交流信号转换为直流信号的元件。

常见的整流二极管有硅二极管和锗二极管。

硅二极管的主要参数包括最大正向电压Uf(max)、最大反向电压Vr(max)、正向电流If(av)、反向电流Ir、导通电压Vf、回复时间Trr等。

其中，最大正向电压表示二极管在正向电流下所能承受的最大电压，最大反向电压表示二极管在反向电压下最大可承受的电压。

正向电流表示二极管通过的最大电流，导通电压表示二极管在导通状态下的电压降。

回复时间表示二极管的导通状态从关断状态恢复到导通状态所需的时间。

稳压二极管：用于保持稳定的电压输出的元件。

常见的稳压二极管有锗稳压二极管和硅稳压二极管。

稳压二极管的主要参数包括稳压电压Vz、最大反向电流Iz(max)、稳态电流Izk(min)等。

稳压电压表示二极管在达到稳定工作状态时的反向电压值，最大反向电流表示二极管所能承受的最大反向电流，稳态电流表示稳压二极管在稳定工作状态下的工作电流。

开关二极管：用于控制电流通断的元件。

常见的开关二极管有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等。

开关二极管的主要参数包括导通电压Vf、正向电流If(av)、反向电流Ir(max)等。

导通电压表示二极管在导通状态时的电压降，正向电流表示二极管通过的最大电流，反向电流表示二极管在反向电压下所能承受的最大电流。

检波二极管：用于检测信号的存在和大小的元件。

常见的检波二极管有锗二极管和硅二极管。

检波二极管的主要参数包括最大正向电压Uf(max)、最大反向电压Vr(max)、正向电流If(av)、反向电流Ir、转移电容Ct等。

转移电容表示二极管的电容特性，影响二极管的高频特性。

此外，二极管还可以根据材料分类，主要有硅二极管、锗二极管、GaAs二极管等。

二极管功能种类及应用二极管是一种半导体器件，具有单向导电性能，广泛应用于电子电路中。

本文将介绍二极管的功能种类及其应用。

功能种类：1. 整流二极管（Rectifier diode）：主要用于将交流电转换为直流电。

在整流电源中，整流二极管的作用是只允许电流在一个方向上通过，将交流信号转换为具有单向导电性质的直流信号。

2. 齐纳二极管（Zener diode）：主要用于稳压和电压参考。

齐纳二极管在其反向工作区域具有稳定的电压特性，可以用作稳压器或电压参考元件，使电路中的电压保持在特定的范围内。

3. 光电二极管（Photodiode）：主要用于光电转换。

光电二极管能够将光能转换为电能，常用于光电探测器、光电传感器、光通信和光测量等领域。

4. 发光二极管（Light-emitting diode，LED）：主要用于发光。

发光二极管具有发光特性，可将电能转换为光能，广泛应用于显示屏、指示灯、照明等领域。

5. 肖特基二极管（Schottky diode）：主要用于高频、高速开关和整流。

肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关特性，适用于高频电路、高速开关电路和功率电路。

6. 可变电容二极管（Varactor diode）：主要用于电容调节。

可变电容二极管的电容值可以通过调节反向偏置电压来实现，常用于电子调谐电路、频率合成电路和频率调制电路等。

7. 热敏二极管（Thermistor）：主要用于温度测量和控制。

热敏二极管的电阻值随温度的变化而变化，可用于测量和控制温度，广泛应用于温度传感器、温控电路等。

应用：1. 整流器：整流二极管常用于电源中的整流电路，将交流电转换为直流电，为后续电路提供稳定的直流电源。

2. 电压稳压器：齐纳二极管常用于稳压电路中，通过控制反向电压来保持电路中的电压稳定。

3. 光电传感器：光电二极管常用于光电传感器中，能够将光信号转换为电信号，用于检测光强、测量距离等。

4. 显示器：发光二极管常用于显示屏、指示灯等领域，通过发光实现信息的显示和指示。

各种二极管的用途及常用二极管分类介绍常用二极管１．整流二极管作用:利用PＮ结的单向导电性把交流电变成脉动直流电，整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高,但PN结电容比较大,一般广泛应用于处理频率不高的电路中。

例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。

整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值，并要满足散热条件。

２.检波(也称解调）二极管作用:利用二极管单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号提取出来广泛应用于半导体收音机、录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。

检波二极管一般可选用点接触型锗二极管,例如2ＡＰ系列、1N34/A/、１Ｎ6０等。

选用时,应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管，主要考虑工作频率。

虽然检波和整流的原理是一样的,而整流的目的只是为了得到直流电，而检波则是从被调制波中取出信号成分（包络线)。

检波电路和半波整流线路完全相同。

因检波是对高频波整流，二极管的结电容一定要小, 所以选用点接触二极管。

能用于高频检波的二极管大多能用于限幅、箝位、开关和调制电路。

3.变容二极管又称压控变容器,是根据电压变化而改变节电容的半导体,工作在反向偏压状态。

应用：高频调谐、通信电路中可做可变电容器使用。

有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管，适用于参放的参放变容二极管，以及固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管,用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。

４.快速二极管快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的,但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长，约４~5mｓ,不能适应高频开关电路的要求。

快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢复时间可达10ｎs。

快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。

肖特基二极管特点一、什么是肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊的二极管，它是由金属与半导体接触而形成的。

与常规二极管相比，肖特基二极管具有一些独特的特点和优势。

二、肖特基二极管的特点1.低 forward voltage drop (VF): 肖特基二极管的正向电压降低，通常在0.2V左右，远低于常规的硅二极管。

这意味着在正向工作时，肖特基二极管的功耗较低，可以减少能量损耗和发热，提高效率。

2.快速开关速度: 肖特基二极管的开关速度非常快，正向恢复时间（Trr）短。

这使它适用于高频应用和快速开关电路。

3.低反向漏电流 (IRR) : 肖特基二极管的反向漏电流很低，通常在纳安级别。

这使得它在低功耗应用中表现出色，并具有较高的性能稳定性。

4.优秀的温度特性: 肖特基二极管具有较好的温度特性，温度变化对其工作电压的影响较小。

5.抗辐射能力强: 肖特基二极管具有较高的抗辐射能力，能够在强辐射条件下正常工作，适用于核电站和其他辐射环境。

6.低噪声、低失真: 由于肖特基二极管的特殊结构，其内部噪声相对较低，能够提供清晰的信号传输和高质量的信号处理，减少失真。

7.良好的反向耐压能力: 肖特基二极管具有较高的反向耐压能力，通常在几十伏特到一百伏特之间，能够满足各种应用的要求。

8.可靠性高: 由于肖特基二极管没有PN结，且工作在较低的正向电压下，因此具有更长的使用寿命和更高的可靠性。

9.适应广泛: 肖特基二极管适用于各种应用场合，例如功率电子、通信设备、工业控制、汽车电子、太阳能电池等。

三、肖特基二极管的应用肖特基二极管由于其独特的特点，广泛应用于各个领域。

以下是肖特基二极管在不同领域的应用示例：1. 电源供电在电源供电系统中，肖特基二极管可以用于功率因数校正电路、开关电源、充电器等。

其低损耗和高效率的特点使得电源供电系统更加节能和可靠。

2. 通信设备在通信设备中，肖特基二极管可以用于高频振荡器、射频放大器和混频器等。

二极管选型及参数大全一、二极管的基本概念和参数二极管是一种特殊的电子元件，也是电子电路中最常用的元件之一、它是由一个p区和一个n区组成，具有单向导电性。

二极管具有一些基本参数，如正向电压降、反向电压能承受能力、反向饱和电流等。

1. 正向电压降（Forward Voltage Drop，VF）：二极管在正向导通时的电压降。

不同类型和材料的二极管具有不同的正向电压降，一般在0.3V到0.7V之间。

2. 反向电压能力（Reverse Voltage Capability，VR）：二极管可以承受的最大反向电压。

超过该电压，二极管会被击穿，导致损坏。

反向电压能力常用伏特（V）表示。

3. 反向饱和电流（Reverse Saturation Current，IR）：指在反向偏置下，通过二极管的电流大小。

该电流通常很小，以毫安（mA）或微安（μA）为单位表示。

4. 正向压降温升系数（Temperature Coefficient of Forward Voltage Drop，TCVF）：当二极管被加热时，正向电压降会发生变化，该变化与温度的变化程度有关。

一般以mV/℃表示。

5. 反漏电流（Reverse Leakage Current，IRL）：二极管在反向偏置下的微小电流。

该电流通常很小，以毫安或微安为单位表示。

6. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage，VBR）：二极管在反向偏置时，超过该电压会使二极管发生击穿现象。

反向击穿电压以伏特为单位表示。

7. 速度参数（Speed Parameters）：指二极管的响应速度，主要包括正向恢复时间、反向恢复时间、正向恢复过程中的电压峰值等。

二、常见二极管类型和参数根据不同的用途和工作要求，二极管可以分为多种类型。

以下是常见的几种二极管类型及其参数：1. 整流二极管（Rectifier Diode）：整流二极管一般用于将交流电转换为直流电的电路中，具有较高的反向电压能力和正向电流承受能力。

高击穿电压的肖特基二极管
肖特基二极管是一种特殊的二极管，它的结构与普通的二极管有所不同。

它的PN结是由n型半导体和金属之间的接触形成的，而不是普
通二极管中的PN结。

因此，肖特基二极管具有许多独特的性质，其
中一个是高击穿电压。

高击穿电压是指在肖特基二极管中，当反向电压达到一定值时，PN结会发生击穿现象，电流急剧增加。

这个值通常比普通二极管的击穿电
压高得多，可以达到几百伏甚至上千伏。

这是因为肖特基二极管中的PN结是由金属和半导体之间的接触形成的，金属的导电性能更好，因此可以承受更高的电场强度。

高击穿电压是肖特基二极管的一个重要特性，它使得肖特基二极管在
高压电路中得到广泛应用。

例如，在高压直流电源中，肖特基二极管
可以用来保护负载免受过压的损害。

在高压脉冲电路中，肖特基二极
管可以用来限制电压峰值，保护其他元件不受过电压的影响。

除了高击穿电压，肖特基二极管还有许多其他的特性，例如快速开关
速度、低反向漏电流、低正向压降等。

这些特性使得肖特基二极管在
许多应用中得到广泛应用，例如功率电子、射频电路、光电子等领域。

总之，高击穿电压是肖特基二极管的一个重要特性，它使得肖特基二
极管在高压电路中得到广泛应用。

肖特基二极管还有许多其他的特性，使得它在许多应用中具有独特的优势。

随着科技的不断发展，肖特基
二极管的应用前景将会更加广阔。

二极管一、二极管的种类二极管有多种类型：按材料分，有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等；按制作工艺可分为面接触二极管和点接触二极管；按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等；接构类型来分，又可分为半导体结型二极管，金属半导体接触二极管等；按照封装形式则可分为常规封装二极管、特殊封装二极管等。

下面以用途为例，介绍不同种类二极管的特性。

1．整流二极管整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电，它是利用二极管的单向导电特性工作的。

因为整流二极管正向工作电流较大，工艺上多采用面接触结构。

南于这种结构的二极管结电容较大，因此整流二极管工作频率一般小于3kHz。

整流二极管主要有全密封金属结构封装和塑料封装两种封装形式。

通常情况下额定正向T作电流LF在l A以上的整流二极管采用金属壳封装，以利于散热；额定正向工作电流在lA以下的采用全塑料封装。

另外，由于T艺技术的不断提高，也有不少较大功率的整流二极管采用塑料封装，在使用中应予以区别。

由于整流电路通常为桥式整流电路(如图1所示)，故一些生产厂家将4个整流二极管封装在一起，这种冗件通常称为整流桥或者整流全桥(简称全桥)。

常见整流二极管的外形如图2所示。

选用整流二极管时，主要应考虑其大整流电流、大反向丁作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

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二极管的型号命名规定由五个部分组成晶体二极管的分类一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。

与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。

包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。

因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。

但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。

因为构造简单，所以价格便宜。

对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。

2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。

其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。

与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。

多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。

在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。

正向电压降小，适于大电流整流。

因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。

4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。

因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。

最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。

其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。

初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。

因此，又把这种台面型称为扩散台面型。

对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。

6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。