清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识

自测题

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×

二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、UO1≈ UO2＝0 UO3≈－ UO4≈2V UO5≈ UO6≈－2V

四、UO1＝6V UO2＝5V

五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。

六、1、

V2VmA6.2 Aμ26VCCCCCEBCbBEBBBRIUIIRUI

UO＝UCE＝2V。 2、临界饱和时UCES＝UBE＝，所以

k4.45VμA6.28mA86.2VBBEBBbCBcCESCCCIURIIRUI

七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。

习题

（1）A C （2）A （3）C （4）A

不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为时管子会因电流过大而烧坏。

ui和uo的波形如图所示。

ttuuOOio/V/V1010 ui和uo的波形如图所示。

uo的波形如图所示。

ID＝（V－UD）/R＝，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。

（1）两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。

（2）两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。

IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝～Ω。 tuOi/V53-3tuOO/V3.7-3.7tuOI1/V30.3tuOI2/V30.3tuOO/V3.71 （1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故

V33.3ILLOURRRU

当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。

当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。

（2）RUUI)(ZIDZ29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。

（1）S闭合。

（2）。，700)V(233)V(DminDmaxDmaxDminIURIUR

波形如图所示。 60℃时ICBO≈32μA。

选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。

晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表

管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6

上 e c e b c b

中 b b b e e e

下 c e c c b c

管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN tu0I/V63tu0O1/V3tu0O2/V31.01mA5mA(a)(b)材料 Si Si Si Ge Ge Ge

当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。

当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为

V9umA3 μA60CCQOBQCQbBEQBBBQRIVIIRUVICC，，

当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为

BECCQOBQCQbBEQBBBQmA8 Aμ160URIVuIIRUVICC＜，，

取UCES＝UBE，若管子饱和，则

管子饱和。，所以，100

CbCbCBECCbBECCRRRRRUVRUV

当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。

当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝。因为

mA24μA480BCbBEIBIIRUuI

CCCCCCECVRIVU＜

（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e）可能

根据方程

2GS(th)GSDSSD)1(UuIi

逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。

过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。

uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。

（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能

2章 第二章 基本放大电路

自测题

一、（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）×

二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能

（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。

（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。

（e）不能。因为输入信号被C2短路。

（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。

（g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。

（i）不能。因为T截止。 三、（1）3 )( 565 )(BQCEQCCBQBEQCCIUVIUV；

（2）0.3 120- 'oLCLioURRRUU＋；

四、（1）A （2）C （3）B （4）B

五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C

（6）B C E，A D

六、

习题

e b c 大 大 中 大

c b c 小 大 大 小

b e c 大 小 小 大

（a）将－VCC改为＋VCC 。 （b）在＋VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且加输入耦合电容。

（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。

图所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。

空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为。

带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为。

（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√

（9）√ （10）× （11）× （12）√ RRRUU123io..RRUU14io..RU2i.Uo.Ui.Uo.RL(a)(b)(c)(d)R4R3 （1） （2）12V （3） （4）12V （5）12V

k5 93 k3.1 308 k3.1mV26)1( V2.6mA76.1 Aμ22o'cubesbeusbebebibecuEQbbbecCQCCCEQBQCQBEQbBEQCCBQRRArRrArrRRrRAIrrRIVUIIRURUVIQ∥，空载时：：

47 115 V3.2)(k3besbebe'LLcCQLcLCEQLuusuArRrArRARRIRRRUR∥时：

（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。 （b）截止失真，减小Rb 。

（c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。

（a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同时出现饱和失真和截止失真

（1）

k565μA20mA2BQBEQCCbCQBQcCEQCCCQIUVRIIRUVI

（2）

k5.1 111k1 100LLc'Lbe'LioRRRRrRAUUAuu

2.11 空载时，V28.32CESCEQomUUU

V12.22k3'LCQomLRIUR时，

2.12 ② ① ② ① ③

③ ② ① ③ ①

③ ③ ① ③ ③

（1）静态及动态分析：

k5k7.3])1([7.7)1()(k73.2mV26)1(V7.5)( A μ101mA1 V2cofbeb2b1ifbeLcEQbb'beefcEQCEQEQBQefBEQBQEQCCb2b1b1BQRRRrRRRRrRRAIrrRRRIVUIIRRUUIVRRRUuCC∥∥∥

(2) Ri增大，Ri≈Ω；uA减小，uA≈－。

cBQCCCEQBQCQc21BEQCCBQ)1( )1(:RIVUIIRRRUVIQ

32o1beibe32 RRRRrRrRRAu∥∥∥

Q点：

BEQcCQCCCEQBQCQ132BEQCC322BQ ])1([)(URIVUIIRRRUVRRRI＋＋∥

动态：

4obe1ibe4 1 RRrRRrRAu∥

4obe132i21be24122be12be211BEQ2BQ2CQ2CEQ2BEQ2BQ2CEQ1BEQ1BEQ1CC212BQ24CQ2CCCQ2BQ1CQ1CQ23BEQ121BEQ1CCBQ1 1)(

RRrRRRAAArRArrAUUUUUUUUUVRRRURIVUIIIRURRUVIuuuuu∥∥－－

1 121uuAA 图略。

（1）求解Q点：

V17.7mA61.2)1(Aμ3.32)1(eEQCCCEQBQEQebBEQCCBQRIVUIIRRUVI

（2）求解电压放大倍数和输入电阻：

992.0))(1())(1( k76)])(1([k3996.0)1()1( k110])1([LebeLeLebebiLebeeebebiLRRrRRARRrRRRRrRARrRRRuu∥∥∥∥：∥：