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《电力电子技术》一一、单选题1、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（D）。
A、30°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°2、已经导通的晶闸管被关断的条件是流过晶闸管的电流（B）。
A、减小至擎住电流以下B、减小至维持电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下3、直流斩波电路是一种（D）。
A、DC/ACB、AC/ACC、AC/DCD、DC/DC4、下列电路中，不可以实现有源逆变的是（C）。
A、三相桥式全控整流电路B、三相半波可控整流电路C、单相桥式可控整流电路外接续流二极管D、单相全波可控整流电路5、三相桥式全控整流电路中，晶闸管可能承受的正反向峰值电压（D）。
A、2U2B、U2C、U2D、U26、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（B）。
A、P组阻断，N组逆变B、N组阻断，P组逆变C、P组阻断，N组整流D、N组阻断，P组整流7、只适用于全控型电力电子器件的换流方式为（A）。
A、器件换流B、负载换流C、强迫换流D、电网换流8、把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中，在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，可以方便地调节输出电压的有效值，这种电路称为（B）。
A、交流调功电路B、交流调压电路C、交流电力电子开关D、变频电路9、调制法是把希望输出的波形作为调制信号，把接受调制的信号作为载波，通过信号波的调制得到所期望的PWM波形。
通常采用（A）作为载波。
A、等腰三角波B、方波C、矩形波D、正弦波10、采用（B）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A、直流快速断路器B、快速熔断器C、过电流继电器D、过电流保护的电子电路二、填空题1、PWM控制就是对脉冲的（宽度）进行调制的技术，它的重要理论基础是（面积等效原理）。
电力电子技术课程一单选题 (共37题，总分值37分 )1. 单相半控桥，带大电感负载，直流侧并联续流管的主要作用是（1 分）A. 防止失控现象B. 减小输出电压的脉动C. 减小输出电流的脉动D. 直流侧过电压保护2. 大大（1 分）A. dadasB. dadaC. dada3. 下列器件中为全控型器件的是（）。
（1 分）A. 双向晶闸管B. 快速晶闸管C. 光控晶闸管D. 功率场效应晶体管4. （1 分）A.B.C.D.5. 单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（1 分）A. 90°B. 120°C. 150°D. 180°6. 单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载的整流电路中，整流晶闸管的导通角为（1 分）A. 60°B. 90°C. 120°D. 180°7. PWM斩波电路一般采用（）。
（1 分）A. 定频调宽控制B. 定宽调频控制C. 调频调宽控制D. 瞬时值控制8. （1 分）A.B.C.D.9. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（1 分）A. 0~90°B. 0~180°C. 90°~180°D. 180°~360°10. SPWM控制的逆变电路，输出SPWM波半周期包含25个脉冲波，设逆变器输出电压基波频率为400Hz，则电路开关管的工作频率为（1 分）A. 10kHzB. 20kHzC. 400HzD. 5kHz11. 按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（）（1 分）A. 全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 电压型器件12. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（1 分）A. 有源逆变器B. A/D变换器C. D/A变换器D. 无源逆变器13. （1 分）A.B.C.D.14.（1 分）A.B.C.D.15. 晶闸管的三个引出电极分别是（）（1 分）A. 阳极、阴极、门极B. 阳极、阴极、栅极C. 栅极、漏极、源极D. 发射极、基极、集电极16. 三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（）度。
电力电子技术复习题一、单项选择题（请选出1个正确答案填入括号中）。
1．电子技术包括信息电子技术和（）技术两大分支。
A. 电力电子B.通信电子C.模拟电子D.数字电子答案：A2．在下列电力电子器件中属于半控型器件的是（）。
A.SCRB.GTRC. IGBTD. POWER MOSFET 答案：A3．具有擎住效应的全控器件是（）。
A.SCRB.GTRC. IGBTD. POWER MOSFET 答案：C4．电力电子技术中，DC-DC是什么变换？（）A. 整流B. 逆变C. 直流斩波D. 交流变换答案：C5．隔离型DC-DC变换器主要类型有（）、反激、桥式和推挽式。
A. 同向B. 反向C. 正激D. 反相答案：C6．逆变器的三种变换方式为方波变换、阶梯波变换和（）变换。
A. 余弦波B. 正弦波C. 三角波D. 正切波答案：B7．不控整流电路中的整流管为（）。
A. GTRB. 二极管 C . IGBT D. SCR答案：B8．变压器漏感对整流电路输出电压的影响，使得输出电压（）。
A、恒定B、不能确定C、变大 D.变小答案：D9．AC-DC变换器又可分为（）和有源逆变运行两种工作状态。
A、交流调压B、直流斩波C、逆变D、整流答案：D10．交流调压电路一般采用相位控制，其特点是维持（）不变，仅改变输出电压的幅值。
A、初相B、相位C、平均值D、频率答案：D11．按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，电力电子器件分为（）和电压驱动型。
A. 电流驱动型B.电子驱动型C.空穴驱动型D.电荷驱动型答案：A12．电力电子装置中会产生外因过电压和（）过电压。
A. 内因B.电源C. 负载D. 电阻答案：A13．缓冲电路分为关断缓冲电路和（）缓冲电路。
A. 开通B.电源C. 负载D. 吸收答案：A14．电力电子技术中，DC-AC是什么变换？（）A. 整流B. 逆变C. 直流斩波D. 交流变换答案：B15．隔离型DC-DC变换器主要类型有正激、（）、和桥式和推挽式。
电力电子技术复习题填空题1.标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。
2.晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3.多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4.在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5.型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为 800V伏、额定有效电流为100A。
°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7.当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8.常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）9.普通晶闸管内部有两个 PN结，外部有三个电极，分别是阳极A 、阴极K 和门极G 。
10.晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
11.晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
12.当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
13.晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。
14.按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
15.双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种16.在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
17.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°。
电力电子技术复习题(整理版)电力电子技术复习题一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
3、对于同一个晶闸管，其维持电流IH _______擎住电流IL（数值大小关系）。
4、在GTR和IGBT两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是_____，属于电流驱动的器件是___。
5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得__________的输出电压。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
11、对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是过高，二是_______________。
12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为。
13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着___________和防止开关器件承受反压的作用。
14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
15、单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为__________。
16、正弦脉宽调制(SPWM)的载波信号波形一般是_________波，基准信号波形为_________波。
填空题1.电压型三相桥式逆变电路中，采用180°导电控制方式时，同一相上、下两桥臂控制信号的相位差是_____。
2．GTO 的电流关断增益 。
3.斩波电路中，通过保持开关导通时间不变，而改变开关周期来控制电路的方式称为 。
4. 带阻感负载的三相桥式整流电路中，若︒=60α，则每个开关器件的导通角为 。
5.带电阻负载的三相桥式全控整流电路，晶闸管触发角的移相范围是 。
6. IGBT 是MOSFET 和 的复合，综合了二者的优点。
7. 电流型逆变电路中当交流侧为阻感负载时须提供无功功率， 起缓冲无功能量的作用。
8. 三相桥式可控整流电路中的共阴极组的晶闸管的触发脉冲相位依次互差_________度。
9. 晶闸管断态不重复峰值电压U DSM 和正向转折电压U bo 在数值关系是U DSM U bo 。
10.在PWM 控制电路中，载波比是 。
11. 零开关PWM 电路可以分为零电压开关PWM 电路和 。
12．载波比是指 。
13. 带阻感负载的单相全控桥式整流电路，交流侧电流仅含有 次谐波，且各次谐波有效值和谐波次数成反比。
14. 电网频率为工频时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。
15. 在三相桥式全控整流电路中，电阻性负载，当控制角 时，输出电压波形是断续的。
16. 三相全控桥，带阻感负载，晶闸管两端的电压波形由三段组成，以VT 1为例，这三段电压分别为：导通段、u ab 、 。
17. 交流调功电路是以 为单位控制晶闸管的通断。
18. 换流方式一共有四种，其中只适用于全控型器件的换流方式是 。
19. 将直流电能转换为交流电能且直接供给交流用电负载的逆变电路称为____ ____。
20. 电压型三相逆变电路中，采用 导电控制方式时，同一相上、下两桥臂控制信号的相位差是180°。
21．若晶闸管电流有效值为314A ，则其额定电流为 （不考虑裕量）。
22．电力晶体管GTR 通常采用至少由两个晶体管按照 接法组成的单元结构，同GTO 一样采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。
一、单项选择题1、硅材料电力二极管正向压降为（）。
A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V2、锗材料电力二极管正向压降为（）。
A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V3、研究电力电子电路的重要方法是（）。
A、电阻法B、电流法C、电压法D、波形分析法4、三相逆变电路中相邻序号开关导通间隔为（）。
A、30°B、60°C、90°D、120°5、以下（）属于不控型器件。
A、晶闸管B、三极管C、二极管D、场效应管6、工频交流电是指频率为（）的交流电源。
A、50HzB、60HzC、90HzD、120Hz7、半导体器件的最高结温一般限制在（）。
A、30°～50°B、50°～100°C、100°～150°D、150°～200°8、晶闸管额定电压是其在电路中可能承受最高电压的（）倍。
A、1～2B、2～3C、3～4D、4～59、晶闸管额定电流是在通态电流平均值的基础上增加（）倍。
A、1～1.5B、1.5～2C、2～2.5D、2.5～310、发展最快最有前景的电力电子器件是（）器件。
A、不控型B、半控型C、可控性D、全控型11、电力场效应晶体管中主要类型是（）。
A、P沟道增强型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、N沟道耗尽型12、以下属于电阻性负载的是（）。
A、白炽灯B、蓄电池C、电动机励磁绕组D、电磁铁13、电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。
A、电压B、电流C、电阻D、电感14、功率因数λ为（）时电力系统发送功率的利用率最高。
A、0>λ>-1B、1C、0<λ<1D、0.915、在放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性的（）。
A、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区16、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（）。
A. 栅极B. 源极C. 基极D. 漏极17、三相对称交流电相互之间相差（）。
《电力电子技术》复习题一一、填空题（每空2分，共20分）1、电力电子技术包括（1）、（2）和（3）三个部分，它的研究任务是电力电子器件的应用。
2、电力电子的根本任务是实现电能的变换和控制，其基本形式可以分成四种，分别是（1）、（2）和（3）和（4）。
3、请填写下面各元件的英文简称，电力二极管（1）、晶闸管（2）。
4、请填写下面各元件的英文简称，功率晶体管（1）、绝缘栅双极型晶体管（2）。
5、按照电力电子器件的开关特性进行分类，可以分为（1）器件、（2）器件和（3）器件三类。
6、晶闸管的导通条件可以定性归纳为（1）和（2）。
7、对于晶闸管在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为（1）。
8、给晶闸管门极施加触发电压，当元件刚从阻断状态转为导通状态就撤除触发电压，此时元件维持导通所需的最小阳极电流称为（1）。
9、允许开关频率在400Hz以上工作的晶闸管称为（1），而开关频率在10kHz以上工作的晶闸管称为（1）。
10、双向晶闸管在结构和特性上可以看作是一对（1）的普通晶闸管。
11、GTR发生二次击穿必须同时具备三个条件，即（1）、（2）和（3）。
12、按照导电沟道的不同，电力MOSFET可以分为（1）和（2）两种。
13、IGBT有三个电极，分别是（1）、（2）和（3）。
14、型号为KS30-3的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5）V，额定电流为（6）A。
15、型号为KP20-5的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。
16、型号为KK10-2的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。
17、在逆变电路中，根据负载的特点进行分类包括（1）和（2）两类逆变电路。
18、绝缘栅双极晶体管是（1））和（1）复合，结合二者的优点19、三相全控控整流电路整流输出电压的脉动频率为（1）H Z。
20、将直流电能变为交流能输出至负载的逆变电路称为（1）。
填空题填空题1.电压型三相桥式逆变电路中，采用180°导电控制方式时，同一相上、下两桥臂控制信号的相位差是_____。
2．GTO 的电流关断增益的电流关断增益 。
3.斩波电路中，通过保持开关导通时间不变，而改变开关周期来控制电路的方式称为而改变开关周期来控制电路的方式称为 。
4. 带阻感负载的三相桥式整流电路中，若°=60a ，则每个开关器件的导通角为，则每个开关器件的导通角为 。
5.带电阻负载的三相桥式全控整流电路，晶闸管触发角的移相范围是带电阻负载的三相桥式全控整流电路，晶闸管触发角的移相范围是 。
6. IGBT 是MOSFET 和 的复合，综合了二者的优点。
的复合，综合了二者的优点。
7. 电流型逆变电路中当交流侧为阻感负载时须提供无功功率，电流型逆变电路中当交流侧为阻感负载时须提供无功功率， 起缓冲无功能量的作用。
起缓冲无功能量的作用。
8. 三相桥式可控整流电路中的共阴极组的晶闸管的触发脉冲相位依次互差三相桥式可控整流电路中的共阴极组的晶闸管的触发脉冲相位依次互差___________________________度。
度。
度。
9. 晶闸管断态不重复峰值电压U DSM 和正向转折电压U bo 在数值关系是U DSM U bo 。
10.在PWM 控制电路中，载波比是控制电路中，载波比是 。
11. 零开关PWM 电路可以分为零电压开关PWM 电路和电路和 。
12．载波比是指．载波比是指 。
13. 带阻感负载的单相全控桥式整流电路，交流侧电流仅含有带阻感负载的单相全控桥式整流电路，交流侧电流仅含有 次谐波，且各次谐波有效值和谐波次数成反比。
次数成反比。
14. 电网频率为工频时，单相交交变频电路的输出上限频率约为电网频率为工频时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。
15. 在三相桥式全控整流电路中，电阻性负载，当控制角在三相桥式全控整流电路中，电阻性负载，当控制角 时，输出电压波形是断续的。
《电力电子技术》复习题一、填空题（每空1分）1．电力电子技术也称变流技术，包括可控整流，有源逆变，直流斩波，交流调压。
2．单相桥式全控整流电路大电感负载，已知U2=100V，R=10Ω，α=45°，输出电流平均值为9A。
3．KP5-7E表示额定电流、电压为5A，700V的普通反向阻断（型）晶闸管。
4．单结晶体管发射极电压等于峰点电压U P电压时，单极晶体管导通；发射极电压低于谷点电压U V电压时，单极晶体管截止。
5．晶闸管（又名可控硅）为具有三个PN结的四层物理结构，封装引出三个电极，分别为阳极，阴极，门极。
晶闸管导通时刻可控，其导通必须同时满足两个条件：承受正向阳极电压的同时，门极得到正向触发信号。
晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流或阳极承受反向阳极电压。
6．IGBT具有驱动功率小，而导通压降低的特点，是电压控制型器件。
双向晶闸管主要应用于交流调压电路。
7．三相桥式全控整流电路，在电感性负载电感大小能保证输出电流连续时，控制角的最大移相范围为0-----90°，在电阻性负载情况下，控制角的最大移相范围为0----180°。
单相交流调压电路电感性负载采用相控时，α移相范围为φ～180°9．电力晶体管、可关断晶闸管、功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管，它们都是全控型电力电子开关器件（全控、半控或不控）。
10．有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量后送回电网装置。
实现有源逆变的条件为：外部条件：务必要有一个极性与晶闸管导通方向一致的直流电势源。
内部条件：要求变流器中晶闸管的控制角α＞π/2。
11．通态平均电流表示连续导通的工频正弦半波电流平均值。
12．有源逆变的内部条件是变流器中晶闸管的控制角α＞π/2。
13．从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角角，用α表示。
14．电力电子技术是由电力学、控制学和电子学交叉而形成的边缘科学。
15．直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有脉冲宽度调制（PWM）、频率调制（PFM）、混合调制三种。
16．目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有GTO 、GTR 、PMOSFET 、IGBT几种。
17．造成逆变失败的原因有触发电路工作不可靠，晶闸管出现故障，交流电源出现异常，电路换相时间不足等几种。
18．用调节晶闸管周波数的方式来控制输出功率的交流控制器，简称交流调功器。
19．变频器按变频过程分为两大类：一类为交——交变频电路，属于直接变频方式，另一类为交——直——交变频电路。
20．1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只晶闸管，它标志着电力电子技术的诞生。
21．晶闸管有三个电极，分别是阳极，阴极和门极。
22．全控型电力电子器件控制极既能控制器件的开通，也能控制器件的关断。
23在脉冲频率调制工作方式下，维持脉冲宽度（开关导通时间）不变,改变电路的频率。
24．GTO在门极正脉冲导通，在门极负脉冲关断。
25．在三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大反向电压为U RM= 线电压的峰值√6U2，其最大输出电压为U d= 1.17U2。
26．单相全控桥整流电路电阻性负载整流输出电压平均值为U d= 0.9U2[（1+cosa）/2]] ，而带大电感性负载时输出电压平均值为U d= 0.9U2cosa。
27．单结晶体管自激振荡电路的基本原理是利用单结晶体管的负阻特性和RC电路的充放电实现的。
发射极电压等于峰点电压U P时，单结晶体管导通；发射极电压小于谷点电压U V时，单结晶体管截止。
28．降压直流变换电路输出电压为U o= DU D，输出电流为I o= I D/D 。
29．型号为KS50-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800 伏、额定电流为50 安。
30．直流卷扬机系统放下重物时，变流装置工作在有源逆变状态，要求控制角α的取值范围为 900~1800，U d＜ E d.31．直流电能通过变流装置转换成交流电能后，送回交流电源，称为有源逆变；直流电能通过变流装置转换成交流电能后，送到交流负载，称为无源逆变；32．单相交流调压移相控制电阻性负载电路中，α的取值范围为 0~1800；单相交流调压移相控制电感性负载电路中，α的取值范围为阻抗角~1800。
32．晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会( B )。
A 不变，B 增大，C 减小。
二、选择题：（每题2分）1、已导通的晶闸管可被关断条件是阳极电流（A ）：A、减小至维持电流以下B、减小至掣住电流以下C、减小至门极电流以下D、 5A以下2、直流斩波电路是一种：（C）A、AC/DCB、AC/ACC、DC/DCD、DC/AC3、晶闸管额定电流有效值为157A，则其通态平均电流为：（D）A、157AB、314AC、50AD、100A4、当GTO阳极加反向电压时，不论门极加何种极性触发信号，管子都将工作在（B ）。
A 、导通状态B 、截止状态C 、饱和状态D 、不定状态5、单相全控桥式整流电路电阻性负载，控制角α的最大移相范围是（B ）：A 、900B 、1800C 、300D 、15006、在晶闸管整流电路中，变压器二次侧供给的有功功率是（ A ）：A 、d d R I 2B 、d R I 22C 、d d I UD 、d 2I U7、功率晶体管（GTR ）的安全工作区有几条曲线所限定（ D ）A 、3条B 、2条C 、5条D 、4条8、具有自关断能力的电力半导体器件为（ A ）。
A 、全控型器件B 、半控型器件C 、不控型器件D 、触发器件9、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是（ D ）。
A 、有源逆变器B 、A/D 变换器C 、D/A 变换器D 、无源逆变器10、单相半控桥，带电感性负载，晶闸管的导通角为（ B ）。
A 、90oB 、180oC 、120oD 、150o12、降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V ，导通比Kt=3/4,则负载电压为（ B ）。
A 、64VB 、12VC 、21VD 、4V13．可实现有源逆变的电路是（A ）：A 、三相半波可控整流电路B 、单相桥式半控整流电路C 、单相桥式接续流二极管整流电路14． α为（A ）时，三相半波可控整流电路电阻性负载输出电压波形处于连续与断续的临界状态。
A、015090 D、060 C、030 B、015．下面不属于变流功能的：（C ）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波16．三相半波可控整流电路的自然换流点是：（B）A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压的正、负半周交点处C、比三相不可控整流电路自然换流点超前30度D、比三相不可控整流电路自然换流点滞后30度17．单相桥式全控整流大电感负载，控制角的移相范围是( B )。
A．0～1800 B. 0～900 C.0～3600 D. 90～180018．变流器工作在有源逆变状态时，控制角必须在（D）A．0～900 B.900～1500 C.900 D. 900～1800 19． IGBT是一种（D）的复合器件。
A．GTR驱动的MOSFET B. MOSFET驱动的GTO C. MOSFET驱动的晶闸管 D. MOSFET驱动的GTR三、简答题：（每题5分）1．晶闸管的开关（导通与关断）条件，2．简述电力电子技术是干什么的？与其关系密切的学科有哪些？3．通态平均电流。
4．控制角,导通角5．对触发电路的要求6．有源逆变的条件四 分析计算题1.单相桥式半控整流电路，电阻性负载，当控制角090=α时，画出负载电压d u 、晶闸管电压1VT u 、整流二极管2VD u 的波形。
2．单相桥式全控整流电路大电感负载，已知U 2=100V ，R =10Ω，α=45°。
（1）计算输出整流电压、电流平均值及晶闸管电流有效值。
（2）作出u d 、i d 和i 2的波形。
解：（1）输出电压平均值为：输出电压平均值为：晶闸管电流的有效值为：（2）如图3．三相半波可控整流电路，大电感负载，V U 1002=，Ω=5R .当060=α时，要求： ①计算d U 、d I 、v I d 、V I②确定晶闸管的型号。
V U U d 7.6345cos 1009.0cos 9.02=⨯==αϕAR U I d d 37.6/==AI I d v 5.42/==4．某单相反并联过零调功电路，V U 2002=,负载电阻Ω=1R ,在设定的周期T 内，控制晶闸管导通s 6.0,断开s 40 .试计算送到电阻负载的功率和晶闸管一直导通时所输出的功率2P 。
解：晶闸管一直导通时的额定负载功率为：晶闸管导通0.6S ，断开0.4S 时的负载功率为：kw W R U I U P N 4040000120022222=====kw W P P N 24240000.16.0400000.16.02==⨯=⨯=。
