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功能安全之“元器件失效模式”汽车电子硬件工程师，最近开始调研“功能安全”相关正文：继续王顾左右而言他。
因为功能安全是在是很大的一个概念。
如果说细了，篇幅很长，显得无趣；而且会显得虚，可操作性差。
因为，工程师往往要求的不是know what、know why，而是know how。
例如，知道热量传递的三种方式传导/对流/辐射，是不是知识？是！该不该掌握？该掌握。
有用吗？没用。
项目脚打后脑勺迫切需要的确认PCB上元器件的温度到底是149度or 151度，然后得马上送去加工。
1、电子元器件失效模式引自ISO26262-5附录中的例子。
电阻的失效率和失效模式即电阻的失效率为2Fit；失效模式中开路占90%，失效率2*90%=1.8Fit失效模式中短路占10%，失效率2*10%=0.2Fit电容的失效率和失效模式：MOSFET的失效率和失效模式：电磁阀的失效率和失效模式：MCU的失效率和失效模式：MCU的失效率很高，为100Fit。
ISO26262中失效模式两行填写的都是ALL，可能是笔误。
但在其文字描述部分提到，由于MCU内部过于复杂，其失效模式得具体ADC、Timer、I/O等展开，此处简化的失效模式正常50%、错误50%。
2、有用吗？没用吗。
有用吗？没用吗知道这个到底有什么用呢？既然主题是功能安全，失效率和失效模式在功能安全的评估中会用到。
功能安全评估中关于硬件的指标有4个。
以其中的1个指标举例，失效率在功能安全评估中的应用。
ASIL B C D对所有元器件失效率的累加之和要求如下：即某路涉及功能安全的回路中，所有元器件的失效率累加之和ASIL B要求<100FitASIL C要求<100FitASIL D要求<10Fit注：有的人也许有疑问，为什么ASIL B和C的要求是一样的，因为这只是指标之一。
那么，问题来了，前面提到MCU失效率是100Fit。
如果安全回路中涉及到MCU，那仅一个元器件就超标了，怎么办？又回到了之前博客文章提到的办法：1）检测和诊断2）如果还不行，那就增加一条回路做冗余备份3、你知道的太多了，呯！呯！呯！ISO26262-5对元器件失效率和失效模式的描述没有出现在正文中，而是出现在附录中，以示例的形式展示给阅读者。
细叙各类电子元器件的失效模式与机理
电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。
对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。
硬件工程师调试爆炸现场
所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。
下面分类细叙一下各类电子元器件的失效模式与机理。
电阻器失效模式与机理失效模式：各种失效的现象及其表现的形式。
失效机理：是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程。
1、电阻器的主要失效模式与失效机理为1) 开路：主要失效机理为电阻膜烧毁或大面积脱落，基体断裂，引线帽与电阻体脱落。
2) 阻值漂移超规范：电阻膜有缺陷或退化，基体有可动钠离子，保护涂层不良。
3) 引线断裂：电阻体焊接工艺缺陷，焊点污染，引线机械应力损伤。
4) 短路：银的迁移，电晕放电。
2、失效模式占失效总比例表
(1)、线绕电阻
失效模式占失效总比例开路90%阻值漂移2%引线断裂7%其它1%
(2)、非线绕电阻
失效模式占失效总比例开路49%阻值漂移22%引线断裂17%其它7%
3、失效机理分析
电阻器失效机理是多方面的，工作条件或环境条件下所发生的各种理化过程是引起电阻器老化的原因。
(1)、导电材料的结构变化
薄膜电阻器的导电膜层一般用汽相淀积方法获得，在一定程度上存在无定型结构。
按热力。
电子元器件的失效分析随着人们对电子产品质量可靠性的要求不断增加，电子元器件的可靠性不断引起人们的关注，如何提高可靠性成为电子元器件制造的热点问题。
例如在卫星、飞机、舰船和计算机等所用电子元器件质量可靠性是卫星、飞机、舰船和计算机质量可靠性的基础。
这些都成为电子元器件可靠性又来和发展的动力，而电子元器件的实效分析成为其中很重要的部分。
一、失效分析的定义及意义可靠性工作的目的不仅是为了了解、评价电子元器件的可靠性水平，更重要的是要改进、提高电子元器件的可靠性。
所以，在从使用现场或可靠性试验中获得失效器件后，必须对它进行各种测试、分析，寻找、确定失效的原因，将分析结果反馈给设计、制造、管理等有关部门，采取针对性强的有效纠正措施，以改进、提高器件的可靠性。
这种测试分析，寻找失效原因或机理的过程，就是失效分析。
失效分析室对电子元器件失效机理、原因的诊断过程，是提高电子元器件可靠性的必由之路。
元器件由设计到生产到应用等各个环节，都有可能失效，从而失效分析贯穿于电子元器件的整个寿命周期。
因此，需要找出其失效产生原因，确定失效模式，并提出纠正措施，防止相同失效模式和失效机理在每个元器件上重复出现，提高元器件的可靠性。
归纳起来，失效分析的意义有以下5点：（1）通过失效分析得到改进设计、工艺或应用的理论和思想。
（2）通过了解引起失效的物理现象得到预测可靠性模型公式。
（3）为可靠性试验条件提供理论依据和实际分析手段。
（4）在处理工程遇到的元器件问题时，为是否要整批不用提供决策依据。
（5）通过实施失效分析的纠正措施可以提高成品率和可靠性，减小系统试验和运行工作时的故障，得到明显的经济效益。
二、失效的分类在实际使用中，可以根据需要对失效做适当的分类。
按失效模式，可以分为开路、短路、无功能、特性退化（劣化）、重测合格；按失效原因，可以分成误用失效、本质失效、早期失效、偶然失效、耗损失效、自然失效；按失效程度，可分为完全失效、部分（局部）失效；按失效时间特性程度及时间特性的组合，可以分成突然失效、渐变失效、间隙失效、稳定失效、突变失效、退化失效、可恢复性失效；按失效后果的严重性，可以分为致命失效、严重失效、轻度失效；按失效的关联性和独立性，可以分为关联失效、非关联失效、独立失效、从属失效；按失效的场合，可分为试验失效、现场失效（现场失效可以再分为调试失效、运行失效）；按失效的外部表现，可以分为明显失效、隐蔽失效。
电子元器件的失效机理和失效模式分析摘要：电子元器件在运行过程中，经常由于失效与故障的发生影响到电子设备的正常运转。
元器件不仅是电子设备最为基础的组成结构，而且也是提高系统性能的主要载体。
一般来说，电子设备中的许多问题都是由电子元件的问题引起的。
为了确保电子设备可以正常工作，我们必须对常见设备中电子元器件的失效机理与常见故障情况有一个清晰的认知。
关键词：电子元器件；失效；机理；缺陷；故障1.电子元器件的失效机理一般来说，设计方案存在破绽，制作工艺不完善，使用方法不当，以及环境方面存在问题都会导致电子元器件出现故障。
我们将通过以下几个方面来分析探索电子元器件发生故障的缘由。
（一）电阻器的失效原理电阻作为电子设备的加热元件，是电子设备中使用时间最长的设备。
在电子设备的使用过程中，因电阻器故障造成电子设备发生故障的缘由占总数的15%。
电阻器的失效机理，对电子设备的结构和工艺特性有着决定性的意义。
当电阻出现问题后，人们通常不会将其修复，而是会思考：我们为什么不用一条新的电阻线代替呢？当电阻丝烧毁时，在某些情况下，烧毁的区域可以重新焊接，然后使用。
电阻劣化大多是由于其散热性差、湿度过大或制造存在漏洞等缘由引起的，而烧坏则是由于电路异常引起的，如短路、过载等缘由。
常见的电阻烧坏情形有两种：一种是电流过载和电阻高温引发的电阻烧坏，此时很轻易便可以发觉电阻表面出现损伤。
另一种则是瞬时高压加到电阻上引起的电阻开路或电阻值增大，一般情况下，此时电阻的表面变化不明显，这种故障电阻在高压电路中经常出现[1]。
电阻失效通常是因为致命故障和漂移参数故障。
结合电子设备的实际使用情况我们发现，由前者原因引发电阻器故障的占比可高达90%，包含了短路，机械损伤，接触损坏等等情形，而一般只有10%的电阻故障是由漂移参数故障引起的。
另外接触不良非常容易引起故障，而出现接触不良的情形主要是因为：（1）接触压力太大导致弹簧片松弛，接触点偏离轨道。
常见的电子元器件失效机理与分析电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。
对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。
硬件工程师调试爆炸现场所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。
下面分类细叙一下各类电子元器件的失效模式与机理。
电阻器失效失效模式：各种失效的现象及其表现的形式。
失效机理：是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程。
电阻器的失效模式与机理▶开路：主要失效机理为电阻膜烧毁或大面积脱落，基体断裂，引线帽与电阻体脱落。
▶阻值漂移超规范：电阻膜有缺陷或退化，基体有可动钠离子，保护涂层不良。
▶引线断裂：电阻体焊接工艺缺陷，焊点污染，引线机械应力损伤。
▶短路：银的迁移，电晕放电。
失效模式占失效总比例表▶线绕电阻：▶非线绕电阻：失效模式机理分析电阻器失效机理是多方面的，工作条件或环境条件下所发生的各种理化过程是引起电阻器老化的原因。
▶导电材料的结构变化：薄膜电阻器的导电膜层一般用汽相淀积方法获得，在一定程度上存在无定型结构。
按热力学观点，无定型结构均有结晶化趋势。
在工作条件或环境条件下，导电膜层中的无定型结构均以一定的速度趋向结晶化，也即导电材料内部结构趋于致密化，能常会引起电阻值的下降。
结晶化速度随温度升高而加快。
电阻线或电阻膜在制备过程中都会承受机械应力，使其内部结构发生畸变，线径愈小或膜层愈薄，应力影响愈显著。
一般可采用热处理方法消除内应力，残余内应力则可能在长时间使用过程中逐步消除，电阻器的阻值则可能因此发生变化。
结晶化过程和内应力清除过程均随时间推移而减缓，但不可能在电阻器使用期间终止。
可以认为在电阻器工作期内这两个过程以近似恒定的速度进行。
与它们有关的阻值变化约占原阻值的千分之几。
电负荷高温老化：任何情况，电负荷均会加速电阻器老化进程，并且电负荷对加速电阻器老化的作用比升高温度的加速老化后果更显著，原因是电阻体与引线帽接触部分的温升超过了电阻体的平均温升。
光电子元器件的失效模式和失效机理朱炜容1.1 光电子器件的分类在光电子技术中，光电子元器件包括光源器件以及光探测器件。
其中光源器件主要有发光二极管和激光器。
光探测器件主要是光电二极管。
作为电气元件，光纤和光缆也是光电子技术中不可缺少的组成元件。
1.2 激光器的失效模式及失效机理随着工作时间的增加，半导体激光器的工作性能将会劣化，发射功率和效率下降，有时还会发生突然失效的灾变性损坏。
造成半导体激光器退化的原因除了其本身的因素外，还有使用温度、工作条件等环境因素。
一、暗线缺陷暗线缺陷是激光器工作时形成的缺陷网络，这些缺陷最终会导致发射功率的下降。
暗线缺陷的形成除了材料、工艺过程中会引入外，其形成过程与温度有很大的关系，它所引起的退化速率强烈地依赖于温度。
二、腔面损伤退化腔面的损伤退化一般有灾变性退化和化学腐蚀损伤退化。
在高功率密度激光的作用下，由于局部过热、氧化、腐蚀、介质膜的针孔和杂质等因素使腔面遭受损伤，从而使局部电流密度增加，局部大量发热，在热电正反馈的作用下，最终腔面局部熔融，导致灾难性的损伤，器件完全失效。
腔面的化学腐蚀是由于光化学作用使腔面表面发生氧化，并形成局部缺陷，导致腔面局部发热，使激光器性能退化甚至失效。
三、电极退化高功率半导体激光器的欧姆接触退化和热阻退化与其他电子器件的电极退化相似。
电极金属和半导体材料间存在互扩散，在烧结的部位，孔洞和晶须的生长现象是常见的退化模式。
另外，热应力导致的电极损伤也很常见。
由于电极远离器件的有源区，电极退化对器件特性的影响一般在老化或工作一定时间后再表现出来。
半导体激光器的工作性能对温度非常敏感，温度升高将加速暗线缺陷的生长，腔面氧化等失效机理，严重影响激光器的寿命。
激光器的转换效率不高，自身的功耗很大，因此降低热阻是提高激光器寿命和可靠性的主要方法之一。
芯片电极烧结质量的好坏不但影响了热阻的大小，而且还关系到电极的电阻，因为激光器在正常工作时，其一般工作电流为几十甚至上百安培，即使是很小的电极电阻，也将产生很大的热功耗，减小电极电阻可以减小激光器本身的热功耗。
电子元器件主要失效模式和机理介绍本报编辑：韩双露时间: 2009-5-22 17:16:45 来源: 电子制造商情中国赛宝实验室分析中心陈媛摘要：电子元器件的种类繁多，相应的失效模式和机理也很多，本文归纳和总结电子元器件的失效模式、分析和验证电子元器件的失效机理。
针对失效模式和失效机理采取有效措施，是不断提高电子元器件可靠性水平的过程。
关键词：电子元器件、可靠性、失效模式、失效机理引言电子元器件的失效主要是在产品的制造、试验、运输、存储和使用等过程中发生的，与原材料、设计、制造、使用密切相关。
电子元器件的种类很多，相应的失效模式和机理也很多。
失效模式是指失效的外在直观失效表现形式和过程规律，通常指测试或观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。
失效机理是指失效的物理、化学变化过程，微观过程可以追溯到原子、分子尺度和结构的变化，但与此相对的是它迟早也要表现出的一系列宏观（外在的）性能、性质变化，如疲劳、腐蚀和过应力等。
从现场失效和试验失效中去收集尽可能多的信息(包括失效形态、失效表现现象及失效结果等)进行归纳和总结电子元器件的失效模式，分析和验证失效机理，并针对失效模式和失效机理采取有效措施，是不断提高电子元器件可靠性水平的过程。
1 集成电路失效模式和机理介绍集成电路的主要失效模式有功能失效、参数漂移、短路、开路等。
集成电路失效模式统计分布见图1。
图1 集成电路失效模式分布集成电路的主要失效机理有：1）过电应力（EOS）：是指元器件承受的电流、电压应力或功率超过其允许的最大范围。
2）静电损伤(ESD)：微电子器件在加工生产、组装、贮存以及运输过程中，可能与带静电的容器、测试设备及操作人员相接触，所带静电经过器件引脚放电到地，使器件受到损伤或失效3）闩锁效应（latch-up）：集成电路由于过电应力触发内部寄生晶体管结构而呈现的一种低阻状态，这种低阻状态在触发条件去除或终止后仍会存在。
元器件的失效模式总结Beverly Chen2016-2-4一、失效分析的意义失效分析（Failure Analysis）的意义在于通过对已失效器件进行事后检查，确定失效模式，找出失效机理，确定失效的原因或相互关系，在产品设计或生产工艺等方面进行纠正以消除失效的再次发生。
一般的失效原因如下：二、失效分析的步骤失效分析的步骤要遵循先无损，后有损的方法来一步步验证。
比如先进行外观检查，再进行相关仪器的内部探查，然后再进行电气测试，最后才可以进行破坏性拆解分析。
这样可以避免破坏性的拆解破坏证据。
拿到失效样品，首先从外观检查开始。
1. 外观检查：收到失效样品后，首先拍照，记录器件表面Marking信息，观察器件颜色外观等有何异常。
2.根据器件类型开始分析：2.1贴片电阻，电流采样电阻A: 外观检查，顶面覆盖保护层有针状圆形鼓起或黑色击穿孔->内部电阻层烧坏可能->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁可能->可能原因：过电压或过电流烧毁—>检查改电阻的稳态功率/电压或者瞬时功率/电压是否已超出spec要求。
Coating 鼓起并开裂黑色击穿点●可失效样品寄给供应商做开盖分析，查看供应商失效报告：如发现烧毁位置位于激光切割线下端，可确定是过电压导致失效。
需要考虑调整应用电路，降低电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。
激光切割线去除coating保护层后，可以看到烧毁位置位于激光切割线旁边，该位置电应力最集中。
B: 外观检查，顶面底面均无异常->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁或者电极因硫化断开或阻抗增大->检查改电阻的稳态功率或者瞬时功率是否已超出spec要求，如有可能是过电压或过功率烧毁；应力分析在范围内，考虑硫化->失效样品寄给供应商分析。
查看供应商失效报告：●如发现烧毁位置位于激光切割线下端，可确定是过电压导致失效。
需要考虑降低应用电路中的电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。
●如果测试发现保护层附近电极硫元素含量高且电极沿保护层边缘发生断裂情况，可确认是应用中硫化物污染导致银电极被硫化生成AgS而断开需确认应用环境是否硫含量比较高。
如果有必要，更换为抗硫化电阻。
端电极与玻璃保护层交界处放大C: 外观检查，顶面覆盖保护层有任意位置的大片的脱落或者，且露出的基板或电阻层颜色正常，无黑色烧坏痕迹->万用表测量阻值：测得阻值正常，或者偏大或者开路->可能原因：外力撞击造成保护层/电阻层/基板破裂，需检查电阻是否靠近板边或者靠近螺丝或其他组装器件。
D：其他贴片电阻2.2贴片陶瓷电容A: 外观检查，外观无异常->测量C，DF，IR（端子间电阻）值与SPEC是否相符->如C，DF，IR（端子间绝缘电阻）值OK，给电容加额定电压后，再测量C,DF，IR值（静置24hr 再测比较准确），如仍在spec范围内，器件正常；如果是因换了一个品牌的同规格的陶瓷电容导致模块的输入或输出纹波偏大，需要查看一下不同品牌电容的DF（ESR影响）和DC bias 性能是否有差异。
B: 外观检查，外观无异常->测量C，DF，IR（端子间电阻）值与SPEC是否相符->如C，DF，IR（端子间电阻）值OK，给电容加额定电压后，再测量C,DF，IR值，如果C，DF，IR异常，可能是耐压不足的原因，可失效样品寄给供应商做分析以确认原器件是否有质量问题。
C: 外观检查，外观无异常->测量C，DF，IR（端子间电阻）值与SPEC是否相符->如C，DF，IR（端子间电阻）异常，再仔细观察是否有陶瓷体微裂现象->无论有无裂纹，将失效样品寄给供应商做分析。
需要注意的是柔性端子的电容，在受到板弯等机械外力后，容易在端子的弹性层靠近底面位置发生开裂而导致开路，如果柔性端子电容外观无异常，但是测量电容发现开路或者容值减小，则有可能是这种情况。
Polymer AgD: 外观检查，陶瓷体上有明显的裂纹->测量C，DF，IR（端子间电阻）值与SPEC是否相符->将失效样品寄给供应商做分析。
查看失效器件的外观以及供应商的切片分析报告和图片：如果陶瓷体的裂纹出现在电容顶面的中心，且曾圆形往外扩散，顶面可见或不可见下陷凹坑，多为电容在贴片过程中受到过大的下压里，导致电容破裂；切片照片中，如果陶瓷体上的裂纹是从端子的边缘开始往内部延伸，多为机械或者板弯●切片照片中，对于柔性端子的电容，如果器件测量开路，但是陶瓷体本身没有异常，则可能是受机械应力引起柔性层开裂导致端子开路；●切片照片中，如果陶瓷体上的裂纹是从端子的侧壁中央沿着电极往电容水平方向延伸，多为焊接热应力引起的失效；●切片照片中，如果陶瓷体上的裂纹是从端子的最外侧电极的靠边缘的位置往另一侧的电极延伸击穿，多为过电压应力失效；如果可以在切片照片上看到内部电极间陶瓷体上的裂纹是从内部电极间某个点向周围扩散，且该点不在从端子往内部延伸的裂纹上，并能看到熔融的电极金属，则可能是电容内部电压击穿，且能量较大；需要检查电路中是否有超高的电压应力存在，或者确认电容本身的耐压能力；如果对于一个应用了一段时间，C ，DF 值都没有变化，但是IR 降低，漏电流增大的电容，可能的原因有，1.电容本体有微裂，随着时间变长水汽进入，在电压的作用下，漏电流逐渐增大直至失效。
2. 电容介质材有空洞或裂纹，在电压作用下，电极的离子迁移，造成漏电流逐渐增大直至失效。
E ：其他2.3 固态钽或铝电容A: 外观检查，外观无异常->测量C ，DF ，ESR 值与SPEC 是否相符->如果C ，DF ，ESR 值都正常，该器件应该是个OK 品，可将其装到模块上做进一步验证。
B: 外观检查，外观无异常->测量C ，DF ，ESR 值与SPEC 是否相符->如果C ，DF 正常，ESR 值偏大->找未焊的新样品测试ESR->如果新样品初始ESR 正常，过完回流焊后ESR 偏大，很可能是器件吸潮后过回流焊后器件内部水汽爆开造成连接异常导致ESR 偏大。
->确认物料是否真空包装，回流焊曲线是否超出J-STD-020推荐的回流焊曲线要求。
另：超声波清洗也可能会造成ESR 偏大。
一颗ESR 偏大的钽电容样品（右上角被打磨过了）因水汽进入塑封材料，在回流焊后因热机械应力在不同材料层间产生微裂C: 外观检查，外观无异常->测量C ，DF ，ESR 值与SPEC 是否相符->如果C ，DF 正常，ESR 值偏大->找未焊的新样品测试ESR->如果新样品初始ESR 异常，将样品送给供应商做质量分析。
D: 外观检查，外壳有明显裂纹或者烧焦痕迹等明显的->检查应用电路和电压电流波形，是否有电压反向，电压或纹波电流超过额定值的情况->如果应力超出，需修改电路；如果应力正常，将样品和相关信息提供给供应商做质量分析。
E ：其他2.4 铝电解电容A: 外观检查，外观无异常->测量C ，DF(tan δ)，漏电流, Impedance 值与SPEC 是否相符->如果C ，DF ，漏电流, Impedance 值都正常，该器件应该是个OK 品，可将其装到模块上做进一步验证。
需要注意，铝电解电容在低温下阻抗和ESR 会增大，看是否会因此对电路应用造成影响。
B: 外观检查，外观无异常->测量C ，DF(tan δ)，Impedance 值与SPEC 是否相符->如果C ，DF ，漏电流, Impedance 值超出spec ，而外观又看不出来，可以先测量一下未使用过的样品的参数是否正常，未使用过的样品是正常，而装配和使用后的样品有问题，可以判定电容是装配和使用后失效。
失效分析参考下面的防爆阀鼓起的电解电容的分析步骤。
C: 外观检查，电容顶盖有明显的鼓起或者防爆阀（X 型，Y 型，K 型等形状的刻线）裂开或者溢液的情况->如果是SMD 表贴型电容，首先检查该电容的回流焊曲线是否超出了供应商的推荐的回流焊接曲线，过高的温度会使贴片铝电解电容内部的电解液过度膨胀造成防爆阀突起或裂开->如果回流焊曲线没有问题，检查应用电路是否有电压或纹波电流超过额定值的情况。
过大的电压会造成介质击穿漏电流增大，电容内部发热严重造成电解液膨胀甚至溢出；过大的纹波电流或者充放电电流，会使ESR 上损耗增大，电容内部发热严重造成电解液膨胀甚至溢出->如果应力超出，需修改电路；如果应力正常，将样品和相关信息提供给供Micro CrackMolding resinSilverGraphite Manganese应商做失效分析。
阴极为电解液的电解电容，有的可以在顶部看到防爆阀刻痕，但是有一些小封装的电解电容或者阴极为固态聚合物的电解电容的顶部也是没有防爆阀刻痕的。
D: 外观检查，电容顶盖有明显的鼓起或者防爆阀（X型，Y型，K型等形状的刻线）裂开或者溢液的情况->如果是直插引脚的电解电容，检查应用电路是否有电压或纹波电流超过额定值的情况。
过大的电压会造成介质击穿漏电流增大，电容内部发热严重造成电解液膨胀甚至溢出；，过大的纹波电流或者充放电电流，会使ESR上损耗增大，电容内部发热严重造成电解液膨胀甚至溢出->如果应力超出，需修改电路。
E: 外观检查，电容顶盖有明显的鼓起或者防爆阀（X型，Y型，K型等形状的刻线）裂开或者溢液的情况->如果是直插引脚的电解电容，且应用电路的应力正常，检查电容的引脚是否有摇晃或松动的情况。
由于机械外力造成引脚松动或扭曲的话，可能会造成引脚在电容内部电极的焊接端移位或松动，从而导致内部绝缘层破损或阻抗变大等异常情况，造成应用时电容内部温度过高引起失效->可以将样品和相关信息提供给供应商做质量分析。
F：其他2.5瓷片电容Pending2.6薄膜电容A: 外观检查，电容本体鼓起或外壳裂缝->检查C发现容量变小->如果是过完波峰焊以后出现外壳鼓包裂缝并发生容量变小的问题，可能是高温导致薄膜收缩导致失效。
->需要确认是本身器件的质量问题还是焊接条件不当。
可以将全新的薄膜电容样品，引脚做260C浸锡试验，分别浸入10S，20S，30S，看电容的外观和容量是否有变化。
如发生变化，将样品和相关信息提供给供应商做质量分析。
如外观容量等没有发生变化，需要检查我们的焊接条件，比如波峰焊的预热或焊接时间是否过长，或者薄膜电容的引脚孔径是否过大导致锡液涌上本体造成失效。
B：其他2.7电感A: 外观检查，磁芯破损->测量L值和DCR与SPEC是否相符，如果DCR正常但是L值超出SPEC，则是磁芯破损造成电感失效->铁氧体磁芯破损，考虑组装或运输过程中的机械外力对器件造成的影响；如果是金属粉模压磁芯破裂，需检查是否是在清洗过程，或者回流焊后破损或者原材料来料就有破损。
