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电流密度为:
jned v0E 0 ne2t/m
若存在外加静磁场, 则电导率和电阻率都变为张量
此处
x yx x x yy y,
x yx x
xy yy
j E, E j 仍成立
有磁场时, 加入罗仑兹力, 电子迁移速度为
vd
e(EvdB)t
cm
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稳态时, 易得
j nevd , 假定磁场沿z方向, 在xy 平面内
h ie 2
,i
为整数, 对应于占满第 i
个Landau能级,
精度大约为5ppm.
3, 台阶处纵向电阻为零.
Si(100)表 面 电 子 的 有 效 质 量0.:2me
2 1 20m eV
ns Vg ~ (1 ~ 10) 1011 cm 2 迁 移 率 1:04 cm 2 /V s 弹 性 散 射 平 均 自 由 程l : 40 ~ 120nm
AlxGa1xAs GaAs
导带
F
价带
x 0.3,导带底能量差 0.3~ eV 电子有效质0.量 067me ,n ~ 2 ns 41011cm2 高迁移率 104: ~106cm2 /V s 长的弹性散射平均程自 l 由 102 ~ 104nm
由此, 当 xx 0 时, jx xyEy , xy 为霍尔电导
H
x
y
nec B
jy yx ExxE yx
在量子力学下(E沿x方向)
H 1 (PeA )2eEx 2m c
选择矢量势
A(0,B,x0)
波函数为
(x,y)eik yy (x)
2 m 2 d d22 x1 2m c 2(xlc 2ky)2eE (xx)(x)
直到1980年, 才注意到霍尔平台的量子化单位 h , e2
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K. von Klitzing, G. Dorda, and M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 45, 495 (1980) for a sufficiently pure interface ( Si-MOSFET ) => integer quantum Hall effect
I + - current source
x yz
E. Hall, Am. J. Math. 2, 287 (1879) => Hall effect
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根据德鲁特电导理论, 金属中的电子在被杂质散射前的一段时 间t内在电场下加速, 散射后速度为零. t称为弛豫时间. 电子的
平均迁移速度为: vd eE t/m
第四章 维度
4.1 半导体低维电子系统 4.2 二维体系中的相变 4.3 准一维体系的Peierls
不稳定性和电荷密度波
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4.1 半导体低维电子系统
1.维度
三维自由电子气体,沿z方向对体系的尺寸限制:
n (k )
n
2k 2 2m
z
k 是波矢在 xy 平面上的分量。
如限制势为方势阱:
n
(n)2 2 mW 2
1
lc
c eB
2
经典回旋半径
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解为:
i(E)
(i
1 2
)
c
eE (lc2k y
eE
2
m
2 c
)
i ( x,
y)
( x ( ik y y )
[
(
x
x0 2 lc2
)2
]
e e H [i
lc
x0 )]
x0
lc2k y
eE
m
2 c
,
i 0,1,2,3,...
Landau 能级
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计算平均速度
vy
1 m
i*i yecBxid
rEc B
vx
1 m
i*
i xi
dr0
jy
neEc B
与经典结果相同.
在Landau能级上, 纵向电流为0.
(2)整数量子霍尔效应
1975年S.Kawaji等首次测量了反型层的霍尔电导, 1978 年 Klaus von Klitzing 和Th. Englert 发现霍尔平台, 但
The Nobel Prize in Physics 1985
K. von Klitzing(1943~)
for the discovery of the quantized Hall effect.
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实验设置示意图
实验观测到的霍尔电阻
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1, 霍尔电阻有台阶,
2, 台阶高度为
z
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Split gates and one-dimensional electron gases
This "split-gate technique" was pioneered by the Semiconductor Physics
Group at the Cavendish Laboratory of the University of Cambridge, in
0Ex ctjy jx 0Ey ctjx jy
c
eB mc
xxyy10, xyyx c0 t
xxyy1(0ct)2,xyyx1( 0ctct)2
xx
xx ,
2
2
xx xy
xy
xy
2
2
xx xy
如果 xy 0 , 则当 xx 为0时 xx 也为0.
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另一方面
xynBeccxtx
England, in 1986, by Trevor Thornton and Professor Michael Pepper.
精uantum Hall Effects (QHE) )
(1)霍尔效应基础
B
d
V Hall voltage
V’ resistivity
,
W n , 为电子的波长 2
对于抛物线型的限制势
(V
(z)
1 2
m
2 0
z
2
)
:
n
(n
1 2
)
0
电子只占据n=1的子带,二维体系
n>1也占据,准二维体系
F
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W n=2
n=1 2k
2. Si反型层及GaAs-AlGaAs异质结
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反型层
导带
F eV g
价带
金属SiO2 耗尽层
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In two-dimensional systems, the Landau energy levels are completely seperate while in three-dimensional systems the spectrum is continuous due to the free movement of electrons in the direction of the magnetic field.