Cu互连面临的挑战
✓ 铜在硅和二氧化硅中都有很高的扩散率，这种高扩散率将破坏器件的 性能。可淀积一层阻挡层金属，作用是阻止上下层的材料互相混合。
阻挡层金属 铜
➢ 铜需要由一层薄膜阻挡层完全封闭起来，这层封闭薄膜的作用是加固附着并有效 地阻止扩散。
Cu互连面临的挑战
✓ 钽作为铜阻挡层金属：对于铜互连冶金术来说，钽、氮化钽和钽化硅 都是阻挡层金属的待选材料，阻挡层厚度必须很薄(约75Å)，以致它不 影响具有高深宽比填充薄膜的电阻率而又能扮演一个阻挡层的角色。
Cu互连面临的挑战
✓ 目前IC芯片内的互连线主要是铜材料，与原来的 铝互连线相比，铜在电导率和电流密度方面有了 很大的改进。但是，随着芯片内部器件密度越来 越大，要求互连线的线宽越来越小，铜互连的主 导地位也面临着严峻的考验。当芯片发展到一定 尺寸，在芯片内以铜作为互连线就会遇到一系列 问题。
Cu互连面临的挑战
倍的通路电阻。
Contents
集成电路互连技术简介 早期互连技术——铝互连 目前应用最广泛的互连技术——铜互连 其他互连技术——碳纳米管互连
其他互连技术——碳纳米管互连
✓ 碳纳米管（Carbon Nanotubes）于1991年发现以来, 就一直 是纳米科学领域的研究热点。
✓ 由于其超高电流密度承载能力的特性（碳纳米管上可以 通过高达1010A/cm2的电流 ），引起了集成电路器件制造领 域专家的关注。
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集成电路互连技术简介 早期互连技术——铝互连 目前应用最广泛的互连技术——铜互连 其他互连技术——碳纳米管互连
目前应用最广泛的互连技术——铜互连
IBM利用亚0.25μm技术制备的 6层Cu互连表面结构的SEM图
✓ 金属铜的电阻率小于2.0μΩ·cm，使用金属铜取代传 统的金属铝，可以极大地降低互连线的电阻。 较低的电阻率可以减小引线的宽度和厚度，从而减
