大学物理第六章
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第六章 真空中的静电场一、 基本要求1.掌握静电场的电场强度和电势的概念以及电场强度的叠加原理和电势的叠加原理。
掌握电势与电场强度的积分关系。
能计算一些简单问题中的电场强度和电势。
2.理解静电场的规律:高斯定理和环路定理。
理解用高斯定理计算电场强度的条件和方法。
3.了解电偶极矩的概念。
能计算电偶极子在均匀电场中所受的力和力矩。
二、 基本内容1.点电荷当带电体的形状和大小与它们之间的距离相比可以忽略时,可以把带电体看作点电荷。
对点电荷模型应注意:(1)点电荷概念和大小具有相对意义,即它本身不一定是很小的带电体。
只要两个带电体的线度与它们之间距离相比可忽略,就可把它们简化为点电荷,另外,当场点到带电体的距离比带电体的线度大得多时也可以把带电体简化为点电荷。
(2)点电荷是由具体带电体(其形状没有限制)抽象出来的理想化模型,所以不能把点电荷当作带电小球。
(3)点电荷不同于微小带电体。
因带电体再小也有一定的形状和电荷分布,还可以绕通过自身的任意轴转动,点电荷则不同。
(4)一个带电体在一些问题中可简化为点电荷,在另一些问题中则不可以。
如讨论带电体表面附近的电性质时就不能把带电体简化为点电荷。
2.库仑定律02qq kr 0F r 其中,0r 由施力电荷指向受力电荷的单位矢量。
适用条件:真空中点电荷之间(相对观察者静止的电荷)的相互作用。
当空间有两个以上的点电荷同时存在时,作用在某一点电荷上的总静电力等于其它各点电荷单独存在时对该电荷所施静电力的矢量和——电场力的叠加原理。
3.电场强度矢量0q =E F ,电场中某点的电场强度等于单位电荷在该点所受的电场力。
0q 为正时,E 和电场力F 同方向,0q 为负时,E 的方向和F 方向相反。
(1)E 反映电场的客观性质,E 与试验电荷0q 的大小,电荷正负无关,也与0q 的存在与否无关。
(2)E 是一个矢量,一般地说,电场空间不同点处的场强不同,即()r =E E 。
178第6章 波动光学(Ⅲ)——光的偏振一.基本要求1.理解光的偏振的概念,光的五种偏振态的获得和检测方法; 2.掌握马吕斯定律及其应用;3.掌握反射光和折射光的偏振,掌握布儒斯特定律及其应用; 4.了解光的双折射现象;5.了解偏振光的应用。
二.内容提要和学习指导(一)光的五种偏振状态:自然光、线偏振光、部分偏振光、椭圆偏振光和圆偏振光。
(二)线偏振光的获得和检验 1.线偏振光的获得:①利用晶体的选择性吸收,可以制造偏振片。
偏振片可用作起偏器,也可用作检偏器。
②利用反射和折射偏振。
布儒斯特定律:自然光在两种介质的界面发生反射和折射时,一般情况下,反射光和折射光都是部分偏振光,在反射光中,垂直入射面的光振动较强,在折射光中,平行入射面的光振动较强。
当自然光以布儒斯特角121tan b i n -=入射(或/2i γπ'+=,或反射光线垂直于折射光线)时,反射光是线偏振光,其光振动垂直于入射面,此时折射光仍然是部分偏振光。
③利用晶体的双折射。
一束光射入各向异性介质时,折射光分成两束。
其中一束光遵守折射定律,称为寻常光(o 光)。
另一束光不遵守折射定律,称为非常光(e 光)。
o 光和e 光均是线偏振光。
o 光的振动方向垂直于o 光的主平面,e 光的振动方向在e 光的主平面内。
光线沿光轴方向入射时,o 光和e 光的传播速度相同。
在晶体内,o 光的子波波面为球面波,e 光的子波波面为旋转椭球面,利用惠更斯原理作图,可确定o 光和e 光的传播方向。
利用晶体的双折射现象,可以制造偏振棱镜和波片。
2.线偏振光的检验:①利用偏振片:由马吕斯定律可得,线偏振光经过检偏器后,出射光强I 与入射光强0I 的关系为:α20cos I I =,其中α是入射线偏振光偏振方向和偏振片通光方向的夹角。
②利用反射和折射偏振。
③利用偏振棱镜。
(三)圆偏振光或椭圆偏振光的获得和检验:线偏振光经过四分之一波片后出射的为椭圆偏振光,当平面偏振光的振动方向与四分之一波片的光轴方向成450角时,出射的为圆偏振光。
第6章 恒定电流前面讨论了静电现象及其规律。
从本章开始将研究与电荷运动有关的一些现象和规律。
本章主要讨论恒定电流,6.1 电流 电流密度6.1.1 电流1、电流的产生 我们知道,导体中存在着大量的自由电子,在静电平衡条件下,导体内部的场强为零,自由电子没有宏观的定向运动。
若导体内的场强不为零,自由电子将会在电场力的作用下,逆着电场方向运动。
我们把导体中电荷的定向运动称为电流。
2、产生电流的条件:①导体中要有可以自由运动的带电粒子(电子或离子);②导体内电场强度不为零。
若导体内部的电场不随时间变化时,驱动电荷的电场力不随时间变化,因而导体中所形成的电流将不随时间变化,这种电流称为恒定电流(或稳恒电流)。
3、电流强度 电流的强弱用电流强度来描述。
设在时间t ∆内,通过任一横截面的电量是q ∆,则通过该截面的电流强度(简称电流)为q I t∆=∆ (6–1) 式(6–1)表示电流强度等于单位时间内通过导体任—截面的电量。
如果I 不随时间变化,这种电流称为恒定电流,又叫直流电。
如果加在导体两端的电势差随时间变化,电流强度也随时间变化,这时需用瞬时电流(0t ∆→时的电流强度)来表示:0lim t q dq I t dt∆→∆==∆ (6–2) 对于恒定电流,式(6–1)和式(6–2)是等价的。
在国际单位制中,电流强度的单位是安培(符号A)其大小为每秒钟内通过导体任一截面的电量为1库仑,即 111=库仑安培秒。
它是一个基本量。
电流强度是标量,所谓电流的方向只表示电荷在导体内移动的去向。
通常规定正电荷宏观定向运动的方向为电流的方向。
6.1.2 电流密度在粗细相同和材料均匀的导体两端加上恒定电势差后,;导体内存在恒定电场,从而形成恒定电流。
电流在导体任一截面上各点的分布是相同的。
如果在导体各处粗细不同,或材料不均匀(或是大块导体),电流在导体截面上各点的分布将是不均匀的。
电流在导体截面上各点的分布情况可用电流密度j 来描述。
第六章电荷与静电场要点:1、电量单位:库仑(C) 电子电量: —基本电荷量 。
带电量最小的带电粒子:电子。
4、电荷量子化:2、库仑定律:.3. 电场强度——描述电场强弱、方向的物理量。
场源电荷: 产生电场的点电荷、点电荷系、或带电体。
电场强度: 试验电荷q 0在电场中P 点所受的力,同试验电荷电量之比即为P 点的电场强度。
大小:等于单位试验电荷在该点所受电场力; 单位:N *C -1 或 V*m -1方向:与 +q0受力方向相同。
(2) 真空中点电荷Q 的电场: 根据库仑定律,试验电荷受力为:四、场强叠加原理五、电场强度的计算: 1. 点电荷的电场:2. 点电荷系的电场:3. 连续带电体的电场:电荷 电荷 电场 恒矢量==0q F EFq0q +r- +Fq 0q +r+ + r erQ q F E 200π41ε==r r q Q F 300π41⋅=ε0q F E=n n q F q F q F +++=2211n E E E +++=21∑==n i i E 1 r r q q F E300π41ε==∑=ii i r rq E30π41εr rq E 30d π41d ε= qd rEd P建立直角坐标,分解五、电场强度的计算点电荷系的电场:例6-1、 求电偶极子的电场。
电偶极子:相距很近的等量异号电荷;电偶极矩: 1) 轴线延长线上A 的场强: 解:2) 中垂面上B 的场强:解:建立如图的坐标系,电场在y 方向分量互相抵消。
1) 轴线延长线上A 的场强:2) 中垂面上B 的场强: 例6-2、求长度为l 、电荷线密度为λ的均匀带电直细棒周围空间的电场。
⎰⎰⎰===zz yy xx E E E E E E d d dkE j E i E Ez y x++=⎪⎩⎪⎨⎧=V Sl q d d d d ρσλλ: 线电荷密度 σ: 面电荷密度ρ: 体电荷密度∑=ii i rrq E30π41εlq p=-++=E E E ])2(1)2(1[π4220l r l r q +--=ε2220)4/(2π4l r rl q -=εlr >>3π2rpE ε =i E E E x x )(-++-=iE E)cos cos (θθ-++-=i l r l l r q 4224π4 22220+⨯⨯⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=εi l r ql 2/32204π4 ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=ε30π4r plr ε ->>解:建立坐标系O-xy任取电荷元:矢量分解:统一变量:、例6-3、求半径为R 、带电量为q 的均匀带电细圆环轴线上的电场。
第六章稳恒磁场
1、主要的概念:电流强度,磁感应强度,电流元,磁感应线,磁通量,磁化和磁介质。
2、主要的了解定律:磁场叠加原理,毕奥—萨伐尔定律(推导一些特殊载流导线和运动电荷的B),磁场中的高斯定律,安培环路定律。
(了解定理的导出以及其重要的物理意义)
3、主要计算:利用毕奥—萨伐尔定律、安培环路定理计算一些特殊载流导线产生的磁感应强度;安培力和洛伦兹力的计算;磁介质中的磁化,以及应用介质中的安培环路定理计算磁场强度矢量(H)和磁感应强度(B)。
4、重点内容:毕奥—萨伐尔定律、安培环路定理、磁场力、力矩;磁介质的磁化、介质中的安培环路定理。
2.磁场方程: 磁场高斯定理:
(表明磁场是无源场)
(表明磁场是有旋场)
掌握推导过程
*通过霍尔电压可以求得磁场和电流大小。
6. 均匀磁化的B 、H 、M 关系及表面磁化电流密度与磁化强度的关系
)
(M H B 0 +=μ H M m χ= m r 1χμ+=
B 代表 H 代表 M 代表
—
——m r 0χμμ 4.载流线圈的磁矩 3.电磁相互作用 B
l Id f d ⨯=2)磁场对载流导线的安培力
⎰⨯=l
B
l Id f 3)磁场对载流线圈的作用力矩 B
m M
⨯=4)5.霍耳电压
1)安培定律。
第六章 热力学基础 习题答案一、单选题1-5 DAACD 6-10 ADCDA二、填空题1. 500J; 700J2. 3/2 P 1V 1;03. 1/2; 24.33.3% ; 8.31⨯103J5. 320K ; 4三、计算题1.解:由题意可知:气体经历等压变化,且对外做功为:(1)若气体为单原子分子,即: i=3(2)若气体为双原子分子,即: i=52.解:(1)因为气体为卡诺循环,且高温T 1 = 1000 K ,低温T 2 = 300 K 该循环的效率满足:(2)若低温热源不变,设高温热源温度为T 1,则有:解得: T 1 = 1500 K 即高温热源温度需提高500K(3)若高温热源不变,设低温热源温度为T 2,则有:JT R MV p A 200=∆=∆=μJ A T R i M Q p 50025221==∆+=μJ A T R i M Q p 70027222==∆+=μ%7010003001000112=-=-=T T η%8030011112=-=-=T T T T η%80100010001212=-=-=T T T η解得: T 2 = 200 K 即低温热源温度需降低100K3.解:氦气(1)定容过程,V =常量,W =0 由Q E W =∆+ 知21()623 J V M Q E C T T μ=∆=-=(2)定压过程,P =常量 321() 1.0410 J P M Q C T T μ=-=⨯与(1)相同(3)与(1)相同 (外界对系统做功)4.解:(1)等容过程等温过程(2)等温过程等容过程3=i E ∆J 417=∆-=E Q W 0=Q E ∆J 623-=∆-=E W 0W 1=()()J 5.1246208031.82511211=-⨯⨯⨯=-=∆=∴T T C Mm E Q V 02=∆E ()J 3.20332ln 8027331.812ln d W 2222=⨯+⨯⨯====∴⎰VV RT M m V p Q V V J 3.203321=+=∴W W W J 5.1246=∆E J 8.93273.20335.124621=+=+=∴Q Q Q 03=∆E ()J 7.16872ln 2027331.812ln 133=⨯+⨯⨯===∴VV RT M m W Q 04=W()()J 5.1246208031.82511244=-⨯⨯⨯=-=∆=∴T T C Mm E Q V J 7.168743=+=∴W W W J2.29345.12467.168743=+=+=∴Q Q Q J 5.124643=∆+∆=∆E E E。
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大学物理作业 第6章 静电场 一、计算题
1. 已知电荷线密度为λ、半径为R 的半圆环均匀带电,试求环心处场强E 。
2. 已知地球半径km 6371=R ,地球表面电场强度近似为V/m 200=E ,方向指向地球球心;在距离地面高km 4.1=h 处,电场强度降为V/m 200'=E ,方向仍指向地球球心。
试求:
(1) 地球携带的总的静电荷电量q ;
(2) 试计算距离地面高1.4km 以下大气层里的平均电荷密度ρ。
(212120m N C 1085.8−
−
−⋅⋅×=ε
)
Ver 1.1 二、填空题 1. 已知电荷线密度为λ、半径为R 的41圆环均匀带电,则此环心处场强=E 。
2. 一半径为R 带有一缺口的细圆环,缺口的长度为d ,且R d <<,圆环上均匀带正电,总电量为q ,则环心O 处的场强大小=E 。
3. 一个球体均匀带电,体密度为ρ,以r 表示球心指向球内任意一点的位矢,则球体内r 处场强=E ;若在球内部以r 所指的地方为球心挖去一小球形成真空(小球位于大球内),则小球内任意一点的电场强度=E 。
4. 一直细棒长为a ,均匀带有电荷q ,则在细棒所在的直线上,到细棒一端点距离为b 的一点场强大小=E 。
5. 两点电荷相距l 远,其电量分别为q 2和q −;将第三个点电荷'q 置于前述两点电荷的中点处,则'q 受力大小=F 。
(设q q <<')
6. 两同心球面均匀带电,所带电量分别为1q 和2q ,若半径分别为1R 和2R (21R R <),则1R 和2R 之间的r 处的场强大小=E 。
三、单项选择题
1. 真空中有两块平行板,相距为d ,两板面积均为S ,且d S >>,带电分别为Q +和Q −,则两板之间的作用力为( ) (A) 202π4d Q ε (B)
S Q 02ε (C)S Q 022ε (D)d Q 0
2
2ε
2. 若均匀电场的场强为E ,其方向平行于半径为R 的半球
面的轴线,如图所示。
则通过此半球面的电通量为( ) (A) E R 2π (B) E R 22π (C) 32π2E R (D) 0
3. 一半径为r 细圆环所带电量为q ,则环心O 处场强大小为( ) (A) 20π4r q
ε (B) 202
π4r
q ε (C)0 (D)无法判断
4. 高斯定理0d ∑∫=⋅q S S E 中,场强E 是由( )激发的。
(A) 高斯面内的正电荷; (B) 高斯面内的所有电荷;
(C) 高斯面外的所有电荷; (D) 高斯面内、外的所有电荷。