IC封装工艺详解培训课件(42页)
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《IC封装流程》课件
晶粒封装
晶粒封装是将芯片封装在管壳中，形成可使用 的集成电路的过程。
封装过程中，需要选用合适的管壳和材料，确 保其具有良好的电气性能和机械性能。
随着技术的发展，晶粒封装的形式也在不断变 化，例如采用倒装焊技术、晶圆级封装等新型 封装形式，以提高集成度和可靠性。
成品测试
成品测试是对封装完成的集成电 路进行电性能和可靠性测试的过
晶圆级封装技术
将多个芯片在单个晶圆上 集成，然后进行一次性封 装，具有高集成度、低成 本、高可靠性的优点。
3D封装技术
将多个芯片堆叠在一起， 通过垂直连接实现高速信 号传输，具有高集成度、 高密度、低功耗的优点。
晶圆级封装技术
芯片粘接
模塑和固化
将芯片粘贴到基板上，使用导热胶或 焊料进行固定。
将芯片和基板封装在塑料或陶瓷材料 中，形成完整的封装体。
详细描述
环境友好型封装技术需要使用环保材料、减少废弃物产生、降低能耗等，同时还需要确保封装性能和可靠性不受 影响，这需要研发新的技术和材料。
THANKS
感谢观看
随着技术的发展，封装工艺也在不断进步，新材料、新工艺的应用使得封 装流程更加高效、可靠。
晶圆测试
01
晶圆测试是封装流程的第一个 环节，主要是对芯片进行电性 能测试，确保其功能正常。
02
测试过程中，使用自动测试设 备（ATE）对芯片进行快速、 准确的测试，能够发现芯片中 存在的缺陷或故障。
03
晶圆测试是保证芯片质量的重 要环节，对于提高成品率和降 低生产成本具有重要意义。
陶瓷材料
用于制造高可靠性的封装，常用的陶瓷材料 包括氧化铝和氮化硅等。
封装材料的性能要求
01
02
03
芯片封装详细图解通用课件
焊接方法主要有两种：热压焊接 和超声焊接。
焊接过程中需要控制温度、时间 和压力等参数，以保证焊接质量
和可靠性。
封装成型
封装成型是将已贴装和焊接好的芯片封装在保护壳内的过程。
封装材料主要有金属、陶瓷和塑料等。
成型过程中需要注意保护好芯片和引脚，防止损坏和短路。同时要保证封装质量和 外观要求。
质量检测
VS
详细描述
高性能的芯片封装需要具备低延迟、高传 输速率和低功耗等特性，以满足电子设备 在运行速度、响应时间和能效等方面的需 求。同时，高可靠性的封装能够确保芯片 在各种环境条件下稳定运行，提高产品的 使用寿命和可靠性。
多功能集成化
总结词
为了满足电子设备多功能化的需求，芯片封 装也呈现出多功能集成化的趋势。
02
芯片封装流程
芯片贴装
芯片贴装是芯片封装流程的第 一个环节，主要涉及将芯片按 照设计要求粘贴在基板上。
粘贴方法主要有三种：粘结剂 粘贴、导电胶粘贴和焊接粘贴 。
粘贴过程中需要注意芯片的方 向和位置，确保与设计要求一 致，同时要保的引脚与基板 的引脚对应焊接在一起的过程。
塑料材料具有成本低、重量轻、加工方便等优点，常用于 封装壳体和绝缘材料等。
常用的塑料材料包括聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯等，其加 工工艺包括注塑成型、热压成型等。
其他材料
其他材料包括玻璃、石墨烯、碳纳米管等新型材料，具有优异的性能和广阔的应 用前景。
这些新型材料的加工工艺尚在不断发展和完善中。
05
芯片封装发展趋势
02
陶瓷材料主要包括95%Al2O3、 Al2O3-ZrO2、Al2O3-TiO2等， 其加工工艺包括高温烧结、等静 压成型和干压成型等。
金属材料
芯片封装详细图解
Back Grinding 磨片
De-Taping 去胶带
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度（8mils~10mils）； 磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
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IC Package Structure（IC结构图）
TOP VIEW
SIDE VIEW
Lead Frame 引线框架
Gold Wire 金 线
Die Pad 芯片焊盘
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
Company Logo
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IC Package （IC的封装形式）
按封装材料划分为：
金属封装
Байду номын сангаас陶瓷封装
塑料封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品； 陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场； 塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额；
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FOL– Wire Bonding 引线焊接
陶瓷的Capillary
内穿金线，并且在EFO的作用下，高温烧球；
金线在Cap施加的一定压力和超声的作用下，形成Bond Ball；
金线在Cap施加的一定压力作用下，形成Wedge；
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FOL– Wire Bonding 引线焊接
IC Package （IC的封装形式）
Company Logo
IC Package （IC的封装形式）
De-Taping 去胶带
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度（8mils~10mils）； 磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
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IC Package Structure（IC结构图）
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Lead Frame 引线框架
Gold Wire 金 线
Die Pad 芯片焊盘
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
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IC Package （IC的封装形式）
按封装材料划分为：
金属封装
Байду номын сангаас陶瓷封装
塑料封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品； 陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场； 塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额；
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FOL– Wire Bonding 引线焊接
陶瓷的Capillary
内穿金线，并且在EFO的作用下，高温烧球；
金线在Cap施加的一定压力和超声的作用下，形成Bond Ball；
金线在Cap施加的一定压力作用下，形成Wedge；
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FOL– Wire Bonding 引线焊接
IC Package （IC的封装形式）
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IC Package （IC的封装形式）
芯片封装工艺详解分析PPT文档共44页
39、没有不老的誓言，没有不变的承 诺，踏 上旅途 ，义无 反顾。 40、对时间的价值没有没有深切认识 的人， 决不会 坚韧勤 勉。
▪
26、要使整个人生都过得舒适、愉快，这是不可能的，因为人类必须具备一种能应付逆境的态度。——卢梭
芯片封装工艺详解分析
36、“不可能”这个字(法语是一个字 )，只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气，不要看破要突 破，不 要嫉妒 要欣赏 ，不要 托延要 积极， 不要心 动要行 动。 38、勤奋，机会，乐观是成功的三要 素。(注 意：传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素，但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出，乐 观是成 功的第 三要素 。
▪
27、只有把抱怨环境的心情，化为上进的力量，才是成功的保证。——罗曼·罗兰
▪
28、知之者不如好之者，好之者不如乐之者。——孔子
▪
29、勇猛、大胆和坚定的决心能够抵得上武倚靠在明眼的跛子肩上。——叔本华
谢谢！
44
▪
26、要使整个人生都过得舒适、愉快，这是不可能的，因为人类必须具备一种能应付逆境的态度。——卢梭
芯片封装工艺详解分析
36、“不可能”这个字(法语是一个字 )，只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气，不要看破要突 破，不 要嫉妒 要欣赏 ，不要 托延要 积极， 不要心 动要行 动。 38、勤奋，机会，乐观是成功的三要 素。(注 意：传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素，但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出，乐 观是成 功的第 三要素 。
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27、只有把抱怨环境的心情，化为上进的力量，才是成功的保证。——罗曼·罗兰
▪
28、知之者不如好之者，好之者不如乐之者。——孔子
▪
29、勇猛、大胆和坚定的决心能够抵得上武倚靠在明眼的跛子肩上。——叔本华
谢谢！
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芯片封装工艺详解培训资料
集成化
集成化是芯片封装技术的重要发展方向 。通过将多个芯片和器件集成到一个封 装体内，实现系统级集成，提高性能和 可靠性。
VS
模块化
模块化封装可以实现快速开发和批量生产 。通过模块化的封装方式，可以快速组合 和定制不同功能的芯片模块，缩短产品上 市时间。
高性能与高可靠性
高性能
随着电子设备对性能要求的不断提高，高性 能的芯片封装技术也得到了快速发展。高性 能封装可以实现更快的传输速度和更低的功 耗。
包装
将检测合格的芯片按照规定进行包装， 以保护芯片在运输和存储过程中不受 损坏，同时标明产品规格和性能参数 等信息。
03 芯片封装材料
塑封材料
塑封材料是芯片封装中常用的材料之一，主要起到保护、绝缘和固定芯片的作用。
塑封材料通常由环氧树脂、聚氨酯、硅橡胶等高分子材料制成，具有良好的电气性 能、耐热性、耐腐蚀性和机械强度。
汽车电子领域
汽车电子领域是芯片封装工艺应用的另一个重要领域，主要涉及汽车安全、自动驾驶、车联网等领域 。由于汽车电子系统对可靠性和安全性的要求非常高，因此对芯片封装工艺的要求也相应较高。
总结词：汽车电子领域对芯片封装工艺的可靠性和安全性要求极高，需要具备抗振、抗冲击、耐高温 等性能。
THANKS FOR WATCHING
异形封装与多芯片封装
异形封装
为了满足不同电子设备的特殊需求，芯片封装呈现出异形化的趋势。异形封装可以根据产品需求定制 不同形状和结构的封装体，提高产品的独特性和差异化。
多芯片封装
多芯片封装技术可以将多个芯片集成到一个封装体内，实现更高的集成度和更小的体积，同时降低成 本和提高性能。
集成化与模块化
脚与芯片之间的可靠连接。
芯片封装工艺详解
Logo
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗
将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序；
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FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write： Coverage >75%;
Die Attach： Placement<0.05mm;
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FOL– Epoxy Cure 银浆固化
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FOL– Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程： 1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜； 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer 到L/F的运输过程； 3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上，具体位置可控； 4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um； 5、Bond Head Speed：1.3m/s；
Back Grinding 磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割
Wire Bond 引线焊接
3rd Optical 第三道光检
Company Logo
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FOL– Back Grinding背面减薄
IC_芯片封装流程 ppt课件
分割
AVI 自动检查
8
Taping 贴膜
Operation:Taping on the front side of wafer 操作：在晶圆的正面贴上一层蓝膜 Purpose:Protect wafer front side 目的：保护晶圆正面
9
Backside Grinding 背面磨晶
Operation:Grinding backside of the wafer 操作：磨晶圆的背面 Purpose:Thinning the wafer 目的：减小晶圆的厚度
Front side
14
Wire Bond 焊线
Operation:bonding wire on die pad and lead
操作：在芯片和管脚上焊线
Purpose:interconnect lead and die
目的：芯片和管脚的内连接
15
Molding 模封
Operation:To encapsulate the substrate and the bonded die in compound 操作：用模封材料将基板和焊过线的芯片连接起来 Purpose:To protect the die and the bonded wire from damage 目的：防止芯片和线受到损伤
10
Wafer Mount & Detaping 去膜贴片
Operation:Detaping and wafer mount 操作：将晶圆背面贴在钢圈固定的蓝膜上，然后 去除正面的保护膜 Purpose:fix the wafer on the ring 目的：将晶圆用钢圈固定
11
Die Saw 切片
6
AVI 自动检查
8
Taping 贴膜
Operation:Taping on the front side of wafer 操作：在晶圆的正面贴上一层蓝膜 Purpose:Protect wafer front side 目的：保护晶圆正面
9
Backside Grinding 背面磨晶
Operation:Grinding backside of the wafer 操作：磨晶圆的背面 Purpose:Thinning the wafer 目的：减小晶圆的厚度
Front side
14
Wire Bond 焊线
Operation:bonding wire on die pad and lead
操作：在芯片和管脚上焊线
Purpose:interconnect lead and die
目的：芯片和管脚的内连接
15
Molding 模封
Operation:To encapsulate the substrate and the bonded die in compound 操作：用模封材料将基板和焊过线的芯片连接起来 Purpose:To protect the die and the bonded wire from damage 目的：防止芯片和线受到损伤
10
Wafer Mount & Detaping 去膜贴片
Operation:Detaping and wafer mount 操作：将晶圆背面贴在钢圈固定的蓝膜上，然后 去除正面的保护膜 Purpose:fix the wafer on the ring 目的：将晶圆用钢圈固定
11
Die Saw 切片
6
IC封装培训教材
1.抓弯磨厚度,把背面孔位抓到上线,厚度留料0.2MM,表面留料0.15MM,背 . 面留料0.05MM,(待J/G精孔到位后再磨去留料,然后抛光,以确保尖角处无损 伤). 2.粗切槽底,槽底留料0.05MM,抓弯修宽度直角,先把宽度磨到位,把宽度方 向台阶切到,有R角处留R角,再把精槽粗切,单边留料0.02MM. 3.切好后再抓弯修长度直角,把长度磨到位,切长度方向槽,然后清角,光槽底 把大槽槽底光平,光平后直接把机头抬起来在工件表面光一刀,把槽底与表面相 对尺寸光平,以便于磨背面,清完所有角靠边.靠边时,先靠长度方向小槽,把 小槽靠到,保证与外框的对称度,然后以小槽为基准靠大槽,把大槽靠到位并保 证与小槽的同心度,最后靠中间定位槽,并保证与长度方向对称度. 4.靠完边,把导向角度做好,倒角倒好,再磨背面把槽底磨到(一般公差为 +0.003MM.),再把台阶(一般为-0.02MM)切到,把R角接好,表面留料0.15MM, 交J/G磨精孔,精孔加工后外框会变大,再回抓精槽对称度修外框,磨去表面留 料,厚度到位,表面抛光交货.
CAVITY BAR加工方法(以练习工单快捷半导体为例) (图号A290-FB07-2330) 1. 接到工件后先检查工件表面是否有碰伤,然后检查外框尺 寸有无变大,若变大将外框修到位,然后抓模穴及气槽磨表面, 把深度抓深0.007-0.008MM表面留料细磨. 2. 然后先开胶口,再切胶道,切胶口时,把胶口宽度2.21与 深度0.35±0.01切到,然后把工摆成角度切胶道(若工件较多, 可做一批角度块治具,一起加工,若较少可用正弦平台)切胶 道时,注意压筋上的平面工般公差±0.01,平面不可切小,如 果切过了,胶口深度会超差. 3. 胶道切完可先外框倒角,然后细磨表面,把表面让位切到 位,气槽切好,磨背面把14.000-0.003做到零限,然后表面抛光, 把厚度尺寸抛到,交货.
CAVITY BAR加工方法(以练习工单快捷半导体为例) (图号A290-FB07-2330) 1. 接到工件后先检查工件表面是否有碰伤,然后检查外框尺 寸有无变大,若变大将外框修到位,然后抓模穴及气槽磨表面, 把深度抓深0.007-0.008MM表面留料细磨. 2. 然后先开胶口,再切胶道,切胶口时,把胶口宽度2.21与 深度0.35±0.01切到,然后把工摆成角度切胶道(若工件较多, 可做一批角度块治具,一起加工,若较少可用正弦平台)切胶 道时,注意压筋上的平面工般公差±0.01,平面不可切小,如 果切过了,胶口深度会超差. 3. 胶道切完可先外框倒角,然后细磨表面,把表面让位切到 位,气槽切好,磨背面把14.000-0.003做到零限,然后表面抛光, 把厚度尺寸抛到,交货.
《IC封装制程》PPT课件
• 優點
– 無孔洞優良的熱穩定性 – 低殘餘應力與低溼度含量的結合
精选课件ppt
16
玻璃膠黏結法
• 注意：
– 膠中有機物必須完全除去，以免影響穩定性及 可靠度；
– 冷卻需防接合破裂
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17
高分子黏結法
• 常用於塑膠封裝－ 高分子材料與銅引腳的熱膨脹 係數相近
• 圖膠方式與玻璃膠黏結法方式類似
– 植於基板之晶片座上；
• 不能使用過量，否則易造成材料溢流而造 成封裝的可靠度降低
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15
玻璃膠黏結法
• 方法
– 以戳印(Stamping) 、網印(Screen Printing)或點膠 (Syringe Transfer)的方法將含有銀的玻璃膠塗於基板的 晶片座上，置妥IC晶片後再加熱除去膠中有機成份並 使玻璃熔融接合
精选课件ppt
21
Wire-bonding
精选课件ppt
22
精选课件ppt
23
精选课件ppt
24
Wire Bonding
()
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25
WIRE BONDING ON IC CHIP
(ww精w选.u课s件tp.hptk)
26
打線接合(Wire Bonding)
– 反應前前處理：基板/晶片交互磨擦
• 除氧化表層、增加反應液面濕潤性 • 潤濕不良接合之結果:
– 導致孔洞的產生而使接合強度與熱導性降低 – 造成應力分佈不均
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14
金-矽共晶黏結法
• 預型片彌補基板孔洞平整度不佳時所造成 接合不完全的缺點
– 厚度約25mm，其面積約為晶片的三分之一材 質為金2-wt%係合金薄片
– 無孔洞優良的熱穩定性 – 低殘餘應力與低溼度含量的結合
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16
玻璃膠黏結法
• 注意：
– 膠中有機物必須完全除去，以免影響穩定性及 可靠度；
– 冷卻需防接合破裂
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17
高分子黏結法
• 常用於塑膠封裝－ 高分子材料與銅引腳的熱膨脹 係數相近
• 圖膠方式與玻璃膠黏結法方式類似
– 植於基板之晶片座上；
• 不能使用過量，否則易造成材料溢流而造 成封裝的可靠度降低
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玻璃膠黏結法
• 方法
– 以戳印(Stamping) 、網印(Screen Printing)或點膠 (Syringe Transfer)的方法將含有銀的玻璃膠塗於基板的 晶片座上，置妥IC晶片後再加熱除去膠中有機成份並 使玻璃熔融接合
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Wire-bonding
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WIRE BONDING ON IC CHIP
(ww精w选.u课s件tp.hptk)
26
打線接合(Wire Bonding)
– 反應前前處理：基板/晶片交互磨擦
• 除氧化表層、增加反應液面濕潤性 • 潤濕不良接合之結果:
– 導致孔洞的產生而使接合強度與熱導性降低 – 造成應力分佈不均
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14
金-矽共晶黏結法
• 預型片彌補基板孔洞平整度不佳時所造成 接合不完全的缺點
– 厚度約25mm，其面積約為晶片的三分之一材 質為金2-wt%係合金薄片
IC-封装技术 ppt课件
QFN(1.0mil) TQFN(0.8mil)
DFN(1.0mil) TDFN(0.8mil)
KPAK
Saw
PPT课件
Punch
13
DIP
SOP
MSOP
SSOP
பைடு நூலகம்
TSSOP
SOP
SOP-P
SSOP
Mini-SOP TSSOP
SOP-Exposed pad PPT课件
14
LQFP(1.6mm) TQFP(1.2mm)
• BGA/PBA: Ball/ Pin Grid Array
• TAB: Tape Automated BondingPPT课件
9
封裝體外型簡介
雙排引腳封裝 (DIP)
單排引腳封裝 (SIP)
薄小外形輪廓封裝 (TSOP)
四方扁平封裝 (QFP)
有引腳晶片塑膠載器 (PLCC)
PPT课件
無引腳晶片載器 (LCC)
PPT课件
24
PPT课件
25
IC封裝流程:晶圓研磨(Wafer grinding)
製程目的:將晶片從背面磨至適當厚度,以符合相關封裝體 之需求.
研磨目的
1.防止翹曲(Warpage)
2.平衡上下模流,防止灌不滿或保護層剝離
3.薄型封裝需求:DIP--不磨; PLCC,QFP--19mil; TSOP,TQFP--12mil
10
SOT-23(1.45mm) 3,5,6,8L TSOT-23(0.8mm)
JSOT 6,8L
SOT-89 3,5L
SOT-223 3L
廠內封裝體
SC-70 3L5L
PPT课件
11
TO-220 3L,5L
DFN(1.0mil) TDFN(0.8mil)
KPAK
Saw
PPT课件
Punch
13
DIP
SOP
MSOP
SSOP
பைடு நூலகம்
TSSOP
SOP
SOP-P
SSOP
Mini-SOP TSSOP
SOP-Exposed pad PPT课件
14
LQFP(1.6mm) TQFP(1.2mm)
• BGA/PBA: Ball/ Pin Grid Array
• TAB: Tape Automated BondingPPT课件
9
封裝體外型簡介
雙排引腳封裝 (DIP)
單排引腳封裝 (SIP)
薄小外形輪廓封裝 (TSOP)
四方扁平封裝 (QFP)
有引腳晶片塑膠載器 (PLCC)
PPT课件
無引腳晶片載器 (LCC)
PPT课件
24
PPT课件
25
IC封裝流程:晶圓研磨(Wafer grinding)
製程目的:將晶片從背面磨至適當厚度,以符合相關封裝體 之需求.
研磨目的
1.防止翹曲(Warpage)
2.平衡上下模流,防止灌不滿或保護層剝離
3.薄型封裝需求:DIP--不磨; PLCC,QFP--19mil; TSOP,TQFP--12mil
10
SOT-23(1.45mm) 3,5,6,8L TSOT-23(0.8mm)
JSOT 6,8L
SOT-89 3,5L
SOT-223 3L
廠內封裝體
SC-70 3L5L
PPT课件
11
TO-220 3L,5L
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【Wafer】晶圆
……
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Lead Frame】引线框架
➢提供电路连接和Die的固定作用； ➢主要材料为铜，会在上面进行镀银、
NiPdAu等材料； ➢L/F的制程有Etch和Stamp两种； ➢易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH; ➢除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame，
其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；
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IC Package （IC的封装形式）
• QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 • SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 • TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 • QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 • BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 • CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
BGA采用的是Substrate；
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Gold Wire】焊接金线
➢实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；
➢金线采用的是99.99%的高纯度金；
➢同时，出于成本考虑，目前有采用铜 线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低；
➢主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰；
➢存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Epoxy】银浆
➢成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；
3rd Optical 第三道光检
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FOL– Back Grinding背面减薄
Taping 粘胶带
Back Grinding
磨片
De-Taping 去胶带
➢将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度（8mils~10mils）；
➢磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
➢线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Mold Compound】塑封料/环氧树脂
➢主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱 模剂，染色剂，阻燃剂等）；
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Introduction of IC Assembly Process
IC封装工艺详解
2012-10
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IC Process Flow
Customer 客户
IC Design IC设计
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
塑料封装用于消费电子，因为其成本低 ，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分 的市场份额；
金属封装
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IC Package （IC的封装形式）
• 按与PCB板的连接方式划分为：
PTH
PTH-Pin Through Hole, 通孔式； SMT-Surface Mount Technology ，表面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式 的
SMT SMT
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IC Package （IC的封装形式）
• 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；
封装形式和工艺逐步高级和复杂
• 决定封装形式的两个关键因素: ➢ 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； ➢ 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；
• 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
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IC Package （IC的封装形式）
• 按封装材料划分为：
塑料封装
陶瓷封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无 商业化产品；
陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产 品，占少量商业化市场；
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FOL– Front of Line前段工艺
Wafer
2nd Optical 第二道光检
Die Attach 芯片粘接
Back Grinding
磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割
Wire Bond 引线焊接
➢有三个作用：将Die固定在Die Pad上； 散热作用，导电作用；
➢-50°以下存放，使用之前回温24小时；
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Typical Assembly Process Flow
FOL/前段
EOL/中段
Plating/电镀
EOL/后段 Final Test/测试
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Company LogoLooIC Package Structure（IC结构图）
TOP VIEW SIDE VIEW
Lead Frame 引线框架
Die Pad 芯片焊盘
Gold Wire 金线
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
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IC Package （IC的封装形式）
Package--封装体：
➢指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC） 形成的不同外形的封装体。
➢IC Package种类很多，可以按以下标准分类：
• 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装
• 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装
……
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Lead Frame】引线框架
➢提供电路连接和Die的固定作用； ➢主要材料为铜，会在上面进行镀银、
NiPdAu等材料； ➢L/F的制程有Etch和Stamp两种； ➢易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH; ➢除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame，
其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；
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IC Package （IC的封装形式）
• QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 • SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 • TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 • QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 • BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 • CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
BGA采用的是Substrate；
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Gold Wire】焊接金线
➢实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；
➢金线采用的是99.99%的高纯度金；
➢同时，出于成本考虑，目前有采用铜 线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低；
➢主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰；
➢存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Epoxy】银浆
➢成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；
3rd Optical 第三道光检
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FOL– Back Grinding背面减薄
Taping 粘胶带
Back Grinding
磨片
De-Taping 去胶带
➢将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度（8mils~10mils）；
➢磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
➢线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Mold Compound】塑封料/环氧树脂
➢主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱 模剂，染色剂，阻燃剂等）；
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Introduction of IC Assembly Process
IC封装工艺详解
2012-10
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IC Process Flow
Customer 客户
IC Design IC设计
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
塑料封装用于消费电子，因为其成本低 ，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分 的市场份额；
金属封装
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IC Package （IC的封装形式）
• 按与PCB板的连接方式划分为：
PTH
PTH-Pin Through Hole, 通孔式； SMT-Surface Mount Technology ，表面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式 的
SMT SMT
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IC Package （IC的封装形式）
• 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；
封装形式和工艺逐步高级和复杂
• 决定封装形式的两个关键因素: ➢ 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； ➢ 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；
• 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
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IC Package （IC的封装形式）
• 按封装材料划分为：
塑料封装
陶瓷封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无 商业化产品；
陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产 品，占少量商业化市场；
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FOL– Front of Line前段工艺
Wafer
2nd Optical 第二道光检
Die Attach 芯片粘接
Back Grinding
磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割
Wire Bond 引线焊接
➢有三个作用：将Die固定在Die Pad上； 散热作用，导电作用；
➢-50°以下存放，使用之前回温24小时；
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Typical Assembly Process Flow
FOL/前段
EOL/中段
Plating/电镀
EOL/后段 Final Test/测试
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Company LogoLooIC Package Structure（IC结构图）
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Lead Frame 引线框架
Die Pad 芯片焊盘
Gold Wire 金线
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
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IC Package （IC的封装形式）
Package--封装体：
➢指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC） 形成的不同外形的封装体。
➢IC Package种类很多，可以按以下标准分类：
• 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装
• 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装