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四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法SiCl4+H2→HSiCl3+HCl该反应是在高温下进行的，一般反应温度为300-400℃。
在该温度下，四氯化硅和氢气反应生成三氯氢硅和氢氯酸。
该反应是一个放热反应，因此需要控制反应温度和反应速度，以确保反应安全进行。
步骤一：原料准备和预处理首先，需要准备四氯化硅和氢气作为反应的原料。
四氯化硅是常见的无机化合物，可以通过硅矿石经过多步反应得到。
氢气可以通过水电解或者通过天然气蒸气重整来制备。
步骤二：反应装置准备反应装置通常采用反应釜，具有耐腐蚀性能和高温承受能力。
反应釜内部需要安装搅拌器以确保反应均匀进行。
反应釜应具备加热和冷却系统，以控制反应温度。
步骤三：反应控制在将四氯化硅和氢气加入反应釜后，需要控制反应温度和反应速度。
反应温度通常在300-400℃之间，可以通过加热或冷却来调节。
反应速度应根据实际情况决定，过快的反应速度可能导致不稳定的状况。
步骤四：分离和纯化反应结束后，需要将生成的三氯氢硅和副产物氢氯酸进行分离。
通常采用蒸馏或萃取的方法进行分离。
分离后的产物可以通过进一步处理来提高纯度。
1.该方法无需使用昂贵的催化剂，反应条件较为温和，操作较为简单。
2.该方法产物纯度较高，可以直接用于许多应用领域。
3.该方法反应速度较快，反应效率较高。
然而，四氯化硅氢化生产三氯氢硅也存在一些挑战和需要注意的问题：1.四氯化硅本身具有强烈的刺激性和腐蚀性，对操作人员的安全性要求较高。
2.反应釜和操作设备需要具备耐腐蚀性和高温承受能力，增加了生产成本。
3.反应过程中需要严格控制反应温度和反应速度，避免产生副产物或不稳定的状况。
综上所述，四氯化硅氢化生产三氯氢硅是一种重要的化工生产方法，具有许多优点和挑战。
在实际应用中，需要根据具体情况进行优化和改进，以提高产物的纯度和反应的效率。
冷氢化技术综述采用多晶硅工厂的副产物四氯化硅（STC）作原料，将其转化为三氯氢硅（TCS），然后将三氯氢硅通过歧化反应生产硅烷。
80年代初，为得到低成本、高纯度的多晶硅，又进行了一系列的研究开发。
其中高压低温氢化工艺（以下简称冷氢化）就是一项能耗最低、成本最小的四氯化硅《STC》三氯氢硅《TCS》的工艺技术。
90年代，为了提高多晶硅产品纯度，满足电子工业对多晶硅质量的要求，开发了高温低压STC氢化工艺，这两种工艺的比较如下：综上比较，二者各有优缺点，但低温高压冷氢化工艺耗电量低，在节能减排、降低成本方面具有一定的优势。
国内多晶硅新建及改、扩建单位可以根据项目的具体情况、自身的优势及喜好，择优选定。
冷氢化主要反应式如下：Si+ 2H2 + 3SiCl4< 催化剂> 4SiHCl3（主反应）SiCl4+Si+2H2 = 2SiH2Cl2（副反应）2SiHCl3 = SiCl4+SiH2Cl2（副反应）典型的冷氢化装置组成如下：一个完整的冷氢化系统大致包括以下6大部分：1、技术经济指标：包括，1）金属硅、催化剂、补充氢气、STC、电力的消耗，2）产品质量指标，3）STC转化率，4）公用工程（氮气、冷却水、冷媒、蒸汽及导热油）；2、主装置：包括，1）流化床反应器、2）急冷淋洗器，3）淋洗残液的处理系统，4)气提，5）加热及换热装置；3、原料系统：包括，1）硅粉输送，2）催化剂选用及制备，3）原料气体的加热装置；4、粗分离系统：包括，1）脱轻，2）脱重，3）TCS分离；5、热能回收系统，包括：1）流化床出口氢化气的热量回收，2）急冷塔出口淋洗气的热能回收，氯硅烷物流热量综合利用；热能回收系统，包括：1）流化床出口氢化气的热量回收，2）急冷塔出口淋洗气的热能回收；6、物料处置及回收系统：包括，1）淋洗残液中的氯硅烷回收，2）脱重塔残液中的氯硅烷回收，3）轻组分中的氯硅烷回收，4）固废处理，5）氯硅烷废液处理。
四氯化硅催化氢化制备三氯氢硅龙雨谦;刘颖颖;叶龙泼;付勰;蒋炜;周齐岭;梁斌【摘要】Using HZSM-5 as the support and different metal chlorides as the active components, the different supported catalysts for hydrogenation of silicon tetrachloride to trichlorosilane were prepared by impregnation method. The as-prepared catalysts were characterized by XRD,XPS and BET. The activity of the catalysts was investigated. The results showed that the chlorides of alkaline earth metal, especially barium, exhibited better catalytic activity for the hydrogenation of silicon tetrachloride; the maximum conversion of silicon tetrachloride of 20. 22% and the highest selectivity to trichlorosilane of 83. 01% were attained under the condition of reaction temperature 850℃ and BaCl2 loading 1 % ( mass fraction).%针对四氯化硅氢化反应,采用等体积浸渍法制备了以HZSM-5为载体,金属氯化物为活性组分的负载型四氯化硅氢化反应催化剂,考察了催化剂的催化性能,并进行了相应表征.结果表明,碱土金属氯化物对四氯化硅氢化过程有良好的催化效果,在BaCl2负载质量分数为1％和反应温度850℃条件下,反应最高转化率为20.20％,选择性83.01％.【期刊名称】《工业催化》【年(卷),期】2012(020)008【总页数】5页(P26-30)【关键词】催化化学;四氯化硅;催化氢化;HZSM-5;三氯氢硅;活性评价【作者】龙雨谦;刘颖颖;叶龙泼;付勰;蒋炜;周齐岭;梁斌【作者单位】四川大学化工学院四川省多相流传质与化学反应工程重点实验室,四川成都610065;四川大学化工学院四川省多相流传质与化学反应工程重点实验室,四川成都610065;中国成达工程有限公司,四川成都610041;四川大学化工学院四川省多相流传质与化学反应工程重点实验室,四川成都610065;中国成达工程有限公司,四川成都610041;四川大学化工学院四川省多相流传质与化学反应工程重点实验室,四川成都610065;中国成达工程有限公司,四川成都610041;四川大学化工学院四川省多相流传质与化学反应工程重点实验室,四川成都610065【正文语种】中文【中图分类】O643.36;TQ426.6多晶硅是目前最主要的光伏材料，生产工艺主要为改良西门子法，每生产1 t多晶硅副产15 t以上的四氯化硅［1］。
四氯化硅氯化制三氯氢硅的催化剂及制备方法四氯化硅氯化制三氯氢硅的催化剂及制备方法三氯氢硅是一种重要的有机硅化合物，广泛应用于有机合成、医药、农药、涂料等领域。
其中，四氯化硅氯化制三氯氢硅是一种常用的制备方法。
本文将介绍该方法中的催化剂及制备方法。
催化剂的选择对于反应的效率和产物的纯度有着重要的影响。
在四氯化硅氯化制三氯氢硅的反应中，常用的催化剂有铝、锌、锡等金属及其化合物。
其中，氯化铝是一种常用的催化剂，具有催化效率高、反应速度快、产物纯度高等优点。
此外，氯化铝还可以在反应中起到吸收水分的作用，从而保证反应的进行。
制备氯化铝催化剂的方法有多种，其中一种常用的方法是将铝粉与氯化氢在氯化钠的存在下反应，生成氯化铝。
具体步骤如下：1.将铝粉加入氯化钠溶液中，搅拌均匀。
2.将氯化氢气体通入反应体系中，反应产生氯化铝。
3.将反应产物过滤、洗涤、干燥，得到氯化铝催化剂。
制备好的氯化铝催化剂可以直接用于四氯化硅氯化制三氯氢硅的反应中。
反应的具体步骤如下：1.将四氯化硅加入反应瓶中，加入适量的氯化铝催化剂。
2.将反应瓶密封，加热至反应温度，反应产生三氯氢硅。
3.将反应产物进行分离、提纯，得到纯度较高的三氯氢硅。
需要注意的是，在反应过程中，应该控制反应温度和反应时间，以保证反应的效率和产物的纯度。
此外，反应过程中应该避免水分的干扰，可以在反应瓶中加入干燥剂或者在反应前将反应瓶进行干燥处理。
四氯化硅氯化制三氯氢硅的催化剂及制备方法是氯化铝催化剂，制备方法是将铝粉与氯化氢在氯化钠的存在下反应，反应产物为氯化铝。
在反应过程中需要注意控制反应温度和时间，避免水分的干扰，以保证反应的效率和产物的纯度。
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02．三氯氢硅氢还原反应基本原理用氢气作为还原剂，在1100～1200℃下还原SiHC13，是目前多晶硅生产的主要方法。
由于氢气易于净化，而且在硅中的溶解度极低，所以用氢气还原生产的多晶硅较其他还原剂(如锌、碘)所制得的多晶硅纯度要高得多。
2.1 三氯氢硅氢还原反应原理SiHCl 3和H 2混合，加热到900℃以上，就能发生如下反应：)(H C l 3)( Si )( H )(SiHCl 110090023气固气气℃～+−−−−→←+ 同时，也会产生SiHCl 3的热分解以及SiCl 4的还原反应:2490032H 3SiCl Si 4SiHCl ++−−→←℃ 4HCl Si 2H SiCl 24+−→←+此外，还有可能有43SiCl 2HCl Si 2SiHCl ++−→←HCl SiCl SiHCl 23+−→←以及杂质的还原反应：6HC1 2B 3H 2BCl 23+−→←+6HC1 2P 3H PCl 23+−→←+这些反应,都是可逆反应，所以还原炉内的反应过程是相当复杂的。
在多晶 硅的生产过程中，应采取适当的措施，抑制各种逆反应和副反应。
以上反应式中， 第一个反应式和第二个反应式可以认为是制取多晶硅的基本反应，应尽可能地使 还原炉内的反应遵照这两个基本反应进行。
四氯化硅氢化1． 四氯化硅来源与性质1.1 四氯化硅的产生在多晶硅生产过程中，在SiHCl 3 合成工序和氢还原制取多晶硅工序，会产生大量的副产物SiCl 4，并随着尾气排出。
在氢还原工序中，会发生以下几个反应：主反应：Si 3HCl H SiHCl 23+−→−+ 副反应：2490032H 3SiCl Si 4SiHCl ++−−−→−℃以上 43SiCl 2HCl Si 2SiHCl ++−→−在SiHCl 3合成工序中主要发生以下反应：主反应： 23H SiHCl 3HCl Si +−→−+ 副反应： 242H SiCl 4HCl Si +−→−+ SiHCl 3合成中副反应产生的SiCl 4约占生成物总量的约 10% ，在氢还原工序中也有部分SiHCl 3 发生副反应生成了SiCl 4 。
一种四氯化硅加氢制备三氯氢硅的方法四氯化硅加氢制备三氯氢硅的方法是一种重要的化学合成方法，其主要原理是通过将四氯化硅与氢气反应，在适当的温度和压力条件下将氯原子替换成氢原子，从而得到三氯氢硅。
本文将详细介绍四氯化硅加氢制备三氯氢硅的方法。
四氯化硅加氢制备三氯氢硅的方法主要由以下几个步骤组成：四氯化硅的制备、四氯化硅脱氯及加氢反应。
首先，四氯化硅的制备。
四氯化硅是一种常用的无机化合物，它可以通过二氧化硅和氯气的反应制备而成。
反应方程式如下：SiO2 + 2Cl2 → SiCl4 + 2O2然后，四氯化硅脱氯。
四氯化硅加氢反应需要在无氧条件下进行，因此需要将四氯化硅中的氯原子脱除。
这一步可以使用一些金属还原剂来实现，如铝、锔等。
将四氯化硅与金属还原剂加热混合，反应方程式如下：2SiCl4 + 3Al → 3AlCl3 + 2Si最后，加氢反应。
在脱氯后的四氯化硅中加入氢气，并在适当的温度和压力条件下进行反应。
这一步可以在催化剂的存在下进行，常用的催化剂有铂、钯等。
反应方程式如下：SiCl4 + 2H2 → SiHCl3 + 2HCl四氯化硅加氢制备三氯氢硅的方法具有以下优点：1. 简单易操作。
该方法的操作步骤较少且简单，不需要特殊设备和条件。
2. 可控性好。
通过调整温度和压力等反应条件，可以控制反应的进行速率和产物的纯度。
3. 高产率。
该方法产物纯度高，反应产率较高，可以满足大规模工业生产的需要。
4. 经济实用。
四氯化硅和氢气是常见的原料，价格相对较低，成本较低。
然而，四氯化硅加氢制备三氯氢硅的方法也存在一些限制：1. 安全隐患。
四氯化硅具有一定的毒性，操作时需要注意安全措施，避免对人身和环境造成伤害。
2. 催化剂选择。
催化剂的选择对反应的效率和产物的纯度有重要影响，需要寻找合适的催化剂进行反应。
3. 反应条件选择。
四氯化硅加氢反应的温度、压力和反应时间等条件需要进行优化，以提高反应的效果。
总结起来，四氯化硅加氢制备三氯氢硅的方法是一种简单、可控、高产的化学合成方法。
四氯化硅氢化生产三氯氢硅技术研究万 烨 汤传斌 肖荣辉 毋克力 严大洲(中国恩菲工程技术有限公司,北京100038)[摘 要] 改良西门子法制备多晶硅存在的技术瓶颈是大量副产物四氯化硅难以回收利用。
本文针对这一瓶颈,介绍了四氯化硅氢化生产三氯氢硅技术,并研究了反应压力、氢气与四氯化硅配比、反应温度以及硅粉层高度对该技术转化率的影响。
同时,还介绍了该技术在洛阳中硅高科技有限公司的应用实例。
[关键词] 四氯化硅;三氯氢硅;氢化[中图分类号]TN 304 [文献标识码]A [文章编号]1008-5122(2010)06-0030-03Research on Techni que of Producing Trichl orosilane byHydrogenati on of Silicon TetrachlorideWAN Y e ,TANG Chuan bin ,X I A O Rong hu,i WU Ke l,i YAN Da zhouAbst ract :It is d ifficult to recycle a large a m ount of by produc,t silicon tetrach lori d e ,w h i c h is the techn ica l bo ttleneck ex isti n g in preparati o n of po l y crysta lli n e silicon by i m proved S ie m ens process .Based on the technical bottleneck ,th is paper i n troduces the techn i q ue o f producing trich l o rosilane by hydrogenation of silicon tetrach lori d e ,and studies t h e effect o f acti o n pressure ,ration of hydrogen and silicon tetrach l o ride ,acti o n te m perature and silicon powder layer s he i g ht on the technical conversati o n rate .M ean w hile ,this paper a lso presents the application exa mp le o f the technique i n Ch i n a silicon cor poration LTD.,Luoyang .K ey w ords :sili c on tetrachlori d e ;trichlorosilane ;hydr ogena ti o n[收稿日期]2010-10-15[作者简介]万 烨(1984-),男,北京人,硕士,工程师,主要从事多晶硅生产技术研究工作。
0 前言多晶硅是集成电路和光伏发电用关键原材料,是 国家中长期科学和技术发展规划纲要!制造业领域基础原材料优先主题的重要内容,是国家重点鼓励发展的产品和产业。
自本世纪开始,世界光伏产业在严峻的能源形势和生态环境形势压力下,在技术进步和法规政策的强力推动下,进入快速发展时期,最近10年年平均增长率为41 3%,产业的快速增长,导致多晶硅原料严重供不应求,价格猛涨,且依赖进口[1]。
国际上先进的多晶硅制造技术,主要由美、日、德三国垄断,主要集中在日本的德山、三菱、住友,美国的H e m l o ck 、ASI M I 、M E M C 和德国W acker 七大公司[2-4]。
2004年全世界多晶硅产能利用率已经达到饱和,市场开始出现短缺,到2005年,世界多晶硅市场出现了严重的供不应求局面。
受到前期利益驱动,国内争相上马多晶硅项目,但是绝大多工艺技术不成熟,更不用说氢化技术。
截至目前国内有意向建设多晶硅项目的省、市及企业约40家,报道的总建设规模已超过100000t/a ,产量实现后,需要氢化的四氯化硅为140万~150万,t 若S i C l 4不能妥善氢化处理,一方面,会增加生产成本,直接影响产能发挥;另一方面,控制不好,甚至会污染环境或导致安全事故。
目前处理四氯化硅主要有两个途径,一是用来制备气象白炭黑。
国内大部分多晶硅企业,大多将在生产过程中产生的四氯化硅贴金卖给下游用四氯化硅生产白炭黑的厂家,但是市场非常有限,使得这些企业多晶硅生产成本居高不下,产能难以释放[5-6]。
另外一个途径是采用氢化技术将四氯化硅转化为三氯氢硅。
俄罗斯拥有氢化技术,并已在中∀30∀有色冶金节能#工艺节能国销售其技术,采用的是高温氢化,氢化温度在1250∃以上,单炉处理能力小,产量小。
由于采用高温氢化,电耗高,转化率不及20%,效率低。
国内也有部分厂家采用冷氢化技术,该技术反应温度较低,处理能力大,已经体现出了巨大的优势,从多晶硅产业长远发展来看,发展和优化冷氢化技术是一个必然趋势。
本文作者在生产实际中对影响冷氢化转化率的各因素进行了深入摸索,总结出了该工艺的最佳控制参数,现介绍如下。
1 工艺流程简介该工艺所需主体设备有活化干燥器、氢化反应器、过滤器、冷凝器、压缩机、混合器、混合气预热炉等,其工艺流程见图1。
图1 工艺流程图从图1可以看出,该工艺流程属于一个闭路循环,氢化反应器内出来的混合气体,经过过滤、冷凝后,冷凝液直接送提纯工序,而氢气经过压缩机加压后,重新返回氢化反应器内。
因此,该工艺从工艺流程上体现出来的的一个很大优点是:流程简单、物料闭路循环,对环境无污染。
2 反应原理该反应是以硅粉、氢气、四氯化硅为主要原料,在氢化反应器内,在一定温度、压力、配比、催化剂的条件下,氢气、四氯化硅混合气体与硅粉主要发生如下反应:3Si C l 4+S i+2H 24S H i C l 3(主反应)(1)Si C l 4+Si+2H 22SH i 2C l 2(副反应)(2)2S H i C l 3S i C l 4+S H i 2C l 2(副反应)(3)因此,伴随着三氯氢硅的生成,氢化反应器内有部分二氯二氢硅生成,这在后续冷凝料的分析中得到验证。
3 各工艺参数对反应转化率的影响本项目采用 1200mm 氢化反应器作为反应装置,其他装置相应进行配置。
本研究过程中,采用校正面积归一化法,利用气象色谱分析仪对氢化反应产生的冷凝料成分进行分析,测定其中的三氯氢硅、四氯化硅等物质含量,折算出三氯氢硅的摩尔含量。
采用相同办法测量进料成分,并折算出三氯氢硅的摩尔含量。
冷凝料中三氯氢硅的摩尔含量减去进料中三氯氢硅的摩尔含量则为该反应的摩尔转化率。
3 1 反应压力对反应的影响反应压力的升高能够有效提高该反应的转化率。
在试验过程中,控制其他因素均一致,仅仅改变反应压力,得到的转化率与压力关系如图2所示。
图2 转化率与反应压力关系图从图2可以看出:随着反应压力的升高,氢化反应的转化率随之升高。
但是压力的升高,必然对压缩机的要求更加严格,能源方面也将带来更大投入,同时,整个系统的设计将更加严格,设备的投资将大大提高。
因此,在实际生产过程中考虑经济效益,不宜将压力控制过高,一般控制在1 3~1 5M Pa 。
3 2 氢气与四氯化硅配比对反应的影响控制其他条件一致,改变进料中氢气与四氯化∀31∀2010年12月第6期四氯化硅氢化生产三氯氢硅技术研究%%%万 烨 汤传斌 肖荣辉等硅配比,其转化率与进料配比关系见图3。
图3 转化率与进料配比关系图从图3可以看出:转化率先随着进料中氢气与四氯化硅配比的增加而大幅提高,但是高到一定程度之后,转化率出现了下降趋势。
进料中,氢气与四氯化硅比例越高,四氯化硅的进料量越小,系统的处理能力减小,因此,生产中需要综合考虑转化率以及单套处理能力。
根据以上分析,一般在生产过程中控制氢气与四氯化硅比例为2&1~5&1。
3 3 反应温度对反应的影响控制气体其它条件一致,改变反应温度,其转化率与反应温度的关系如图4所示。
从图4可以看出,随着温度的上升,其转化率出现了较大幅度的提高。
由于该反应在氢气气氛中进行,过高的温度对设备的材质要求非常严格。
因此,考虑成本的投入,一般控制反应温度为450~500∃。
图4 转化率与反应温度关系图3 4 硅粉层厚度对反应的影响四氯化硅氢化生产三氯氢硅技术中采用的是固定床,在固定床反应器中,硅粉的厚度直接决定了反应时间的长短。
过短的反应时间将导致反应非常不彻底,转化率很低。
随着硅粉厚度的增加,反应时间延长,转化率随之上升。
但是随之带来的缺点是:硅粉径向温度分布不均匀;系统压差增大。
因此,在实际生产过程中,控制硅粉层厚度为0 5~1 0m 较为合理。
3 5 其他因素对反应的影响四氯化硅氢化生产三氯氢硅技术中,还有很多影响因素,比如说:催化剂的种类与用量、硅粉的粒度、热场分布、反应器形式等均对该反应影响非常大,这些因素均需要深入研究。
4 四氯化硅氢化生产三氯氢硅技术在中硅公司的应用实例中硅公司于2006年承担了∋十一五(国家科技支撑计划材料领域∋大型低温加压四氯化硅氢化技术与装置研究(课题,并于2009年顺利通过验收。
在最新建成并投产的项目中,系统运行稳定,四氯化硅平均处理能力达到12t/h ,摩尔转化率达到28 37%,能耗仅仅为1 0~1 2k W ∀h /kg SH i C l 3,在国内处于领先地位。
5 结论(1)四氯化硅生产三氯氢硅技术,流程简单,物料闭路循环,对环境无污染。
(2)众多因素对反应起着重要的影响,其中随着反应压力、反应温度、硅粉厚度的提高,转化效率不断提高,随着氢气与四氯化硅配比的增加,转化效率先出现了大幅上升,然后有下降趋势。
综合经济运行指标,确定一个较为优化的条件为:控制反应压力为1 3~1 5MPa 、氢气与四氯化硅比例为2&1~5&1、反应温度为450~500∃、硅粉层厚度为0 5~1 0m 。
同时,还存在一些细节因素需要进一步研究探索。
(3)在研究的基础上,四氯化硅生产三氯氢硅技术在中硅公司得到了成功的应用,其摩尔转化率能达到28 37%,能耗仅仅为1 0~1 2k W ∀h /kg SH i C l 3,在国内处于领先地位。
[参考文献][1] 苗军舰,陈少强,丘克强.西门子法生产多晶硅的热力学[J].无机化学学报,2007,23(5):795-801.[2] 汪光裕,丁国江,艾波.四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用[J].东方电气评论,2008,22:70-71.[3] 蒋荣华,冯地直,饶家荣,等.综合利用副产物四氯化硅氢还原生产多晶硅[J].新材料产业,2008,8:27-30.[4] 张殿松.多晶硅生产中四氯化硅过剩问题的综合解决方案思考[J].产业市场,2008,16(8):12-15.[5] 杨涛.改良西门子法生产多晶硅工艺设计探讨[J].贵州化工,2009,34(3):7-11.[6] 陈涵斌,李育亮,甲永祥.四氯化硅转化技术的现状与发展趋势[J].氯碱工业,2009,45(4):27-31.∀32∀有色冶金节能#工艺节能。
