当前位置：文档之家 › DU8721集成电路资料

DU8721集成电路资料

  • 格式：pdf
  • 大小：486.56 KB
  • 文档页数：7

uA
140
170
200
uA
VCS_MAX CS峰值电压比较基准
TLEB
电流采样消隐时间
TDELAY 关断延时时间
误差放大器与振荡器
VREF
输出电流比较基准
TOFF_MAX 最大关断时间
TON_MAX 最大开通时间
MOSFET 参数
RDSON VDS_BD 过温保护
内部开关管导通电阻 内部开关管最大耐压
保护功能 DU8721 集成了多重保护功能，以确保 LED 灯具工作 稳定可靠。 采样电阻开/短路：当采样电阻出现开路或短路的 情况，DU8721 会立即启动保护功能； 过温：当芯片结温超过 150℃时，芯片会立即进入 过温保护，直到结温小于 120℃后，自动重启。
更多设计方法，请参考：《DU8721设计工具》
输入电压范围: 120Vac ~240Vac 输出电压范围: 120Vdc ~150Vdc
功率因数: <
Duty-Cycle Semiconductor
DS _DU8721_CN_V1.2
DU8721
QR 模式高精度小功率 LED 恒流驱动器
Page 7 of 7
Duty-Cycle Semiconductor
DS _DU8721_CN_V1.2
包装 2500 颗/盘 编带
推荐应用
工作温度范围 -40℃~85℃
最大输出功率 <5W
极限参数(1)(2)
符号
脚位
描述
范围
单位
DRN
5,6 内置高压MOSFET漏极
-0.3~650
V
DRA
4 内置低压MOSFET漏极
-0.3~15
V
CS
1 电流采样端
-0.3~6
V
IVCC
3 VCC 最大钳位电流
θJA
QR 模式高精度小功率 LED 恒流驱动器
应用信息
DU8721 是一款工作于准谐振模式下的 FLYBACK 式 或 BUCK-BOOST 式恒流驱动器，内置 650V 高压 MOSFET，主要应用于小功率的 LED 恒流驱动电 源系统。
启动与供电 在上电后，母线电压通过启动电阻给VCC引脚的电 容充电，直到VCC电压上升到启动阈值电压后，芯 片启动工作，VCC的迟滞电压为5V。DU8721内置15V 稳压管。由于芯片的典型工作电流只有200uA，因 此，无需专门的供电电路,利用启动电阻就可以直 接供电，可减少系统成本,提高了系统效率。
--- 热阻（结温-环境）
Tj
--- 最大工作结温
10 150 -40~150
mA ℃/W
℃
Tstg
--- 存储温度范围
-65~150
℃
ESD
-- 静电（人体模式）
2
kV
说明: (1) 最大极限值是指超出该工作范围，芯片可能损坏。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试
条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值反映了器件性能。 (2) 无特别说明，所有的电压以GND作为参考。
电流采样端 芯片接地端 芯片电源端 内置低压MOSFET漏极 内置高压 MOSFET 漏极 悬空
描述
Page 2 of 7
Duty-Cycle Semiconductor
DS _DU8721_CN_V1.2
定购信息
定购型号 DU8721
DU8721
QR 模式高精度小功率 LED 恒流驱动器
封装 SOP8
特点
¾ 内置650V高压MOSFET ¾ TRUEC2闭环恒流控制技术 ¾ 无需变压器辅助绕组 ¾ 3%系统恒流精度 ¾ TRUEQR控制技术 ¾ 采样电阻开路、短路保护 ¾ 输出短路保护 ¾ 内置输出过压保护 ¾ 过温保护 ¾ SOP8封装
应用
LED 射灯 GU10 LED 球泡灯 E14/E27/PAR30/PAR38… LED 吸顶灯 …
恒流控制 DU8721 采用独特的闭环恒流控制专利－TRUEC2 技术，可在宽输入电压、输出电压以及电感参数条 件下实现高精度的输出电流，确保应用和批量生产 时 LED 灯具亮度的一致性。
其输出电流为：
VREF 2
0.2 NX 2
NX
VREF为平均电流基准
Rcs为电流采样电阻
Nx:为初次级绕组的匝比
TSD Hy_TD
过热关断温度 过热保护迟滞
550
600
650
mV
400
ns
100
ns
195
200
205
mV
20
23
26
us
34
40
44
us
17
Ω
650
V
150
℃
30
℃
Page 4 of 7
Duty-Cycle Semiconductor
DS _DU8721_CN_V1.2
芯片内部方框图
DU8721
典型应用图1
DU8721
QR 模式高精度小功率 LED 恒流驱动器
概述
DU8721是一款工作于准谐振模式下的FLYBACK式 或BUCK-BOOST式恒流驱动器，主要应用于小功率 的LED恒流驱动电源系统。DU8721内置650V的高 压功率MOSFET管，采用独特的闭环恒流控制专利
－TRUEC2技术，无需变压器辅助绕组,只需要
Page 3 of 7
Duty-Cycle Semiconductor
DS _DU8721_CN_V1.2
电气参数
(无特别说明外，VCC=15V, Ta=25oC)
符号
参数
DU8721
QR 模式高精度小功率 LED 恒流驱动器
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
电源供电部分
VCCCLAMP VCC 钳位电压
Page 5 of 7
Duty-Cycle Semiconductor
DS _DU8721_CN_V1.2
应用案例 1
输入电压范围: 90Vac~264Vac 输出电压范围: 3Vdc~10Vdc
DU8721
QR 模式高精度小功率 LED 恒流驱动器
功率因数: >0.5 输出电流: 300mA
应用案例 2
非常少的外围元器件， 就可在宽的输入、输出 电压以及宽松的外围电感参数条件下，实现高精 度的输出电流，并保证批量生产时LED灯具亮度 的一致性，并大大的节省了系统成本和体积。 采用专利的TRUEQR技术，使得MOSFET每个周期 都在真正的谷底开通，从而降低了系统的开关损 耗和EMI。 DU8721集成了输出开路保护，多重的短路保护， 过温保护以及各个引脚的开路、短路保护功能， 从而使系统具备高可靠性。 DU8721采用SOP8封装。
Page 1 of 7
Duty-Cycle Semiconductor
DS _DU8721_CN_V1.2
典型应用图2
DU8721
QR 模式高精度小功率 LED 恒流驱动器
引脚封装
引脚描述
SOP8 封装
引脚编号 1 2 3 4
5, 6 7, 8
引脚名称 CS GND VCC DRA DRN N/C
VCCON 芯片开启工作电压
VCCOFF 芯片关断电压
VCCOVP VCC 过压保护电压
ISTART
启动电流
IOP
工作电流
电流采样
IVCC<10mA VCC 上升 VCC 下降 IVCC>10mA
Fsw=100kHz
13.5
15.5
17.5
V
12
14
15
V
8.5
9
10.5
V
20
23
26
V
80
90
100

合集下载

IRF8721TRPBF;IRF8721PBF;中文规格书,Datasheet资料

IRF8721TRPBF;IRF8721PBF;中文规格书,Datasheet资料

107/30/07IRF8721PbFHEXFET ®Power MOSFETBenefitsl Very Low Gate Charge l Low R DS(on) at 4.5V V GS l Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltage and Currentl 20V V GS Max. Gate Rating l Lead-Free Applicationsl Control MOSFET of Sync-BuckConverters used for Notebook Processor Powerl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems SO-8PD - 97119DescriptionThe IRF8721PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package The IRF8721PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including Rds(on) and gate charge to reduce both conduc-tion and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors for Notebook and Netcom applications.IRF8721PbFStatic @ T = 25°C (unless otherwise specified)IRF8721PbF 3Fig 4. Normalized On-ResistanceVs. TemperatureFig 2. Typical Output CharacteristicsFig 1. Typical Output Characteristics Fig 3. Typical Transfer CharacteristicsV DS , Drain-to-Source Voltage (V)T J , Junction Temperature (°C)R D S (o n ) , D r a i n -t o -S o u r c e O n R e s i s t a n c e(N o r m a l i z e d )V GS , Gate-to-Source Voltage (V)V DS , Drain-to-Source Voltage (V)IRF8721PbFFig 8. Maximum Safe Operating AreaFig 6. Typical Gate Charge Vs.Gate-to-Source VoltageFig 5. Typical Capacitance Vs.Drain-to-Source VoltageFig 7. Typical Source-Drain DiodeForward Voltage110100V DS , Drain-to-Source Voltage (V)100100010000C , C a p a c i t a n c e (p F )0.11101001000I S D , R e v e r s e D r a i n C u r r e n t (A )0.1110100V DS , Drain-to-Source Voltage (V)0.11101001000I D , D r a i n -t o -S o u r c e C u r r e n t (A)510152025Q g , Total Gate Charge (nC)0481216V G S , G a t e -t o -S o u r c e V o l t a g e (V )IRF8721PbF 5Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-AmbientFig 9. Maximum Drain Current Vs.Case TemperatureFig 10. Threshold Voltage Vs. Temperature255075100125150T A , Ambient Temperature (°C)0481216I D , D r a i n C u r r e n t (A)T J , Temperature ( °C )V G S (t h ) G a t e t h r e s h o l d V o l t a g e (V )t 1, Rectangular Pulse Duration (sec)T h e r m a l R e s p o n s e ( Z t h J A )Fig 13. Maximum Avalanche Energyvs. Drain CurrentFig 12. On-Resistance vs. Gate VoltageFig 15b. Switching Time WaveformsFig 14b. Unclamped Inductive WaveformsFig 14a. Unclamped Inductive Test CircuitI ASFig 15a. Switching Time Test Circuit6810121416R D S (o n ), D r a i n -t o-S o u r c e O n R e s i s t a n c e (m Ω)V DDStarting T J , Junction Temperature (°C)V V d(on)rd(off)fV DDIRF8721PbF7DSCurrent Sampling ResistorsFig 16a. Gate Charge Test CircuitFig 16b. Gate Charge WaveformFig 17. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-ChannelHEXFET ® Power MOSFETs* V GS = 5V for Logic Level DevicesIdQgs1Qgs2Qgd QgodrIRF8721PbFSO-8 Package OutlineDimensions are shown in milimeters (inches)IRF8721PbF 9Notes:Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. Starting T J = 25°C, L = 1.09mH, R G = 25Ω, I AS = 11A. Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.When mounted on 1 inch square copper board. R θ is measured at T J of approximately 90°C.Data and specifications subject to change without notice.This product has been designed and qualified for the Consumer market.Qualification Standards can be found on IR’s Web site.IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105TAC Fax: (310) 252-7903Visit us at for sales contact information .07/2007Note: For the most current drawing please refer to IR website at /package/330.00(12.992) MAX.14.40 ( .566 )12.40 ( .488 )NOTES :1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.FEED DIRECTIONTERMINAL NUMBER 112.3 ( .484 )11.7 ( .461 )8.1 ( .318 )7.9 ( .312 )NOTES:1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS(INCHES).3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.SO-8 Tape and ReelDimensions are shown in milimeters (inches)分销商库存信息:IRIRF8721TRPBF IRF8721PBF。

典型DVD机电路分析.

典型DVD机电路分析.


6.2 系统控制电路
3.时钟系统
VCD/DVD机技术
美国Crystal CS4955C0
美国Crystal CS4955C0
松下 MN103S2 6EGA
ES公司 ES4428
VCD/DVD机技术
6.1 整机电路
6.1.2 步步高AB915D型DVD影碟机的芯片配置与主要功能 （1）芯片配置与主要功能 该DVD影碟机配置的芯片及在路编号与功能，如表6-1所列 。各芯片分装在伺服板、主板、面板、卡拉OK板/电源组件 板上，各电路板之间采用连接器方式相互连接。
VCD/DVD机技术
第6章 典型DVD机电路分析
内容提要
本章以步步高AB915D型DVD机为典型实例，介绍了普及型DVD 机的电路构成、性能特点和工作原理，对步步高AB915D型DVD 机的结构、信号的流程、主要集成电路的功能进行了较详细的分 析。在实例分析过程中，着重介绍了步步高AB915D型DVD机中 集成电路整体功能、系统控制电路RF信号处理与数字伺服电路、 数据处理与MPEG-2解压缩技术、音频解码和音频输出电路、电
VCD/DVD机技术
6.1 整机电路
（2）解码板布局 该DVD视盘机将配置的芯片按整台型设计出编号为2915D－2的解码板。其配置的 数字信号／数字伺服控制电路、解码系统、视频编码器、音频DAC．音频放大、复位 与27MHZ晶体振荡器等芯片及有关相连的连接器的分布，如图所示。
VCD/DVD机技术
6.2 系统控制电路
VCD/DVD机技术
6.1 整机电路
项目 电路板 伺服板 编号 IC2501 IC5201 U201 U202 U204 U205 U206 U207 主板 U208 U210 U211 U219~U211 U301 U302 U304 U305 面板 U701 U601/602 卡拉 OK/电源 板 U603 U501 U502 U503 集成电路型号 BA5833FM-E2 AN8708FHK ES4428 24C02N HY57V641620HG 74HCU04D CS4955-C0 CS4360KZEP HY29F800TC V6300 7KL05 C4558 MN103S26EGA MN102H60 LM111 HA330 PT6312 4558 TP2399 5L0380R NEC250 LM431 功能说明 四通道伺服驱动 RF 信号处理 解码、嵌入式微控器 E2PROM（用户参数设置） SDRAM（数据存储器） 非门构成的 27MHz 晶体振荡 视频编码器 6 通道音频 DAC FLASH（程序存储器） 复位电路 +5V 稳压器 低放 数字信号/数字伺服处理电路 机芯微控器 +1.7V 稳压器 +3.3V 稳压器 操作显示 话筒放大 延迟混响 开关电源电路 光耦合器 取样比较器
D80421概述特点应用领域管脚图输出功率表典型应用

D80421概述特点应用领域管脚图输出功率表典型应用

概述D80421是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能的原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒流输出，精度小于±5%，无需环路补偿，并可使系统节省光耦，TL431以及变压器辅助绕组等元件，降低成本。

芯片内部集成了逐周期峰值电流限制，FB过压保护，输出开/短路保护和开机软启动等保护功能，以提高系统的可靠性。

特点●宽电压85Vac~265Vac输入电压范围内恒流精度小于±5%●全电压范围内兼容1~3W●无需辅助绕组的原边反馈控制技术可使系统节省光耦、431等元件●无需环路补偿●内置前沿消隐电路(LEB)●逐周期峰值电流比较●输出开/短路保护●内置开机软启动●内置FB过压保护及短路保护等功能●封装形式：SOP8应用领域●LED照明驱动管脚图输出功率表典型应用内部方框图管脚示意图管脚说明极限参数电气工作参数功能表述D80421芯片是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，全电压输入范围内，恒流输出精度小于±5%。

D80421芯片通过原边采样的方式来控制系统的输出，内部集成高压工艺，节省光耦和TL431等元件。

芯片内部集成了逐周期峰值电流限制，FB过压保护，输出开/短路保护和开机软启动等保护功能，以提高系统的可靠性。

启动和控制D80421芯片内部集成高压功率开关，通过高压启动，省掉传统电路的外部启动电阻，以及辅助绕组的供电电路，极大的降低了系统成本。

工作原理D80421芯片要实现原边高精度的恒流控制，反激电源应用系统必须工作在不连续模式(DCM)下。

芯片通过检测原边辅助绕组的反激电压，来控制输出电流电压。

输出电流仅由变压器的匝比及峰值电流控制：IO =2/7×N×IP（1）注：Io为输出电流；N为变压器匝比；ŋ为转换效率工作频率D80421芯片开关频率由负载大小来控制，不需要外接频率设置元件（最大开关频率要小于65K ）。

IC 知 识 简 介

IC 知 识 简 介

IC 知识简介IC知识一一、IC的分类IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用最广、发展最快的IC品种。

数字IC就是传递、加工、处理数字信号的IC，可分为通用数字IC和专用数字IC。

通用IC：是指那些用户多、使用领域广泛、标准型的电路，如存储器（DRAM）、微处理器（MPU）及微控制器（MCU）等，反映了数字IC的现状和水平。

专用IC（ASIC）：是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。

目前，集成电路产品有以下几种设计、生产、销售模式。

1．IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯片自行销售。

2．IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。

设计公司将所设计芯片最终的物理版图交给Foundry 加工制造，同样，封装测试也委托专业厂家完成，最后的成品芯片作为IC设计公司的产品而自行销售。

打个比方，Fabless相当于作者和出版商，而Foundry相当于印刷厂，起到产业"龙头"作用的应该是前者。

二、世界集成电路产业结构的变化及其发展历程自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。

回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到今天特大规模集成电路（ULSI）发展过程的最好总结，即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统（System-on-board）到片上系统（System-on-a-chip）的过程。

在这历史过程中，世界IC产业为适应技术的发展和市场的需求，其产业结构经历了三次变革。