复旦微电子考研心得复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下!介绍下心得和情报吧！复旦没有想象的那么难，但也不简单。
分析一下，复旦专业课最高分132，还是一个哈工大的人考的，所以专业课难大家都难，复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大，但同样不能忽视专业课的复习。
考复旦，基础课一定要好，英语70+数学130+，专业课考个110左右，这样总分就差不多了。
1.复旦07年设计的复试线是343，比06年的369低了20多分吧！今年题目比较难。
2.大家不要轻信网上买的复旦资料，我买了一份，200块，拿到手一看一无是处，我复习的时候根本就没有看买的那些资料。
3.复试非常重要，今年有个360+的被刷了。
专业背景很重要，所以不鼓励跨专业。
下面谈谈专业课复习1)模电看的是（童）的书，错误很多，我是都看完了，课后习题全做了。
又听网上介绍买了一本清华出的习题集（唐竞新），作完后感觉没什么用处，题目重复很多，还超范围，可以说完全没必要买这本习题集。
大家把童的书多看几遍就没问题了。
今年听说复旦出了一本模电，没有看过，不评论。
2)数电看的是复旦的教材（陈光梦）和配套的教学参考，这本书写的非常不错，内容和讲解都很详细，错误只有一两处吧！课后习题当然是全做了，06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像，07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。
读看几遍吧，基础差的可以找别的数电来加强一下。
3)集成电路部分说真的，这部分内容我还是不知道怎么考的，非常乱。
06年出了一道VHDL的题，07年一道版图，一点规律都摸不到。
要说经验，先把考试大纲上要求的概念背下来吧，再看看CMOS，CMOS上的几个公式非常重要。
07年模电部分的一道大题，差分放大，恒流源的电流没有直接给出来，而是用CMOS上的电流公式求解。
解出来电流，整个题就非常简单了。
题目很简单，但是没看过CMOS，电流不会求，这个题得不到分了。
CMOS的内容还是有点多，我有复旦老师总结的10多页资料，记下来就好了。
ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了，听听工大自己开的课。
05年考的判断电路故障的一维通路敏化法，工大老师就讲过。
总体来说,大家先树立考复旦的信心!付出总有回报,坚持到底,希望明年能见到工大的学弟学妹^_^心得之二:总体感觉复旦的微电子不论初试还是复试还是挺公平的,我认识一个那边的研究生,他本科就在复旦读,他说他们考研之前专业课的老师是不会划题目划范围的,所以他们在专业课上的优势不会有其它一些学校那么强,当然由于他们有本科笔记以及期末考试这些原因,绝对的公平是做不到的。
下面就具体说一下吧。
公共课就不多说了，主要讲下专业课。
复旦微电子专业分设计方向和工艺方向，今年设计方向复试线是343，工艺方向是353，虽然设计的线比工艺线低了10分，但设计绝对是比工艺难考得多的，工艺初试时考半导体物理和半导体器件，而设计则要考模电，数电，模拟集成电路，数字集成电路，专用集成电路。
其中后面三门课是校外考生最担心的。
考研公共课自然不用说，全国统考，大家都用一本大纲，但专业课每个学校的侧重点和考试风格都不一样，所以这样的情况下及时抓取你所报考学校学员的信息很重要，如果跨考可能难度就更大，我在北京爱考机构的专业课辅导老师就是北大光华的研究生，信息量自然不用说，连复试导师喜欢听啥都能知道，不用有那些后顾之忧，我才可以踏踏实实安心背书，在分数上下硬功夫。
大家要考设计的话就要好好衡量后再作决定。
模电在今年八月分以前指定参考书是童诗白的模电，八月分后是童诗白或者陈光梦的模电，陈光梦的模电是复旦自己出的，比起童诗白的那本要薄许多，假如大家觉星童诗白的那本太厚了可以看另外一本，我看过一下内容，考试范围应该没超出其讲的内容。
总的来说，大家要是大二时好好学过模电的话是不用太担心的，模电每年考试的内容大概是概念题，计算题（通常是多级放大电路的计算），然后是含有运放的电路分析，有时也会出差分电路。
当然这只是大概来讲，大家复习时要把考试大纲上列的内容都复习到。
数电是大家要注意的，指定参考书是陈光梦编的《数字逻辑基础》，即使你大二时数电学得相当好也要当心，因为它考的比我们学的前进许多。
例如今年的数字电路部分有这样一些题目：设计一个三人表决电路,两人以上同意即通过.给出一个逻辑函数分别用4选一八选一与非门实现用全加器实现四位数的加减法运算选用D触发器组成可以自启动的扭不形6进制计数器.再用扭环形计数器实现100100序列检测101的序列检测器。
大家可以看出第一，二题大部分学过数字电路的同学都可以很快做出，但后面的要是不经过复习是很难做出来的。
所以大家要听LZ的话，课后习题要好好做。
最好做一下前几年的复旦电子线路的题目，那时的数电更加难呵。
模拟集成电路用的是UCLA教授拉扎维的《模拟CMOS集成电路》，这本书是模拟集成电路教材中的经典。
注重培养读者设计电路时的直觉，因此其对一些问题的论述好是奇妙。
再加上西安交大的中译版译得很不错，因此他是初学者必看的一本书。
不过对于考研如我辈者，要把他啃下来甚是费劲，从05年开始加入了这一内容，05考的是gain boost中的一道例题，06考的是二极管连接作为负载的共源级，负载器件旁边并联了一个电流源，这也是书上的一道例题，可今年考的源跟随器加电流镜似乎在书上找不到对应例题，而且这题里有许多小题，最后一小题还考到了频率特性那一章中求-3db点的内容，所以要拿高分实在不容易呵！数字集成电路指定参考书是UC.Berkeley教授Jan M.Rabaey写的《数字集成电路设计透视》，这是数字集成电路设计的一本经典教材，现在已出了第二版，复旦指定的是第一版，而且是英文版，由于现在第一版已经不好找了，而且第一版没有中译版，所以大家可以可以看第二版，电子工业出版社出了它的中译版。
我看了一下，第二版中与我们相关的改动主要是器件模型方面，他在一些推导中考虑了短沟道下的速度饱和效应，因此管子在饱和时沟道电流不遵循平方律，而改以另外一个公式。
所以推导有时看起来会觉得挺复杂的。
还有的是第二版把ECL，TTL的一些内容删除，只讨论MOS。
但实际上05年以来，数字集成电路部分没考过计算题，所以用不到公式，要是以后用的话，大家用平方律的公式就好啦。
其它的由推导得出的一些结论两版基本一致。
这一部分05年考的是CMOS的latch up效应，06考的是传输管逻辑的内容，今年考的是CMOS逻辑，其中还考到了版图，不是微电，电科出身的同学要注意呵。
专用集成电路部分出题的确没什么规律，不过似乎每年都得考一点测试方面的内容，如05考了一维敏化法求测试向量，DFT的概念，06考了故障覆盖率的概念，今年考了s-a-0的概念以及提高故障覆盖率的意义。
除此之外也考过硬件描述语言（06）ASIC的分类及特点。
这部分现在的指定参考书是复旦自编的专用集成电路讲义。
电科，微电同学要做的是大四上你们开的VHDL，和CAD两门课不要逃。
总体来说复旦专业课考的东西很多，要求有一定的专业背景，本专业的同学最好不要逃专业课，像集成电路基础这一大四上开的课还是要上的，电科的同学还要做课程设计，其中就有做版图的内容，幸好这次课程设计认真做了，所以数字IC的那题答得还可以。
还有学习模拟集成电路对半导器件的知识还有要求的,所以这学期电科和微电同学的半导体器件课也要上，特别是MOS部分。
最后说说复试，情形大概也就像LZ所说的，不会单独考听力，口语是念一篇英文科技文章，然后summary，总结出来的大概就不会要你用英语闲扯了。
接着的专业问答每个人不一样，问我的主要内容是数字IC和CAD方面的内容，如CMOS比起NMOS组成反相器有什么优点，前仿真和后仿真的区别，LVS，ATPG的概念等。
还问了我一下本科阶段做过的事，课程设计，毕业设计。
所以复旦的确很重视学生的专业背景。
心得大概也就上面这些，回想起这一年来的事，自己觉得结果是来之不易，因为身体在这一年来一直不太舒服，生活中还受到许多杂七杂八的事的缠绕，所以心里的压力一直都挺大的，有时觉得是任何希望都没有了，但就是一坚持下来，黎明前另人膣息的黑暗始终会过去的，清爽的早晨终究会到来。
大家加油呵！！！！！复旦微电子考研综合贴（二）-关于复试4月7号下午面完,复试还比较难,那些导师都比较牛,问的问题基本上都答不全,或是不知道!可能是想告诉你接下来还有很长的路要走吧!总之,过场+警示,应该就是复旦面试的目的了。
今年面试的设计30,工艺38人;设计考的太差了,居然专业只有80+的线,30人中好像有6-7个专业没上90,但应该可以全部录取了。
每个人的问题都不相同,是根据你提供的信息问问你,但你基本上都会答不出来!我的面试情况是:首先让看两段英文还有4个图片(rabaey第一版的绪论),给一分钟,然后叫你用英语复述,这个熟的很,绪论的东西,我虽然看的第二版,但应该不下N遍吧,不过复述的确很难的。
不知道哪里是重点。
胡乱讲了几句,老师说可以了,现在想想好像每句都有语病,只是可能口音比较british,看来几年的BBC还是有效果。
然后就用英文问我的学校及一些情况,我就答了。
英语对了一会,老师也没评什么,就说可以用中文了。
然后问我对什么感兴趣,比如模拟还是数字。
我就说本来想做模拟,打算做ADC,后来分析了一下还是觉得做数字比较好,还举了一例。
结果出了点问题,这两个方面都被老师问到了,问了个采样保持,还有就是Flash memory单元结构。
很难过,以前只看到过,但没有记住。
问的我都有点傻了,胡乱回了一些,老师们稍微讲了几句,笑了笑。
还问了个全加器的种类,天!我根本没反应过来!后来有个老师解了下围,提示了一下,问我里面哪个信号最重要,我才晃过来,我说是进位信号,那个老师点点头。
我就说全加器有ripple,和超前进位。
老师又问有什么区别。
左边那老师(主要是他问问题)嗯了一声。
问完,右边那老师看了下表,说可以了。
我就问了句可以了?说“可以了”我就谢了声,然后出去了。
15分钟一下子就过了。
整个气氛还是比较好,不是很紧张。
不出意外的话,应该没什么问题吧。
【可能还有一些细节忘掉了,我们那组有些人的英文是自我介绍,还有一个专业问题。
很奇怪,居然没有问我做过什么项目什么的,有人问到了,中文或英文都有,让你讲讲设计过程,及进度或完成情况。
![2018年复旦大学信息科学与工程学院微电子学与固体电子学 [080903]考试科目、参考书目、复习指导](https://img.taocdn.com/s1/m/e2e44a2287c24028915fc37f.png)
