上海电力学院电力电子技术期中试卷

《电力电子技术》试卷1答案一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。

6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。

二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。

（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。

（×）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。

（×）4、逆变角太大会造成逆变失败。

（×）5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。

（√）6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

一、填空题（11 小题，每空0.5分，共22 分）1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。

2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类；1) 的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。

2) 的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的有和。

3) 的电力电子器件被称为不可控器件，如。

3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。

4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，在中小功率领域应用最为广泛的是___________。

5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节，一般采用光隔离，例如；或磁隔离，例如。

6、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。

其中缓冲电路又称为du／dt 抑制电路，用于吸收器件的过电压。

缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和di／dt，减小器件的损耗。

7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路，当负载分别为电阻负载和电感负载时，晶闸管的控制角移相范围分别是多少（用角度表示，如0°～180°）？8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中，当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角θ=_____________。

当控制角α小于停止导电角δ时，且采用宽脉冲触发，则晶闸管的导通角θ=_____________。

9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多，因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。

换流方式可分以下四种： ， ，， 。

10、正弦脉宽调制（SPWM ）技术运用于电压型逆变电路中，改变 _可改变逆变器输出电压幅值；改变 _ _可改变逆变器输出电压频率；改变_ _可改变开关管的工作频率。

电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。

A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。

A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。

A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。

答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。

答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。

答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。

答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。

答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。

答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。

电力电子技术考试试卷一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术是研究什么的学科？A. 电力系统的运行与控制B. 电力设备的设计与制造C. 电力电子器件的工作原理和应用D. 电力系统的经济性分析2. 以下哪个不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）C. 变压器D. 功率模块（PM）3. 电力电子变换器中的整流器主要功能是什么？A. 将交流电转换为直流电B. 将直流电转换为交流电C. 将高压电转换为低压电D. 将交流电的频率进行调节4. PWM控制技术在电力电子技术中主要应用在哪些方面？A. 电机速度控制B. 照明调光C. 电网频率调节D. 所有以上选项5. 电力电子系统中的开关损耗主要由什么引起？A. 电流的变化率B. 电压的变化率C. 电流和电压的乘积D. 器件的热阻6. 以下哪个是电力电子技术中常见的软开关技术？A. 零电压开关（ZVS）B. 零电流开关（ZCS）C. 零电压零电流开关（ZVZCS）D. 所有以上选项7. 电力电子系统中的谐波产生的主要原因是什么？A. 电源的不稳定B. 负载的非线性特性C. 电网的干扰D. 电力电子器件的老化8. 电力电子技术中，同步整流技术的主要优点是什么？A. 提高系统的功率因数B. 减少系统的体积和重量C. 降低系统的电磁干扰D. 减少开关损耗，提高效率9. 电力电子技术中，为什么需要进行电磁兼容性（EMC）设计？A. 为了提高系统的可靠性B. 为了满足安全标准C. 为了减少对其他设备的干扰D. 所有以上选项10. 以下哪个不是电力电子技术中的控制策略？A. 线性控制B. 非线性控制C. 模糊控制D. 遗传算法控制二、简答题（每题10分，共20分）1. 请简述电力电子技术在新能源领域的应用。

2. 简述电力电子技术中软开关技术的优点及其实现方式。

三、计算题（每题15分，共30分）1. 假设一个单相桥式整流电路，负载为纯电阻性，输入电压为220V交流电，求整流后的直流电压值。

2020—2021学年春季学期电力电子与电力传动专业《电力电子技术》期中考试题试卷 （试卷A ）一、填空题。

1．可控硅又称＿＿＿＿，常用的有＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两大类，广泛应用于＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿设备中。

2．利用＿＿＿＿＿＿＿＿＿元件的＿＿＿＿＿＿＿＿＿特性可实现整流，若要实现可控整流可采用＿＿＿＿＿＿＿＿＿元件。

3．单向可控硅内部有＿＿＿个PN 结，双向可控硅有＿＿＿个PN 结。

4．要使导通的可控硅关断，必须＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。

5．可控硅具有＿＿＿＿电控制＿＿＿＿＿电的作用。

6．单向可控硅触发电路常用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿组成触发电路，双向可控硅常用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿组成触发电路。

7．单结晶体管的负阻特性指的是当＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿电流增加时，＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿反而减少。

8．双向可控硅有三个电极＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。

院（系） 班级姓名学号……………………………………………装…………………………订………………………9．二极管的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿，三极管的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，可控硅的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿。

10．单向可控硅导通必须具备两个条件：一是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，二是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。

11．电子线路中的电信号按其信号形式分为＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿两大类，其中＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿都是离散的信号叫数字信号。

12．数字信号的基本工作信号是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿进制的数字信号，对应在电路上需要在＿＿＿＿＿＿种不同状态下工作，即＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。

13．数字电路主要研究电路的输出信号与输入信号之间的＿＿＿＿＿＿＿关系。

14．二极管作为开关使用时，应满足条件：其＿＿＿＿＿＿电阻和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿电阻有＿＿＿＿＿＿＿差别。

电力电子及光伏逆变技术期中试题一、选择题1、下列器件中，不属于全控型器件的是（）。

A、普通晶闸管B、电力场效应晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管2、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管（）的工作特性设计的。

A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域3、单相桥式全控整流电路带电阻负载时晶闸管的移相范围为（）。

A、0º-90°B、0º-120°C、0º-150°D、0º-180°4、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。

A、0.45U2 B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U25、直流斩波电路是一种（）变换电路。

A、DC/ACB、AC/ACC、AC/DCD、DC/DC6、三相电流型逆变电路中，每个桥臂的导电角度为，各相开始导电的角度依次相差，在任一时刻，有个桥臂导通。

（）A、120o、60o、 2B、180o、60o、 3C、120o、30o、 3D、180o、30o、 27、升压斩波电路中，已知电源电压E=8V,负载电压U O=24V,斩波周期T=6ms,则开通时间T =（）。

A、1msB、2msC、3msD、4ms8、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1V4导通，V2与V3关断C、V1V4关断，V2与V3导通图6-49、下面哪种不是交流调压电路的控制方式（）。

A、通断控制B、相位控制C、斩波控制D、调压控制10、以下哪个不属于按逆变器输出交流电能的频率划分的逆变器类型（）A、低频逆变器B、工频逆变器C、中频逆变器D、高频逆变器二、判断题1、全控型器件包括晶闸管、可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管。

（）2、IGBT集中了GTR和电力场效应管分别具有的优点，即电压控制、输入阻抗高、开关速度快、饱和压降低、损耗小、电压电流容量大、抗浪涌电流能力强、无二次击穿现象以及安全工作区宽等。

电力电子技术考试试题(doc 8页)一、填空题（11 小题，每空0.5分，共22 分）1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。

2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类；1) 的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。

2) 的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的有和。

3) 的电力电子器件被称为不可控器件，如。

3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。

4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，在中小功率领域应用最为广泛的是___________。

5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节，一般采用光隔离，例如；或磁隔离，例如。

6、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。

其中缓冲电路又称为du／dt抑制电路，用于吸收器件的过电压。

缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和di／dt，减小器件的损耗。

5、IGBT 综合了（ ）和（ ）的优点，因而具有良好的特性。

A.SCRB.GTOC.GTRD.P.MOSFET F. 电力二极管三、计算题（4 小题，共20分）1、单相桥式全控整流电路，U2=200V ，负载中R=2Ω，L 值极大，反电势E=120V 。

已知控制角的变化范围是： 0°~30°,考虑安全裕量(按1.5倍计算)，确定晶闸管的额定电压和额定电流。

（4分）2、单相全控桥式变流电路工作在有源逆变状态下，已知U2=200V ，电动机反电势E=120V ，负载中R=2Ω，L 极大。

回答下列问题。

(6分)（1）画出变流电路的电路图，并在图中标出在有源逆变初期电动机反电势的极性和变流电路输出直流电压的极性。

（2）逆变角β应限制在什么范围内？画出β＝60°时的d u 和d i 的波形。

2020—2021学年第一学期智能电网信息工程专业《电力电子技术》期中考试题试卷 （试卷十一）一、单项选择题。

1．在P 型半导体中（ ）。

A ．只有自由电子； B ．只有空穴； C ．有空穴也有自由电子； D. 以上都不对； 2．空穴和电子数目相等且数量极少的半导体是（ ）。

A ．纯净半导体； B. 杂质半导体； C. P 型半导体； D. N 型半导体； 3.大功率整流电路应用的二极管类型为( )。

A. 点接触型硅管； B.面接触型硅管； C.点接触型锗管；院（系） 班级姓名学号……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………D. 面接触型锗管；4.PN结的基本特性是( )。

A. 放大；B. 稳压；C. 单向导电性；D. 伏安特性；5.当反向电压增大到一定数值的时候,二极管反向电流突然增大这种现象称为( )。

A. 正向稳压；B. 正向死区；C. 反向截止；D. 反向击穿；6.需要工作在正向电压下的特殊二极管是( )。

A. 稳压二极管；B. 光电二极管；C. 发光二极管；D. 变容二极管；7. 稳压值为6V的稳压二极管，温度升高，稳压值：（）。

A．略有上升；B．略有降低；C．基本不变；D．根据情况而变；8.光电二极管当受到光照时电流将( )。

A. 不变；B. 增大；C. 减小；D. 都有可能；9.变压器次级交流电压有效值为10V ，单相桥式整流时，负载上的平均电压为：（ ）。

A ．9V ；B ．18V ；C ．20V ；D ．28V ；10.在单相桥式整流电容滤波电路中，若发生负载开路情况时，输出电压为（ ）。

A ．0.45U2；B ．0.9U2 ；C ．22U ； D ．222U ；11.桥式整流电路的输出电压的正极应接二极管的（ ）；A. 共负极端；B. 共正极端；C. 正负共接端；D. 不确定；12.下列说法错误的是：（）；A．IE ＝ IB ＋ Ic适合各类三极管；B．Ic＝βIB 适合各类三极管；C．所有三极管放大都要满足发射结正偏、集电结反偏；D．所有三极管放大，三极电位都要满足：Uc＞U b＞Ue；13．工作在放大区的某三极管当I B1＝ 40uA时，I c1＝ l mA，当I B2＝ 60μA时，I c2＝2.2mA，则其β值为：（）；A. 50；B．52.5；C．60；D．57.5；14．测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U B＝1.2V，U E ＝0.5V，U C＝3V，该三极管处在（）状态。

《电力电子技术》试卷3份答案(总14页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--《电力电子技术》试卷1答案一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是 MOSFET和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。

6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。

二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。

（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。

（×）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。

电力电子技术期中考试题及答案专为12自动化出版电力电子技术是现代电气工程领域中的一个重要专业方向，掌握该领域的知识对于电气工程专业的学生来说至关重要。

在12自动化专业中，电力电子技术也是一个重要的考核科目。

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希望对广大学生有所帮助。

一、选择题1. 下面哪一项不属于电力电子技术的研究内容？A. 电力电子设备的拓扑结构与控制策略B. 电力电子器件的性能与参数分析C. 电力电子技术在能源领域的应用D. 电力电子技术与政策法规的关系答案：D2. 电力电子技术是指利用电子器件和控制技术来实现对电力的调控和处理。

下面哪一项不属于电力电子常见的应用领域？A. 变频调速技术B. 电力系统谐波抑制技术C. 火力发电控制技术D. 生物医学器械研发答案：D3. 电力电子器件是电力电子技术的基础，下面哪一项不属于常见的电力电子器件？A. 可控硅B. 二极管C. 晶体管D. 变压器答案：C4. 在电力电子技术中，控制策略是实现对电力的调控和处理的关键。

下面哪一项不属于常见的控制策略？A. 调频控制B. 调幅控制C. 调角控制D. 调制控制答案：B5. 电力电子技术在能源领域的应用越来越广泛，下面哪一项不属于常见的应用之一？A. 光伏发电系统B. 风力发电系统C. 核能发电系统D. 地热发电系统答案：C二、非选择题1. 简述电力电子技术的基本概念以及其在现代电气工程中的作用。

电力电子技术是指利用电力电子器件和控制技术来实现对电力的调控和处理的一门学科。

电力电子技术的研究内容包括电力电子器件的性能与参数分析、电力电子设备的拓扑结构与控制策略、电力电子技术在能源领域的应用等。

在现代电气工程中，电力电子技术的作用十分重要。

它可以实现对电力信号的调制、转换和控制，广泛应用于电力系统、工业控制、电动机驱动、新能源等领域，提高了电力系统的效率和稳定性，推动了新能源的发展。

2. 请简述电力电子器件中的可控硅的工作原理，并说明其在电力电子技术中的应用。

电力电子期中考试试题及答案1. 写出下列电力电子器件的简称：电力晶体管______ ；可关断晶闸管______ ；功率场效应晶体管______ ；绝缘栅双极型晶体管______ 。

空1答案：GTR空2答案：GTO空3答案：MOSFET空4答案：IGBT2. 只有当阳极电流小于______电流时，晶闸管才会由导通转为截止。

空1答案：最小维特3. 晶闸管在其阳极与阴极之间加上______ 电压的同时，门极上加上______ 电压，晶闸管就导通。

空1答案：正向空2答案：触发4. 从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 ______ ，用 ______ 表示。

空1答案：控制角空2答案：α5. 逆变电路分为 ______ 逆变电路和 ______ 逆变电路两种。

空1答案：有源空2答案：无源6. 整流是把______ 电变换为 ______ 电的过程；逆变是把______ 电变换为______ 电的过程。

空1答案：交流空2答案：直流空3答案：直流空4答案：交流7. 逆变角β与控制角α之间的关系为 ______ 。

空1答案：α=π- β8. 三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为 ______ HZ；空1答案：1509. 三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为______ HZ。

空1答案： 30010. 三相桥式全控整流电路是由一组共______ 极三只晶闸管和一组共______ 极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。

每隔60度换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通______ 度。

要使电路工作正常，必须任何时刻要有两只晶闸管同时导通，一个是共______极的，另一个是共______ 极的元件，且要求不是______ 的两个元件。

空1答案：阴空2答案：阳空3答案：120空4答案：阴空5答案：阳空6答案：在同一桥臂上11. 简述晶闸管导通的条件与关断条件。

3、晶闸管触发导通后，其门极对电路。

A.仍有控制作用B.失去控制作用C.有时仍有控制作用4、对于一个确定的晶闸管来说，允许通过它的电流平均值随导电角的减小而。

A.增加B.减小C.不变5、在三相串联电感式电压型逆变器中，除换相点外的任何时刻，均有晶闸管导通。

A.两个B.三个C.四个6、晶闸管三相串联二极管式电流型逆变器是属于导通型。

A.120°B.150°C.180°7、以下几个电路图，哪一个属于器件换流？A BC D8、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的_______来表示的。

A有效值B最大值C平均值9、全控型器件指通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。

以下不属于全控型器件的是______________A.GTOB. 晶闸管C. IGBT D .门极可关断晶闸管10、下面哪种功能不属于变流的功能___________A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波三、简答题（共20分）1、晶闸管正常导通的条件是什么？晶闸管关断的条件是什么，如何实现？（6分）2、简述如下图所示升压斩波电路的基本工作原理。

（8分）3、无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？（6分）四、分析计算题（共30分，每题10分。

）1、在下图所示的降压斩波电路中，已知E ＝200V ，R =10Ω，L 值极大，E M =30V 。

采用脉宽调制方式，当T =50us ，t on =20us 时，计算输出电压平均值U o 、输出电流平均值I o 。

2、某一晶闸管接在220V 交流电路中，通过晶闸管电流的有效值为50A ，问如何选择晶闸管的额定电压和额定电流？3、电压型三相桥式逆变电路如图所示，采用180 导电方式，输入直流电压为200V 。

试求输出相电压的基波幅值UN1m U 和基波有效值UN1U ，输出相电压第5次谐波的有效值UV5U ，输出相电压的总谐波畸变系数。

三、简答题（共20分）1、晶闸管正常导通的条件是什么？晶闸管关断的条件是什么，如何实现？（6分） 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压（UAK>0），并在门极施加触发电流（UGK>0）。

学年第一学期期中考试《电力电子技术》试卷(A)（时间90分钟满分100分）（适用于学院级专业学生）一、填空题（40分,每题1分）1、请分别写出下面电力电子器件的电气符号，并写出它们各自对应的电极;晶闸管；电力晶体管；2、电力电子器件种类很多，按照器件的开关控制特性可以分为三类，分别是、、。

其中电力二极管属于，晶闸管属于，电力晶体管属于。

3、N型半导体是在本征半导体中掺杂了五价元素，其多子是，而P型半导体是在本征半导体中掺杂了三价元素，其多子是。

由N 型半导体和P型半导体结合后构成PN结，PN结具有的特性是，即加正向电压时，加反向电压时。

电力二极管内部的实际结构是个PN结，晶闸管包括个PN结，电力晶体管包括个PN结。

4、晶闸管的三个电极分别是、、，晶闸管的导通条件是、，关断条件是。

可关断晶闸管的导通条件与普通晶闸管相同，关断条件是。

5、整流电路实现电能转换为电能。

逆变电路实现电能转换为电能。

6、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为角，用表示。

晶闸管在一个周期内导通的电角度称为角，用表示。

单相半波相控整流电路带电阻性负载时移相范围是。

单相桥式全控流电路带电阻性负载时移相范围是。

7、电流的波形系数Kf为与的比值。

正弦半波电流的波形系数Kf=1.57，额定电流的有效值为157A,额定电流的平均值是。

8、IGBT是兼具和特性的一种复合器件。

9、单相桥式全控整流电路电感性负载每个晶闸管可承受的最大正向电压是，三相桥式全控整流电路电感性负载每个晶闸管可承受最大反向电压是。

二、选择题（10分,每题2分）1、在室温下晶闸管的门极关断时，元件从通态降至刚好能导通的最小阳极电流称为（）A ILB IGTC IHD IT2、电力晶体管GTR发生二次击穿时不需要具备的条件的是（）A 高电压B 大电流C 高温度D 持续时间3、下面不属于绝缘栅双极晶体管电极的是（）A 栅极B 漏极 C集电极 D 发射极4、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理( )A 30º-35ºB 10º-15ºC 0º-10ºD 0º。

电力电子技术期中考试题及答案（专为12自动化出版）电力电子技术期中考试题及答案选择题1.晶闸管在导通状态下，管耗等于管子两端电压乘以（ c）A.阳极电流B.门极电流C.阳极电流与门极电流之和D.阳极电流与门极电流之差2.电力晶体管（GTR）是一种__________结构的半导体器件。

（d ）A.四层三端B.五层三端C.三层二端D.三层三端3.单相半波可控整流电路，阻性负载，导通角θ的最大变化范围是0°～（d ）A.90°B.120°C.150°D.180°4.三相半波可控整流电路，阻性负载，导通角θ的最大变化范围是0°～（ c）A.90°B.120°C.150°D.180°5.三相全控桥式整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是0°～（ b）A.90°B.120°C.150°D.180°6.三相半波可控整流电路电源电压波形的自然换向点比单相半波可控整流电路的自然换向点（b ）A.超前30°B.滞后30°C.超前60°D.滞后60°7.单相全波可控整流电路，电感性负载，控制角α≤３０°，每个周期内输出电压的平均值为（b ）A.Ud=0.45U2cosαB.Ud=0.9Ｕ2cosαC.Ud=1.17Ｕ2cosαD.Ud=2.34Ｕ2cosα8.三相全控桥式整流电路，电感性负载，控制角α>30°，负载电流连续，整流输出电流的平均值为Id，流过每只晶闸管的平均值电流为（b ）A.Id/2B.Id/3C.2Id/3D.Id9.单相全控桥式有源逆变电路最小逆变角β为（ d）A.１°～３°B.１０°～１５°C.２０°～２５°D.３０°～３５°10.三相全控制桥式有源逆变电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动__________次。

2020—2021学年下学期电子信息工程专业 《电力电子器件》期中标准考试题及答案（试卷二）一、简答题与计算分析题。

1、全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。

答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压,du/dt 或过电流和di/dt, 减小器件的开关损耗。

RCD 缓冲电路中,各元件的作用是: 开通时,Cs 经Rs 放电,Rs 起到限制放电电流的作用;关断时,负载电流经VDs 从Cs 分流,使du/dt 减小,抑制过电压。

2、试说明IGBT 、GTR 、GTO 和电力MOSFET 各自的优缺点。

解:对ⅠGBT 、GTR 、GTO 和电力MOSFET 的优缺点的比较如下表：院（系） 班级 姓名 学号 ……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………3、什么是晶闸管的额定电流？答：晶闸管的额定电流就是它的通态平均电流，国标规定：是晶闸管在环境温度为40°C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温所允许的最大工频正弦半波电流的平均值4、为什么要限制晶闸管断态电压上升率du/dt?答：正向电压在阻断状态下，反向PN结J2相当的一个电容加在晶闸管两端，电压上升率过大，就会有过大的充电电流，此电流流过J3,起到触发电流的作用，易使晶闸管误触发，所以要限制断态电压上升率du/dt。

5、为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt?答：在晶闸管导通开始时刻，若电流上升过快，会有较大的电流集中在门集附近的小区域内，虽然平均电流没有超过额定值，但在小的区域内局部的过热，也会损坏晶闸管的，所以要限制通态电流上升率di/dt。

6、电力电子器件工作时产生过电压的原因及防止措施有哪些？答：(1)、产生原因：a.由分闸,合闸产生的操作过电压;b.雷击引起的雷击过电压;c.晶闸管换相过程中产生的换相过电压。

电力电子技术期中考试题及答案选择题1.晶闸管在导通状态下，管耗等于管子两端电压乘以（ c）A.阳极电流B.门极电流C.阳极电流与门极电流之和D.阳极电流与门极电流之差2.电力晶体管（GTR）是一种__________结构的半导体器件。

（d ）A.四层三端B.五层三端C.三层二端D.三层三端3.单相半波可控整流电路，阻性负载，导通角θ的最大变化范围是0°～（d ）A.90°B.120°C.150°D.180°4.三相半波可控整流电路，阻性负载，导通角θ的最大变化范围是0°～（ c）A.90°B.120°C.150°D.180°5.三相全控桥式整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是0°～（ b）A.90°B.120°C.150°D.180°6.三相半波可控整流电路电源电压波形的自然换向点比单相半波可控整流电路的自然换向点（b ）A.超前30°B.滞后30°C.超前60°D.滞后60°7.单相全波可控整流电路，电感性负载，控制角α≤３０°，每个周期内输出电压的平均值为（b ）A.Ud=0.45U2cosαB.Ud=0.9Ｕ2cosαC.Ud=1.17Ｕ2cosαD.Ud=2.34Ｕ2cosα8.三相全控桥式整流电路，电感性负载，控制角α>30°，负载电流连续，整流输出电流的平均值为Id，流过每只晶闸管的平均值电流为（b ）A.Id/2B.Id/3C.2Id/3D.Id9.单相全控桥式有源逆变电路最小逆变角β为（ d）A.１°～３°B.１０°～１５°C.２０°～２５°D.３０°～３５°10.三相全控制桥式有源逆变电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动__________次。