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【CN109706523A】中红外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用【专利】

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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910150644.1
(22)申请日 2019.02.28
(71)申请人 湖北师范大学
地址 435000 湖北省黄石市磁湖路11号
(72)发明人 吴奇　刘贤　
(74)专利代理机构 黄石市三益专利商标事务所
42109
代理人 林晓珍
(51)Int.Cl.
C30B 29/12(2006.01)
C30B 7/14(2006.01)
G02F 1/355(2006.01)
(54)发明名称中红外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用(57)摘要本发明公开了中红外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用，所述中红外非线性光学晶体材料的化学式为RbCdI 3·H 2O和CsCdI 3·H 2O，它们的晶体空间群均为Pc ；制备时，将R bBr (CsBr)和CdI 2溶于丙酮和水的混合溶液中，采用溶液法制备即可得到RbCdI 3·H 2O和CsCdI 3·H 2O 两种非线性光学晶体材料；本发明的两种非线性光学晶体材料具有较强的可相位匹配的二阶非线性光学效应，在可见光区和红外光区有较宽的透光窗口，具有较高的激光损伤阈值、合成方法操作简单、实验条件温和、产品纯度高、对空气稳定等优点，
能广泛应用于光学领域。

权利要求书1页 说明书4页 附图4页CN 109706523 A 2019.05.03
C N 109706523
A
权　利　要　求　书1/1页CN 109706523 A
1.中红外非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于：所述中红外非线性光学晶体材料的化学式为RbCdI3·H2O和CsCdI3·H2O，将RbBr(CsBr)和CdI2溶于丙酮和水的混合溶液中，采用溶液法制备，即可得到RbCdI3·H2O和CsCdI3·H2O两种非线性光学晶体材料；所述RbBr(CsBr)和CdI2的摩尔数比是1：1。

2.根据权利要求1所述的中红外非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于具体包括以下步骤：将摩尔比为1：1的RbBr(CsBr)和CdI2溶于丙酮和水的混合溶液中，所述混合溶液中丙酮与水的体积比为5-30:1，溶解后将加热至25-50℃，搅拌反应0.5-4h，得到无色透明溶液，于室温下静置，待丙酮挥发完后，再用丙酮和水的混合溶液洗涤、烘干，即可得到无色透明棒状晶体，即为所述的两种非线性光学晶体材料。

3.根据权利要求2所述的中红外非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于：所述混合溶液中丙酮与水的体积比为8:1。

4. 如权利要求1或2所述的中红外非线性光学晶体材料的制备方法所制备的中红外非线性光学晶体材料，其特征在于：所述中红外非线性光学晶体材料的化学式为RbCdI3·H2O 和CsCdI3·H2O，它们的晶体空间群均为Pc，RbCdI3·H2O的晶胞参数为：a = 8.7482(18)Å，b = 7.4018(15)Å，c = 14.741(3)Å，α = γ = 90°，β = 90.113(4) °，Z = 2，CsCdI3·H2O的晶胞参数为：a = 8.9666(7) Å，b = 7.5492(6) Å，c = 14.9311(12) Å，α = γ = 90°，β = 90.4280 (12) °，Z = 2。

5.如权利要求4所述的中红外非线性光学晶体材料的制备方法所制备的中红外非线性光学晶体材料，其特征在于：所述RbCdI3·H2O粉末倍频效应为磷酸二氢钾的2.7倍，全透过范围为0.38-2.8μm、3.1-5.9μm和
6.6-21μm；所述CsCdI3·H2O粉末倍频效应为磷酸二氢钾的2.6倍，全透过范围为0.35-2.8μm、3.1-5.9μm和6.6-21μm。

6. 如权利要求4所述的中红外非线性光学晶体材料的制备方法所制备的中红外非线性光学晶体材料，其特征在于：所述RbCdI3·H2O的带隙值为3.26eV，激光损伤阈值为90MW/ cm2，热失重温度为60℃；所述CsCdI3·H2O的带隙值为3.54eV，激光损伤阈值为100MW/cm2, 热失重温度为50℃。

7.如权利要求4所述的中红外非线性光学晶体材料的制备方法所制备的中红外非线性光学晶体材料在光学领域中的应用。

2。

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非线性光学晶体材料及其制备方法和用途[发明专利]

非线性光学晶体材料及其制备方法和用途[发明专利]

[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公开说明书[11]公开号CN 1737217A [43]公开日2006年2月22日[21]申请号200510019301.X [22]申请日2005.08.16[21]申请号200510019301.X[71]申请人武汉大学地址430072湖北省武汉市武昌珞珈山[72]发明人苏旭 刘涛 秦金贵 张刚 陈创天 吴以成 [74]专利代理机构武汉天力专利事务所代理人程祥 冯卫平[51]Int.CI.C30B 29/22 (2006.01)C30B 1/00 (2006.01)H01S 3/16 (2006.01)权利要求书 1 页 说明书 4 页 附图 3 页[54]发明名称非线性光学晶体材料及其制备方法和用途[57]摘要本发明公开通式为：Hg a O b SO 4式中a＝2－3，b＝1－2的非线性光学晶体材料。

其制备方法为：将摩尔比为2∶1或1∶1的HgO和HgSO 4碾磨均匀，装入安培管中；然后将安培管抽真空至0.1Pa以下，封管；置入马弗炉中，在500～540℃之间反应100小时以上，即得到上述非线性光学晶体材料。

上述非线性光学晶体材料在紫外到近红外光区有很大的透光窗口，有较大的二阶非线性光学系数，有良好的物化稳定性，并能得到较大尺寸的单晶，因此可用作二阶非线性光学材料。

200510019301.X权 利 要 求 书第1/1页1.非线性光学晶体材料，其通式为：Hg a O b SO4式中当a＝2时，b＝1；a＝3时，b＝2。

2.权利要求1所述非线性光学晶体材料的制备方法，其特征是：将摩尔比为2∶1或1∶1的H g O和H g S O4碾磨均匀，装入安培管中；然后将安培管抽真空至0.1P a以下，封管；置入马福炉中，在500～540℃之间反应100小时以上，即得到非线性光学晶体材料。

3.权利要求1所述非线性光学晶体材料在光学领域中的应用。

4.根据权利要求3所述的用途，其特征是：所述晶体材料分别在0.5-7.2μm或0.2-7.2μm波段对激光倍频的应用。

【CN109706519A】一种二阶非线性光学晶体材料及其制备方法和应用【专利】

【CN109706519A】一种二阶非线性光学晶体材料及其制备方法和应用【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910162733.8(22)申请日 2019.03.05(71)申请人 中国科学院理化技术研究所地址 100190 北京市海淀区中关村东路29号(72)发明人 李如康　孟祥鹤　夏明军　(74)专利代理机构 北京正理专利代理有限公司11257代理人 赵晓丹(51)Int.Cl.C30B 7/10(2006.01)C30B 29/54(2006.01)G02F 1/355(2006.01)G02F 1/37(2006.01)(54)发明名称一种二阶非线性光学晶体材料及其制备方法和应用(57)摘要本发明公开了一种二阶非线性光学晶体材料及其制备方法和应用。

本发明提供了一种二阶非线性光学晶体材料，其化学式为C s 3N a (H 2C 3N 3O 3)4·3H 2O。

本发明还提供了上述二阶非线性光学晶体材料的制备方法，包括如下步骤：将原料混合物采用水热法进行晶化，获得二阶非线性光学晶体材料；其中，所述原料混合物包括含钠化合物、含铯化合物、氰尿酸和水。

本发明还提供了上述二阶非线性光学晶体材料在制备激光倍频转化器中的应用。

本发明提供了一种新的二阶非线性光学晶体材料Cs 3Na(H 2C 3N 3O 3)4·3H 2O，其粉末倍频测试结果显示其倍频效应与磷酸二氢钾(KDP)晶体相当，是潜在的非线性光学晶体材料。

权利要求书1页 说明书7页 附图2页CN 109706519 A 2019.05.03C N 109706519A权　利　要　求　书1/1页CN 109706519 A1.一种二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，所述二阶非线性光学晶体材料的化学式为Cs3Na(H2C3N3O3)4·3H2O。

2.根据权利要求1所述的二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，所述二阶非线性光学晶体材料属于正交晶系，空间群是Pmn21。

红外非线性光学晶体KAgGaSe及其制备方法和用途[发明专利]

红外非线性光学晶体KAgGaSe及其制备方法和用途[发明专利]

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202011109368.3(22)申请日 2020.10.16(71)申请人 扬州大学地址 225009 江苏省扬州市大学南路88号(72)发明人 郭胜平　李佳诺　(74)专利代理机构 南京理工大学专利中心32203代理人 邹伟红(51)Int.Cl.C30B 29/46(2006.01)C30B 1/10(2006.01)G02F 1/355(2006.01)(54)发明名称红外非线性光学晶体KAg 3Ga 8Se 14及其制备方法和用途(57)摘要本发明涉及一种红外非线性光学晶体KAg 3Ga 8Se 14及其制备方法和用途。

该晶体的化学式为KAg 3Ga 8Se 14，分子量为2025.91，结晶于非中心对称的单斜晶系空间群Cm ，其晶胞参数为：a =12.8805(5)Å,b =11.6857(4)Å,c =9.6600(4)Å,α=γ=90°,β=115.9980(1)°,Z =2,单胞体积为1306.87(9)Å3。

本发明提供的KAg 3Ga 8Se 14晶体具有倍频效应高、抗激光损伤阈值高、红外透过范围宽、空气中稳定等优点，是一种新的红外非线性光学晶体材料，可作为近红外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。

权利要求书1页 说明书2页 附图4页CN 112323145 A 2021.02.05C N 112323145A1.一种红外非线性光学晶体，其特征在于，它的化学式为KAg 3Ga 8Se 14，分子量为2025.91，结晶于非中心对称的单斜晶系空间群Cm ，其晶胞参数为：a = 12.8805(5) Å, b =11.6857(4) Å, c= 9.6600(4) Å, α = γ = 90°, β = 115.9980(1)°, Z = 2, 单胞体积为1306.87(9) Å3。

一种中红外非线性光学晶体材料RbIOF及其制备方法和应用[发明专利]

一种中红外非线性光学晶体材料RbIOF及其制备方法和应用[发明专利]

专利名称：一种中红外非线性光学晶体材料RbIOF及其制备方法和应用
专利类型：发明专利
发明人：吴奇,秦金贵
申请号：CN201510071737.7
申请日：20150211
公开号：CN104611769A
公开日：
20150513
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种中红外非线性光学晶体材料，其化学式为RbIOF，上述材料的晶体空间群为Pca21，晶胞参数为a = 8.567(4) ?、b = 6.151(3)?、c = 8.652(4) ?、α = β = γ = 90、Z = 4。

本发明还提供了上述晶体材料的水热法制备方法，本发明制得的中红外非线性光学晶体材料具有较强的能相位匹配的倍频效应（SHG)，Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾（KDP)的4倍；激光损伤阈值至少为700 MW/cm，是目前的商用的中红外非线性光学晶体材AgGaS 的激光损伤阈值的23倍以上；在可见光区和中红外光区有较宽的透过范围，完全透过波段为0.29?12微米；不含结晶水，对空气稳定，且热稳定性较好；可利用简单的溶剂挥发法制备单晶材料。

申请人：武汉大学
地址：430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
国籍：CN
代理机构：武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：张火春
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