可控硅的测量方法

第 1 页 共 2 页 z3m可控硅参数

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目录

1.引言

2.z3m 可控硅的基本概念

3.z3m 可控硅的主要参数

4.z3m 可控硅参数的测试与调整

5.应用实例

6.结论

正文

1.引言

可控硅，全称为可控硅控流器件，是一种具有三个控制电极的四层三端的半导体器件。它是一种能够在特定电压下导通并在电流达到一定值后截止的半导体器件。z3m 可控硅是其中一种型号，广泛应用于交流电路中的整流、交直流转换、逆变等电路。

2.z3m 可控硅的基本概念

z3m 可控硅的主要构成部分包括 n 型半导体、p 型半导体以及控制极。其中，n 型半导体与 p 型半导体之间有一层 P-N 结，控制极则用于控制导通与截止。z3m 可控硅具有电压控制的特点，即当控制极电压达到一定值时，主电路才开始导通。

3.z3m 可控硅的主要参数

z3m 可控硅的主要参数包括：额定电压、额定电流、控制极触发电压、动态响应特性等。

- 额定电压：指可控硅在正常工作状态下所能承受的最大电压。 第 2 页 共 2 页 - 额定电流：指可控硅在正常工作状态下所能承受的最大电流。

- 控制极触发电压：也称为门限电压，是指控制极电压达到一定值时，可控硅开始导通的电压。

- 动态响应特性：是指可控硅在接收到触发信号后，从截止到导通的时间。

4.z3m 可控硅参数的测试与调整

为了保证 z3m 可控硅的正常工作，需要对其参数进行测试与调整。测试方法主要包括：静态测试和动态测试。静态测试主要是测量可控硅的静态工作点，动态测试则是测量可控硅的动态响应特性。调整方法主要包括：选用合适的触发信号源、调整触发信号的脉冲宽度等。

5.应用实例

z3m 可控硅广泛应用于交流电机调速、逆变器、整流器等电子设备中。例如，在交流电机调速系统中，通过调整可控硅的导通角，实现对电机转速的无级调速，从而满足不同工况的需求，提高系统的能源效率。

一、 可控硅击穿原因：

1、RC电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收（平波作用），RC时间常数应和尖峰脉冲上升沿时间一致，并且要注意电容的高频响应，应使用高频特性好的。

2、压敏电阻本身有反应时间，该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽度，而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性，实际的和标识的值有一定的误差。

3、击穿的可能性好多种,过电流,过电压.短路,散热不好都会被击穿.RC电路或压敏电阻只是吸收尖峰脉冲电压.和涌浪电压用的有条件.可以增大双向可控硅容量，这能有效减少以上的问题,如果是短路就要查明短路原因

二、问题例子：

最初使用MOC3061+BT131控制电磁阀，BT131击穿很多；后来将BT131更换成BT136虽然有多改善，但还是偶尔有击穿。电路图如下

实际电路中R56没焊，R55为330欧姆。

电路有RC吸收、压敏电阻保护电路，负载为电磁阀，负载电流最多不超过100mA，按说1A的BT131就已经足够了，但使用4A的BT136还偶尔会坏，是可控硅质量问题，还是我的电路参数有问题？

另外，有谁知道可控硅的门极触发电流是怎么计算得来的？

在之前的BT131电路中R55、R56的阻值是330欧姆，后来的BT136电路中去掉了R56、R55的阻值还是330欧姆。

是不是这个值太小了，触发电流太大引起的损坏？

关于电路图做一下补充：

1.电阻R68实际用的是75欧姆 2.电容C11用的是103 630V（0.01u）

3.压敏电阻R75用的是471V的

回答一：

对双向可控硅驱动，技术已十分成熟了。对感性负载，驱动电路不要这样接，有经典的参考电路，请参考相应的资料。

我认为该处应该用ＣＢＢ电容(聚丙烯电容（CBB）)，其特性有利于浪涌的吸收。如果受体积限制，类似的电路我也这样用。

ＣＢＢ电容

回答二：

照这个图来做，烧了可控硅那就是你的质量太差了！

此电路我用了3年，现在还在用。

左边的电路为恒流，输入5-30V都不会烧坏光耦。

判断引脚极性

方法一：

由双向可控硅的内部结构可知，控制极G与主电极T1之间是由—块P型半导体连接的，两电极间的电阻（体电阻）为几十欧姆，根据公特点就可以方便地判断出各电极来。

先确定主电极T2：将万用表置在R×10档，用黑表笔接住任—电极，再用红表笔去接另外任一电极，如果头指示为几十欧姆电阻，就说的两表笔所接电极为控制极和主电极T1，那么余下的电极便是主电极T2；如果指针不动，仍停在∞处，应及时调整表笔所接电极，直到测出电阻值为几十欧姆的两电极，从而确定主电权T2为止。

再区分控制极G和主电极 T1：现假定两电极中任一为主电极T1，则另一个就为为控制极G，万用表置于R×10挡，用黑表笔接主电极T2（已确定），再用红表禾去接假定的主电极主“T1”，并用红表笔笔尖碰一下G后再离开，如果表针发生偏转，指示在几或几十欧姆上，就说明假定的主电极"T1”为真正的主电极T1，而另一电极也为真正的控制极G；如果表针没有偏转，说明假定是错的，应重新假定T1和G，即让黑表笔仍接T2，而将红表笔接新“T1”，如果判别结呆同上，即对区分出控制极G和主电极T1。

方法二：

先确定主电极T2：将万用表置于R×1k档，现假定双向可控硅任意一个脚为主电极“T2”，并用黑表笔接“T2”，再用红表笔去分别触碰另外两个电极，如果指针没有偏转，指示在∞处，就说朋黑表笔所接为主电极T2，这是因为主电极T2与T1和G之间有多个正反相的PN结，它们之间的电阻是很大的；如果红完笔触碰其中的—个电极时指针不偏转，而触碰另一个电极时发生了偏转，说明原来的假定是错的，应重新假定T2，再按上述方法测试判断，直至找到真正的T2为止。

找到T2后，剩下的两个电极就是G和T1，由于设计上的需要以及内部结构特点决定，G和T1之间仍然存在正反向电阻特性，只是正反向电阻差别不是很大。将万用表置于R×10档，两表笔与G、T1相接，测试正反向电阻，以阻值小的那次为准，黑表笔接的电极为主电极T1，而红表笔接的电极为控制极G。

可控硅引脚判别

单向可控硅的三个脚可用万用表R×100来区分。根据单向可控硅的内部结构可知:G、K之间相当一个二极管，G为二极管正极， K为负极，所以按照测二极管的方法，找出三个极中的两个极德其正反向电阻，电阻小的一次，万用表黑表笔接的是G极，红表笔接的是K极剩下的一个是A 极。 还有一种方法就是先用万用表R×1挡测量三个脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚是阳极。再将万用表置于R×10K挡，用手捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。 双向可控硅的电极判断与此类似，由结构图可知其G极与T1极是相通的，再根据其双向导通的特性作进一步判别，具体方法如下:用指针万用表R×1Ω档测三引脚间阻值，与其余两脚均不通(正反阻值达几百KΩ以上)的为T2极。剩余两脚正反向均通(约为几百Ω)，但阻值相对较小时黑表笔所接的为G极，红表笔所接的为T1极。接着测试工作情况，用红黑表笔分别接触T2极和T1极，再用接触T2的表笔同时碰触剩余的G极，若表针偏转角度都较大且能一直保持，则说明可控硅正常，否则质量欠佳不宜使用。 判别测量时需要注意的是，对3A或3A以上的可控硅，务必选用万用表的R×1Ω档，否则难以维持导通，而1A的可控硅还可以使用R×10Ω档测量。