模拟电子技术习题集参考答案
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第一章 参考答案
一、判断题
1、√ 2、× 3、√ 4、√ 5、× 6、×
二、单项选择
1、(a) 2、(c) 3、(c) 4、(a) 5、(c) 6、(c) 7、(c) 8、(b) 9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)
三、 解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，
UO6≈－2V。
四、 解：UO1＝6V，UO2＝5V。
五、解：ui和uo的波形如题5解图所示。
题6解图
题5解图
六、解：ui和uo的波形如题6解图所示。
题6解图
七、解：1、当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V33.3ILLOURRRU
当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
UO＝UZ＝6V
同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。
2、 RUUI)(ZIDZ29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图
第二章 参考答案
一、判断
1、√ 2、× 3、× 4、√ 5、× 6、√ 7、× 8、× 9、√ 10、×
11、√
二、单项选择题
1、(c) 2、(a) 3、(b) 4、(b) 5、(c) 6、(a) 7、(a) 8、(a) 9、(b) 10、(c)
11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a)
21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b)
31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b)
40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)
二、填空题 1、NPN,PNP；硅，锗；电子和空穴。2、P区和N区的位置不同。3、1，小。4、集电极。5、1mA， 99mA。6、共射极、共集电极，共基极接法。7、降低，增大，增大。8、(BR)CBOU，(BR)CEOU。9、 0.5V，0.1V。0.7V，0.2V。 10、减小。11、发射极，集电极，基极，PNP，锗。12、线性放大， BI，CEU 、CI。13、管子的结温允许值的大小。14、15mA, 100mA, 30V。15、电压。16、饱和，截止，①静态工作点不合适，太高或太低；②输入信号幅值太大。17、饱和，截止。18、饱和，截止。19、],min[2CCQCEQoppRIUU；]//,min[2LCCQCEQoppRRIUU。小了。20、温度变化引起元、器件参数变化，直流负反馈。21、k1。22、共集电极，共基极，共射极。共基极，共集电极。23、直接耦合，变压器耦合，阻容耦合。24、零点漂移，静态工作点相互影响。25、输出信号。26、80，410。27、线性失真，频率失真。28、幅度，相位。29、频域法和时域法，或稳态法和瞬态法。30、耦合电容和旁路电容；结电容，分布电容。31、共基极。32、3，45。 33、降低；升高。34、 ① 不变，减小，不变。② 减小，不变，增大。③不变，不变，减小。
四、解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为
26bBEBBBRUVIμA
V2mA6.2
CCCCCEBCRIVUII
所以输出电压UO＝UCE＝2V。
（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
k4.45A6.28mA86.2BBEBBbCBcCESCCCIUVRIIRUVI
五、解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能
六、解 由于负载开路，C2不影响整个电路的fL。又因为当f=fL 时，CE的容抗值远小于RE，因此可以忽略RE的影响，然后再将Ce等效到基极回路，它等效到基极回路的等效电容为0e1C ，并与C1串联。串联后总的等效电容为：
e10e1)1(CCCCC 故
Hz7.25510471010104.1π210471010)1001(π2)1(π2166366e1bee10beLCCrCCCrf
七、解 1、采用估算法。由图可知
V7.515304930CCB2B1B1BQVRRRU
故 mA5.227.07.5EBEQBQEQCQRUUII
V5)22(5.215EEQCCQCCCEQRIRIVU
2、 k35.15.22610130026)1(EQbbbeIrr
7435.12//2100//beCLumrRRA
k35.135.1//30//49////beB2B1irRRR
k2CoRR
3、 当电路中只有一个惯性环节时，电路的截止频率可以表示为RCf21，其中R为
电容C所在回路的等效电阻。
在高频区，根据题意，晶体管的结电容可以忽略，影响电路上限截止频率的电容只有负载等效电容LC。故电路的上限截止频率为
kHz5.99)2//2(10160021)//(2112CLLHRRCf
在低频区，影响下限截止频率的电容有1C、2C和EC。可以分别考虑输入回路电容（1C、EC）和输出回路电容（2C）的影响，再综合考虑它们共同作用时对电路下限截止频率的影响。
只考虑输出回路电容2C时
Hz410)22(101021)(2136LC2L2RRCf
只考虑输入回路电容1C和EC时，为了简化计算，忽略偏置电阻及射极电阻的影响，把射极旁路电容EC折算到基极回路，则有
Hz253100110471035.114.3211π2111π2163EbeE1E1beL1CrCCCCrf
由于L1L2ff，所以电路的下限截止频率为
Hz253L1Lff
4、由于V5.2101105.233LCQRIV415CESCEQUU，即电路的最大不失真输出电压受截止失真的限制，故电路的动态范围
V55.222LCQoppRIU
输入电压最大值
mV3474252uoppuopipAUAUU
5、由上述分析可知，当输入电压iu的最大值大于Ui p时，电路将首先出现截止失真
八、解 1、估算两级电路的静态工作点，计算两个晶体管的输入电阻be1r和be2r
第一级： μA2010512507.015)1(E11B1BE1QCCB1QRRUVI
k6.1102026300IU3-B1QTbbbe1rr
第二级： 对基极回路进行戴维南等效，得
V5.215105010CCB22B21B22B2QVRRRU
k33.810//50//B22B21B2RRR
故 A281.15133.87.05.2))(1(E2E22B2BE2QB2QB2QRRRUUI
k23.1102826300I3-B2QTbbbe2Urr
2、因为电路第一级为共集电极放大电路，第二级为共射极放大电路 故 271.05123.110//1.550)1(//E22be2LC22u2u2u1uRrRRAAAA
k1.5C2oRR
又因为第二级电路的输入电阻k3.7])1(//[E22be2B2i2RrRR
k116)]3.7//10(516.1//[250)]//)(1(//[i2E11be1B1iRRrRR
第三章 参考答案
一、判断
1、× 2、√ 3、√ 4、√ 5、√ 6、×
二、单项选择题
1、(b) 2、(c) 3、(b) 4、(a) 5、(a) 6、(b) 7、(b) 8、(c) 9、(a) 10、(c) 11、(b) 12、(b) 13、(b) 14、(a) 15、(b) 16、(c) 17、(c) 18、(c) 19、(a) 20、(c) 21、(a) 22、(a) 23、(c) 24、(b) 25、(a) 26、(b) 27、(b) 28、(1) (c) (2) (c) (3) (a)
三、填空题
1.结型和绝缘栅型。2.当DSu一定时，Di与GSu的变化量之比。常数DSGSDmuuig，西（S）或毫西（mS）。3. 共源、共漏，共栅。4.GSu,DSu。2GS(off)GSDSSD)1(UuIi，
2GS(th)GSD)(KUui。5.减小。6.低。7.源（S），漏(D)。源（S），源（S）,漏(D)。8. 6mA，-6V。9. 自给，分压式。10. ①晶体管的电子和空穴同时参与导电，为双极型；场效应管只有一种载流子导电，为单极型。②晶体管是电流控制型器件；场效应管是电压控制型器件。③晶体管输入电阻小，场效应管输入电阻很大。因为场效应管少数载流子不参与导电，所以热稳定性好。11. UGS(off), UGS- UGS(off); UGS(th) 。12. 耗尽型场效应管。13. N沟道耗尽型 14.
恒流源。15.截止，可变电阻。
四、解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表4所示。
解表4
管 号 UGS（th）/V US/V UG/V UD/V 工作状态
T1 4 －5 1 3 恒流区
