NCP1081资料

ICS 67. 250X 08DB13

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DB 13/T 1081. 21-2009

食品用包装材料及制品塑料第21部分：

乙二胺与己二胺特定迁移量的测定

Food packaging materials and articles-Plastics-Determination of ethylenediamine

and hexamethylenediamine in food simulants

2009-05-27发布2009-06-11实施

河北省质量技术监督局发布

DB 13/T 1081.21-2009

言前

DB13/T 1081《食品用包装材料及制品塑料》共分31个部分： ―第1部分：化学物质迁移量和含量的测定指南； ―第2部分：对苯二酸特定迁移量的测定； ―第3部分：丙烯睛特定迁移量的测定； ―第4部分：1, 3一丁二烯含量的测定； ―第5部分：偏二氯乙烯特定迁移量的测定； ―第6部分：偏二氯乙烯含量的测定； ―第7部分：乙二醇与三甘醇特定迁移量的测定； ―第8部分：异氰酸酯含量的测定； ―第9部分：乙酸乙烯酯特定迁移量的测定； ―第10部分：丙烯酞胺特定迁移量的测定； ―第11部分：11一氨基十一酸特定迁移量的测定；

―第12部分：间苯止甲胺特定迁移量的测定； ―第13部分：双酚A特定迁移量的测定； ―第14部分：3, 3一二（3一甲基一4一羟苯基）一2一吲哚酮特定迁移量的测定； ―第巧部分：1, 3-J一止烯特定迁移量的测定； ―第16部分：己内酞胺及己内酞胺盐特定迁移量的测定； ―第17部分：碳酞氯含量的测定； ―第18部分：1, 2一苯二酚、1,3一苯二酚、1,4一苯二酚、4, 4'一二羟二苯甲酮、4, 4'一二羟联苯特定迁移量的测定； ―第19部分：2一（N, N一三甲基氨基）乙醇特定迁移量的测定； ―第20部分：环氧氯丙烷含量的测定； ―第21部分：乙二胺与己二胺特定迁移量的测定； ―第22部分：环氧乙烷和环氧丙烷含量的测定； ―第23部分：甲醛及六亚甲基四胺特定迁移量的测定； ―第24部分：马来酸和马来酸酐特定迁移量的测定； ―第25部分：4一甲基一1一戊烯特定迁移量的测定； ―第26部分：1一辛烯和四氢呋喃特定迁移量的测定； ―第27部分：2, 4, 6一三氨基一1, 3, 5一三嗪（三聚氰胺）特定迁移量的测定； ―第28部分：1, 1, 1一二甲醇丙烷特定迁移量的测定； ―第29部分：16种多环芳烃特定迁移量的测定； ―第30部分：6种邻苯三甲酸酯特定迁移量的测定； ―第31部分：23种初级芳香胺特定迁移量的测定 本部分为DB13/T 1081的第21部分。 本标准参照欧盟技术规范CEN/TS 13130-21:2005《食品用包装材料及制品塑料乙二胺与己二胺特定迁移量的测定》（英文版）制定。 本部分附录A为资料性附录。 本标准由河北省质量技术监督局提出并归口。 本部分起草单位：河北省食品质量监督检验研究院、河北省标准化研究院、河北省食品安全实验室。 本部分土要起草人：李丛芬、李挥、何淑娟、吴春敏、张岩、张敬轩、彭靖、李建文、俞静。

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008September, 2008 − Rev. 41Publication Order Number:NCP1081/D NCP1081

Integrated High PowerPoE-PD Interface & DC-DCConverter Controller

IntroductionThe NCP1081 is a member of ON Semiconductor’s high powerHIPOt Power over Ethernet Powered Device (PoE−PD) productfamily and represents a robust, flexible and highly integrated solutiontargeting demanding medium and high power Ethernet applications. Itcombines in a single unit an enhanced PoE−PD interface supportingthe IEEE802.3af and the upcoming draft IEEE802.3at (D3.0) standardand a flexible and configurable DC−DC converter controller.The NCP1081’s exceptional capabilities offer new opportunities forthe design of products powered directly over Ethernet lines,eliminating the need for local power adaptors or power supplies anddrastically reducing the overall installation and maintenance cost.ON Semiconductor’s unique manufacturing process and designenhancements allow the NCP1081 to deliver up to 25.5 W for the draftIEEE802.3at (D3.0) standard and up to 40 W for proprietary highpower PoE applications. The NCP1081 enables the draft IEEE802.3at(D3.0) and implements a two event physical layer classification.Additional proprietary classification procedures support high powerpower sourcing equipment (PSE) on the market. The unique highpower features leverage the significant cost advantages ofPoE−enabled systems to a much broader spectrum of products inemerging markets such as industrial ethernet devices, PTZ and DomeIP cameras, RFID readers, MIMO WLAN access points, high endVoIP phones, notebooks, etc.The integrated current mode DC−DC controller facilitates isolatedand non−isolated fly−back, forward and buck converter topologies. Ithas all the features necessary for a flexible, robust and highly efficientdesign including programmable switching frequency, duty cycle up to80 percent, slope compensation, and soft start−up.The NCP1081 is fabricated in a robust high voltageprocess and integrates a rugged vertical N−channel DMOSwith a low loss current sense technique suitable for the mostdemanding environments and capable of withstanding harshenvironments such as hot swap and cable ESD events.The NCP1081 complements ON Semiconductor’s ASSPportfolio in industrial devices and can be combined withstepper motor drivers, CAN bus drivers and otherhigh−voltage interfacing devices to offer complete solutionsto the industrial and security market.Powered Device Interface•Supporting the IEEE802.3af and the upcoming draftIEEE802.3at (D3.0) standard•Supports draft IEEE802.3at (D3.0) Two Event Layer 1classification•High power Layer 1 classification indicator•Extended power ranges up to 40 W•Programmable classification current•Adjustable under voltage lock out•Programmable inrush current limit•Programmable operational current limit up to 1100mAfor extended power ranges•Over−temperature protection•Industrial temperature range −40°C to 85°C with fulloperation up to 150°C junction temperature•0.6 ohm hot−swap pass−switch with low loss currentsense technique•Vertical N−channel DMOS pass−switch offers therobustness of discrete MOSFETs with integrated

基于NCPl65l控制器的90W反激式单级PFC变换器原理与设计

NCPl651是一种单级功率因数控制器。介绍了NCP165l的结构、主要特点及基于NCPl651的90W通用输入单级PFC变换器原理与设计。

关键词：NPCI65l；单级PFC；控制器；反激拓扑；设计

0 引言

单级PFC的基本拓扑及其工作原理在《电源技术应用》等学术期刊中，已有许多文章对其进行了介绍。尽管单级PFC电路仪需一个功率升关，电路拓扑简单，效率较高，但单级PFC的实用电路却非常少见。众所周知，用于两级PFC电路的控制器lC品种和型号非常多，相关设计技术早已十分成熟，而单极PFC专用控制器芯片，长时间没有问世。迄今为止，单级PFC控制IC仅有两款：一个是数字单级PFC控制器iW2202，另一个则是安森美半导体公司推出的NCPl651。NCPl65l是一种适用于反激式拓扑的单级PFC控制器。基于NCPl65l的反激式隔离变换器，可提供中、高DC输出电压和50～250W的输出功率，满足IEC1000-3-2谐波电流限制要求，并能将初级侧电压限制在700V之内。

1 NCPl65l的结构与主要特点

NCP1651采用16引脚SOIC封装，其中引脚14和15未连接。NCP1651的芯片电路组成与NCPl650的内部结构存在很多相同之处，其内部结构框图如图1所示。

NCP165I的各个引脚功能见表1。

NCPl65l是一种固定频率平均电流模式PWM单级PFC控制器，被用作驱动工作在连续导电模式(CCM)或不连续导电模式(DCM)的反激变换器拓扑，并编程平均输入电流跟随AC线路电压。利用平均电流模式控制CCM算法，可以限制峰值初级电流，提供接近于1的功率因数。固定频率操作，能使输入滤波器电路设计简化。NCPl65l内置高精度专利乘法器，与传统模拟乘法器比较，具有更优异的性能。NCPl65l提供逐周峰值和平均电流限制、Vcc欠电压锁定和过温度(门限为160℃，带30℃滞回)关闭等保护功能。NCP1651内置高压启动电路，可直接连接到桥式整流器输出端工作。在IC开始工作后，高压启动电路截止。

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006February, 2006 − Rev. 31Publication Order Number:NCP1422/DNCP1422800 mA Sync−Rect PFMStep−Up DC−DC Converterwith True−Cutoff andRing−KillerNCP1422 is a monolithic micropower high−frequency step−upswitching converter IC specially designed for battery−operatedhand−held electronic products up to 800 mA loading. It integratesSync−Rect to improve efficiency and to eliminate the externalSchottky Diode. High switching frequency (up to 1.2 MHz) allowsfor a low profile, small−sized inductor and output capacitor to beused. When the device is disabled, the internal conduction path fromLX or BAT to OUT is fully blocked and the OUT pin is isolated fromthe battery. This True−Cutoff function reduces the shutdown currentto typically only 50 nA. Ring−Killer is also integrated to eliminatethe high−frequency ringing in discontinuous conduction mode. Inaddition to the above, Low−Battery Detector, Logic−ControlledShutdown, Cycle−by−Cycle Current Limit and Thermal Shutdownprovide value−added features for various battery−operatedapplications. With all these functions on, the quiescent supplycurrent is typically only 8.5 mA. This device is available in thecompact and low profile DFN−10 package.Features•Pb−Free Package is Available*•High Efficiency:94% for 3.3 V Output at 200 mA from 2.5 V Input88% for 3.3 V Output at 500 mA from 2.5 V Input•High Switching Frequency, up to 1.2 MHz (not hitting current limit)•Output Current up to 800 mA at VIN = 2.5 V and VOUT = 3.3 V•True−Cutoff Function Reduces Device Shutdown Current totypically 50 nA•Anti−Ringing Ring−Killer for Discontinuous Conduction Mode•High Accuracy Reference Output, 1.20 V $1.5% @ 25°C, canSupply 2.5 mA Loading Current when VOUT > 3.3 V•Low Quiescent Current of 8.5 mA•Integrated Low−Battery Detector•Open Drain Low−Battery Detector Output•1.0 V Startup at No Load Guaranteed•Output Voltage from 1.5 V to 5.0 V Adjustable•1.5 A Cycle−by−Cycle Current Limit•Multi−Function Logic−Controlled Shutdown Pin•On Chip Thermal Shutdown with HysteresisTypical Applications•Personal Digital Assistants (PDA)•Handheld Digital Audio Products•Camcorders and Digital Still Cameras•Hand−held Instruments•Conversion from one to two Alkaline, NiMH, NiCd Battery Cellsto 3.0−5.0 V or one Lithium−ion cells to 5.0 V•White LED Flash for Digital Cameras