9012-PNP外延型晶体管(三极管)

s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解(一) 系列三极管S9011、9012、9013、9014、9015、9018、8050、8550系列三极管是小功率三极管。

大部分是NpN型管，只有9012、9015丶8550是PNP型三极管。

这里值得注意的是: 一般地，在三极管前面如果加ss，那么这个三极管是原装进口的; 而只帶一个s，那么应是国产的。

例如: ss8050是进口的，而s8050是国产的。

(二)系列三极管如图①，图②，图③，图④，图⑤图① s9013系列三极管图② s8050、8550三极管图③ s9013系列三极管引脚图④ NPN、PNP三极管符号图⑤ 单管驱动继电器(二) 系列三极管技术参数:9011NpN低噪放大，50Ⅴ0.3A.0.4w;9012pNp低噪放大，50v0.5A.0.625w;9013NpN低频放大，50v0.5A.0.625w;9014NpN低噪放大，50Ⅴ0.1A.0.4w;9015pNp低躁放大，50Ⅴ0.1A.0.4w;9018NpN高频放大，30v.0.05A.0.4w;8050NpN高频放大，40v.1.5A.1w;8550pNp高频放大，40v1.5A.1w。

(三) 它们的主要作用.用途:以上系列三极管，是半导体基本元器件之一，具有开关和电流放大作用;它们作为音频放大和收音机推挽1w输出及电子玩具、灯具放大和开关等电路。

(四) 三极管应用电路2例:图① NpN、PNP单管驱动发光管图② P NP、NpN三管推挽电路以上s9011一9018，s8050、8550系列三极管是目前市场上和产品上常用和使用最多的元器件，广泛应用于各种小功率电路产品中，很受欢迎。

9012管脚参数9012管脚是一种常用的电子元件，常见于集成电路和其他电子器件中。

它具有多种功能和参数，本文将以9012管脚参数为标题，对其进行详细介绍。

一、引脚定义9012管脚一般包括三个引脚，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

其中，发射极是PNP型晶体管中的负极，基极是控制管脚，而集电极则是输出管脚。

二、电压参数9012管脚的电压参数是其重要的性能指标之一。

其中，最大额定电压（VCEO）表示集电极-发射极间的最大工作电压，通常为40V。

最大发射极-基极电压（VEBO）表示发射极-基极间的最大工作电压，一般为5V。

而最大集电极-基极电压（VCBO）则表示集电极-基极间的最大工作电压，一般为60V。

三、电流参数9012管脚的电流参数也是其重要的性能指标之一。

最大集电极电流（IC）表示集电极端的最大工作电流，通常为0.5A。

而最大基极电流（IB）则表示基极端的最大工作电流，一般为0.2A。

四、功耗参数9012管脚的功耗参数对于电子器件的稳定工作至关重要。

其中，最大功耗（PD）表示在规定条件下，9012管脚所能承受的最大功耗，通常为0.625W。

五、频率参数9012管脚的频率参数是指其工作频率范围。

一般来说，9012管脚的最大工作频率为300MHz，适用于一些中低频率的应用。

六、温度参数9012管脚的温度参数是指其在不同温度下的性能表现。

一般来说，工作温度范围（Topr）为-55℃到150℃，储存温度范围（Tstg）为-55℃到150℃。

七、封装类型9012管脚的封装类型有多种，常见的有TO-92、SOT-23等。

不同封装类型适用于不同的应用场景，用户可以根据实际需求选择合适的封装类型。

八、应用领域9012管脚由于其稳定性和可靠性，广泛应用于各种电子器件和电路中。

例如，它可以用作放大器、开关、电压稳定器等的关键元件。

九、其他参数除了以上介绍的主要参数外，9012管脚还具有一些其他参数，如放大倍数（hFE）、开启电压（VBE）等。

FEATURESPower dissipationP CM : 0.625 WTamb=25Collector currentI CM : -0.5 A Collector-base voltageV (BR)CBO: -40 VELECTRICAL CHARACTERISTICSTamb=25unless otherwise specifiedParameterSymbol Test conditions MIN TYPMAXUNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= -100A I E =0-40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= -0. 1 mA I B =0-20 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO I E = -100A I C =0-5V Collector cut-off current I CBO V CB =-40 V I E =0-0.1A Collector cut-off current I CEO V CE =- 20 V I B =0-0.2A Emitter cut-off currentI EBO V EB = - 5 V I C =0-0.1AH FE1V CE = -1 V, I C = -50 mA 64300DC current gain(note)H FE2V CE = -1V, I C =-500 mA 40Collector-emitter saturation voltage V CE (sat)I C =-500 mA, I B =-50 mA -0.6 V Base-emitter saturation voltage V BE (sat)I C =-500mA,I B =-50 mA -1.2 V Base-emitter voltageV EBI E =-100mA-1.4VTransition frequencyf TV CE =- 6 V, I C = -20 mAf =30MHz150MHzCLASSIFICATION OF H FE(1)Rank D E F G H I Range64-9178-11296-135112-166144-202190-300TO92PNP SILICON TRANSISTOR9012FEATURES特 征Power dissipation 最大耗散功率P CM : 0.625 WTamb=25Collector current 最大集电极电流I CM : 0.5 ACollector-base voltage集电极--基极击穿电压V (BR)CBO : 45 VELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25unless otherwise specified电 特 性环境温度 除 非 另 有 规 定Parameter 参 数Symbol符 号Test conditions 测试条 件MIN 最小值TYP 典型值MAX 最大值UNIT 单位Collector-base breakdown voltage 集电极--基极击穿电压 V(BR)CBO Ic= 100A I E =045 V Collector-emitter breakdown voltage 集电极--发射极击穿电压 V(BR)CEO Ic= 0. 1 mA I B =025 V Emitter-base breakdown voltage 发射极--基极击穿电压 V(BR)EBO I E = 100A I C =05V Collector cut-off current 集电极--基极截止电流 I CBO V CB = 40 V I E =00.1A Collector cut-off current 集电极--发射极截止电流 I CEO V CE = 20 V I B =00.1A Emitter cut-off current 发射极--基极截止电流I EBO V EB = 5 V I C =00.1AH FE 1V CE = 1 V, I C = 50 mA 64300DC current gain(note)直流电流增益H FE2V CE = 1V, I C =500 mA 40Collector-emitter saturation voltage 集电极--发射极饱和压降 V CE (sat)I C = 500 mA, I B =50 mA 0.6 V Base-emitter saturation voltage 基极--发射极饱和压降V BE (sat)I C = 500mA, I B = 50 mA 1.2 V Base-emitter voltage 基极--发射极正向电压V BEI E =100mA1.4 VTransition frequency 特征频率f TV CE = 6 V, I C = 20 mAf =30MHz150MHzCLASSIFICATION OF H FE(1) 分类Rank 档次D E F G H I Range 范围64-9178-11296-135112-166144-220190-300FEATURESPower dissipationP CM : 0.4 WTamb=25 Collector currentI CM : 0.1 A Collector-base voltageV (BR)CBO: 50 VELECTRICAL CHARACTERISTICSTamb=25unless otherwise specifiedParameterSymbol Test conditions MIN TYPMAXUNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= 100A I E =050 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= 0. 1 mA I B =045 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO I E = 100A I C =05V Collector cut-off current I CBO V CB =50 V , I E =00.1A Collector cut-off current I CEO V CE =35 V , I B =00.1A Emitter cut-off current I EBO V EB = 3 V I C =00.1ADC current gain(note)H FE1V CE = 5 V, I C = 1mA 601000Collector-emitter saturation voltage V CE (sat)I C = 100mA, I B = 5 mA 0.3 V Base-emitter saturation voltageV BE (sat)I C = 100 mA, I B = 5mA 1VTransition frequencyf TV CE = 5 V, I C = 10mAf =30MHz150MHzCLASSIFICATION OF H FE(1)Rank A B C D Range60-150100-300200-600400-1000TO929014NPN SILICON TRANSISTORFEATURESPower dissipationP CM : 0.45 WTamb=25 Collector currentI CM : -0.1 A Collector-base voltageV (BR)CBO : -50 VELECTRICAL CHARACTERISTICSTamb=25unless otherwise specifiedParameterSymbolTest conditionsMINTYPMAXUNITCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= -100 A I E =0 -50 VCollector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= - 1 mA I B =0 -45 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO I E = -100A I C =05V Collector cut-off current I CBO V CB =-50 V , I E =0 -0.05A Collector cut-off current I CEO V CE =-35 V , I B =0 -0.05A Emitter cut-off current I EBO V EB = -5 V I C =0 - 0. 05ADC current gain(note)H FE1V CE = -5V , I C = -1mA 60 1000Collector-emitter saturation voltage V CE (sat) I C = -100mA, I B = -10 mA -0.3 V Base-emitter saturation voltageV BE (sat) I C = -100 mA, I B = -10mA -1 VTransition frequencyf TV CE = -5V , I C = -10mAf =30MHz150MHzCLASSIFICATION OF H FE(1)Rank A B C D Range60-150100-300200-600400-1000TO929015PNP SILICON TRANSISTORFEATURESPower dissipation P CM : 0.31 W Tamb=25Collector currentI CM : 0.05 A Collector-base voltageV (BR)CBO : 25 VOperating and storage junction temperature range T J T stg: -55 to +150ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25 unless otherwise specifiedParameterSymbol Test conditions MINTYPMAXUNITCollector-base breakdown voltageV(BR)CBOIc= 100A I E =025 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= 0. 1 mA I B =0 18V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO I E = 100A I C =04 VCollector cut-off current I CBO V CB = 20 V I E =00.1 A Collector cut-off current I CEO V CE = 15 V I B =0 0.1 A Emitter cut-off current I EBO V EB =3 V I C =0 0.1 A DC current gainH FE1V CE = 5 V, I C = 1mA28270Collector-emitter saturation voltage V CE (sat) I C =10 mA , I B =1mA0.5 V Base-emitter saturation voltageV BE (sat) I C =10mA , I B =1mA1.4 V Transition frequency f TV CE =5 V, I C =5 mAf =400MHz600 MHzCLASSIFICATION OF H FE(1)Rank D E F G H I J Range28-45 39-60 54-80 72-108 97-146 132-198 180-2701 2 3TO 921.EMITTER2.BASE3.COLLECTOR 9018NPN SILICON TRANSISTOR“电子爱好者”网站是一个面向广大电子爱好者、大专院校学生、中小型企业工程技术人员的电子技术应用、推广专业网站。

三极管9012 9013 9018的主要参数数据9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.03A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温 150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温 150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.45W结温 150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.025A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.05A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。

三极管（9011-9018参数）9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198。

9012，9013三极管总结2.3放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300二、9013三极管9013是一种NPN型小功率三极管。

三极管。

是半导体基本元器件之中的一个。

具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距非常近的PN结。

两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区。

两側部分是发射区和集电区。

三极管的排列方式有PNP和NPN 两种。

s9013 NPN三极管主要用途：作为音频放大和收音机1W推挽输出以及开关等。

2 NPN9013三极管2.1型号对照s9014,s9013。

s9015。

s9012，s9018系列的晶体小功率三极管。

把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550。

C2078 也是和这个一样的。

用以下这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图9013三极管e b c当前，国内各种晶体三极管有非常多种，管脚的排列也不同样，在使用中不确定管脚排列的三极管。

必须进行測量确定各管脚正确的位置（以下实用万用表測量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手冊，明白三极管的特性及对应的技术參数和资料。

非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡測量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极。

而第二表笔先后接触另外两个电极均測得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时。

要注意万用表表笔的极性，假设红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其它两极时，測得的阻值都较小，则可判定被測管子为PNP型三极管。

假设黑表笔接的是基极b。

红表笔分别接触其它两极时。

測得的阻值较小，则被測三极管为NPN型管如9013，9014,9018。

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-908550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-1409011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。

一、概述s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。

用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图 1：e 2：b 3：c二、三极管管脚判断当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。

在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。

三、三极管好坏判断在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。

三极管9013参数、管脚图2010-01-03 00:30:58 来源: 作者: 【大中小】浏览:3008次评论:0条简述9013 - NPN外延型晶体管(三极管)9013是一种最常用的普通三极管。

它是一种低电压,大电流,小信号的NPN型硅三极管特性* 集电极电流Ic：Max 500mA* 集电极-基极电压Vcbo：40V* 工作温度：-55℃to +150℃* 功率(W):0.625* fT(MHZ):-.* hFE :64 ～202* 和9012（PNP）相对* 主要用途：* 开关应用* 射频放大* 低噪声放大管90系列三极管参数-9012 9013 9014管脚图-引脚-S90-2SC90-代换资料-替代-怎么识别管脚排列90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

90系列三极管引脚图9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198以上可以看出不同型号的90系列三极管放大倍数分档是不一样的，替换时要注意型号后面的后缀。

三极管9013参数三极管9013参数、管脚图简述9013 - NPN外延型晶体管(三极管)9013是一种最常用的普通三极管。

它是一种低电压,大电流,小信号的NPN型硅三极管特性集电极电流Ic：Max 500mA集电极-基极电压Vcbo：40V工作温度：-55℃to +150℃功率(W): 0.625fT(MHZ): 150MHZhFE : 64 ～202和9012（PNP）相对主要用途：开关应用射频放大低噪声放大管90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

90系列三极管引脚图90系列封装图9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198以上可以看出不同型号的90系列三极管放大倍数分档是不一样的，替换时要注意型号后面的后缀。

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。

三极管npn和pnp三极管（Transistor）是一种最基本的电子元件，它具有可以放大和开关电流的功能，广泛应用于电子电路中。

三极管可以分为NPN型和PNP型两种。

下面分别介绍NPN型和PNP型三极管的结构、工作原理以及应用。

一、NPN型三极管：NPN型三极管由两个N型半导体和一个P型半导体构成。

其中，N型半导体作为发射极（Emitter），由外界加上正电压。

P型半导体作为基极（Base），控制发射极和集电极（Collector）之间的电流。

另一个N型半导体则构成集电极。

具体来说，当基极与发射极之间的电压大于0.6V时，发射极和集电极之间就会形成一个导通路径，电流可以从发射极流向集电极。

NPN型三极管的工作原理是基于PN结的正向和反向偏置。

当发射极和集电极之间的电压大于0.6V时，PN结就会变为正向偏置，导致大量的电子从N型发射极注入到P型基极，形成发射极电流（Ie）。

同时，这些注入的电子会继续向集电极流动，形成集电极电流（Ic）。

在NPN型三极管中，Ic是由Ie 放大而来的，即放大系数β=Ic/Ie。

NPN型三极管具有放大作用，广泛应用于放大电路。

由于其有一个控制极（基极），可以通过控制电流的大小来控制输出电流，被称为"控制电流小，输出电流大"的电流放大器。

NPN 型三极管还常用于逻辑门电路、计时电路、振荡器电路等。

二、PNP型三极管：PNP型三极管由两个P型半导体和一个N型半导体构成。

其中，P型半导体作为发射极，由外界连结上负电源。

N型半导体作为基极，控制发射极和集电极之间的电流。

另一个P型半导体则构成集电极。

PNP型三极管的工作原理和NPN型三极管相似，区别在于PN结的正向和反向偏置。

当基极与发射极之间的电压小于-0.6V时，PN结就会变为正向偏置，使得发射极电流从发射极流入基极。

同时，由于P型基极中有空穴，这些空穴会向集电极流动，形成集电极电流（Ic）。

在PNP型三极管中，Ic是由发射极电流减少而来的，即放大系数β=Ic/Ie。

s9012s9013，s9014, s9015，，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。

用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

非9013,9014系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。

在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。

D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。

三极管9012 9013 9018的主要参数数据9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.03A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温 150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温 150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.45W结温 150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.025A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.05A耗散功率 0.4W结温 150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。

一、概述s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。

用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图 1：e 2：b 3：c二、三极管管脚判断当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。

在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。

三、三极管好坏判断在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。