模电复习资料及答案

一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。

半导体中中存在两种载流子：和。

纯净的半导体称为，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。

当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。

它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。

4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。

场效应管分为型和型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。

6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。

8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。

9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。

串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。

10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。

基本概念复习第一章 电路基本元件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（ ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。

（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。

（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。

A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管（6）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ， 则这只三极管是 。

A ．NPN 型硅管B ．NPN 型锗管C ．PNP 型硅管D ．PNP 型锗管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C （6）A第二章 基本放大电路一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

设计题一．设计一带通滤波电路要求：（1）信号通过频率范围f在100 Hz至10 kHz之间；（2）滤波电路在1 kHz的幅频响应必须在±1 dB范围内，而在100 Hz至10 kHz滤波电路的幅频衰减应当在1 kHz时值的±3 dB范围内；（3）在10 Hz时幅频衰减应为26 dB，而在100 kHz时幅频衰减应至少为16 dB。

（一）．电路方案选择这是一个通带频率范围为100HZ~10KHZ的带通滤波电路，在通带内我们设计为单位增益。

根据题意，在频率低端f=100HKZ时，幅频响应要求衰减不小于16dB。

因此可选择一个二阶低通滤波电路的截止频率FH=10khz，一个二阶高通滤波电路的截止频率FL=100hz，有源器件扔采用运放CF412(LF412),将这两个滤波电路串联如图所示，就构成了所要求的带通滤波器。

由巴特沃斯低通，高通电路阶数N与增益的关系可知：二阶巴特沃斯滤波器的Avf1=1.586，因此，由两级串联的带通滤波电路的通带电压增益（Avf1）*2=（1.586）*2=2.515，由于所需要的通带增益为0dB,因此在低通滤波器输入部分加了一个由电阻R1，R2组成的分压器。

（二）元件参数的选择和计算在选用元件时，应当考虑元件参数误差对传递函数带来的影响。

现规定选择电阻值的容差为1%，电容值的容差为5%。

由于每一电路包含若干电阻器和两个电容器，预计实际截止频率可能存在较大的误差（也许是+10%，-10%）。

为确保在100HZ和10KHZ处的衰减不大于3dB。

现以额定截止频率90HZ,和11KHZ 进行设计。

由于在运放电路中的电阻不宜选择过大或过小。

一般为几千欧至几十千欧较合适。

因此，选择低通极电路的电容值为1000pF，高通级电路的电容值为0.1uF。

然后由公式Wc=（1/RC)可计算出精确的电阻值。

对于低通级由于已知c=1000pF和FH=11kHZ,根据公式Wc=（1/RC)算得R3=14.47KΩ，现选择标准电阻值R3=14.0KΩ。

判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。

（对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。

（对）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。

（错）3、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（错）三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。

（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。

（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。

（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。

（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。

（错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。

（错）第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。

（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错）三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。

（对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错）射极输出器不具有电压放大作用。

（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。

（错）直流放大器只能放大直流信号。

（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。

（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。

（错）。

多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。

（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。

（错）第四章在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。

（对）第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。

2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。

填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。

i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。

1.1选择合适答案填入空内。

（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。

A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。

A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i与u O的波形，并标出幅值。

图P1.3解图P1.3解：波形如解图P1.3所示。

2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e＝1kΩ，i U ＝20mV；静态时U B E Q＝0.7V，U C E Q＝4V，I B Q＝20μA。

判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。

图P2.5（1）200102043-=⨯-=-uA （ ） （2）71.57.04-≈-=u A （ ） （3）4001580-=⨯-=u A （ ） （4）20015.280-=⨯-=u A （ ） （5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （ ） （6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （ ） （7）Ω≈k 3i R （ ） （8）Ω≈k 1i R （ ）（9）Ω≈k 5o R （ ） （10）Ω≈k 5.2o R （ ）（11）s U ≈20mV ( ) （12）s U ≈60mV ( )解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）×（7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。

复习题一、填空：1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。

2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。

3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。

4在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。

5．集成运放主要包括输入级、(中间放大极)、(输出极)和 (偏置)电路。

其中输入级一般采用(差模)电路。

6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。

7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小，效率高），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。

8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。

9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。

10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器。

11．半导体二极管具有（体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小，功率转换效率高等单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。

12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（正偏），而场效应管是一种(电压) 控制型器件。

13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。

14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。

15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。

16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。

《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。

其死区电压：S i管约0。

5V，G e管约为0。

1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.3 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。

复习重点：各模块中的元件及电路的概念；三极管的结构、检测；基本共射放大电路（固定偏置/分压偏置工作点稳定电路）的电路分析和计算；直流通路、交流通路和微变等效电路模型的绘制分析；多级放大电路的结构分析；差动放大电路静态分析；共模抑制比的概念等。

★★教材考试范围：●模块一至四中所有讲过的例题●P29-32:1,2,3,4,6,7,8,11,12●P59-63：1，2，3，7，8，11●P74-75:1,2,3,4●P89:1,2,3,4复习样题：填空题：1.PN结的单向导电性表现为外加正电压时导通；外加反向电压时截止。

2.稳压二极管在稳压时，其工作在伏安特性的反向击穿区。

3.三极管在放大区的特点是当基极电流固定，其集电路电流基本不变，体现了三极管的恒流源特性。

4.用在电路中的整流二极管，主要考虑两个参数最大正向电流和反向击穿电压，选择时应适当留有余地。

5.在放大区，对NPN型的三极管有电位关系：U c>U b>U e ；而对PNP型的三极管，有电位关系：U c <U b<U e。

6.三极管基本放大电路的3种组态是共射极组态，共集电极组态，共基极组态。

7.放大电路放大的实质是实现小信号能量对大信号能量的控制和转换作用。

8. 直接耦合放大电路既可以放大交流信号，也可以放大直流信号。

9.差动放大电路能有效地克服温漂，这主要是通过对称性好，对共模信号电压增益为0。

10.半波整流滤波后，若负载开路，输出电压为交流有效值的1.414倍。

11.场效应管放大电路和三极管电路相比，具有输入阻抗高、温度稳定性能好、噪声低、功耗小等特点。

12.集成运放内部电路主要由差动输入级、中间放大级、输出级和偏置电路4部分组成。

13.对功率放大器所关心的主要性能参数是最大不失真输入功率和电路功率。

PN结的单向导电性表现为外加正电压时；外加反向电压时。

稳压二极管在稳压时，其工作在伏安特性的区。

三极管在放大区的特点是当基极电流固定，其电流基本不变，体现了三极管的特性。

《模拟电路》复习资料（2012-04）一、填空题1、某放大电路的电压增益为80 dB ，相当电压放大倍数为_10000_ 倍。

2、负反馈放大电路可以改善放大器性能。

具体体现在 提高放大倍数稳定性 、改善非线性失真 、 展宽通频带等方 面。

4、典型差分放大器中，R E 的作用是 P104抑制零点漂移，对共模信号有很强的抑制能力 。

5、如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_9_V ，经过电容滤波后为_12__ V ，二极管所承受的最大反向电压为_210__ V 。

6、共模抑制比K CMR 越大，抑制共模信号能力 越强 。

7、处于放大状态的NPN 型晶体管，U B 、U C 、U E 三个电位之间的关系是_ U C >U B >U E __ 处于饱和状态的NPN 型晶体管U B 、U C 、U E 三个电位之间的关系是__U B >U E ; _ U B >U C _ ；【解7：】归纳：晶体管工作状态：放大区：发射结正偏；集电结反偏（特点：I C =βI B ）截止区：发射结反偏；集电结反偏（特点：I C =0）饱和区：发射结正偏；集电结正偏（特点：U CE =U CES ，I C 不受I B 控制）8、集成运放工作在线性区时具有“虚短”、“虚断”的特点。

“虚短”的含义是 运放的净输入电压等于0即：U +=U - ，“虚断”的含义是 运放的净输入电流等于0即：i +=i - =0 。

9、单相桥式整流电路中，若输入电压U 2 = 30V ，则输出电压U 0 = 27 V ；若负载电阻R L = 100 Ω，整流二极管I D (AV ) =0.135_A 。

【】10、乙类功率放大器中，每只晶体管的半导通角是 900 。

改善交越失真的办法是 使两管在静态时处于弱导通状态，具体做法是利用二极管的压降产生偏置电压 。

11、当输入信号频率为f L 和f H 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的_0.707(或21 )_倍，或者是下降了3dB 。

参考答案（第1套）一、1．电流、正向、反向；电压。

2．线性、非线性。

3．共基、共射、共集。

4．差模、共模、ocodA A 。

5．低通、200、200。

6．乙类、0、LCC R V22、0.2。

二、2．放大状态。

4．电压－串联、增大、宽。

三、1．V U mA I AI CEQ CQ BQ 2.32.222==≈μ2．115//-=-=beLC ur R R A βΩ==Ω=≈=K R R k r r R R R C o be be b b i 33.1////21四、反馈组态为：电压－串联负反馈1211R R FA uf +== 五、该放大电路为共基接法，根据瞬时极性法可知引入了负反馈，不能振荡。

更正：将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。

六、 1．R R TH U U R R U 3221-=-=；＝，＝时，当；＝，＝－时，当V 4U V 6U 0V 4U V 6U 0TH R TH R -<>i i u u七、运放构成差动输入形式，反相端输入为U I ，同相端输入I IU U ~0='。

I I f I f I f o U U R R U R R U R R U ~)1(111-='++-=八、1．误差放大器的同相在下方、反相端在上方。

2．电路由四个部分构成：（1）由R 1、R 2和R W 构成的取样电路；（2）由运放构成负反馈误差放大器；（3）由R 和D W 构成基准电压电路；（4）由T1和T2复合管构成调整管。

3．V U R R R R R U R R R R U R R R R R U Z w wZ w Z w w o 10~15~221221221=+++++=+"++=参考答案（第2套）一、1． 反向击穿；2． 甲类、甲乙类、乙类、甲乙类； 3． 零点漂移；4． （串联负反馈）从C 到F ；（电压负反馈）从A 到E ； 5． 差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路； 6． （1）0.5； （2）5； （3）20； 二、1．W R VP L CC o 922max== LoMoM AV C R U I I πππ==⎰)(Sin ωinωt 21 W R VI V P LCC AV C CC V 46.11222)(===π %5.78max==Vo P P η W P P P P o V T T 23.1)(21max 21=-== 2．W P P o T 8.12.0max max == 三、1．10=umA 2．)101)(101(1010)1)(1()(5fj f j f jf f j f f j f fjA j A HL Lumu ++⋅=++= ω3．输出电压会失真。

模电复习题和答案判断题1、在N型半导体中如果掺有⾜够量的三价素，可将其改型为P型半导体(√).2、因为N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电（×）。

3、处于放⼤状态的晶体管，集电极电流是多⼦漂移运动形成的。

（×）4、结型场效应管的栅-源电压的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS⼤的特点。

（√）5、放⼤电路必须加上合适的直流电源才能正常⼯作（√）6、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤（√）7、阻容耦合多级放⼤电路各级的Q点相互独⽴，（√）它只能放⼤交流信号。

（√）8、直接耦合多级放⼤电路各级的Q点相互影响，（√）它只能放⼤直流信号。

（×）9、运放的输⼊失调电压U IO是两输⼊电压之差（×）10、运放的输⼊失调电流I IO是两输⼊端电流之差（×）11、若放⼤电路的放⼤倍数为负，则引⼊的反馈⼀定是负反馈（×）12、负反馈放⼤电路的放⼤倍数与组成它的基本放⼤电路的放⼤倍数量纲基本相同（√）13、运算放⼤电路⼀般均引⼊负反馈（√）14、在集成运算电路中，集成运放的反相输⼊端均为虚地（×）。

15、只要电路引⼊了正反馈，就⼀定会产⽣正弦波震荡（×）16、凡是振荡电路中的集成运放均⼯作在线性区。

（×）17、在功率放⼤电路中，输出功率越⼤，功放管的功耗越⼤（×）18、功放电路的最⼤输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最⼤交流功率（√）。

19、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压（√）。

20、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有⼀只整流管断开，输出平均电压变为原来的⼀半（×）。

⼆、填空题1、在本征半导体中加五价元素可形成N型半导体，加⼊三价元素可形成形成P型半导体。

2、⼯作在放⼤区的某三极管，如果当I B从12uA增⼤到22uA时，I C从1mA变到2mA，那麽它的β约为100 。

《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为 D ；图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。

《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为 D ；图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。

模电复习资料（全答案）一、填空题1、要使三极管正常放大信号，要求三极管发射极重掺杂、基区很薄、集电极面积大于发射极面积、发射结和集电结均正向运用。

2、N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

3、P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

4、PN结未加外部电压时，扩散电流等于漂移电流；加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，其耗尽层变薄；加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，其耗尽层变厚。

5、三极管工作在放大区时，发射结为正向运用，集电结为反向运用；工作在饱和区时，发射结正向运用，集电结正向运用；工作在截止区时，发射结反向运用，集电结反向运用。

6、工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。

7、三种基本放大电路中，输入电阻最大的是共c极放大电路；输入电阻最小的是共b极放大电路；输入电压与输出电压相位相反的是共e极放大电路；电压放大倍数最大的是共e极放大电路；；电压放大倍数最小的是共b极放大电路；输出电阻最小的是共c极放大电路。

8、半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以属于电流控制器件，其输入电阻小；场效应管通过控制栅极电压来控制输出电流，所以属于电压控制器件，其输入电阻大。

9、为提高放大器的输入电阻应引入交流串联负反馈，为降低放大电路输出电阻，应引入交流电压负反馈。

10、能提高放大倍数的是正反馈，能稳定放大倍数的是负反馈。

11、为稳定输出电流，应引入交流电流负反馈；为稳定输出电压，应引入交流电压负反馈；为稳定静态工作点，应引入直流负反馈；为了展宽放大电路频带，应引入交流负反馈。

12、差动放大器主要利用对称特性来抑制零漂。

13、完全对称的长尾差动放大器中的e R 对共模信号产生串联电流负反馈，对差模信号不产生反馈。

14、为使运放线性工作，应当在其外部引入深度负反馈、无穷、无穷、零、零、无穷、.15、理想集成运放的=ud A ，=id r ，=o r ，=B I ，=CMR K 。

（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案《模电》第⼀章重点掌握内容：⼀、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产⽣本征激发，形成电⼦和空⽳，电⼦带负电，空⽳带正电。

它们在外电场作⽤下均能移动⽽形成电流，所以称载流⼦。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺⼊三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，空⽳为多数载流⼦（称多⼦）⽽电⼦为少⼦。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺⼊五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，电⼦为多⼦、⽽空⽳为少⼦。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截⽌。

所以正向电流主要由多⼦的扩散运动形成的，⽽反向电流主要由少⼦的漂移运动形成的。

8、⼆极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、⼆极管由⼀个PN结组成，所以⼆极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈⼩电阻，⼤电流，反偏时截⽌，呈⼤电阻，零电流。

其死区电压：S i管约0。

5V，G e管约为0。

1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是⼯作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的⼆极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截⽌，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满⾜U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、⼆极管主要⽤途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

⼆、应⽤举例：（判⼆极管是导通或截⽌、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第⼆章再判）参考答案：a、因阳极电位⽐阴极⾼，即⼆极管正偏导通。