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第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
洛阳理工学院 模拟电子技术 试卷（总）一、单选题1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B ）。
A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D 其它 2. 稳压二极管稳压时应工作在（C ）状态。
A ．正向导通；B ．反向截止；C ．反向电击穿 ；D ．反向热击穿3. N 型半导体是在本征半导体中掺入（C ）；P 型半导体是在本征半导体中掺入（A ）。
A.三价元素，如硼等； B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等4.PN 结加正向电压时，有（A ）形成电流，其耗尽层（D ）；加反向电压时，由（B ）形成电流，其耗尽层（C ）。
A.扩散运动； B.漂移运动； C. 变宽； D.变窄5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A ）。
A.增大； B.不变； C.减小6.一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（ B ）。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流 7.晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ B ）。
A.增加； B.下降； C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A ）。
A ．放大状态B ．截止状态C ．饱和状态 9. 双极型三极管用于放大时，应使（B ）。
A ．发射结正偏、集电结反偏；B ．发射结、集电结均正偏；C ．发射结反偏、集电结正偏；D ．发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B ）造成的。
A ．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A ）组态。
A ．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是12. 测得NPN 型三极管各电极对地的电位分别为V e =2.1V ，V b =2.8V ，V c =4.4V ，说明此三极管工作在（A ）。
A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区；D ．反向击穿区 13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是（B ）。
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
《模拟电子技术基础》习题集一．选择题1．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是4V ，引线2是3.3V ，引线3是8V 。
该管是（1）是PNP 型锗管 （2）NPN 型硅管（3）PNP 型硅管 （4）NPN 型锗管2．若要求增大放大电路的输入电阻，减少输出电阻，则应引入(1)电流串连负反馈；(2)电流并联负反馈；(3)电压串连负反馈；（4）电流并联负反馈；3 有两个稳压二极管，一个稳压值是8伏，另一是7.5伏，若把两管的正极并接，再将负 极并接，组合成一个稳压管接入电路，则这时组合管的稳压值是（1）8伏 （2）7.5伏（3）15.5伏 （4）0.5伏4、一个电压串联负反馈放大器的闭环增益A Vf =100,要求开环增益A V 变化10%时闭环增益变化0.5%,则开环增益是（1）10 （2）2000（3）5000 （4）10005、乙类推挽功放的理想效率为（1）40％ （2）50％（3）78％ （4）35％6、为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般采用下列电路：（1）共射放大电路 （2）共射共基电路（3）差动放大电路 （4）射极输出器7．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是-4V ，引线2是-3.3V ，引线3是-8V 。
该管是（1）是PNP 型锗管 （2）NPN 型硅管 （3）PNP 型硅管8．若要求增大放大电路的输入电阻，减少输出电阻，则应引入(1)电流串连负反馈；(2)电流并联负反馈；(3)电压串连负反馈；9．晶体三极管的两个PN 结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是(1)放大状态 (2)饱和状态 (3)截止状态10．晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管(1)发射结为反向偏置 (2) 集电结为正向偏置(3) 始终工作在放大区11．在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为(1)c c R i v =0 (2) c c R i v -=0 (3) c c R I v -=012．共发射极放大器的输出电压与输入电压在相位上的关系是(1) 同相位 (2)相位差是900 (3) 相位差是180013．三级放大器中，各级的功率增益为：－3dB ,20dB 与30dB,则总功率增益为(1) 47dB (2)-180dB (3)53dB14．直耦放大器的功能是(1)只能放大直流信号 (2)只能放大交流信号(3)直流信号与交流信号都能放大15．正弦波振荡器中，选频网络的主要作用是(1) 使正弦波产生一个单一频率的信号 (2) 使振荡器输出较大的信号(3) 使振荡器有丰富的频率成分16．经过超外差式调幅收音机变频电路及中频放大电路后，输出的信号是（1）．是高频调幅信号 （2）.是中频调幅信号（3）．是低频解调信号17、一个NPN 型晶体三极管，由测量得知三个电极电位分别为,3,6,6.6V V V V V V c B E -=-=-=这个晶体三极管工作在（1）放大状态 （2）截止状态（3）饱和状态 （4）倒置状态18．一个固定偏置放大电路中，b R =150K Ω，c R =2K Ω，c E =6V ，晶体管的fe h =40。
06～07学年第一学期中级部《电子技术基础》试题出卷人：王敬孝一、填空题（每空1分共165分）§1—11.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体、绝缘体和半导体三类。
2.常用的半导体材料是硅和锗，它们都是四价元素。
3.半导体中导电的不仅有电子，而且还有空穴，这是半导体区别于导体导电的重要特征。
4.掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子的浓度与温度和光照有很大关系。
5.半导体按导电类型分为N 型半导体和P 型半导体。
6.P 型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子；N 型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
7.PN 结又叫阻挡层，耗尽层，也叫空间电荷区。
8.PN 结正偏时，P 区接电源的正 极，N 区接电源的负 极；PN 结反偏时，P 区接电源的负极，N 区接电源的正极。
9.PN 结具有单向导电性能，即加正向电压时PN 结导通，加反向电压时的PN 结截止。
§1—210.二极管实质就是一个PN 结，P 区的引出端叫正极或阳极，N 区的引出端叫负极或阴极。
11、按二极管制造工艺的不同，二极管可分为点接触型、面接触型和平面型三种。
12、按晶体二极管所用的材料可分为硅和锗两类。
13、2CW 是硅材料的稳压二极管。
2AK 是锗材料的开关二极管。
14、2CZ 是硅材料的整流二极管。
2AP 是锗材料的普通二极管15、二极管的正向接法是P 接电源的正极，N 接电源的负极，反向接法时相反。
16、二极管的主要特性是单向导电，硅二极管的死区电压约0.5V ，锗二极管的死区电压约0.2V 。
17、硅二极管导通时的正向压降约0.7V ，锗二极管导通时的正向压降约0.3V 。
18、使用二极管时，应考虑的主要参数是FM I 、RM I 、RM U 。
19、电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会烧坏；如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管会击穿。
20、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已短路损坏，有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大表明二极管已开路损坏。
欢迎阅读模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将()。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管()A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域D.已损坏3.某放大电路图所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于()A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定S1S2模输入电压△υid 为()A.10mVB.20mVC.70mVD.140mV12.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入()。
A.共射电路B.共基电路C.共集电路D.共集-共基串联电路13.在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ()A.有可能产生相位失真B.有可能产生幅度失真和相位失真C.一定会产生非线性失真D.不会产生线性失真14.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在()。
A.开环或正反馈状态B.深度负反馈状态C.放大状态D.线性工作状态15.多级负反馈放大电路在()情况下容易引起自激。
A.回路增益F A 大B 反馈系数太小o V 为()。
A.125mVB.1000mVC.250mVD.500mV22.对于图所示的复合管，假设1CEO I 和2CEO I 分别表示T 1.T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为()。
A.2CEO CEO I I =B.21CEO CEO CEO I I I +=C.1CEO CEO I I =D.21)1(CEO CEO CEO I I I ++=β23.某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选()。
A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈24.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带()。
(A)变宽 (B)变窄(C)不变(D)与单级放大电路无关25.电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻()。
模拟电子技术习题集 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
图解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U≈－2V。
O6四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM ＝200mW ，试画出它的过损耗区。
图 解图解：根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图所示。
临界过损耗线的左边为过损耗区。
六、电路如图所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝。
试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝ （2）若T 临界饱和，则R b ≈解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBE BB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。
图 （2）设临界饱和时U CES ＝U BE ＝，所以Ω≈-====-=k 4.45A 6.28mA 86.2BBEBB b C B cCESCC C I U V R I I R U V I μβ七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
表解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。
根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表所示。
解表习题选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m 将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A能否将的干电池以正向接法接到二极管两端为什么解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为时，管子会因电流过大而烧坏。
电路如图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图解图解：u i和u o的波形如解图所示。
电路如图所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图解图解：波形如解图所示。
电路如图（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图解：u O的波形如解图所示。
解图电路如图所示，二极管导通电压U D ＝，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少解：二极管的直流电流I D ＝（V －U D ）/R ＝其动态电阻 r D ≈U T /I D ＝10Ω 故动态电流有效值I d ＝U i /r D ≈1mA 图现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V 和8V ，正向导通电压为。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少 （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少 解：（1）两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。
已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图所示电路中电阻R 的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω=-=k 8.136.0ZZI ～I U U R 图已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故 V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最 图 小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
在图所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝，正向电流在5～15mA 时才能正常工作。
试问：（1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光 （2）R 的取值范围是多少 解：（1）S 闭合。
（2）R 的范围为。
Ω=-=Ω≈-=700)(233)(Dmin D max Dmax D min I U V R I U V R图电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z＝3V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
图解：波形如解图所示解图在温度20℃时某晶体管的I CBO＝2μA，试问温度是60℃时I CBO≈解：60℃时I CBO≈5I＝32μA。
（TCBO）C20＝有两只晶体管，一只的β＝200，I CEO＝200μA；另一只的β＝100，I CEO＝10μA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子为什么解：选用β＝100、I CBO＝10μA的管子，因其β适中、I CEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
图解：答案如解图所示。
解图测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表所示。
解表 管号 T 1 T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料Si SiSiGe Ge Ge电路如图所示，晶体管导通时U BE ＝，β=50。
试分析V BB 为0V 、1V 、三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。
解：（1）当V BB ＝0时，T 截止，u O ＝12V 。
（2）当V BB ＝1V 时，因为 60bBEQBB BQ =-=R U V I μAV9mA 3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β所以T 处于放大状态。
（3）当V BB ＝3V 时，因为160bBEQBB BQ =-=R U V I μA 图BEC CQ O BQ CQ mA 8 U R I V u I I CC ＜-===β所以T 处于饱和状态。
电路如图所示，试问β大于多少时晶体管饱和解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则Cb C BECC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb=≥R R β时，管子饱和。
图电路如图所示，晶体管的β＝50，|U BE |＝，饱和管压降|U CES |＝；稳压管的稳定电压U Z ＝5V ，正向导通电压U D ＝。
试问：当u I ＝0V 时u O ＝当u I ＝－5V 时u O ＝解：当u I ＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，u O ＝－U Z ＝－5V 。
当u I ＝－5V 时，晶体管饱和，u O ＝。
因为mA 24μA 480B C bBEI B ===-=I I R U u I βCC C C CC EC V R I V U ＜-=图分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图解：（a ）可能 （b ）可能 （c ）不能（d ）不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。
（e ）可能已知某结型场效应管的I DSS ＝2mA ，U GS （off ）＝－4V ，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出予夹断轨迹。
解：根据方程 2GS(th)GS DSS D )1(U u I i -= 逐点求出确定的u GS 下的i D ，可近似画出转移特性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上u GD ＝U GS （off ）的点连接起来，便为予夹断线；如解图所示。
