量子力学1-2
- 格式:ppt
- 大小:411.50 KB
- 文档页数:16
第一章 绪论1.1.由黑体辐射公式导出维恩位移定律:C m b bTm3109.2 ,×´==-l 。
证明:由普朗克黑体辐射公式:由普朗克黑体辐射公式:n n p nr n nd ec hd kTh 11833-=, 及ln c=、l ln d c d 2-=得1185-=kThcehc l l l p r ,令kT hc x l =,再由0=l r l d d ,得l .所满足的超越方程为所满足的超越方程为15-=x x e xe用图解法求得97.4=x ,即得97.4=kT hc m l ,将数据代入求得C m 109.2 ,03×´==-b b T ml 1.2.在0K 附近,钠的价电子能量约为3eV ,求de Broglie 波长. 解:010A 7.09m 1009.72=´»==-mEh p h l # 1.3. 氦原子的动能为kT E 23=,求K T 1=时氦原子的de Broglie 波长。
波长。
解:010A 63.12m 1063.1232=´»===-mkT h mE h p h l其中kg 1066.1003.427-´´=m ,123K J 1038.1--×´=k # 1.4利用玻尔—索末菲量子化条件,求:利用玻尔—索末菲量子化条件,求: (1)一维谐振子的能量。
)一维谐振子的能量。
(2)在均匀磁场中作圆周运动的电子的轨道半径。
)在均匀磁场中作圆周运动的电子的轨道半径。
已知外磁场T 10=B ,玻尔磁子123T J 10923.0--×´=B m ,求动能的量子化间隔E D ,并与K 4=T 及K 100=T 的热运动能量相比较。
的热运动能量相比较。
解:(1)方法1:谐振子的能量222212q p E mw m +=可以化为()12222222=÷÷øöççèæ+mw m E q Ep的平面运动,轨道为椭圆,两半轴分别为22,2mw m Eb E a ==,相空间面积为,相空间面积为,2,1,0,2=====òn nh EE ab pdq nw pp 所以,能量 ,2,1,0,==n nh E n方法2:一维谐振子的运动方程为02=+¢¢q q w ,其解为,其解为()j w +=t A q sin速度为速度为 ()j w w +=¢t A q c o s ,动量为()j w mw m +=¢=t A q p cos ,则相积分为,则相积分为 ()()nh T A dt t A dt t A pdq T T ==++=+=òòò2)cos 1(2cos 220220222mw j w mw j w mw , ,2,1,0=n nmw nh T nh A E ===222, ,2,1,0=n (2)设磁场垂直于电子运动方向,受洛仑兹力作用作匀速圆周运动。
半导体器件物理第一章:半导体材料就其导电性而然,半导体材料的导电性能介于金属和绝缘体之间。
半导体基本可以分为两类:位于元素周期表IV族的元素半导体和化合物半导体。
大部分化合物半导体材料是Ⅲ族和V族元素化合而成的。
表1.1是元素周期表的一部分,包含了最常见的半导体元素。
表1.2给出了较为常用的某些半导体材料。
表1.1部分半导体元素周期表表1.2半导体材料Ge。
硅是制作半导体器件和集成电路最常用的半导体材料。
由两种或两种以上半导体元素组成的半导体称为化合物半导体,如GaAs或GaP是由Ⅲ族和Ⅴ族元素化合而成的。
其中GaAs是应用最为广泛的一种化合物半导体材料,它具有较高的载流子迁移率,因此一般应用在制作高速器件或高速集成电路的场合。
1.1半导体的价键和价电子硅是用于制作半导体器件和集成电路的重要材料之一,它具有金刚石晶格结构,是IV族元素;锗也具有金刚石晶格结构,也是IV族元素。
其它化合物半导体材料如砷化镓具有闪锌矿晶格结构。
由于硅是主流集成电路工艺普遍使用的半导体材料,所以我们主要研究该材料的物理特性。
无限多的硅原子按一定规律在三维空间上的集合就形成硅晶体(通常是形成单晶体结构)是什么因素导致硅原子的集合能够形成特定的硅晶格结构?统计物理学给出了答案:热平衡系统的总能量总是趋于达到某个最小值。
原子间价键的作用使它们“粘合”在一起形成晶体。
原子间的相互作用倾向于形成满价壳层。
元素周期表中的Ⅳ族元素Si和Ge,其原子序数是14,包围着硅原子有3个电子壳层,最外层壳层上有4个价电子,需要另外4个价电子来填满该壳层。
当硅原子组成晶体时,最外层壳层上的4个价电子与紧邻的硅原子的最外层4电子组成共价键。
大量的硅、锗原子组成晶体靠的是共价键的结合。
图1.1a显示了有4个价电子的5个无相互作用的硅原子,图1.1b显示了硅原子共价键的二维视图。
中间的那个硅原子就有8个被共享的价电子,因此它是稳定的。
其它4个硅原子有3个价键是悬空的,没有形成稳定的共价键。
四个量子数取值规则
1. 主量子数n
主量子数n是描述原子、分子或离子中电子所处的电子层的量子数,通常用符号z表示。
n的取值范围是1、2、3、4、5、6、7。
在一个原子中,n的取值越小,电子离原子核越近,能量越低。
2. 角动量量子数l
角动量量子数l是描述原子、分子或离子中电子在电子层内的轨道角动量的量子数,通常用符号l表示。
l的取值范围是0、1、2。
在一个原子中,l的取值越小,电子所处的轨道能量越高。
3. 磁量子数m
磁量子数m是描述原子、分子或离子中电子在亚层轨道上的磁矩的量子数,通常用符号m表示。
m的取值范围是-l到+l,代表电子所处的亚层轨道的取值范围。
在一个原子中,m的取值范围是[-l, l]。
4. 自旋量子数ms
自旋量子数ms是描述原子、分子或离子中电子自旋状态的量子数,通常用符号s表示。
ms的取值范围是0和1/2,表示电子的自旋状态。
总结:
四个量子数的取值规则为:
1. 主量子数n的取值范围为1、2、3、4、5、6、7。
2. 角动量量子数l的取值范围为0、1、2。
3. 磁量子数m的取值范围为-l到+l,代表电子所处的亚层轨道的取值范围。
4. 自旋量子数ms的取值范围为0和1/2,表示电子的自旋状态。
在量子力学中,四个量子数共同决定了电子在原子核周围的运动状态。
根据这些量子数的取值规则,可以精确地描述原子、分子或离子中电子的位置和运动。