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单多晶硅perc 太阳能电池的衰减1 什么是单多晶硅PERC太阳能电池？单多晶硅PERC太阳能电池是一种高效的太阳能电池，其名称来源于其结构。
PERC代表“背面电极太阳能电池”，是指电池的背面有一个电极，可以提高电池的效率。
这种太阳能电池使用单晶硅和多晶硅材料制成，具有高转换效率和长寿命。
2 单多晶硅PERC太阳能电池的衰减太阳能电池是一种半导体器件，其性能随着使用时间的增加而逐渐下降。
单多晶硅PERC太阳能电池的衰减主要由以下几个方面造成：##2.1 光照强度太阳能电池的输出功率与光照强度成正比，当光照强度变化时，输出功率也会相应变化。
在强光照射下，太阳能电池的效率会下降，而在弱光照射下，太阳能电池的效率会提高。
##2.2 温度太阳能电池的输出功率与温度成反比，当温度升高时，输出功率会下降。
在高温下，太阳能电池的效率会下降，而在低温下，太阳能电池的效率会提高。
##2.3 光照时间太阳能电池的寿命与光照时间有关。
长时间的光照会使太阳能电池的寿命缩短，导致衰减。
##2.4 湿度湿度对太阳能电池的寿命也有影响。
高湿度会加速太阳能电池的老化和腐蚀，导致衰减。
3 如何延长单多晶硅PERC太阳能电池的使用寿命？为了延长单多晶硅PERC太阳能电池的使用寿命，可以采取以下措施：- 控制光照强度和光照时间，避免过度光照；- 控制温度，避免过高温度；- 控制湿度，保持干燥环境；- 定期清洁太阳能电池表面，以保持其高效率。
4 结论单多晶硅PERC太阳能电池是一种高效的太阳能电池，但其衰减会影响其性能。
为了延长其使用寿命，需要采取相应的措施。
未来，随着科技的发展，相信太阳能电池的效率和寿命会得到进一步提高。
中，d 1为相邻2条激光开槽线的间距；d 2为激光扫描距离；d 3为1个激光扫描周期距离。
实验均采用德国Halm 测试仪来表征电池的电学性能，采用奥林巴斯显微镜来观察硅片表面的激光光斑扫描形貌和电池的背面铝浆填充率变b. 激光开槽局部放大图
图1 PERC 单晶硅太阳电池的背面激光图形
Fig. 1 Laser pattern on back of PERC monocrystalline silicon
solar cell
a. 背面激光开槽整体图 a. 激光速度为14000 m/s 时
局部放大
d 2
d 1
d 3
12 µm
7 µm
b. 激光速度为16000 m/s时
0 µm
c. 激光速度为18000 m/s时
8 µm
d. 激光速度为20000 m/s时
10 µm
e. 激光速度为22000 m/s时
不同激光速度对应的激光光斑之间的位置变化形貌图Fig. 2 Topography of position change between laser spots corresponding to different laser velocities
对应的激光光斑位置为相离；当铝浆的延展腐蚀性弱时，对应的激光光斑位置为相交；当铝浆的延展腐蚀性适中时，对应的激光光斑位置为相切。
激光速度与激光实线比直接共同影响了铝浆与硅基体的接触比例，从而影响了PERC单晶硅太阳电池的接触电阻。
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专家解读：晶硅电池产业化技术将走向何方？7月19日，中国光伏行业协会召开了《光伏行业2017年上半年发展回顾与下半年形势展望研讨会》。
会议上，众多专家做了精彩发言。
本文为中科院电工研究所太阳电池技术研究部主任——王文静研究员的精彩发言，原文题目为《晶体硅太阳电池产业化技术的发展》。
王老师是国内电池研究的最权威专家之一。
根据目前的情况分析后，王老师认为：单晶PERC产品兼具成本与性能优势，是目前最有竞争力的产品，未来还具有很高的效率增长空间。
具体分析如下：一、晶体硅太阳电池的技术进步表1：中国各种晶体硅太阳电池的产业化效率表2：各种新型晶体硅太阳电池的工艺比对二、可产业化的新型晶体硅太阳电池1常规设备的改进2常规BSF电池的关键技术：黑硅技术表3：金刚线切割多晶硅片的常规织绒技术还未解决单晶硅电池与多晶硅电池的差距在缩小价差缩小的原因分析：1.金钢线切割导入单晶硅，但是多晶硅遇阻2.降低氧含量3.连续投料4.薄片化5.新型的尺寸设计单晶硅片将完全用金刚线切割对于切片企业是个巨大的技术升级压力1.铸锭工艺调整——降低硬质点2.切割机全面升级为金刚线切割（日本小型线锯可以成功改造（东京制钢、NTC、442DM、大连连城），但是HCT和MB的大型线锯改造不顺）3.金刚线切割的单晶硅片已经进入电池量产，使用新型添加剂织绒4.金刚线切割的多晶硅片还无法使用常规酸腐蚀工艺进行织绒，只能使用干法或湿法织绒，增加较高的成本，同时由于多晶硅硬质点造成的金刚线断线问题，使得它还没有进入大规模量产常规太阳电池浆料技术的改进浆料的全面改进2PERC电池PERC电池工艺过程表3：台湾的PERC电池的厂商表4：台湾之外的PERC电池产能2015~2017年全球PERC电池产能及产量估计截止目前PERC电池的效率记录目前各个公司的PERC电池的最高效率和产业化平均效率多晶PERC电池的产线效率已经站上19.5%一线中国单晶PERC产线平均效率已经处在21%国际一流企业的单晶PERC电池产线效率已经处于21.5%各种晶体硅电池价格下降趋势PERC电池的关键技术：Al2O3镀膜技术根据Plasma的产生方式，又可以分为电感耦合等离子体增强ALD(ICP-ALD)、电容耦合等离子体增强ALD(CCP-ALD)及微波等离子体增强ALD（MWP-ALD）。
效率的竞争——太阳崇拜的秘密——访中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室主任王文静
贾常艳
【期刊名称】《电器工业》
【年(卷),期】2012(000)008
【总页数】2页(P50-51)
【作者】贾常艳
【作者单位】
【正文语种】中文
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少子寿命在单晶硅太阳能电池生产中的变化研究刘金虎，刘邦武，夏洋，沈泽南，张祥，何静，宁婕妤（中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室，北京100029）摘要：非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命，简称少子寿命。
作为评价硅片质量和太阳能电池生产工艺优劣的一个重要手段，少子寿命的地位越来越重要。
所以本文主要研究少子寿命在单晶硅太阳能电池生产中的变化和相应变化所产生的原因。
影响和改善少子寿命的主要因素包括：硅片质量，制绒去损，磷铝吸杂，PECVD钝化，热退火等。
关键字：少子寿命，制绒去损，磷铝吸杂，PECVD钝化，热退火The study of changes of the Minority carrier lifetime in the production ofmonocrystalline silicon solar cellLiujinhu;Liubangwu;Xiayang;Shenzenan;Zhangxiang;Hejing;Ningjieyu(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing100029,China)Abstract:Non-equilibrium minority carriers average survival time is called non-equilibrium minority carriers lifetime,for short minority carriers lifetime.As one of the important means,minority carriers lifetime is taking important part in the production of the crystalline silicon.Minority carriers life can detect the quality of the wafer and the production process.This paper mainly studies the significance and variation of minority carriers lifetime, the paper also analyse the reason for variation of minority carriers lifetime.Through the analysis of experimental results,summarized the main factors that affect and improve minority carriers lifetime.The main factors is the quality of the wafer,the effect of texturing,aluminium and phosphorus gettering,the passivation of PECVD and the thermal annealing.Key words:the minority carriers lifetime;texturing;aluminium and phosphorus gettering;the passivation of PECVD;thermal annealing0.前言：光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。
专利名称：一种削弱多晶硅太阳能电池光衰的方法专利类型：发明专利
发明人：宋立辉,余学功,杨德仁
申请号：CN201910725867.6
申请日：20190807
公开号：CN110634988A
公开日：
20191231
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开一种削弱多晶硅太阳能电池光衰的方法。
将PERC多晶硅太阳能电池片置于150‑250℃下正向施加1‑4V的电压，处理10分钟。
然后置于300‑550℃下反向施加0.2‑2V的电压，处理1分钟。
本发明可以减少多晶硅太阳能电池的光衰程度到1％以下。
本发明还可以实现一定程度的多晶硅太阳能电池的晶界钝化。
申请人：杭州电子科技大学
地址：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
国籍：CN
代理机构：杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：朱亚冠
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