材料科学基础复习题.
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《材料科学基础》复习题第1章原子结构与结合键一、判断题:4、金属键具有明显的方向性和饱和性。
( F)5、共价键具有明显的方向性和饱和性。
( T)6、组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是两组元的电负性相同。
两组元的晶体结构相同( F)7、工程材料的强度与结合键有一定的关系,结合键能越高的材料,通常其弹性模量、强度和熔点越低。
(F)8、晶体中配位数和致密度之间的关系是配位数越大,致密度越小。
(F )二、选择题:1、具有明显的方向性和饱和性。
A、金属键B、共价键C、离子键D、化学键2、以下各种结合键中,结合键能最大的是。
A、离子键、共价键B、金属键C、分子键D、化学键3、以下各种结合键中,结合键能最小的是。
A、离子键、共价键B、金属键C、分子键D、化学键5、已知铝元素的电负性为1.61,氧元素的电负性为3.44,则Al2O3中离子键结合的比例为。
A、28%B、45%C、57%D、68%6、以下关于结合键的性质与材料性能的关系中,是不正确的。
P54A、结合键能是影响弹性模量的主要因素,结合键能越大,材料的弹性模量越大。
B、具有同类型结合键的材料,结合键能越高,熔点也越高。
C、具有离子键和共价键的材料,塑性较差。
D、随着温度升高,金属中的正离子和原子本身振动的幅度加大,导电率和导热率都会增加。
(应该是自由电子的定向运动加剧)7、组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是。
A、两组元的电子浓度相同B、两组元的晶体结构相同C、两组元的原子半径相同D、两组元电负性相同11、晶体中配位数和致密度之间的关系是。
A、配位数越大,致密度越大B、配位数越小,致密度越大C、配位数越大,致密度越小D、两者之间无直接关系三、填空题:2、构成陶瓷化合物的两种元素的电负性差值越大,则化合物中离子键结合的比例越大。
3、体心立方结构的晶格常数为a,单位晶胞原子数为 2 、原子半径为a ,配位数为 8 。
4、面心立方结构的晶格常数为a ,原子半径为 a ,配位数为 12 。
《材料科学基础》复习思考题第一章:材料的结构空间点阵、晶格、晶胞配位数致密度共价键离子键金属键组元合金、相、固溶体中间相间隙固溶体置换固溶体固溶强化第二相强化。
1、材料的键合方式有四类,分别是(),(),(),()2、三种常见的金属晶格分别为(),()和()。
3体心立方晶格中,晶胞原子数为(),原子半径与晶格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排晶向为(),密排晶面为(),晶胞中八面体间隙个数为(),四面体间隙个数为(),具有体心立方晶格的常见金属有()。
4、面心立方晶格中,晶胞原子数为(),原子半径与晶格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排晶向为(),密排晶面为(),晶胞中八面体间隙个数为(),四面体间隙个数为(),具有面心立方晶格的常见金属有()。
5、密排六方晶格中,晶胞原子数为(),原子半径与晶格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排晶向为(),密排晶面为(),具有密排六方晶格的常见金属有()。
6、合金的相结构分为两大类,分别是()和()。
7、固溶体按照溶质原子在晶格中所占的位置分为()和(),按照固溶度分为()和(),按照溶质原子与溶剂原子相对分布分为()和()。
8、影响固溶体结构形式和溶解度的因素主要有()、()、()、()。
9、金属化合物(中间相)分为以下四类,分别是(),(),(),()。
三、作图表示出立方晶系(123)、(0)、(421)等晶面和[02]、[11]、[346]等晶向。
四、立方晶系的{111}晶面构成一个八面体,试作图画出该八面体,并注明各晶面的晶面指数。
五、体心立方晶格的晶格常数为a,试求出(100)、(110)、(111)晶面的面间距大小,并指出面间距最大的晶面。
六、已知面心立方晶格的晶格常数为a,试求出(100)、(110)、(111)晶面的面间距大小,并指出面间距最大的晶面。
七、试从面心立方晶格中绘出体心正方晶胞,并求出它的晶格常数。
材料科学基础试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 材料科学中,材料的基本组成单元是()。
A. 分子B. 原子C. 离子D. 电子答案:B2. 金属的塑性变形主要是通过()来实现的。
A. 弹性变形B. 位错运动C. 相变D. 断裂答案:B3. 在材料科学中,硬度的定义是()。
A. 材料抵抗变形的能力B. 材料抵抗磨损的能力C. 材料抵抗压缩的能力D. 材料抵抗拉伸的能力答案:B4. 材料的热处理过程中,淬火的主要目的是()。
A. 提高硬度B. 增加韧性C. 减少变形D. 提高导电性答案:A5. 以下哪种材料不属于复合材料?A. 碳纤维增强塑料B. 钢筋混凝土C. 不锈钢D. 玻璃钢答案:C二、填空题(每空1分,共20分)1. 材料的强度是指材料在受到______作用时,抵抗______的能力。
答案:外力;破坏2. 材料的断裂韧性是指材料在______条件下,抵抗______的能力。
答案:裂纹存在;断裂3. 材料的疲劳是指材料在______作用下,经过______循环后发生断裂的现象。
答案:交变应力;多次4. 材料的导热性是指材料在______条件下,抵抗______的能力。
答案:温度梯度;热量传递5. 材料的电导率是指材料在单位电场强度下,单位时间内通过单位面积的______。
答案:电荷量三、简答题(每题10分,共30分)1. 简述材料的弹性模量和屈服强度的区别。
答案:弹性模量是指材料在弹性范围内,应力与应变的比值,反映了材料抵抗形变的能力。
屈服强度是指材料在受到外力作用下,从弹性变形过渡到塑性变形时的应力值,反映了材料抵抗塑性变形的能力。
2. 描述材料的疲劳破坏过程。
答案:材料的疲劳破坏过程通常包括三个阶段:裂纹的萌生、裂纹的扩展和最终断裂。
在交变应力作用下,材料内部的微裂纹逐渐扩展,当裂纹扩展到一定程度,材料无法承受继续增加的应力时,就会发生断裂。
3. 什么是材料的热处理?请列举几种常见的热处理方法。
材料科学基础考前重点复习题1. Mn 的同素异构体有一为立方结构,其晶格常数α为0.632nm ,密度ρ为26.7g/cm 3,原子半径r 等于0.122nm ,问Mn 晶胞中有几个原子,其致密度为多少?答案解析:习题册 P9 2-22.2. 如图1所示,设有两个α相晶粒与一个β相晶粒相交于一公共晶棱,并形成三叉晶界,已知β相所张的两面角为80℃,界面能ααγ为0.60Jm -2, 试求α相与β相的界面能αβγ。
图1答案解析:习题册 P17 3-42.3. 有两种激活能分别为1Q =53.7kJ/mol 和2Q =201kJ/mol 的扩散反应,观察在温度从25℃升高到800℃时对这两种扩散的影响,并对结果进行评述。
答案解析:习题册 P21 4-8.4. 论述强化金属材料的方法、特点和机理。
答:(1)结晶强化。
通过控制结晶条件,在凝固结晶以后获得良好的宏观组织和显微组织,提高金属材料的性能。
包括细化晶粒,提高金属材料纯度。
(2)形变强化。
金属材料在塑性变形后位错运动的阻力增加,冷加工塑性变形提高其强度。
(3)固溶强化。
通过合金化(加入合金元素)组成固溶体,使金属材料强化。
(4)相变强化。
合金化的金属材料,通过热处理等手段发生固态相变,获得需要的组织结构,使金属材料强化。
(5)晶界强化。
晶界部位自由能较高,存在着大量缺陷和空穴。
低温时,晶界阻碍位错运动,晶界强度高于晶粒本身;高温时,沿晶界扩散速度比晶内扩散速度快,晶界强度显著降低。
强化晶界可强化金属材料。
5. 什么是回复,请简述金属材料冷变形后回复的机制。
试举例说明回复的作用。
答:(1)回复是冷变形金属在低温加热时,其显微组织无可见变化,但物理性能、力学性能却部分恢复到冷变形以前的过程。
(2)回复机制:低温回复主要与点缺陷迁移有关,冷变形时产生大量的点缺陷,空穴与间隙原子。
温度较高时,中温回复会发生位错运动和重新分布。
位错滑移,异号位错相遇而抵消,位错缠结重新排列,位错密度降低。
材料科学基础复习题一、单项选择()1、面心立方(fcc)结构的铝晶体中,每个铝原子在本层(111)面上的原子配位数为___ B _____。
A、12B、6C、4D、32、面心立方金属发生形变孪生时,则孪晶面为___ A ____.A、{111}B、{110}C、{112}3、铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时,则固态显微组织主要为___ A _____。
A、树枝晶B、柱状晶C、球晶4、立方晶体中(110)和(211)面同属于__ D ______晶带。
A、[110]B、[100]C、[211]D、[111]5、根据三元相图的垂直截面图__ B ______。
A、可分析相成分变化规律B、可分析材料的平衡凝固过程C、可用杠杆定律计算各相的相对量6、凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法? BA、加入形核剂B、减小液相的过冷度C、对液相实施搅拌答案:B7、三种组元组成的试样在空气中用X射线衍射(XRD)分析其随温度变化而发生相变的情况,则最多可记录到___ C _____共存。
A、2相B、3相C、4相D、5相8、fcc、bcc、hcp三种晶体结构的材料中,塑性形变时最容易生成孪晶的是__ C ______.A、fccB、bccC、hcp9、A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则___ A _____。
A、A组元的扩散速率大于B组元B、与A相反C、A、B两组元的扩散速率相同10、简单立方晶体的致密度为___ C _____。
A、100%B、65%C、52%D、58%11、不能发生攀移运动的位错是___ A _____.A、肖克利不全位错B、弗兰克不全位错C、刃型全位错12、fcc结构中分别在(111)和(111)面上的两个肖克利位错(分别是1/6[211]和1/6[121])相遇时发生位错反应,将生成_ CA、刃型全位错B、刃型弗兰克位错C、刃型压杆位错D、螺型压杆位错13、能进行交滑移的位错必然是___ B _____。
一名词解释1、致密度:表示晶胞中原子所占体积与晶胞体积的比值,是衡量原子排列紧密程度的参数,致密度越大,晶体中原子排列越紧密,晶体结构越致密。
2、相:合金中具有同一聚集状态、同一晶体结构、成分基本相同、并有明确界面与其他部分相分开的均匀组成部分。
3、固溶体:指以合金某一组元为溶剂,在其晶格中溶入其他组元原子(溶质)后所形成的一种合金相,其特征是仍保持溶剂晶格类型,结点上或间隙中含有其他组元原子。
4、离异共晶:成分点靠近共晶转变线两端的亚共晶和过共晶合金,结晶后组织中初晶量多,共晶体数量少,而且共晶体中与初晶相同的一相与初晶结合在一起,将共晶体中另一相推至晶界,造成的共晶体两相分离的非平衡组织。
5、平衡分配系数:固溶体合金在结晶过程中具有选分结晶的特点。
因此在一定温度下平衡时,固相成分与液相成分之比称为平衡分配系数。
该参数反映了溶质在固液两相中的分配系数及溶质对合金熔点的影响程度。
6、反应扩散:在固态扩散的过程中,如果渗入元素在金属中溶解度有限,随着扩散原子增多,当渗入原子的浓度超过饱和溶解度时则形成不同于原相的固液体或中间相,从而使金属表层分为出现新相和不出现新相的两层,这种通过扩散而形成新相的过程称为反应扩散。
7、固溶强化:当形成固溶体后,溶剂晶格中因溶有溶质原子而产生晶格畸变,溶质原子的应力场会与位错产生交互作用而阻碍位错运动,增大了位错运动的阻力,使得临界分切应力远比纯金属打,滑移系开动比纯金属困难,使材料的塑性变形抗力提高,硬度、强度上升,而塑性、韧性下降的现象称为固溶强化。
8、退火:将金属及其合金加热至相变温度以上,保温一段时间,然后以较为缓慢的速度冷却,以获得近于平衡组织的热处理工艺称为退火。
9、柏氏矢量:用来描述位错引起晶格畸变的物理量。
该矢量的模是位错的强度,表示晶格总畸变的大小,其方向表示晶格点畸变的方向。
一般情况下,该矢量越大,晶体畸变的程度越大。
10、成分过冷:固溶体合金凝固时,由于液相中溶质的分布发生变化,合金熔点也发生变化,即使实际温度分布不变,固液界面前沿的过冷度也会发生变化。
材料科学基础试题及答案一、名词解释(每题5分,共25分)1. 晶体缺陷2. 扩散3. 塑性变形4. 应力5. 比热容二、选择题(每题2分,共20分)1. 下列哪种材料属于金属材料?A. 玻璃B. 塑料C. 陶瓷D. 铜2. 下列哪种材料属于陶瓷材料?A. 铁B. 铝C. 硅酸盐D. 聚合物3. 下列哪种材料属于高分子材料?A. 玻璃B. 钢铁C. 聚乙烯D. 陶瓷4. 下列哪种材料属于半导体材料?A. 铜B. 铝C. 硅D. 铁5. 下列哪种材料属于绝缘体?A. 铜B. 铝C. 硅D. 玻璃三、简答题(每题10分,共30分)1. 请简述晶体结构的基本类型及其特点。
2. 请简述塑性变形与弹性变形的区别。
3. 请简述材料的热传导原理。
四、计算题(每题15分,共30分)1. 计算一个碳化硅晶体的体积。
已知碳化硅的晶胞参数:a=4.05 Å,b=4.05 Å,c=8.85 Å,α=β=γ=90°。
2. 计算在恒定温度下,将一个100 cm³的铜块加热100℃所需的热量。
已知铜的比热容为0.39J/(g·℃),铜的密度为8.96 g/cm³。
五、论述题(每题20分,共40分)1. 论述材料科学在现代科技发展中的重要性。
2. 论述材料制备方法及其对材料性能的影响。
答案:一、名词解释(每题5分,共25分)1. 晶体缺陷:晶体在生长过程中,由于外界环境的影响,导致其内部结构出现不完整或不符合理想周期性排列的现象。
2. 扩散:物质由高浓度区域向低浓度区域自发地移动的过程。
3. 塑性变形:材料在受到外力作用下,能够产生永久变形而不恢复原状的性质。
4. 应力:单位面积上作用于材料上的力。
5. 比热容:单位质量的物质温度升高1℃所吸收的热量。
二、选择题(每题2分,共20分)1. D2. C3. C4. C5. D三、简答题(每题10分,共30分)1. 晶体结构的基本类型及其特点:晶体结构的基本类型有立方晶系、四方晶系、六方晶系和单斜晶系。
单项选择题:(每一道题1分)第1章原子结构与键合1.高分子材料中的C-H化学键属于。
(A)氢键(B)离子键(C)共价键2.属于物理键的是。
(A)共价键(B)范德华力(C)氢键3.化学键中通过共用电子对形成的是。
(A)共价键(B)离子键(C)金属键第2章固体结构4.面心立方晶体的致密度为 C 。
(A)100% (B)68% (C)74%5.体心立方晶体的致密度为 B 。
(A)100% (B)68% (C)74%6.密排六方晶体的致密度为 C 。
(A)100% (B)68% (C)74%7.以下不具有多晶型性的金属是。
(A)铜(B)锰(C)铁8.面心立方晶体的孪晶面是。
(A){112} (B){110} (C){111}9.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是。
(A)fcc (B)bcc (C)hcp10.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式?(A)复合强化(B)弥散强化(C)固溶强化11.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。
(A)氮(B)碳(C)硼12.以下属于正常价化合物的是。
(A)Mg2Pb (B)Cu5Sn (C)Fe3C第3章晶体缺陷13.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系?(A)垂直(B)平行(C)交叉14.能进行攀移的位错必然是。
(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错15.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为。
(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷16.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为(A)肖脱基缺陷(B)Frank缺陷(C)堆垛层错17.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金18.大角度晶界具有____________个自由度。
(A)3 (B)4 (C)5第4章固体中原子及分子的运动19.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随变化。
(A)距离(B)时间(C)温度20.在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为。
材料科学基础期末复习题库一、选择题1. 材料科学中的“四要素”是指:A. 原子、分子、晶体、非晶体B. 材料、结构、性能、加工C. 原子、分子、电子、晶格D. 晶体、非晶体、合金、化合物2. 下列哪项不是材料的力学性能?A. 硬度B. 韧性C. 导电性D. 弹性3. 材料的微观结构对其宏观性能的影响主要体现在:A. 颜色B. 形状C. 强度D. 重量4. 材料科学中,晶格常数是指:A. 晶体中原子间的距离B. 晶体中原子的排列方式C. 晶体中原子的数目D. 晶体的尺寸5. 合金的强化机制主要包括:A. 固溶强化、沉淀强化、形变强化B. 热处理强化、冷加工强化、形变强化C. 固溶强化、冷加工强化、热处理强化D. 形变强化、热处理强化、沉淀强化二、填空题6. 材料科学中的“三相”是指______、______和______。
7. 材料的______是指材料在受到外力作用时,不发生永久变形的能力。
8. 材料的______是指材料在受到外力作用时,能够吸收能量而不发生断裂的能力。
9. 材料的______是指材料在受到外力作用时,发生永久变形的能力。
10. 材料的______是指材料在受到外力作用时,发生断裂的能力。
三、简答题11. 简述材料的微观结构与宏观性能之间的关系。
12. 阐述材料的热处理过程及其对材料性能的影响。
13. 描述合金的基本特性及其在材料科学中的应用。
四、论述题14. 论述材料的疲劳破坏机理及其预防措施。
15. 论述材料的腐蚀机理及其防护方法。
五、计算题16. 假设有一合金,其成分为铁(Fe)和碳(C),已知Fe的密度为7.87 g/cm³,C的密度为2.26 g/cm³,Fe和C的质量比为9:1。
计算该合金的密度。
六、案例分析题17. 某工厂生产高强度钢,需要通过热处理来提高其性能。
请分析热处理过程中可能涉及的步骤,并讨论如何通过控制这些步骤来优化材料的性能。
七、实验题18. 设计一个实验方案,以测定某种材料的弹性模量。
名词解释1.空间点阵:是表示晶体结构中质点周期性重复规律得几何图形.2.同素异构:是指某些元素在t和p变化时,晶体结构发生变化得特征.3.固溶体:当一种组分(溶剂)内溶解了其他组分(溶质)而形成的单一、均匀的晶态固体,其晶体结构保持溶剂组元的晶体结构时,这种相就称固溶体。
4.电子浓度:固溶体中价电子数目e与原子数目之比。
5.间隙固溶体:溶质原子溶入溶剂间隙形成的固溶体6.晶胞:能完全反映晶格特征得最小几何单元7.清洁表面:是指不存在任何吸附、催化反应、杂质扩散等物理化学效应得表面,这种表面的化学组成与体内相同,但周期结构可以不同于体内。
8.润湿:是一种流体从固体表面置换另一种流体的过程。
9.表面改性:是利用固体表面的吸附特性,通过各种表面处理来改变固体表面得结构和性质以适应各种预期要求。
10.晶界:凡结构相同而取向不同的晶体相互接触,其接触面称为晶界。
11.相平衡:一个多相系统中,在一定条件下,当每一相的生成速度与它的消失速度相等时,宏观上没有任何物质在相间传递,系统中每一个相的数量均不随时间而变化,这时系统便达到了相平衡。
12.临界晶胚半径rk :新相可以长大而不消失的最小晶胚半径.13.枝晶偏析: 固溶体非平衡凝固时不同时刻结晶的固相成分不同导致树枝晶内成分不均匀的现象(或树枝晶晶轴含高熔点组元较多,晶枝间低熔点组元较多的现象).14.扩散:由构成物质的微粒得热运动而产生得物质迁移现象。
扩散的宏观表现为物质的定向输送。
15.反应扩散:在扩散中由于成分的变化,通过化学反应而伴随着新相的形成(或称有相变发生)的扩散过程称为“反应扩散”,也称为“相变扩散。
16.泰曼温度:反应开始温度远低于反应物熔点或系统低共熔温度,通常相当于一种反应物开始呈现显著扩散作用的温度,此温度称为泰曼温度或烧结温度。
18.相变:随自由能变化而发生的相的结构变化。
19.什么是相律:表示材料系统相平衡得热力学表达式,具体表示系统自由能、组元数和相数之间得关系。
材料科学基础复习题一、选择题1. 原子结合键包括物理键和化学键, 下述结合键中属于化学键的是.(A) 金属键(B) 离子键(C) 分子键(D) 共价键2. 原子结合键包括物理键和化学键, 下述结合键中属于物理键的是.(A) 氢键(B) 离子键(C) 分子键(D) 共价键3. 工业用硅酸盐属于.(A) 金属材料(B) 陶瓷材料(C) 复合材料(D) 高分子材料4. 布拉菲点阵共有中.(A) 8 (B) 10 (C) 12 (D) 145. BCC、FCC和HCP等三种典型晶体结构中, 单位晶胞的原子数分别为.(A) 2, 4, 6 (B) 4, 2, 6 (C) 3, 4, 5 (D) 6, 2, 46. 晶面间距表示相邻两个平行晶面之间的垂直距离, 其大小反映了晶面上原子排列的紧密程度, 一般规律是.(A) 在简单立方点阵中, 低指数的晶面间距较大(B) 在简单立方点阵中, 高指数的晶面间距较大(C) 晶面间距越大, 该晶面上原子排列越紧密(D) 晶面间距越大, 该晶面上原子排列越稀疏7. BCC、FCC和HCP等三种典型晶体结构中, 原子配位数依次为.(A) 8, 12, 8 (B) 8, 12, 10 (C) 12, 8, 6 (D) 8, 12, 128. 密堆积结构的致密度为.(A) 0.68 (B) 0.74 (C) 0.82 (D) 1.09. MgO陶瓷晶体具有NaCl型结构, 单位晶胞的离子数为.(A) 4 (B) 6 (C) 8 (D) 1010. SiC陶瓷晶体具有金刚石型结构, 该结构一般特征是.(A) 原子结合键为共价键(B) 原子配位数为4(C) 单位晶胞包含8个原子(D) 属于面心立方点阵, 为密堆积结构11. 下述晶体缺陷中属于点缺陷的是.(A) 空位(B) 位错(C) 相界面(D) 间隙原子12. 下述晶体缺陷中属于线缺陷的是.(A) 空位(B) 位错(C) 晶界(D) 间隙原子13. 下述晶体缺陷中属于面缺陷的是.(A) 表面(B) 位错(C) 相界面(D) 空位14. 下述界面中界面能最小的是.(A) 完全共格界面(B) 共格界面(C) 非共格界面(D) 半共格界面15. 下述界面中界面能最大的是.(A) 完全共格界面(B) 共格界面(C) 非共格界面(D) 半共格界面16. 理想密排六方金属的c/a为.(A) 1.6 (B)(C) (D) 117. 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子, 这样的缺陷称为.(A) 肖脱基空位(B) 弗兰克尔空位(C) 线缺陷(D) 面缺陷18. 面心立方晶体的挛晶面是.(A) {112} (B) {110} (C) {111} (D) {123}19. 体心立方晶体的挛晶面是.(A) {112} (B) {110} (C) {111} (D) {123}20. 铸铁与碳钢的区别在于有无.(A) 莱氏体(B) 珠光体(C) 铁素体(D) 渗碳体21. 在二元系合金相图中, 计算两相相对量的杠杆法则只能用于.(A) 单相区中(B) 两相区中(C) 三相平衡水平线上(D) 无限制22. Hume-Rothery提出有利于大量固熔的原子尺寸条件为两组元的原子半径差对熔剂原子半径的比不超过.(A) 10% (B) 14% (C) 15% (D) 20%23. 碳与钒结合形成金属化合物, 下述说法正确的是.(A) 该化合物属于简单间隙化合物(B) 该化合物属于复杂间隙化合物(C) 该化合物具有体心立方结构(D) 该化合物具有面心立方结构24. 以下关于渗碳体的描述中, 正确的是.(A) 渗碳体是钢中很重要的一种复杂间隙相(B) 渗碳体晶体结构非常复杂, 属于正交晶系(C) 渗碳体为铁与碳固熔形成的间隙固熔体(D) 渗碳体为铁与碳固熔形成的置换固熔体25. 下述关于Ni-Cu系二元合金的描述中, 正确的是.(A) 室温下组织为单相组织(B) 室温下组织为两相组织(C) 凝固时发生匀晶转变(D) 凝固时发生共晶转变26. 凝固后是否形成晶体, 主要由液态物质的决定.(A) 温度梯度(B) 粘度(C) 冷却速度(D) 压力27. 金属结晶形核时, 临界晶核半径r K与过冷度ΔT及表面自由能σ之间的关系为.(A) ΔT越大, r K越小(B) ΔT越大, r K越大(C) σ越大, r K越小(D) σ越大, r K越大28. 纯金属均匀形核, 形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的.(A) 13(B)23(C)34(D)4529. 原子扩散的驱动力是.(A) 组元的浓度梯度(B) 组元的化学势梯度(C) 温度梯度(D) 表面张力30. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征, 即浓度不随变化.(A) 距离(B) 时间(C) 温度(D) 压力31. 在置换固熔体中, 原子扩散的方式一般为.(A) 原子互换机制(B) 间隙机制(C) 空位机制(D) 填隙机制32. 在间隙固熔体中, 原子扩散的方式一般为.(A) 原子互换机制(B) 间隙机制(C) 空位机制(D) 填隙机制33. 在科肯道尔效应中, 惰性标记发生移动的主要原因是扩散偶中.(A) 两组元的原子尺寸不同(B) 仅存在一组元的扩散(C) 两组元的扩散速率不同(D) 两组元的温度不同34. 晶体的类型与结构是影响固体材料中原子扩散的重要因素, 基本规律是.(A) 与金属相比, 晶态化合物的扩散系数低(B) 与金属相比, 晶态化合物的扩散系数高(C) 非密堆结构的晶体比密堆结构的晶体具有更高的扩散系数(D) 密堆结构的晶体比非密堆结构的晶体具有更高的扩散系数35. D L, D B, D S分别表示晶内扩散、晶界扩散和表面扩散的扩散系数, 则在一般情况下, 三者的大小关系为.(A) D L > D B > D S(B) D S > D B > D L(C) D B > D L > D S(D) D S > D L > D B36. 合金凝固时极易得到树枝晶组织, 其主要原因是.(A) 固-液界面前沿液相中存在正温度梯度(B) 固-液界面前沿液相中存在负温度梯度(C) 固-液界面前沿液相中存在成分过冷区(D) 固-液界面前沿液相中存在难熔质点37. 下述关于交滑移的描述中, 正确的是.(A) 发生交滑移时会出现曲折或波纹状的滑移带(B) 体心立方金属最容易发生交滑移(C) 层错能低的金属易发生交滑移(D) 交滑移必须通过刃型位错实现38. 多晶体发生塑性变形时, 为了满足协调变形, 每个晶粒至少需要开动个独立的滑移系.(A) 3 (B) 4 (C) 5 (D) 639. 再结晶后的晶粒长大是通过方式进行的.(A) 大晶粒吞食小晶粒(B) 小晶粒蚕食大晶粒(C) 晶界向曲率中心移动(D) 晶界背向曲率中心移动40. w C低于0.014的碳钢发生马氏体转变时, 马氏体M与奥氏体A有K-S取向关系, 即.(A) {110}M // {111}A, <111>M // <110>A(B) {111}M // {110}A, <111>M // <110>A(C) {110}M // {111}A, <110>M // <111>A(D) {112}M // {111}A, <111>M // <110>A41. 含Ni约30% 的Fe-Ni合金发生马氏体相变时, 马氏体与奥氏体之间的位向关系为西山关系, 即.(A) {110}M // {111}A, <111>M // <110>A(B) {110}M // {111}A, <110>M // <112>A(C) {110}M // {111}A, <110>M // <111>A(D) {112}M // {111}A, <111>M // <110>A42. 以下关于马氏体相变的描述中, 正确的是.(A) 马氏体相变为无扩散性相变(B) 马氏体相变是通过形核-长大方式进行的(C) 马氏体相变速率极低(D) 马氏体相变速率极高43. 固态相变的阻力一般包括.(A) 新、旧相比体积差所增加的应变能(B) 新、旧相为维持共格/半共格关系所增加的应变能(C) 新、旧相界面增加的表面能(D) 新、旧相之间的体积自由能差44. 固态相变的驱动力是.(A) 新、旧相比体积差所增加的应变能(B) 新、旧相为维持共格/半共格关系所增加的应变能(C) 新、旧相界面增加的表面能(D) 新、旧相之间的体积自由能差45. 固态相变时空位处易于形核的主要原因是.(A) 空位促进熔质原子的扩散(B) 空位释放的能量可提供形核驱动力(C) 空位阻碍熔质原子的扩散(D) 空位群凝聚成位错, 促进形核46. 下述固态相变中属于扩散型相变的是.(A) 脱熔转变(B) 马氏体转变(C) 贝氏体转变(D) 共析转变47. 下述固态相变中属于无扩散型相变的是.(A) 脱熔转变(B) 马氏体转变(C) 贝氏体转变(D) 共析转变48. 下述固态相变中属于半扩散型相变的是.(A) 脱熔转变(B) 马氏体转变(C) 贝氏体转变(D) 共析转变49. 时效型合金发生脱熔转变期间容易产生过渡相, 其特征是.(A) 过渡相与母相之间形成共格或半共格界面(B) 过渡相与母相之间形成非共格界面(C) 过渡相一般呈盘片状(D) 过渡相一般呈球状50. 调幅分解的特点是.(A) 成分改变(B) 成分不变(C) 有核相变(D) 无核相变选择题参考答案1. ABD2. AC3. B4. D5. A6. AC7. D8. B9. C 10. ABC11. AD 12. B 13. AC 14. A 15. C16. B 17. B 18. C 19. A 20. A21. B 22. C 23. AD 24. AB 25. AC26. BC 27. AD 28. B 29. B 30. B31. C 32. B 33. C 34. AC 35. B36. C 37. ABC 38. C 39. AC 40. A41. B 42. ABD 43. ABC 44. D 45. ABD46. AD 47. B 48. C 49. AC 50. AD二、简答题1. 固态相变基本特点.答: 固态相变的特点是:(1) 相变阻力大. 固态相变时的阻力包括新、旧相之间的表面能以及新、旧相由于比体积差或新、旧相界面原子错配而额外增加的弹性应变能; 另外, 固相中原子扩散速率极低也是造成固态相变阻力大的一个重要原因.(2) 新相晶核与母相之间存在一定的晶体学位向关系. 固态相变时, 为了减少新、旧两相之间的界面能, 新相晶核与母相晶体之间往往存在一定的晶体学位向关系, 常以低指数、原子密度大且匹配较好的晶面和晶向互相平行; 并且, 新相往往在母相的某一特定晶面(惯习面)上形成.(3) 母相晶体缺陷对相变起促进作用. 由于母相晶体中存在的各种缺陷(如晶界、相界、位错、空位等)周围晶格有畸变, 自由能较高, 因此容易在这些区域优先形核.(4) 易于出现过渡相. 过渡相是为了克服相变阻力而形成的一种协调性中间转变产物. 通常首先在母相中形成成分与母相相近的过渡相, 然后在一定条件下由过渡相逐渐转变为稳定相.2. 位错促进固态相变形核的主要原因.答: 由于固态相变阻力大, 固相中的形核几乎总是非均匀的, 往往借助晶体中的结构缺陷(空位,位错,晶界等)形核.新相在位错处形核有三种情况: 一是新相在位错线上形核, 新相形成处, 位错消失, 释放的能量使形核功降低而促进形核; 二是位错不消失, 而且依附在新相界面上, 成为半共格界面中的位错部分, 补偿了失配, 因而降低了能量, 使生成晶核时所消耗的能量减少而促进形核; 三是当新相与母相成分不同时, 由于熔质原子在位错线附近偏聚(形成柯氏气团)有利于新相沉淀析出, 也对形核起促进作用.3. 非扩散型相变的基本特征.答: 无扩散型相变的基本特点是:(1) 存在由于均匀切变引起的形状改变, 使晶体发生形状改变.(2) 由于相变过程无扩散, 新相与母相的化学成分相同.(3) 新相与母相之间有一定的晶体学位向关系.(4) 相界面移动速度极快, 可接近声速.4. 说明Al-Cu等时效型合金脱熔过程出现过渡相的原因.答: 时效处理时脱熔的一般顺序为:偏聚区(或称G.P.区) →过渡相(亚稳相) →平衡相.脱熔时不直接析出平衡相的原因, 是由于平衡相一般与基体形成新的非共格界面, 界面能大, 而亚稳定的脱熔产物往往与基体完全或部分共格, 界面能小. 在相变初期, 界面能起决定性作用, 界面能小的相, 形核功小, 容易形成. 所以首先形成形核功最小的过渡结构, 再演变成平衡稳定相.5. 调幅分解的主要特征.答: (1) 调幅分解过程的成分变化是通过上坡扩散实现的. 首先出现微区的成分起伏, 随后通过熔质原子从低浓度区向高浓度区扩散, 使成分起伏不断增幅, 直至分解为成分不同的两平衡相为止.(2) 调幅分解不经历形核阶段, 新、旧相结构相同, 不存在明显的相界面. 由于无需形核, 所以分解速度很快.6. 脱熔相颗粒粗化机理.答: 参见教材P292-293的“8.4.3.2 颗粒粗化”一节. (需要画图!!)7. 零件热处理的作用.答: 零件热处理的作用如下:(1) 通过适当的热处理可以显著提高零件的力学性能, 延长机器零件的使用寿命.(2) 恰当的热处理工艺可以消除铸、锻、焊等热加工工艺造成的各种缺陷, 细化晶粒, 消除偏析, 降低内应力, 使零件的组织和性能更加均匀.(3) 热处理也是机器零件加工工艺过程中的重要工序.(4) 此外, 通过热处理还可使工件表面具有抗磨损、耐腐蚀等特殊物理化学性能.8. 过共析钢淬火时加热温度的选择依据.答: 过共析钢的淬火加热温度限定在Ac1以上30~50℃是为了得到细小的奥氏体晶粒和保留少量渗碳体质点, 淬火后得到隐晶马氏体和其上均匀分布的粒状碳化物, 从而不但可以使钢具有更高的强度、硬度和耐磨性, 而且也具有较好的韧性. 如果过共析钢淬火加热温度超过Ac cm, 碳化物将全部熔入奥氏体中, 使奥氏体中的含碳量增加, 降低钢的M s和M f 点, 淬火后残留奥氏体量增多, 会降低钢的硬度和耐磨性; 淬火温度过高, 奥氏体晶粒粗化、含碳量又高, 淬火后易得到含有显微裂纹的粗片状马氏体, 使钢的脆性增大; 此外, 高温加热淬火应力大、氧化脱碳严重, 也增大钢件变形和开裂倾向.9. 马氏体相变的基本特征.答: (1) 无扩散性. 马氏体转变的过冷度很大, 转变温度低, 原子扩散无法进行, 因此是非扩散型相变.(2) 切变共格性. 马氏体转变是新相在母相特定的晶面(惯习面)上形成, 并以母相的切变来保持共格关系的相变过程.(3) 变温形成. 马氏体转变有其开始转变温度(M s点)与转变终了温度(M f点). 当过冷奥氏体冷到M s点, 便发生马氏体转变, 转变量随温度的下降而不断增加, 一旦冷却中断, 转变便很快停止.(4) 高速长大. 马氏体转变没有孕育期, 形成速度很快, 瞬间形核, 瞬间长大.(5) 不完全性. 一般来说, 奥氏体向马氏体的转变是不完全的, 即使冷却到M f点, 也不能获得100%的马氏体, 即总有一部分残余奥氏体.10. 细晶强化/固熔强化/弥散强化/加工硬化机理.答: (关于弥散强化机理)由塑性相与硬脆相组成的(两相)合金, 倘若硬脆的第二相呈弥散粒子均匀地分布在塑性相基体上, 则可显著提高合金的强度, 此即弥散强化. 这种强化的主要原因是由于弥散细小的第二相粒子与位错的交互作用(位错绕过或切过第二相粒子), 阻碍了位错的运动, 从而提高了合金的塑性变形抗力.(关于加工硬化机理)在塑性变形过程中, 随着金属内部组织的变化, 金属的力学性能也将产生明显的变化, 即随着变形程度的增加, 金属的强度、硬度增加, 而塑性、韧性下降, 这一现象即为加工硬化或形变强化.关于加工硬化的原因, 目前普遍认为与位错的交互作用有关. 随着塑性变形的进行, 位错密度不断增加, 因此位错在运动时的相互交割加剧, 产生固定割阶、位错缠结等障碍, 使位错运动的阻力增大, 引起变形抗力的增加, 从而提高了金属的强度.11. 孪生变形特点.答: 孪生变形是金属塑性变形的基本方式之一, 是指在切应力的作用下, 晶体的一部分沿一定的晶面(孪生面)和一定的晶向(孪生方向)相对于另一部分晶体作均匀地切变, 在切变区域内, 与孪生面平行的每层原子的切变量与它距孪生面的距离成正比, 并且不是原子间距的整数倍. 其特点为:(1) 孪生变形引起的切变不会改变晶体的点阵类型, 但可使变形部分的位向发生变化, 并且与未变形部分的晶体以挛晶界为分界面构成了镜面对称的位向关系.(2) 一般说来, 孪生的临界分切应力要比滑移的临界分切应力大得多, 只有在滑移很难进行的条件下, 晶体才进行孪生变形.(3) 孪生对塑性变形的贡献比滑移小得多, 例如镉单纯依靠孪生变形只能获得7.4% 的伸长率. 但是, 由于孪生变形后晶体位向发生变化, 可能使原来取向不利的滑移系转变为新的有利取向, 从而引发晶体的进一步滑移, 提高金属的塑性变形能力.(4) 孪生变形的速度极快, 常引起冲击波, 发出音响.12. 根据阿累尼乌斯(Arrhenius)公式: D = D0exp(-Q/RT), 分析影响扩散的主要因素.答: 上述公式中, Q为原子扩散激活能, T为温度, 它们是影响扩散的主要因素. 很显然, Q 越小, 或扩散温度T 越高, 则D越大, 扩散越易进行. 而扩散激活能Q取决于材料的键能. 高熔点纯金属的键能高于低熔点的, 因此前者的激活能较高, 其自扩散系数较小; 通常致密度大的晶体结构中, 原子扩散激活能较高, 扩散系数较小; 不同类型的固熔体, 熔质原子的扩散激活能不同, 间隙原子的扩散激活能都比置换原子的小, 所以扩散速度比较大; 晶体缺陷处, 原子排列混乱, 能量较高, 激活能往往较低, 因此扩散容易. 对于一定的晶体结构来说, 表面扩散最快, 晶界次之, 亚晶界又次之, 晶内最慢; 在位错、.空位等缺陷处的原子比完整晶格处的原子扩散容易得多.13. (扩散的微观机理)间隙/空位机制.答: (1) 间隙机制: 晶体中存在的间隙原子通过晶格间隙之间的跃迁实现的扩散; 间隙固熔体中间隙原子(C,H,N,O等)的扩散就是这种机制; 为了实现这种扩散, 扩散原子必须具有越过能垒的自由能.(2) 空位机制: 晶体中扩散原子离开自己的点阵位置去填充空位, 而原先的点阵位置形成了新的空位, 如此反复, 实现原子的扩散; 置换固熔体(或纯金属)中原子的扩散即为空位扩散; 在空位扩散中, 扩散原子除具有越过能垒的自由能外, 还必须具有空位形成能.14. 简述Cu-Ni 扩散偶惰性标记移动规律及其原因.答: Cu-Ni 扩散偶惰性标记会向Ni 棒一侧移动. 由于Ni 的熔点(1452℃)比Cu 的熔点(1083℃)高, 表明Ni 原子的结合能高于Cu 原子的, 因此, 扩散偶中Ni 原子进入Cu 晶体点阵要比Cu 原子进入Ni 晶体点阵容易, 即Ni 原子在Cu 棒中的扩散速度要快于Cu 原子在Ni 棒中的扩散速度, Ni 原子向Cu 棒一侧发生了物质的净输送, 其结果就是惰性标记往Ni 棒一侧移动.15. 成分过冷条件及其影响因素.16. 包晶反应速度慢的原因.17. 正常凝固合金圆棒宏观偏析规律.18. 纯金属晶体长大形态与温度梯度的关系.19. 纯金属晶体长大机制.20. 润湿角对异质形核功的影响规律.21. 均匀形核率与过冷度的关系及其原因.答: 均匀形核时, 形核率方程为exp()exp()A Q N C kT kT=-- 式中, A 为临界晶核的形核功; Q 为原子越过液-固界面的扩散激活能; T 为温度.上式表明, 过冷度对形核率的影响受形核功和原子扩散激活能控制: 一方面, 当过冷度较小时, N 与exp(-A / kT ) 成正比, 故随着过冷度的增大, exp(-A / kT ) 数值也增大, 形核率就越大; 另一方面, 当过冷度足够大时, 随着过冷度的增大, 原子扩散速度要减慢, 此时, N 主要受exp(-Q / kT ) 数值影响, 而Q 值随温度改变很小, 故随着过冷度的增大, 形核率反而减小.22. 金属结晶的热力学、动力学、结构和能量条件.23. 间隙固熔体两组元不能无限互熔的原因.24. 分析γ-Fe 熔碳量高于α-Fe 的原因.三、作图/计算题类型1. 晶面/晶向绘制(应掌握三轴系统的).2. 典型结构金属滑移系表示及绘制.3. 典型二元合金相图绘制(共晶型/包晶型).4. 合金平衡凝固冷却曲线绘制.5. 合金平衡结晶金相组织图绘制.6. 根据点阵类型, 参数及原子量计算晶体材料的密度.12、已知Cu的原子量为63.5,原子半径是0.1278 nm。
解释下列名词1、奥氏体本质晶粒度是根据标准实验条件,在930±10℃,保温足够时间(3~8小时)后,测定的钢中奥氏体晶粒的大小。
2、奥氏体实际晶粒度指在某一热处理加热条件下,所得到的晶粒尺寸。
3、珠光体晶粒在片状珠光体中,片层排列方向大致相同的区域称为珠光体团4、二次珠光体转变由于贝氏体转变的不完全性,当转变温度较高时,未转变的奥氏体在随后的保温过程中有可能会发生珠光体转变,此时的珠光体转变称为二次珠光体转变。
5、马氏体转变是一种固态相变,是通过母相宏观切变,原子整体有规律迁移完成的无扩散相变。
6、形变马氏体由形变诱发马氏体转变生成的马氏体称为形变马氏体。
7、马氏体异常正方度“新形成的马氏体”,正方度与碳含量的关系并不符合公式给出的关系,这种现象称为马氏体的异常正方度。
8、马氏体相变塑性相变塑性:金属及合金在相变过程中塑性增长,往往在低于母相屈服极限的条件下即发生了塑性变形,这种现象称为相变塑性。
钢在马氏体转变时也会产生相变塑性现象,称为马氏体的相变塑性。
9、相变冷作硬化马氏体形成时的体积效应会引起周围奥氏体产生塑性变形,同时马氏体相变的切变特性,也将在晶体内产生大量微观缺陷,如位错、孪晶、层错等。
这些缺陷在马氏体逆转变过程中会被继承,结果导致强度明显升高,而塑性韧性下降,这种现象被称为相变冷作硬化。
10、位向关系在固态相变母相与新相之间所保持的晶体学空间取向关系称为位向关系。
11、K-S关系在固态相变母相与新相之间所保持的晶体学位向关系,例如:奥氏体向马氏体转变时新旧两相之间就维持这种位向关系(111)γ∥(110)α,〈110〉γ∥〈111〉α12、组织遗传;指非平衡组织重新加热淬火后,其奥氏体晶粒大小仍然保持原奥氏体晶粒大小和形状的现象。
13、相遗传;母相将其晶体学缺陷遗传给新相的现象称为相遗传。
14、反稳定化在热稳定化上限温度M C以下,热稳定程度随温度的升高而增加;但有些钢,当温度达到某一温度后稳定化程度反而下降的现象。
材料科学基础复习题材料科学基础复习题介绍一、填空题1.材料科学的核心问题是结构和性能之间的关系。
材料的结构是理解和控制性能的中心环节,结构的最微细水平是原子结构,第二个水平是原子排列方式,第三个水平是显微组织。
2.根据材料的性能特点和用途,材料分为结构材料和功能材料。
根据原子间的键合特性,材料可分为四类:金属、陶瓷、聚合物和复合材料。
第一章材料的原子结构一、填空1.金属材料中原子结合以金属键为主,陶瓷材料(无机非金属材料)以共价键和离子键是主要的键,而高分子材料主要是共价键、氢键和范德华键。
第二章材料的结构一、填空1、晶体是基元(原子团)以周期性重复方式在三维空间作有规则的排列的固体。
2、晶体与非晶体的最根本区别是晶体原子排布长程有序,而非晶体是长程无序短程有序。
3.晶胞是晶体结构中最小的单元。
4、根据晶体的对称性,晶系有三大晶族,七大晶系,十四种布拉菲bravais点阵,三十二种点群,230种空间群。
5.常见的金属晶格类型有体心立方、面心立方和紧密排列的六边形。
6.FCC晶体最紧密排列的方向是<110>,最紧密排列的表面是{111},最紧密排列的表面的堆叠顺序是ABCABC。
7、fcc晶体的致密度为0.74,配位数为12,原子在(111)面上的原子配位数为6。
8.BCC晶体最紧密排列的方向为<111>,最紧密排列的表面为{110},密度为0.68,配位数为8。
9、晶体的宏观对称要素有对称点、对称轴、对称面。
10.CSCL型结构属于简单立方晶格,NaCl型结构属于面心立方晶格,CaF2型结构属于面心立方格子。
11.MgO晶体为NaCl型结构,对称型为3l44l36l29pc,晶系为高级晶系,晶系为立方晶系,晶体键型为离子键。
12、硅酸盐晶体结构中的基本结构单元是硅氧四面体[sio4]。
13.几种硅酸盐晶体的复合阴离子为[Si2O7]6-,[si2o6]4-,[si4o10]4-,[alsi3o8]1-。
单项选择题:(每一道题1分)第1章原子结构与键合1.高分子材料中的C-H化学键属于。
(A)氢键(B)离子键(C)共价键2.属于物理键的是。
(A)共价键(B)范德华力(C)氢键3.化学键中通过共用电子对形成的是。
(A)共价键(B)离子键(C)金属键第2章固体结构4.面心立方晶体的致密度为 C 。
(A)100% (B)68% (C)74%5.体心立方晶体的致密度为 B 。
(A)100% (B)68% (C)74%6.密排六方晶体的致密度为 C 。
(A)100% (B)68% (C)74%7.以下不具有多晶型性的金属是。
(A)铜(B)锰(C)铁8.面心立方晶体的孪晶面是。
(A){112} (B){110} (C){111}9.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是。
(A)fcc (B)bcc (C)hcp10.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式?(A)复合强化(B)弥散强化(C)固溶强化11.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。
(A)氮(B)碳(C)硼12.以下属于正常价化合物的是。
(A)Mg2Pb (B)Cu5Sn (C)Fe3C第3章晶体缺陷13.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系?(A)垂直(B)平行(C)交叉14.能进行攀移的位错必然是。
(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错15.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为。
(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷16.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为(A)肖脱基缺陷(B)Frank缺陷(C)堆垛层错17.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金18.大角度晶界具有____________个自由度。
(A)3 (B)4 (C)5第4章固体中原子及分子的运动19.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随变化。
(A)距离(B)时间(C)温度20.在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为。
第一章原子结构一判断题1.共价键是由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。
2. 范德华力既无方向性亦无饱和性,氢键有方向性但无饱和性。
3. 绝大多数金属均以金属键方式结合,它的基本特点是电子共有化。
4。
离子键这种结合方式的基本特点是以离子而不是以原子为结合单元。
5。
范德华力包括静电力、诱导力、但不包括色散力。
二、简答题原子间的结合键对材料性能的影响第二章晶体结构一、填空1.按晶体的对称性和周期性,晶体结构可分为7 空间点阵,14 晶系, 3 晶族.2.晶胞是能代表晶体结构的最小单,描述晶胞的参数是 a ,b ,c ,α,β,γ.3。
在立方,菱方,六方系中晶体之单位晶胞其三个轴方向中的两个会有相等的边长.4. 方向族〈111〉的方向在铁的(101)平面上,方向族<110>的方向在铁的(110)平面上.5. 由hcp(六方最密堆积)到之同素异形的改变将不会产生体积的改变,而由体心最密堆积变成即会产生体积效应.6。
晶体结构中最基本的结构单元为,在空间点阵中最基本的组元称之为。
7。
某晶体属于立方晶系,一晶面截x轴于a/2、y轴于b/3、z轴于c/4,则该晶面的指标为8。
硅酸盐材料最基本的结构单元是,常见的硅酸盐结构有、、、。
9. 根据离子晶体结构规则-鲍林规则,配位多面体之间尽可能和连接。
二判断题1。
在所有晶体中只要(hkl)⊥(uvw)二指数必然相等。
2。
若在晶格常数相同的条件下体心立方晶格的致密度,原子半径都最小.3. 所谓原子间的平衡距离或原子的平衡位置是吸引力与排斥力的合力最小的位置. 4。
晶体物质的共同特点是都具有金属键。
5。
若在晶格常数相同的条件下体心立方晶格的致密度,原子半径都最小.6。
在立方晶系中若将三轴系变为四轴系时,(hkIl)之间必存在I=—(h+k)的关系与X1,X2,X3,X4间夹角无关。
7.亚晶界就是小角度晶界,这种晶界全部是由位错堆积而形成的。
材料科学基础复习题材料科学基础复习题1. ⼯业⾦属材料中常见的⽐较简单的、⾼对称性晶体结构形式有、和密排六⽅晶格。
2.晶体中原⼦排列的紧密程度,通常以和表⽰。
配位数是:致密度是:3.⾯⼼⽴⽅和密排六⽅两种晶格的结构的间隙都是正⼋⾯体间隙和正四⾯体间隙,⽽且正⼋⾯体间隙⼤于正四⾯体间隙。
⽽体⼼⽴⽅结构中的间隙是⼋⾯体间隙⼩于四⾯体间隙,且两者的形状都是不对称的,其棱边长也不全相等。
4.⾯⼼⽴⽅和密排六⽅结构具有相同的配位数和致密度,却有不同的晶格结构,其原因是。
5.根据晶体缺陷的⼏何特征不同分为三类,和。
6.晶体中的线缺陷是指各种类型的。
P25()刃型位错:柏⽒⽮量与位错线相对位置是。
P28()螺型位错:柏⽒⽮量与位错线相对位置是。
7.作图表⽰⽴⽅晶⽷中的(111)、(123)、(012)、(421)晶⾯和[111]、[121] 、[211]、[102]晶向。
(111)(123)、(012)、(421)、[111] [120] [211] [102]、(100)(121)[100]8.什么是固熔强化?P 59固熔强化的特点和规律:8—1()间隙式的熔质原⼦的强化效果⽐置换式熔质原⼦更显著(强)。
差(弱)。
8—2()熔质与熔剂原⼦尺⼨相差越⼤,或固熔度越⼩,则固熔强化的效果差。
9.什么是有序强化?10.⾦属化合物的共同特点是,可以作为强化合⾦的使⽤。
11.陶瓷晶体中最重要的两类结构是和。
P6311—1.硅酸盐的基本结构单元是。
11—2()SiO4四⾯体是陶瓷氧化物的基本结构单元。
12. 理论结晶温度T m与实际结晶温度T n的差值△T称为,其值越⼤,形核数⽬越,结晶后的晶粒越,铸件的机械性能也就越。
P8313.什么是结构起伏?什么是晶坯?什么是临界晶核?P8513—1.()只有⼩于临界晶核半径的晶坯才能成为晶核并长⼤。
14—1.均匀形核是在过冷液态⾦属中,依靠形成⼤于临界晶核的晶坯,同时必须从中获得形核功,才能形成稳定的晶核。
20XX年复习资料大学复习资料专业:班级:科目老师:日期:材料科学基础复习题一、名词解释晶体、晶胞、空间点阵、对称、对称变换、对称要素、点群、组元、相和组织、相界和晶界、化学热力学平衡、自由度、共晶合金、亚共晶合金、过共晶合金、相接触法则、铁素体、奥氏体、直线法则、重心法则、共轭连线、三相平衡的单变量线、结晶、非晶转变或玻璃化转变、过冷、均匀形核、非均匀形核、临界晶核半径、临界晶核形核功、能量起伏、临界过冷度、结晶取向因子、晶内偏析、平衡分配系数K 、热过冷、成分过冷、伪共晶、玻璃态、高弹态、粘流态、表面与界面、理想表面、表面吸附与偏析、小角度晶界和大角度晶界、倾转晶界、扭转晶界、孪晶、共格孪晶界、非共格孪晶界、重合位置密度、倒易密度∑、晶界偏析(晶界偏聚)、相界、共格界面、半共格界面、非共格界面、固态相变、扩散型相变、非扩散型相变、有核相变、无核相变、非协同型长大、协同型长大、块状转变、沉淀强化、弥散强化、形变诱发马氏体、形变诱发马氏体转变温度Md 、形变诱发奥氏体转变温度Ad二、选择题1、下列对称要素组合不正确的是( )A 、L 2⊥L 2→2L 2B 、P ⊥L 4→PL 4C C 、P+L 3→L 33PD 、L 2⊥3i L →3iL 3L 2P 2、下列对称关系哪种不正确( )A 、3i L =L 3+C B 、6S L =L 3+C C 、P L L L S i +==336 D 、C L L i +=443、点缺陷是热力学的 缺陷,而位错是热力学的 缺陷。
( )A 、稳定,稳定B 、稳定,不稳定C、不稳定,稳定D、不稳定,不稳定4、a≠b≠c、α=β=γ=90°的晶体属于什么晶族和晶系()A、中级晶族,正交晶系B、中级晶族,四方晶系C、低级晶族,正交晶系D、低级晶族,四方晶系5、由晶面(20XXXX1)与(20XXXX0)所决定的晶带轴指数为()A、)201( B、]201[ C、)221( D、[221]三、填空题1、材料科学基础的研究内容是:。
绪论一、填空题1、材料科学主要研究的核心问题是结构和性能的关系。
材料的结构是理解和控制性能的中心环节,结构的最微细水平是原子结构,第二个水平是原子排列方式,第三个水平是显微组织。
2. 根据材料的性能特点和用途,材料分为结构材料和功能材料两大类。
根据原子之间的键合特点,材料分为金属、陶瓷、高分子和复合材料四大类。
第一章材料的原子结构一、填空题1. 金属材料中原子结合以金属键为主,陶瓷材料(无机非金属材料)以共价键和离子键结合键为主,聚合物材料以共价键和氢键以及范德华键为主。
第二章材料的结构一、填空题1、晶体是基元(原子团)以周期性重复方式在三维空间作有规则的排列的固体。
2、晶体与非晶体的最根本区别是晶体原子排布长程有序,而非晶体是长程无序短程有序。
3、晶胞是晶体结构中的最小单位。
4、根据晶体的对称性,晶系有三大晶族,七大晶系,十四种布拉菲Bravais点阵,三十二种点群, 230 种空间群。
5、金属常见的晶格类型有体心立方、面心立方、密排六方。
6、fcc晶体的最密排方向为<110>,最密排面为 {111} ,最密排面的堆垛顺序为ABCABCABCABC……。
7、fcc晶体的致密度为 0.74 ,配位数为12,原子在(111)面上的原子配位数为 6。
8、bcc晶体的最密排方向为<111>,最密排面为{110} ,致密度为0.68 ,配位数为 8 。
9、晶体的宏观对称要素有对称点、对称轴、对称面。
10、CsCl型结构属于简单立方格子,NaCl型结构属于面心立方格子,CaF2型结构属于面心立方格子。
11、MgO晶体具有 NaCl型结构,其对称型是3 L4 4L36L29PC,晶族是高级晶族,晶系是立方晶系,晶体的键型是离子键。
12、硅酸盐晶体结构中的基本结构单元是 硅氧四面体[SiO 4]。
13、几种硅酸盐晶体的络阴离子分别为[Si2O7]6-、[Si2O6]4-、[Si4O10]4-、[AlSi3O8]1-,它们的晶体结构类型分别为 组群状 , 链状 , 层状 ,和 架状 。
14、表征晶体中晶向和晶面的方法有 解析法 和 图示 法。
二、分析计算1、Ni 为面心立方结构,原子半径r=0.1243nm ,求Ni 的晶格常数和密度。
;2、Mo 为体心立方结构,晶格常数a=0.3147nm ,求Mo 的原子半径r 。
3、CsCl 中铯与氯的离子半径分别为0.167nm 、0.181nm 。
试问(1)在CsCl 内离子在<100>或<111>方向是否相接触?(2)每单位晶胞内有几个离子?(3)各离子的配位数是多少?(4)密度 ρ和堆积系数(致密度)K ?4、MgO 具有NaCl 型结构。
Mg 2+的离子半径为0.072nm ,O 2-的离子半径为0.140 nm 。
试求MgO 的密度ρ和堆积系数(致密度)K 。
5、下列硅酸盐化合物属于什么结构类型?()[]4MgFe SiO 2, []()4272Zn Si O OH ,[]39BaTi Si O ,[]32428Be Al Si O ,[]338Ca Si O ,[]4410228KCa Si O F H O ,[]228Ca Al Si O ,[]26K AlSi O解:第一种,Si :O=1:4所以是岛状,共顶数为0;第二种共顶数一个,成对硅氧团;第三种Si :O=1:3,共顶数为两个,三节环;第四种Si :O=1:3六节环;第五种三节环,这几种都是组群状;第六种Si :O=2:5为层状,第七种第八种Si (Al ):O=1:2为架状。
第三章晶体结构缺陷一、填空题1、按几何组态,晶体中的缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。
2、点缺陷主要包括空位、间隙原子、置换原子;线缺陷有位错;面缺陷包括晶界、相界、表面等。
3、描述位错性质及特征的是柏氏矢量b 。
4、位错的类型有刃位错、螺位错和混合位错。
5、位错线与柏氏矢量垂直的位错为刃位错,位错线与柏氏矢量平行的位错称为螺位错。
6、位错的基本运动方式有滑移和攀移。
7、刃位错可以滑移和攀移,螺位错可以滑移而不攀移,能进行交滑移的位错必然是螺位错。
8、位错滑移一般沿着晶体的密排(面)和密排(方向)进行。
9、柏氏矢量实际上反应了位错线周围区域晶格畸变的大小和方向。
10、两平行同号螺位错间的作用力为斥力。
11、全位错是柏氏矢量等于点阵矢量的位错;不全位错是柏氏矢量不等于点阵矢量的位错。
12、面心立方晶体的不全位错类型主要有Shockley不全位错和 Franker不全位错,柏氏矢量分别为b=a/6<112> , b=a/3 <111> 。
只能发生攀移运动的位错是 Franker不全位错。
13、位错间转化(位错反应)要满足的条件有几何条件:柏氏矢量守恒和能量条件:反应后位错的总能量降低。
14、两个不全位错夹一片层错的位错称为扩展位错。
二、分析题1、画一个方形位错环,(1)在此平面上画出柏氏矢量,使其平行于位错环的其中一边,任意选择并画出位错线方向,据此指出位错环各段的性质。
(2)能否使该位错环处处为刃位错?(3)能否使该位错环处处为螺位错?2、试分析在fcc 中,下列位错反应能否进行?并指出其中三个位错的性质类型?反应后生成的新位错能否在滑移面上运动?3、比较刃位错和螺位错的异同点。
[][]111a 101a 121a 111263⎡⎤+→⎣⎦第四章晶态固体中的扩散一、填空题1、稳态扩散是指单位时间内通过垂直于给定方向的单位面积的净原子数(扩散通量/浓度)不随时间变化;非稳态扩散是指单位时间内通过垂直于给定方向的单位面积的净原子数(扩散通量/浓度)随时间变化。
2、Fick扩散第二方程的高斯解适合求解总量为M的扩散元素沉积为一薄层扩散问题;Fick扩散第二方程的误差函数解适合求解无限长棒(扩散偶)或半无限长棒的扩散问题。
3、扩散的微观机理有空位扩散、间隙扩散、位错扩散、表面扩散、晶界扩散等。
4、空位扩散的阻力比间隙扩散大,激活能高。
5、在表面扩散、晶界扩散、体扩散、位错扩散方式中,扩散系数D最大的是表面扩散。
6、在间隙固溶体中,H、O、C等原子以间隙扩撒机制方式扩散。
7、Cu-Al合金和Cu组成的扩散偶发生柯肯达尔效应,标记向Cu-Al合金一侧漂移,则 Al 的扩散通量大。
8、上坡扩散是指物质从低浓度向高浓度处聚集的反向扩散。
9、扩散的驱动力是化学位梯度。
10、伴随有反应的扩散称为反应扩散。
第五章相平衡与相图一、填空题1. 组元是组成材料最基本的、独立存在的物质,组元一般是化学元素或化合物。
2. 相是系统中成分、结构相同,性能一致的均匀组成部分,不同相之间有界面分开,相界处物质的性能发生突变。
相平衡是指各相的化学热力学平衡。
3. 组织是由各种不同形貌及含量的相或组元所构成的微观图像。
平衡凝固是指极其缓慢冷却条件下的凝固。
4. 在二元系合金相图中,杠杆法则只能用于两相区。
5. 根据渗碳体的形状,钢中珠光体分为片状珠光体和球状珠光体两种。
6. 根据含碳量,钢分类为亚共析钢、共析钢和过共析钢。
随着碳含量的增加,钢的硬度和塑性的变化规律是硬度提高,塑性下降。
7. 在三元系浓度三角形中,凡成分位于过一顶点直线上的合金,它们含有另两个顶角所代表的两组元含量之比相等。
平行于一边的任一直线上的合金,其成分共性为含这个边对应顶点的组元含量均相等。
8. 根据三元相图的垂直截面图,可以分析合金的凝固过程。
9. 根据三元相图的水平(等温)截面图,可以用杠杆法则计算各相的相对量。
10. 二元合金相图三相平衡转变的类型主要有共晶(析)反应和包晶(析)反应。
三元合金相图四相平衡转变的类型主要有共晶反应,包共晶反应和包晶反应。
二、计算分析题1、指出ω(C)=0.2%、ω(C)=0.6%、ω(C)=1.0% 的铁碳合金从液态平衡冷却到室温的相组成物和组织组成物,并分别计算相和组织的相对含量。
2、某三元合金K在温度为T时分解为B组元和液相,两个相的相对量WB/WL=2。
已知合金K中A组元和C组元的重量比为3,液相含B的量为40%,试求合金K 的成分。
3、下图为A-B-C 三元共晶相图的投影图,指出n1、n2、n3(E)、n4点从液态平衡冷却结晶的室温相和组织组成物,并分别计算相和组织的相对含量。
4、下图为某三元相图投影图上3条液相单变量线及其温度走向,判断四相平衡反应类型,写出反应式。
共晶反应 包共晶反应 包晶反应++L αβγ⇔++L αβγ⇔++L αβγ⇔第六章材料的凝固1、凝固过程包括形核和长大 2个过程。
2、材料的凝固的驱动力是液固相变自由能差,阻力是界面能。
3、凝固形核的方式有均匀形核和非均匀形核,其中非均匀形核的临界形核功较小。
4、均匀形核时液、固两相自由能差只能补偿表面能的(2/3),其他靠系统中的(能量起伏)补偿。
5、液/固界面的微观结构分为粗糙界面和光滑界面。
6、在正温度梯度下,晶体生长成平直界面;负温度梯度下成长时,一般金属界面都呈树枝状。
7、在正的温度梯度下,纯金属以平面状形式长大,固溶体合金由于存在成分过冷以树枝状形式长大。
8、固溶体结晶的形核条件是结构起伏、能量起伏、温度场、成分过冷和过冷度。
9、固溶体结晶与纯金属结晶的差异表现为温度场、浓度场及成分过冷现象。
10、平衡结晶是指无限缓慢冷却,组元间互扩散充分,每个阶段都达到平衡相均匀成份。
11、晶内偏析(枝晶偏析)是一个晶粒内部出现的成份不均匀现象。
消除晶内偏析(枝晶偏析)方法扩散退火或均匀化退火。
12、对于液-固相变过程可通过控制过冷度来获得数量和尺寸不等的晶体,要获得晶粒多而尺寸小的细晶,则△T大。