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上海交通大学试卷
电磁场与波期终试卷(A 卷)
姓名____________班级_____________学号_____________得分____________
一．填空题（每小题3分，共30分）
1．已知一静止电荷位于圆柱坐标系中的点q ()⎟⎠
⎞⎜⎝⎛
−=a a p z r p ,3,,,00πϕ处，则此点电荷在直角坐标系中的点()()a a a p z y x p ,,,,11=处产生的电场强度E G 的y 向分量
____________________；电场强度=y E E G 在圆球坐标系中的θ向分量
=____________________。

θE 2. 矢量场的唯一性定理为_______________________________________________________ _____________________________________________________________________________。

3． 真空中，已知一电磁波的电场强度为()(x t E a x t E a E y z βωβω−+−=sin cos 00)G G G ，则 此电磁波的磁场强度的瞬时表达式为_____________________________________________。

4． 时变场中，有机玻璃和水的交界面处的边界条件为__________________________ ________________________________。

5．在一无限大的理想接地导电平面（xoy 平面）上方（媒质为空气）距离为处有一正电荷，并位于均匀电场中。

当z q z a E G 0=z ________________时，电荷受力为零。

6．真空中，载直流为I 的两根半无限长直导线（垂直于xoy 平面）和一半径为a 的有缺口圆环形导线（处于xoy 平面内）构成回路。

设缺口的张角为α2，则环心点的磁感应强度p =B G __________________________________。

（注：电流方向及坐标自取，并画出坐标系）
7．一均匀平面波从空气垂直入射到理想导体表面（=z ０）上，已知其反射波的电场强度为，则其入射波为_____________极化波；理想导体表面（０）
上的面电流密度________________________________。

(z j y x r e a j a E E βG G G 20+−=)=z =S J G 8． 一尺寸为的矩形波导工作于TE b a ×10波，当工作频率25.9=f GHz 时，波导波长
95.4=g λcm ；当GHz 时，其波导波长8.9=′f =′g
λ________________。

9．尺寸为的空气矩形波导（其轴线沿向）中TE b a ×z 10波的平均功率密度的表达式_______________________；功率容量的表达式=av S G =br P __________________________。

10．三个沿x 轴排列，间距为2λ的半波对称振子（轴线沿轴）用于自由空间中远区辐射电磁波，各电流元激励电流的相位相同，振幅比为１：２：１，则该天线阵的归一化方向图函数y ()=ϕθ,F _______________________________________。

二．问答（含推导、证明）题（每小题各５分，共2０分）
1． 试从麦克斯韦方程出发，详细导出适用于简单媒质的复坡印亭定理。

三．计算题（前1题20分，后２题各15分，共5０分）
1． 在一半径为的接地导体球外有一球心相同、半径为的部分导体球壳，此球壳对球 1R 2R 心的张角为02θ，如图所示。

部分球壳上均匀分布面电荷，面电荷密度为S ρ。

① 导出接地导体球与部分球壳间轴上任一点z ()()D D 0,0,,,R p R p =ϕθ处的电位表达式；② 求出接地导体球上A 点的面电荷密度SA ρ
的表达式；③
以此问题的求解思路为基础，若适当改变题给条件，你认为此题还有哪些问题可求？（限其中一个问题）
2． 一工作频率为100 MHz 的垂直极化波以的入射角从淡水D 60()0,80≈=σεr 中入射到 淡水和空气的平面交界面（）上，① 试详细推导并求出淡水和空气交界面处的 0=z
反射系数；② 导出空气中电场强度的复数表达式；③ 写出空气中复坡印亭矢量的表达式；
④ 由③的结果可得到哪些结论和波（场）的特点（说明其原因）？
3. 一空气填充的矩形波导的尺寸为，波导中传输工作频率为的导行电磁波，若已知此导行波的电场强度的最大值为2
(2310)mm a b ×=×10.87GHz f =500V m ，求：
①. 波导中传输模式的波导波长、相速以及波阻抗；②. 波导内壁表面处传输模式的纵向面电流密度的最大值。

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杰尼奥 EE-SJ3 系列光学传感器（透光型）说明书

杰尼奥 EE-SJ3 系列光学传感器（透光型）说明书

110EE-SJ3 Series Photomicrosensor (Transmissive)■DimensionsNote:All units are in millimeters unless otherwise indicated.■Features•High-resolution model with a 0.2-mm-wide sensing aperture, high-sensitivity model with a 1-mm-wide sensing aperture, and model with a horizontal sensing aperture are available.■Absolute Maximum Ratings (Ta =25°C)Note:1.Refer to the temperature rating chart if the ambient temper-ature exceeds 25°C.2.The pulse width is 10 μs maximum with a frequency of 100Hz.plete soldering within 10 seconds.■Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C)Internal CircuitKACETerminal No. Name A Anode K Cathode C Collector E EmitterDimensions Tolerance 3 mm max. ±0.33 < mm ≤ 6 ±0.3756 < mm ≤ 10 ±0.4510 < mm ≤ 18 ±0.5518 < mm ≤ 30±0.65Model Aperture (a x b)EE-SJ3-C 2.1 x 1.0EE-SJ3-D 2.1 x 0.2EE-SJ3-G0.5 x 2.1Four, 0.5Four, 0.25Center markCross section BBCross section AA7.2±0.22.54±0.27.6±0.360.210.26.20.3Unless otherwise specified, the tolerances are as shown below.ItemSymbol Rated value EmitterForward current I F 50 mA (see note 1)Pulse forward currentI FP1 A (see note 2)Reverse voltage V R4 V DetectorCollector–Emit-ter voltageV CEO 30 V Emitter–Collec-tor voltage V ECO ---Collector cur-rentI C20 mACollector dissi-pationP C 100 mW (see note 1)Ambient tem-peratureOperating Topr –25°C to 85°C StorageTstg –30°C to 100°C Soldering temperatureTsol260°C(see note 3)ItemSymbolValue ConditionEE-SJ3-CEE-SJ3-DEE-SJ3-GEmitterForward voltage V F 1.2 V typ., 1.5 V max.I F = 30 mA Reverse current I R 0.01 μA typ., 10 μA max.V R = 4 V Peak emission wave-lengthλP 940 nm typ.I F = 20 mADetectorLight current I L 1 to 28 mA typ.0.1 mA min.0.5 to 14 mAI F = 20 mA, V CE = 10 V Dark current I D 2 nA typ., 200 nA max.V CE = 10 V, 0l x Leakage current I LEAK ------Collector–Emitter satu-rated voltageV CE (sat)0.1 V typ.,0.4 V max.---0.1 V typ., 0.4 V max.I F = 20 mA,I L = 0.1 mA Peak spectral sensitivity wavelengthλP 850 nm typ.V CE = 10 V Rising time tr 4 μs typ.V CC = 5 V,R L = 100 Ω,I L = 5 mAFalling timetf4 μs typ.Be sure to read Precautions on page 25.EE-SJ3 Series Photomicrosensor (Transmissive) 111■Engineering DataDissipation Temperature RatingVoltage Characteristics (Typical)Light Current vs. Collector −Emitter Voltage Characteristics (EE-SJ3-G)Dark Current vs. Ambient Temperature Characteristics (Typical)Sensing Position Characteristics (EE-SJ3-D)Sensing Position Characteristics (EE-SJ3-G)Sensing Position Characteristics (EE-SJ3-C)Distance d (mm)Input OutputInputOutput90 %10 %Center of optical axisCenter of optical axisd0−+Response Time Measurement CircuitDistance d (mm)Distance d (mm)Center of optical axisAmbient temperature T a (°C)C o l l e c t o r d i s s i p a t i o n P C (m W )Forward voltage V F (V)F o r w a r d c u r r e n t I F (m A )F o r w a r d c u r r e n t I F (m A )Forward current I F (mA)L i g h t c u r r e n t I L (m A )Collector −Emitter voltage V CE (V)L i g h t c u r r e n t I L (m A )Ambient temperature Ta (°C)Load resistance R L (k Ω)T a = −30°C T a = 25°C T a = 70°CT a = 25°C V CE = 10 VI F = 40 mA I F = 30 mA I F = 20 mA I F = 10 mAT a = 25°CV CE = 10 V 0 l xI F = 20 mA V CE = 5 VI F = 20 mA V CE = 10 V T a = 25°CV CC = 5 V T a = 25°CR e s p o n s e t i m e t r , t f (μs )R e l a t i v e l i g h t c u r r e n t I L (%)D a r k c u r r e n t I D (n A )I F = 50 mA Ambient temperature Ta (°C)I F P CR e l a t i v e l i g h t c u r r e n t I L (%)I F = 20 mA V CE = 10 V T a = 25°CR e l a t i v e l i g h t c u r r e n t I L (%)I F = 20 mA V CE = 10 V T a = 25°CR e l a t i v e l i g h t c u r r e n t I L (%)Relative Light Current vs. Ambi-ent Temperature Characteristics (Typical)Response Time vs. Load Resist-ance Characteristics (Typical)。

锌合金牌号

锌合金牌号

5
80-120
0.07
26
0.24
3.89
铝基合金
ALS8
200-220
3-12
70-90
0.004
26
0.35
2.8
铝基合金（美国）
B850
190-230
6-8
60-90
0.004
23.1
0.419
2.79
铝基合金（美国）
B852
210-230
5-9
50-95
0.004
22.8
0.42
2.81
表二、锌合金其他机械性能
400-500
10
100
0.07
18.1
0.14
7.5
锌合金
ZA27
380-410
3-6
100
0.05
26
0.24
5.0
锌合金
ZA303
400-450
6-18
120
0.05
25
0.24
4.85
锌合金（稀土）
ZRH-8
420-450
4-15
80-130
0.05
26
0.24
4
锌铝合金
ZA43
380-450
6.3
ZA12
392
3
95-105
6.0
ZA27-2
420
6
100-120
4.85
表四、其他锌合金牌号：
合金牌号
比重g/cm3
合金牌号
比重g/cm3
锌基合金SJ1
6-6.5
锌基合金SJ5
4பைடு நூலகம்6-4.8
光电传感器实验心得

光电传感器实验心得

竭诚为您提供优质文档/双击可除光电传感器实验心得篇一：光电传感器实验Dh-sJ3光电传感器物理设计性实验装置（实验指导书）实验讲义请勿带走杭州大华科教仪器研究所杭州大华仪器制造有限公司Dh-sJ3光电传感器物理设计性实验装置光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接引起光强度变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。

光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。

光敏传感器的物理基础是光电效应，即光敏材料的电学特性都因受到光的照射而发生变化。

光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。

外光电效应是指在光照射下，电子逸出物体表面的外发射的现象，也称光电发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。

内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象，称为光电导效应。

大多数光电控制应用的传感器，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都是内光电效应类传感器。

当然近年来新的光敏器件不断涌现，如：具有高速响应和放大功能的ApD雪崩式光电二极管，半导体光敏传感器、光电闸流晶体管、光导摄像管、ccD图像传感器等，为光电传感器的应用开创了新的一页。

本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性以及光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。

一、实验目的1、了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。

2、了解光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。

3、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。

4、了解光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。

5、了解光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。

二、光敏传感器的基本特性及实验原理1、伏安特性光敏传感器在一定的入射光强照度下，光敏元件的电流I与所加电压u之间的关系称为光敏器件的伏安特性。

江苏省电力公司35kV及以下客户端变电所建设标准

江苏省电力公司35kV及以下客户端变电所建设标准

《35kV及以下客户端变电所建设标准》（DGJ32/J14-2005）实施指南（送审稿）江苏省电力公司二○○五年十二月目次1总则2术语3电气设计3.1一般规定3.2电气主接线3.3变压器3.4所用电源3.5操作电源3.6自备应急电源3.7电测量仪表装置3.8中性点接地方式3.9电缆4无功补偿装置5电能质量和谐波管理6电气设备选择6.1污秽等级6.2变压器6.3高压开关柜6.4高压电力电缆6.5低压电力电缆及控制电缆6.6高压电缆分支箱6.7互感器6.8高压熔断器6.9 低压设备7电能计量装置8负荷管理终端装置8.1一般规定8.2二次回路8.3电源8.4其他要求9继电保护﹑控制及自动装置9.1保护配置9.2继电保护﹑控制装置及布置方式9.3二次回路9.4自动装置10变电所的布置10.1 一般规定10.2变电所的型式10.3配电装置的布置11电缆敷设12通讯和远动13防雷和接地14土建14.1一般规定14.2荷载14.3建筑物14.4通风和照明15 施工及验收15.1施工15.2竣工验收附录：A参考文献B供电方案主要内容C应提供设计文件和资料内容D变电所工程竣工报告的主要内容E常用电气主接线F变电所电气捕鼠装置图G本标准用词说明前言由江苏省电力公司主编的江苏省《35kV及以下客户端变电所建设标准》是国内第一部有关35kV及以下客户变电所的建设标准。

本标准参照现行的有关变电所设计、运行、安装验收的国家和行业标准，结合我省各地多年来在客户变电所建设中的经验以及新设备﹑新技术的广泛应用，对现行的国家标准中尚未涉及的部分进行了补充、完善。

《35kV及以下客户端变电所建设标准》的颁布，有利于提升供电企业为客户优质服务的水平；有利于统一全省客户变电所建设标准；有利于提高设计工作效率；有利于降低客户变电所建设和运行费用；加快了客户变电所建设速度。

《35kV及以下客户端变电所建设标准》具有以下几个特点：1 规定了客户工程项目在规划、立项和可行性研究阶段以及有非线性用电设备的新（扩）建变电所工程，进行供电方案研究和确定，在供电方案确定后才能进行变电所的设计，避免了客户未办理申请用电手续，未就供电的可能性、供电条件和配套工程的建设与供电企业达成一致意见后，就委托设计院进行变电所设计、安装。