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LED（LightingEmittingDiode）即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。
它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。
LED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。
当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED 作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。
LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。
近年来，世界上一些经济发达国家围绕LED的研制展开了激烈的技术竞赛。
美国从2000年起投资5亿美元实施“国家半导体照明计划”，欧盟也在2000年7月宣布启动类似的“彩虹计划”。
我国科技部在“863”计划的支持下，2003年6月份首次提出发展半导体照明计划。
人们通常说的半导体照明一般是指用LED作为光源的照明，从广义上讲还应该包括LD（激光二极管）作为光源的照明，LD可以用于舞台灯光，大型室外集会、庆典、娱乐和远距离照明等。
高节能节能能源无污染即为环保。
直流驱动，超低功耗（单管0.03-0.06瓦）电光功率转换接近100%，相同照明效果比传统光源节能80%以上。
寿命长LED光源有人称它为长寿灯，意为永不熄灭的灯。
固体冷光源，环氧树脂封装，灯体内也没有松动的部分，不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点，使用寿命可达6万到10万小时，比传统光源寿命长10倍以上。
多变幻LED光源可利用红、绿、篮三基色原理，在计算机技术控制下使三种颜色具有256级灰度并任意混合，即可产生256×256×256＝16777216种颜色，形成不同光色的组合变化多端，实现丰富多彩的动态变化效果及各种图像。
---文档均为word文档，下载后可直接编辑使用亦可打印---摘要本文的重点是大功率LED测试及分析。
大功率LED的电参数和光参数，是通过测其光谱图和相应参数随电流的变化曲线图，然后再对其相关特性进行分析的。
从分析中进一步加深对LED电参数和光参数等方面知识了解和认识。
进而了解这些参数随电流的变化情况，如正向电压（VF）、光通量（Φ）、色温（Tc）等一系列参数的相应变化过程。
测量和掌握LED的光电特性及外界因素对光电特性的影响，是正确使用大功率LED的基础将有助于更好大功率LED在照明方面合理应用，提高大功率LED的效率。
关键词：LED结构，发光原理，电参数，光参数，VF，功率，光通量，色温，应用领域AbstractThe focus of this paper is high power LED testing and analysis. The electrical and optical parameters of high-power leds are analyzed by measuring their spectra and the curves of the corresponding parameters changing with the current. From the analysis to further deepen the LED electrical parameters and optical parameters and other aspects of knowledge and understanding. To understand these parameters with the change of electric current, such as forward voltage (VF), luminous flux (Φ), color temperature (Tc) and a series of process parameters to the corresponding change. Measuring and mastering the photoelectric characteristics of LED and the influence of external factors on the photoelectric characteristics are the basis for the correct use of high-power LED, which will contribute to the rational application of high-power LED in lighting and improve the efficiency of high-power LED.Keywords:LED structure, luminescence principle, electrical parameters, optical parameters, VF, power, luminous flux, color temperature, application field目录前言 (4)一、LED的基础知识 (5)1.1 LED的结构及发光原理 (5)1.1.1 LED的结构 (5)1.1.2 LED的发光原理 (6)1.2 LED的基本参数 (7)1.2.1 LED的电参数 (7)1.2.2 LED的光学参数 (8)1.3 大功率LED (13)二、LED光色电参数的测量 (14)2.1 大功率LED电参数测试 (14)2.1.1 正向电流和正向电压的测试 (17)2.1.2 功率-电流变化曲线测试 (18)2.2 大功率LED光参数试 (19)2.2.1 光通量的测量 (19)2.2.2 色温的测量 (21)2.3 大功率白光LED分析 (22)三、LED的应用领域 (24)四、总结 (25)五、参考文献 (26)六、附图：实验设备及测试LED灯 (27)前言在21世纪，大功率LED照明技术的发展，引起了国内外光源界的普遍关注，现已成为有发展和影响力的一项高新技术。
大连理工大学半导体器件院 系： 电子科学与技术学院 专 业： 集成电路设计与集成系统 班 级： 电集1001 姓 名： 陈朝吉 学 号： 201081086课程论文新型微纳器件——光子器件陈朝吉（大连理工大学， 电集1001）摘要：微纳光学技术是新近发展起来的技术，越来越受到世界各国的重视，而伴随该技术发展所产生的纳米光子器件更是成为了各国科研人员研究的热点。
本文主要论述了一种新型光电子器件及其发展方向。
关键词：纳米光子新型器件1 引言：为了满足迅速增长的带宽需求，更有效地使用当前技术成熟的EDFA的增益带宽，DWDM系统必须提供更多的复用信道数，由此信道间隔变得越来越窄。
两年前，在C波段(1530nm～1565nm)通常16路复用，信道间隔200GHz。
2000年商用系统C波段复用信道数己达40，信道间隔50GHz。
在宽带就是资源的时代，为了充分利用有限的带宽资源，小信道间隔以成为发展趋势。
信道间隔越窄，对DWDM 系统复用/解复用器的要求越来越高。
由于制作工艺的难度加大，100GHz更窄带通的滤波器的成品率很低，导致窄带滤波器的价格极高。
波长交错器（Interlever）的使用大大降低了系统的成本，缓解了DWDM系统对滤波器件的压力。
2 关于Interlever光交叉波分复用器(Interleaver)又叫光交叉复用/解复用器,是一种用在光纤通信中密集波分复用(DWDM)系统的光学路由器(Optical router),也称梳状滤波器(Comb filter)。
光交叉波分复用器的解复用功能是把单组输入DWDM光信号分解成两组奇偶信道输出，且两组光输出信号信道间隔两倍于输入光信号信道间隔。
它使较窄信道间隔设计的DWDM系统，如100GHz(或50GHz)能进一步解分复用成信道间隔为200GHz（或100GHz）的更疏松的DWM系统[1]。
3 Interlever的基本原理及性能参量Interleaver 是一种新型的复用/ 解复用器件(mux/ demux)，类似梳状滤波器,可以把两组光信号复用成一组频谱空间更密集的光信号，反过来Interleaver又可把一组密集的复用光信号解复用成两组信道间隔更稀的光信号，一路包含奇数路波长，另一路包含偶数路波长。
在此，我谨代表本人，向贵委员会郑重推荐XXX同学的半导体领域毕业论文。
经过深入了解，我认为该论文具有较高的学术价值和应用前景，特此撰写推荐信如下：一、论文选题与背景XXX同学的毕业论文题目为《基于新型半导体材料的器件设计与性能研究》，该选题具有前沿性和实用性。
随着半导体技术的飞速发展，新型半导体材料在电子器件领域的应用越来越广泛。
该论文针对新型半导体材料的研究现状，探讨了器件设计与性能优化方法，具有重要的理论意义和应用价值。
二、论文研究内容与方法1. 论文研究内容（1）新型半导体材料的制备与表征：通过对新型半导体材料的制备工艺进行优化，提高材料的性能；采用多种表征手段对材料进行深入研究，为器件设计提供理论依据。
（2）器件设计与仿真：结合新型半导体材料的特点，设计高性能的电子器件；利用计算机仿真软件对器件进行性能分析，验证设计方案的可行性。
（3）器件性能优化：针对器件在实际应用中存在的问题，提出优化策略，提高器件的稳定性和可靠性。
2. 论文研究方法（1）文献调研：广泛查阅国内外相关文献，了解新型半导体材料的研究现状和发展趋势。
（2）实验研究：通过制备、表征和测试新型半导体材料，为器件设计提供数据支持。
（3）计算机仿真：利用仿真软件对器件进行性能分析，验证设计方案的可行性。
（4）理论分析：结合半导体物理原理，对器件性能进行理论分析，为优化策略提供理论依据。
三、论文创新点与成果1. 论文创新点（1）提出了一种新型半导体材料的制备方法，提高了材料的性能。
（2）设计了一种高性能的电子器件，具有较高的稳定性和可靠性。
（3）针对器件性能问题，提出了一种优化策略，提高了器件的性能。
2. 论文成果（1）发表论文3篇，其中SCI检索1篇。
（2）申请发明专利1项。
（3）参加国内外学术会议3次，作口头报告1次。
四、推荐理由1. XXX同学具备扎实的理论基础和丰富的实践经验，对半导体领域有较深入的了解。
2. 该论文选题具有前沿性和实用性，研究内容丰富，方法科学，具有一定的创新性。
半导体技术论文随着对半导体材料的研究,半导体技术成为一种重要的技术,在推动经济发展的过程中,起着重大的作用。
这是店铺为大家整理的半导体技术论文，仅供参考!半导体器件封装技术篇一[摘要]半导体器件封装技术是一种将芯片用绝缘的塑料、陶瓷、金属材料外壳打包的技术。
封装技术对于芯片来说是必须的,也是非常重要的。
[关键词]半导体器件封装技术“半导体器件封装技术”是一种将芯片用绝缘的塑料、陶瓷、金属材料外壳打包的技术。
以大功率晶体三极管为例,实际看到的体积和外观并不是真正的三极管内核的大小和面貌,而是三极管芯片经过封装后的产品。
封装技术对于芯片来说是必须的,也是非常重要的。
因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要。
封装也可以说是指安装半导体芯片用的外壳,它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用,而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁――芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。
因此,对于大功率器件产品而言,封装技术是非常关键的一环。
半导体器件有许多封装形式,按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。
从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进。
总体说来,半导体封装经历了三次重大革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,它极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现,满足了市场对高引脚的需求,改善了半导体器件的性能;芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装面积减到最小。
高级封装实现封装面积最小化。
一、封装材料封装的基材有陶瓷、金属和塑料三种。
摘要随着半导体技术的迅速发展，电子产品的已进入各行各业，涉及航空航天、机械制造、电子商务等，可以说，我们大家的生活已无法离开电子产品。
可焊性测试是电子产品生产制造过程中检验产品可焊接性能的一种必要手段。
产品引线的焊接性能将直接影响到产品的使用，严重的焊接不良甚至会影响到整机的可靠性。
而且此类不良很多是间歇性的，有时会影响维修人员对故障的判断，造成一些不必要的损失。
本文着重介绍了各类可焊性测试方法在元器件生产中的实际应用，以及使用方法中的一些关键点。
通过在工作中的实际应用，结合标准的要点和产品的特点，在不违背标准的情况下，针对各类不同的产品，使用不同的测试方法进行检测，这样能更有效的反应产品的可焊接性能。
特别是针对一些短引脚、无引脚产品，如何使用合适的方法，甚至说使用更有说服力的润湿法来进行检测。
这些方法的研究，将有利于封装厂在生产过程中改进产品电镀品质的检测方法，能更快、更有效的发现产品的电镀缺陷，及时调整生产工艺的，提高产品质量，满足客户的需求。
关键词：可焊性；方法；标准；半导体元器件AbstractWith the rapid development of semiconductor technology, electronic products has entered into all walks of life, involved in aerospace, mechanical manufacturing, electronic commerce and so on, in other words, our life cannot leave the electronic products.Solderability test is a necessary mean to inspect the product solderability during the electronic product manufacturing process. The solderability of the lead will directly affect the product using; serious bad soldering may even affect the reliability of the machine. And such bad soldering is intermittent; sometimes it will affect maintenance personnel’s judgment for fault, causing some unnecessary loss.This article emphatically introduces the practical application of all kinds of solderability test methods in the production of components, and some key points in using the methods. Through practical application, combining the main points of the standard and the characteristics of the products, under the case of without violating the standard, for all kinds of different products, using different testing methods can reflect the solderability more effective. Especially for some short pin and no pin products, how to testby the right method or more persuasive wetting method? The research of these methods will be of conducive forpackaging factory to improve the detection method of improving products electroplating quality in the process of production, and can find plating defects of product faster and more effective to adjust the production technology, improve product quality, and meet customer demand timely.Keywords: Solderability, Methods, Standard, Semiconductor components目录目录摘要 (Ⅰ)Abstract (Ⅱ)第1章绪论 (1)1.1课题研究的目的和意义 (1)1.1.1课题背景 (1)1.1.2目的和意义 (2)1.2 国内外研究现状 (2)1.2.1 课题来源 (2)1.3 课题的主要研究内容 (4)第2章半导体元器件的可焊性描述 (6)2.1 可焊性描述 (6)2.2 测试可焊性的几种主要方法 (6)2.2.1 可焊性测试前处理 (7)2.2.2 助焊剂的使用 (9)2.2.3 焊料的使用 (10)2.2.4 槽焊法 (11)2.2.5 电烙铁法 (12)2.2.6润湿称量法 (13)2.3本章小结 (17)第3章小型短管脚产品使用润湿称量法测试 (18)3.1小型短管脚产品的定义 (18)3.2 设备介绍 (18)3.3 SOT-23产品的测试 (19)3.3.1 SOT-23封装介绍 (19)3.3.2 润湿称量法对SOT-23产品进行测试 (20)3.4本章小结 (22)第4章无外引脚产品的测试 (23)4.1 无外引脚产品介绍 (23)4.2 槽焊法测试 (24)4.3 润湿称量法测试 (25)4.4 本章小结 (26)第5章基板封装产品的测试 (27)5.1基板封装介绍 (27)5.2 槽焊法对基板封装进行测试 (27)5.3 电烙铁法进行补充测试 (29)5.4 本章小结 (29)结论 (30)江苏科技大学硕士论文参考文献 (31)致谢 (33)第1章绪论第1章绪论1.1 课题研究的目的和意义1.1.1课题背景1947年晶体管发明的同时，也开创了半导体封装的历史。
半导体论文格式半导体论文格式半导体论文格式摘要：本文主要介绍半导体材料的分类、特征、制备工艺、应用、半导体的特性参数、发展现状战略地位等。
半导体的发展与器件紧密相关。
1941年用多晶硅材料制成检波器，是半导体材料应用的开始，1948~1950年用切克劳斯基法成功的拉出了锗单晶，并用它制成了世界上第一个具有放大性能的锗晶体三极管。
1951年用四氯化硅锌还原法制出了多硅晶，1952年用直拉法成功拉出世界上第一根硅单晶，同年制出了硅结型晶体管，从而大大推进了半导体材料的广泛应用和半导体器件的飞速发展。
关键词：半导体材料导电能力单晶片电阻率电子一、半导体材料的分类；半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）Ω/cm范围内。
半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。
按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、化合物半导体、有机半导体、固溶体半导体和非晶态与液态半导体。
元素半导体大约有十几种，处于ⅢA族—ⅦA族的金属元素与非金属元素交界处，如Ge，Si，Se，Te 等；化合物半导体分为二元化合物半导体和多元化合物半导体；有机半导体分为有机分子晶体、有机分子络合物、和高分子聚合物，一般指具有半导体性质的碳-碳双键有机化合物，电导率为10-10~102Ω·cm。
固溶体半导体是由两个或多个晶格结构类似的元素化合物相融合而成，有二元系和三元系之分，如ⅣA-ⅣA组成的Ge-Si固溶体，ⅤA-ⅤA组成的Bi-Sb固溶体。
原子排列短程有序、长程无序的半导体成为非晶态半导体，主要有非晶硅、非晶锗等。
二、半导体材料的制备工艺；不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。
半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。
常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。
半导体毕业论文半导体：探索未来科技的基石引言：在当今科技发展迅猛的时代，半导体作为一种关键材料，已经成为现代生活和工业生产的基石。
它的应用范围广泛，从电子设备到通讯技术，从能源领域到医疗科学，无不离开半导体的支持。
本文将探讨半导体的基本原理、应用领域以及未来的发展趋势，旨在展示半导体技术对于人类社会的巨大影响和潜力。
一、半导体的基本原理半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，其电导率介于两者之间。
这种特性源于半导体晶体中的电子能级结构。
通过控制材料中的杂质浓度和制造工艺，可以调节半导体的电导率，从而实现对电流的控制。
半导体的基本原理为现代电子学的发展提供了坚实的基础。
二、半导体的应用领域1. 电子设备半导体是电子设备中最重要的组成部分。
从智能手机到电脑、电视，几乎所有现代电子产品都离不开半导体芯片。
半导体的微小尺寸和高度集成的特点，使得电子设备越来越小型化、高效化和功能强大化。
2. 通讯技术半导体在通讯技术中扮演着重要角色。
无线通信、光纤通信、卫星通信等都依赖于半导体器件。
半导体的高速开关特性和信号放大能力，使得信息传输更加快速和稳定。
3. 能源领域半导体技术在能源领域的应用也日益重要。
太阳能电池板、LED灯、电动汽车等都离不开半导体器件。
半导体的光电转换效率高和能量损耗小的特点，为可再生能源的发展提供了强有力的支持。
4. 医疗科学半导体技术在医疗科学中的应用也日益广泛。
例如，生物芯片可以用于基因检测和疾病诊断，人工智能和机器学习可以应用于医学影像处理和疾病预测。
这些应用将大大提高医疗水平和人类生活质量。
三、半导体的未来发展趋势1. 三维集成电路随着电子设备的不断发展，对于更高性能和更小尺寸的需求也越来越迫切。
三维集成电路技术可以将多个晶体管层叠在一起，大大提高芯片的集成度和性能。
这一技术的发展将推动电子设备的进一步革新。
2. 新型材料除了传统的硅材料，新型半导体材料也在不断涌现。
例如，石墨烯、氮化镓等材料具有优异的电子特性，有望在未来取代硅材料，推动半导体技术的进一步发展。
一、半导体物理发展史简介半导体物理学是研究半导体原子状态和电子状态以及各种半导体器件内部电子过程的学科。
是固体物理学的一个分支。
研究半导体中的原子状态是以晶体结构学和点阵动力学为基础，主要研究半导体的晶体结构、晶体生长，以及晶体中的杂质和各种类型的缺陷。
研究半导体中的电子状态是以固体电子论和能带理论为基础，主要研究半导体的电子状态，半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件的作用机理和制造工艺等。
半导体物理学的发展不仅使人们对半导体有了深入的了解，而且由此而产生的各种半导体器件、集成电路和半导体激光器等已得到广泛的应用。
能带理论的建立为半导体物理的研究提供了理论基础，晶体管的发明激发起人们对半导体物理研究的兴趣，使得半导体物理的研究蓬勃展开，并对半导体的能带结构、各种工艺引起的半导体能带的变化、半导体载流子的平衡及输运、半导体的光电特性等作出理论解释，继而发展成为一个完整的理论体系——半导体物理学。
1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。
1、半导体的起源法拉第在1833年发现硫化银，它的电阻随着温度上升而降低。
对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电，这也是半导体一个非常重要的物理性质。
1874年，德国的布劳恩注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。
1906年，美国发明家匹卡发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。
整流理论能带理论2、电晶体的发明3、积体电路：积体电路就是把许多分立元件制作在同一个半导体晶片上所形成的电路4、超大型积体电路二、半导体和集成电路的现状及发展趋势半导体材料的发展，现状和趋势第一代的半导体材料：以硅（包括锗）材料为主元素半导体第二代半导体材料：以砷化镓（GaAs）为代表的第二代化合物半导体材料第三代半导体材料：氮化物（包括SiC、ZnO等宽禁带半导体）第三代半导体器件由于它们的独特的优点，在国防建设和国民经济上有很重要的应用，前景无限。
2011—2012年第二学期《半导体器件测试技术》期末考核课程论文
西数WDC WD3200AAJS-08L7A0 (320GB)
硬盘测试报告
学院：物理与电子工程学院
专业班级：电子信息科学与技术专业2010级
姓名：张三
学号： XXXXXXXXXXXX
2012年6月23日
西数WDC WD3200AAJS-08L7A0 (320GB)
硬盘测试报告
张三XXXXXXXXXX
摘要：一台计算机的主要组成原件有三大件，即：CPU、主板、内存。
一台计算机的性能优劣也主要由这三大件来决定的，它们的好坏直接决定了整台计算机给不给力。
但随着时代的进步，人们在计算机里存储的资料也越来越多，越来越大，说到这里就不得不提出计算机内还有一样东西也越来越重要，那就是硬盘了。
关键字：硬盘、转速、传输速率、容量、缓存
引言
硬盘是一种主要的电脑存储媒介，由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。
这些碟片外覆盖有铁磁性材料。
绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。
不过，现在可移动硬盘越来越普及，种类也越来越多。
绝大多数台式电脑使用的硬盘要么采用 IDE 接口，要么采用 SCSI 接口。
SCSI 接口硬盘的优势在于，最多可以有七种不同的设备可以联接在同一个控制器面板上。
由于硬盘以每秒3000—10000转的恒定高速度旋转，因此，从硬盘上读取数据只需要很短的时间。
如今市场上的硬盘生产厂商很多，硬盘的品牌也就很多，今天我测试的一款硬盘呢是一款PC兼容机的西数的WD3200AAJS-08L7A0(320GB)的硬盘。
测试硬盘有很多方法，也有很多专业的硬盘测试软件。
这次我就采取了用专业软件测试，所以在测试之前呢，首先要去选择下载一个硬盘测试软件，我选择的是一个硬盘测试的专业版软件，HD Tune 专业版 v4.60 –硬盘专业工具。
测试硬盘主要就是对硬盘的一些主要参数进行测量。
一块硬盘的主要参数包括：
转速：硬盘通常是按每分钟转速(RPM，Revolutions Per Minute)计算：该指标代表了硬盘主轴马达(带动磁盘)的转速，比如5400 RPM就代表该硬盘中主轴转速为每分钟5400转。
目前主流笔记本硬盘转速为5400RPM；台式机硬盘则为7200RPM。
但随着技术的不断进步，笔记本和台式机均有万转产品问世。
单碟容量：单碟容量是硬盘相当重要的参数之一。
硬盘是由多个存储碟片组合而成，而单碟容量就是指一个存储碟所能存储的最大数据量。
目前在垂直记录技术的帮助下，单碟容量从之前80GB升级到250GB或者320GB，而三星则推出最高334GB单碟容量。
硬盘单碟容量提高不仅仅可以带来总容量提升，有利于降低生产成，提高工作稳定性；而且单碟容量越大其内部数据传输速率就越快。
平均寻道时间：平均寻道时间指硬盘在盘面上移动读写磁头到指定磁道寻找相应目标数据所用的时间，单位为毫秒。
当单碟容量增大时，磁头的寻道动作和移动距离减少，从而使平均寻道时间减少，加快硬盘访问速度。
缓存：缓存是硬盘与外部交换数据的临时场所。
硬盘读/写数据时，通过缓存一次次地填充与清空，再填充，再清空，就像一个中转仓库一样。
目前大多数硬盘缓存已经达到16MB，而对于大容量产品则均为32MB容量。
图(一)
内部数据传输率：内部传输率是指硬盘磁头与缓存之间的数据传输率，简单说就是硬盘将数据从盘片上读取出来，然后存储在缓存上的速度。
内部传输率可以明确表现出硬盘的读写速度，它的高低才是评价一个硬盘整体性能的决定性因素。
目前大多数桌面级硬盘基本都在70-90MB/S之间，笔记本硬盘则在55MB/S左右。
我这次对硬盘的测试主要就围绕着最后一个参数—内部数据传输率进行的。
内部数据传输速率包括了读取数据的速度和写入数据的速度。
而硬盘的数据传输速率主要由基准和随机存取两个标准来体现。
接下来我就以我的硬盘的基准和随机存取两项参数来测试。
一、基准
所谓基准呢，就是一块硬盘的基本标准。
对硬盘的基准项测试，可以得出该硬盘的很多参数，它包括硬盘当前的温度、最低传输速率、最高传输速率、平均传输速率、突发传输速率、CPU占用率等。
图(一)为硬盘的基准参数测试图片，它显示出了硬盘的很多详细测试数据。
从测试结果看出该硬盘当前的最低传输速率为50.8 MB/秒，最高传输速率105.9 MB/秒，平均传输速率为85.1 MB/秒，突发传输速率为187.2 MB/秒。
该测试不仅测出了硬盘的这些基本参数，还测试出了该硬盘的型号为WDC WD3200AAJS-08L7A0 (320 GB)。
从这个测试出的型号可以看出该硬盘是西部数据的一款硬盘。
对西部数据硬盘型号的识别方法是：西部数据的编号标注形式因产品系列而异，编号方式显得简洁明了，由12个数字或者字母所组成。
在12个编号中，前6个编号为主编号，后面的6个编号为附加编号。
其桌面市场的主打系列鱼子酱的标注方式为“厂商代号+容量+转速，缓存+接口类型”。
简单的表示为WD“XXXX,X,X-XX,X,X,XX”，可以分为七个部分。
“WD”是“Western Digital”的简称，表示其为西部数据公司的产品。
前6位主编号：
第一部分的四个“X”表示为硬盘容量，通常由3到4位数字组成，单位为GB其标识和希捷是一样的，如4位的“ 1200”代表120GB，3位的“800”则代表80GB。
第二部分的“X”表示为硬盘转速及缓存容量。
“A”表示转速为5400 RPM/分的鱼子酱硬盘；
“B”表示转速是7200 RPM/分的鱼子酱硬盘；
“E”表示转速是5400 RPM/分的Protege系列硬盘；
“J”表示转速为7200 RPM/分，数据缓存为8MB的高端鱼子酱硬盘；
“G”表示为转速拥有10000 RPM/分，数据缓存为8MB的最高端桌面硬盘Raptor系列。
第三部分的“X”表示接口的类型。
“A”表示为Ultra ATA/66或者更早期的接口类型
“B”表示为Ultra ATA/100
“W”表示应用于A/V(数码影音)领域的硬盘
“D”表示为Serial ATA150接口
后六位附加编号：
对于后面的六位附加编号，笔者很抱歉，找不到相关于Serial ATA150接口规范的硬盘附加编号资料，这不能不说是一个遗憾。
第四部分的两个“X”表示为OEM客户标志。
如今西数面向零售市场的产品，其两个编号都是为数字“00”。
如果作为其它字符的话，则为OEM客户的代码，不同的编号对应不同OEM客户，而这种编号的硬盘通常是不面向零售市场的。
第五部分的“X”代表硬盘单碟容量，单位是GB。
“C”代表硬盘单碟容量为40GB，“D”代表66GB，“E”代表83GB。
第六部分的“X”表示同系列硬盘的版本代码，该代码随着不同系列而变。
“A”表示7200转/分，Ultra ATA100接口的BB系列；
“B”表示5400转/分，Ultra ATA66接口的AB系列；
“P”表示5400转/分，Ultra ATA100接口的EB系列；
“R”表示7200转/分，Ultra ATA100接口，具有8MB缓存的JB系列。
图(二)
而在单碟66GB和83GB的产品中，还出现了“U”，“V”等其他字母，分别对应JB系列和BB系列产品。
最后部分的两个“X”表示为硬盘的Firmware版本。
我们目前常见的一般都是“A0”。
从西数对硬盘的型号命名规则，由图(一)所示的型号可以看到该硬盘的型号是WD3200AAJS-08L7A0(320GB)，由这个硬盘的型号我们可以得出这个硬盘是WD是西部数据的英文缩写，320是指320G，0AAJS是商品流水线生产代码。
是厂内内部代码。
08是指这个盘的缓存是8M的L7是7200转A0指批次。
二、随机存取
如图所示，该图为本测试硬盘的随机存取数据测试报告。
它包括了该硬盘在随机情况下读取数据时的各种速度的详细情况，它列出了数据传输的各种速度操作所占用的存取时间和平均速度。
具体如图(二)所示。
三、错误报告
错误报告就是对硬盘“身体”进行一次健康体检，检查它有没有坏的磁道，正常情况下检测结果应该是如图所示的样子全部都是绿色的，它代表该硬盘的磁道没有被损坏，是一块完好的硬盘。
图(三)
但是如果没有对硬盘保护好，又或者其他什么原因硬盘的磁道受到损坏的话，检测出来就回看到损坏的地方会检测出来，并且显示该处为红色。
如果是极少部分的磁道有损坏的话，经过一些专门的手段该硬盘还是可以继续使用的，但是如果损坏的过于多的话就该换快硬盘使用了。
参考文献：
【1】琪琪为硬盘进行健康体检电脑知识与技术：经验技巧-2008年10期【J】
【2】张海洲[1] 陈晓[2] 蒋毅[2] 张鹤鸣[1] 固态硬盘性能测试方法中国个体防护装备-2008年4期【J】【3】今贝贝极速狂飙——西数WD360转硬盘测评电脑2003年7期【J】
【4】网络西数硬盘命名规则。
