XPS分峰的分析实例
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XPS(X射线光电子能谱)是一种表面分析技术,可以用来研究材料的化学成分和化学状态。
对于硫元素的分析,XPS可以提供有关硫元素的峰位置和峰强度的信息。
在XPS谱图中,硫元素的特征峰通常位于硫2p能级附近。
硫元素的主要峰位在164-172 eV之间。
硫元素的2p3/2电子能级通常在165-167 eV之间,而2p1/2电子能级在167-169 eV之间。
这些能级的位置可以用来确定硫元素的化学状态。
要进行硫元素的XPS分析,首先需要准备样品,并使用XPS 仪器进行测量。
然后,通过分析XPS谱图中硫元素的峰形、峰位和峰强度,可以推断硫元素的存在和化学状态。
需要注意的是,XPS技术是一种表面分析技术,对于深层的硫元素可能无法提供准确的信息。
此外,XPS分析结果还需要结合其他分析技术和实验条件进行综合解读。
ce元素xps分峰X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,简称XPS)是一种常用的表面分析技术,可以对材料表面的成分、化学态和电子结构进行非破坏性分析。
在XPS分析中,样品表面被X射线照射后,样品上的原子会吸收X射线的能量并产生光电子。
这些光电子的能量和强度可以用来确定样品的化学成分,并提供关于原子的电子结构信息。
XPS分析可以在固体表面、气体表面和液体表面进行,适用于不同的材料和样品类型。
在XPS谱图中,光电子能量沿X轴排列,光电子峰强度沿Y轴表示。
不同元素的光电子峰出现在不同的能量位置和峰形,可以用来识别样品中的不同元素。
常见的元素包括碳、氧、氮、硫等。
我们以碳元素的XPS分峰为例,探讨XPS谱图的解读和分析。
碳元素的XPS分析通常以C1s光电子峰为主要参考。
C1s光电子峰位于284.4eV附近,代表了碳元素在样品表面的电子结构和化学态。
除了C1s峰外,还可以观察到其他碳元素相关的峰,如C2s、C2p等。
除了峰形,峰的能量位置也是XPS分析中重要的信息。
不同元素的光电子峰能量位置有所不同,可以用来识别样品中的元素成分。
例如,C1s峰位于284.4eV,而O1s峰位于531.0eV附近。
通过观察不同元素的峰能量位置,可以判断样品中的元素含量和化学状态。
在XPS分析中,还可以通过比例积分峰面积来确定不同元素的相对含量。
根据光电子的逃逸深度和电子收集效率,可以校正不同元素的峰面积,得到准确的元素含量。
这种定量分析方法可以应用于不同样品和不同元素的XPS分析。
总的来说,XPS分析通过观察样品表面的光电子峰能量和峰形,可以确定样品的化学成分和电子结构。
不同元素的光电子峰能量位置不同,可以用来识别样品中的元素成分。
通过比例积分峰面积,可以定量分析不同元素的相对含量。
XPS分析是一种非常有用的表面分析技术,广泛应用于材料科学、化学和生物科学等领域。
xps 分峰碳纳米管一、引言碳纳米管,由于其独特的结构和优异的性能,在许多领域都有着广泛的应用前景。
随着科技的不断进步,对碳纳米管的研究也日益深入,其中X射线光电子能谱(XPS)作为一种重要的分析手段,在碳纳米管的研究中发挥着重要的作用。
本文将重点探讨XPS技术在碳纳米管分峰分析中的应用及其对碳纳米管研究的贡献。
二、XPS技术简介X射线光电子能谱(XPS)是一种通过测量样品原子或分子在被X射线激发后产生的光电子能量分布来分析物质成分的方法。
由于XPS可以提供元素组成、化学态和分子结构等信息,因此被广泛应用于材料科学、化学、生物学等领域。
三、碳纳米管的特性碳纳米管是由单层或多层石墨烯卷曲而成的无缝纳米级管状结构。
由于其独特的结构和物理化学性质,碳纳米管在力学、电学、热学等方面都有着优异的性能。
此外,碳纳米管还具有较高的比表面积和良好的化学稳定性,这使得它们在许多领域都有着广泛的应用前景。
四、XPS在碳纳米管分峰分析中的应用XPS在碳纳米管分峰分析中发挥着重要的作用。
通过对碳纳米管的XPS谱进行分析,可以获得碳纳米管中各元素的含量、化学态以及分子结构等信息。
例如,通过测量C1s峰的位移和形状,可以推断出碳纳米管的层数和手性;通过测量N1s峰和O1s峰,可以了解氮和氧在碳纳米管中的含量和化学态。
这些信息对于理解碳纳米管的生长机制、优化制备工艺以及拓展应用领域等方面都具有重要的意义。
五、分峰结果的解读在对碳纳米管的XPS谱进行分峰处理时,通常采用高斯-洛伦兹曲线拟合方法来解析谱峰。
通过对C1s峰的拟合,可以得到碳纳米管中sp2和sp3杂化碳的比例,从而推断出碳纳米管的石墨化程度。
此外,通过对N1s和O1s峰的拟合,可以得到氮和氧在碳纳米管中的含量和化学态。
通过对这些信息的解读,可以对碳纳米管的性能和应用进行更加深入的理解。
六、碳纳米管的应用领域由于其独特的结构和优异的性能,碳纳米管在许多领域都有着广泛的应用前景。
fe的氧化物xps分峰
摘要:
I.引言
- 介绍FE的氧化物
- 氧化物对FE的重要性
II.XPS分峰技术
- 介绍XPS分峰技术
- XPS分峰技术在研究氧化物中的应用
III.FE的氧化物XPS分峰
- 实验方法和过程
- 结果与分析
- 氧化物的种类和含量
- 氧化物对FE性能的影响
IV.结论
- 总结FE的氧化物XPS分峰的重要性
- 对未来研究的展望
正文:
I.引言
FE,即燃料电池,是一种将化学能直接转化为电能的装置。
氧化物作为FE 的重要组成部分,其性质对FE的性能有着极大的影响。
因此,研究FE的氧化物对于提高FE的性能和应用具有重要意义。
II.XPS分峰技术
XPS(X射线光电子能谱)是一种表征材料表面化学组成和电子状态的分析技术。
通过XPS分峰,可以对样品的化学组成进行定性和定量分析,进而研究氧化物的性质。
III.FE的氧化物XPS分峰
为了研究FE的氧化物性质,我们采用了XPS分峰技术。
实验过程中,首先对FE样品进行表面处理,然后进行XPS测试。
测试结果经过分峰处理,得到了氧化物的种类和含量信息。
进一步分析发现,氧化物的种类和含量对FE的性能有重要影响。
例如,氧化物可以改善FE的电导性能和稳定性,但过量的氧化物会导致FE性能下降。
IV.结论
本研究采用XPS分峰技术对FE的氧化物进行了分析,揭示了氧化物对FE 性能的重要影响。
fe的氧化物xps分峰(原创实用版)目录1.Fe 的氧化物的概述2.XPS 分峰的原理3.Fe 的氧化物 XPS 分峰的具体步骤4.Fe 的氧化物 XPS 分峰的应用5.总结正文一、Fe 的氧化物的概述Fe 的氧化物是指由铁(Fe)和氧(O)元素组成的化合物,如 FeO、Fe2O3 和 Fe3O4 等。
这些氧化物具有不同的物理和化学性质,广泛应用于催化剂、磁性材料、电子器件等领域。
二、XPS 分峰的原理XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy,X 射线光电子能谱)是一种表征材料表面化学组成和电子状态的分析技术。
XPS 分峰是指将 XPS 谱线分解为不同的能量区域,从而获得各个元素或化合物的化学信息。
三、Fe 的氧化物 XPS 分峰的具体步骤1.样品制备:首先需要将 Fe 的氧化物样品制备成光滑的表面,以便进行 XPS 测试。
2.XPS 测试:将样品放入 XPS 测试设备中,用单色光源照射样品表面,测量从样品表面逸出的光电子能量分布。
3.数据处理:通过数据处理软件对 XPS 谱线进行分峰处理,得到 Fe 的氧化物中各元素的化学信息。
四、Fe 的氧化物 XPS 分峰的应用1.确定 Fe 的氧化物的化学组成:通过 XPS 分峰可以准确地确定Fe 的氧化物中各元素的种类和含量。
2.分析 Fe 的氧化物的电子状态:通过 XPS 分峰可以获得 Fe 的氧化物中各元素的电子状态信息,从而了解其物理和化学性质。
3.研究 Fe 的氧化物的性能:通过 XPS 分峰可以研究 Fe 的氧化物在催化、磁性、电子器件等领域的性能。
五、总结Fe 的氧化物 XPS 分峰技术为研究 Fe 的氧化物的化学组成、电子状态和性能提供了有效的手段。
锂的xps分峰锂是一种常见的有色金属,具有良好的物理、化学性质,因其高比能量、轻量化等优势而在电池、航空航天、核能、化工等领域得到广泛应用。
X射线光电子能谱(XPS)是一种非常有效的表征材料表面化学组成和化学状态的方法,可以为锂和其化合物的分析提供非常丰富的信息。
锂的XPS分峰主要有3种,即Li 1s、O 1s和C 1s分峰。
其中,Li 1s分峰是最具代表性的,也是最重要的。
锂的X射线能量为55.8eV,可以激发出Li 1s电子,其特征峰位通常在55.5-56.5eV范围内。
根据材料的不同化学状态和表面环境,Li 1s分峰的形状、位置和强度都会发生变化。
在锂金属的XPS谱图中,Li 1s分峰的峰位通常在55.9-56.1eV之间,峰形偏于对称,峰宽较狭窄。
这是由于金属锂表面没有氧化层或无机盐层覆盖,表现出纯净的金属状态。
而在锂化合物中,Li 1s分峰的位置和峰形则会发生较大变化。
以LiF为例,其Li 1s分峰的峰位通常在56.2-56.5eV之间,峰形偏于不对称,峰宽较宽。
这是由于Li+在F-共价键上的电子云密度较大,电子更容易受到周围离子和键的影响,形成较宽的分峰。
另外,C 1s分峰常常出现在锂电池电解质和隔膜的XPS谱图中。
随着新型电解质和隔膜材料的不断发展,C 1s分峰的形态和位置也在不断变化。
例如,传统的聚乙烯隔膜中,C 1s峰的位置和峰形通常在286-289eV之间,代表了C-C、C-H和C-O键的存在。
而新型的聚合物电解质中,C 1s峰则更加复杂,可能会出现不同的亚峰,代表不同的化学键和结构单元。
综上所述,锂的XPS分峰对于锂及其化合物的表征非常重要。
通过分析分峰位置、形状和强度,可以深入了解材料的化学组成和化学状态,为锂电池等领域的研究和应用提供有力的支持。
钴的xps分峰-回复钴的XPS分峰是一种常用的表面分析方法,它通过测量和分析材料的光电子能谱,可以了解材料的表面化学组成以及电子状态的变化。
钴是一种重要的过渡金属元素,具有广泛的应用领域,因此对钴的XPS分峰进行研究具有重要的科学和工程意义。
本文将详细介绍钴的XPS分峰的原理、实验方法和数据解释。
首先,我们来了解一下XPS的原理。
XPS即X射线光电子能谱,是一种通过照射材料表面的X射线,观察材料表面松弛电子的动能以及其强度分布,从而推断出材料表面化学元素的组成和电子状态的变化。
在XPS实验中,通常使用了具有较高分辨率和较小束斑的X射线源,来照射材料表面,并采集材料发射的光电子能谱。
对于钴的XPS分峰分析,首先需要准备样品。
通常情况下,我们可以选择将钴薄膜沉积在一块精细平整的基底上,或者是通过化学反应合成含钴化合物的材料,以获得所需的样品。
在实验过程中,可以使用专门的XPS仪器进行测量。
首先,将样品放置在真空环境中,通过调节真空度和样品温度,使其表面得以清洁和稳定。
然后,通过控制X射线照射强度和能量,在样品表面上扫描,收集生成的光电子。
光电子被电子能量分析器捕获,记录下其动能和强度分布。
在得到了实验数据之后,我们需要对XPS谱图进行解析和解释。
首先,要注意到XPS谱图中的峰位置与对应的元素相关联。
例如,在钴的XPS 分峰中,一般会观察到钴2p和钴3p的峰。
通过确定这些峰的位置和强度分布,我们可以推断出样品中钴的化学价态和配位环境。
同时,我们还可以利用XPS谱图中的峰形信息,进一步了解钴的电子状态变化。
例如,钴的3p峰通常被观察为两个主要的分峰,这与钴的价态和局部对称性有关。
通过测量和分析这些峰之间的强度比值,可以推断出钴的电子态密度分布。
除了峰位置和峰形,我们还可以通过谱图中的峰宽信息,了解钴的表面化学组成和晶体结构。
峰宽通常与表面化学和电荷转移相关。
通过测量峰宽并与参考样品进行比较,可以推断出钴表面的化学环境和相对结构。
碳的xps分峰拟合碳的XPS分峰拟合是一种常用于表征材料表面成分和化学状态的方法。
通过X射线光电子能谱(XPS)测定,可以获得样品表面元素的电子能级分布情况及其化学键的信息。
在实际应用中,XPS谱峰的分析和拟合是对所得数据进行处理和解释的关键步骤之一。
本文将结合实验数据,探讨碳的XPS 分峰拟合的方法及其应用。
首先,对于碳的XPS谱图,一般可以观察到多个碳元素的XPS谱峰,如C1s、C2s等。
其中,C1s是最常见的碳元素XPS谱峰,通常用于分析样品表面的碳含量及其化学环境。
在进行XPS分峰拟合时,可以采用高斯函数或洛伦兹函数等数学模型对谱峰进行拟合,以得到谱峰的峰位、半峰宽和强度等信息。
对于复杂的XPS谱图,可能需要引入多个峰进行拟合,以解析不同碳化合物的存在及其相对含量。
在进行碳的XPS分峰拟合时,需要考虑到样品的表面状态、化学反应和X射线光束的作用等因素。
一般情况下,样品表面存在氧化、污染或与周围环境反应形成化合物等现象,都会对XPS谱峰的形状和位置产生影响。
因此,在进行分峰拟合时,需要综合考虑各种可能的因素,并通过调整拟合参数来提高拟合的准确性和可靠性。
在实际应用中,碳的XPS分峰拟合常用于分析各种碳材料的化学组成和表面性质。
以石墨烯为例,通过XPS技术可以对其表面氧化物含量、功能化基团及杂质物质等进行定量分析。
此外,对于金属氧化物表面的碳污染问题,XPS分峰拟合也可以帮助研究人员了解污染源及其对催化性能的影响,为材料表面处理和改性提供参考。
在实验中,碳的XPS分峰拟合的关键在于拟合算法的选择和参数的优化。
一般来说,高斯函数适用于对称的XPS谱峰拟合,而洛伦兹函数适用于不对称的谱峰。
在选择拟合算法时,需要根据实际情况灵活应用,并通过比较分析拟合结果的质量来确定最佳的拟合方案。
此外,对于谱峰的重叠和背景信号的消除也是XPS分峰拟合的挑战之一,需要结合实验经验和专业知识来解决。
总之,碳的XPS分峰拟合是一项重要的表征技术,对于材料科学和表面物理领域具有广泛的应用前景。
石墨烯xps分峰
石墨烯的X射线光电子能谱(XPS)可以提供关于石墨烯样品表面元素和化学环境的信息。
石墨烯的XPS分峰通常由以下几个主要能级和峰位组成:
1. 石墨烯的碳1s峰:石墨烯主要由碳组成,因此碳1s峰是XPS 中最重要的特征之一。
石墨烯的碳1s峰通常表现为单峰,峰位在284 eV附近。
2. 表面杂质的碳1s峰:在石墨烯的XPS谱图中,可能会观察到一些额外的碳1s峰,这些峰位通常偏离石墨烯的碳1s峰位(284 eV)。
这些额外的峰位通常表示杂质或化学修饰。
3. 表面氧化物的氧1s峰:石墨烯在空气中容易受到氧化,形成表面氧化物。
这些表面氧化物可以通过观察氧1s峰来检测。
石墨烯表面的氧1s峰位通常在530-540 eV之间。
4. 表面氮化物的氮1s峰:一些研究中,石墨烯可能会经过氮化等处理,形成氮化物表面。
氮1s峰可以用来检测这些氮化物。
氮1s 峰位通常在400-410 eV之间。
以上是石墨烯XPS谱图中常见的几个主要分峰,具体的峰位和形状可能会受到石墨烯样品的不同制备方法和环境条件的影响。
为了准确解析XPS谱图,通常需要将实验数据与相应的参考标样进行比较和分析。
fe的氧化物xps分峰
(实用版)
目录
1.引言
2.Fe 的氧化物的种类
3.XPS 分峰的原理
4.Fe 的氧化物 XPS 分峰的具体操作步骤
5.Fe 的氧化物 XPS 分峰的应用
6.结论
正文
一、引言
Fe 的氧化物在材料科学、环境科学等领域具有广泛的应用,对其进行 XPS 分峰研究有助于深化对其性质的理解。
本文将对 Fe 的氧化物XPS 分峰进行探讨。
二、Fe 的氧化物的种类
Fe 的氧化物主要包括 FeO、Fe2O3 和 Fe3O4 等,这些氧化物具有不同的物理和化学性质。
三、XPS 分峰的原理
XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)即 X 射线光电子能谱,是一种表征材料表面化学组成和电子状态的分析技术。
XPS 分峰则是指在XPS 谱中,将某一能量范围内的电子动能分成若干个子区间,以获得各个子区间的电子动能强度。
四、Fe 的氧化物 XPS 分峰的具体操作步骤
1.样品的制备:首先需要制备 Fe 的氧化物样品,通常采用化学气相
沉积法或湿化学法。
2.样品的安装:将制备好的样品安装到 XPS 仪器上进行测试。
3.数据的采集:启动 XPS 仪器,对样品进行测试,获取 XPS 谱图。
4.数据的分析:对获取的 XPS 谱图进行分峰处理,以获得各个子区间的电子动能强度。
五、Fe 的氧化物 XPS 分峰的应用
Fe 的氧化物 XPS 分峰可以用于研究其表面化学组成、电子状态、氧化态等,对于优化其性能具有重要意义。
钴的xps分峰-回复什么是XPS分峰?XPS是X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy)的简称,它是一种用来研究材料表面化学成分和一部分表面电子结构的表征技术。
通过该技术,可以获取材料表面化学元素的种类、化学态以及杂质元素的信息。
XPS分析是一种定性和定量分析技术,能够提供样品表面元素的种类、含量和化学状态等信息。
XPS分峰是根据样品表面元素的电离能和光子能量之间的关系得到的能量峰,通过分析这些峰的形状、位置和强度等特征,可以确定元素的化学环境、键态和表面电子的能级结构。
钴的XPS分峰分析钴是一种重要的过渡金属,广泛应用于催化剂、电池材料和磁性材料等领域。
通过XPS技术,可以对钴材料的表面化学状态和电子结构进行深入研究。
在钴的XPS分析中,我们可以观察到一系列的钴分峰。
一般来说,钴的XPS分峰可以分为两个主要的部分:2p和3d峰。
2p分峰是由于钴的2p电子被电离而产生的。
钴的2p主要分为两个分区:2p1/2和2p3/2。
它们通常以eV为单位被记录。
2p1/2位于较高能量值,而2p3/2位于较低能量值。
通过观察这两个2p分峰的位置和峰形,可以确定钴的氧化态和化学环境。
3d分峰是由于钴的3d电子被电离而产生的。
钴的3d分峰通常在较低能量区域,并且由多个分峰组成。
这些3d分峰的位置和峰形可以提供有关钴的化学环境、价态和配位情况的信息。
在进行钴的XPS分析时,还需要考虑到仪器本身和实验条件等因素对分峰的影响。
例如,光源的特性、分辨率、电池波动等因素都可能对分峰的形状和强度产生影响。
因此,在分析钴的XPS分峰时,需要仔细控制实验条件,并与标准样品进行比较和验证。
总结钴的XPS分析是一种重要的材料表面分析技术,可以提供有关钴表面化学成分和电子结构的信息。
通过分析钴的2p和3d分峰的位置、形状和强度,可以确定钴的化学环境、价态和结构。
然而,在进行钴的XPS分析时,需要注意仪器本身和实验条件对分峰的影响。
材料X射线光电子能谱数据处理及分峰的分析实例
例:将剂量为1 107ions/cm2,能量为45KeV的碳离子注入单晶硅中,然后在1100C 退火2h进行热处理。
对单晶硅试样进行XPS测试,试对其中的C
1s
高分辨扫瞄谱进行解析,以确定各种可能存在的官能团。
分析过程:
1、在Origin中处理数据
图1
将实验数据用记事本打开,其中C
1s 表示的是C
1s
电子,299.4885表示起始
结合能,-0.2500表示结合能递减步长,81表示数据个数。
从15842开始表示是光电子强度。
从15842以下数据选中Copy到Excel软件B列中,为光电子强度数据列。
同时将299.4885Copy到Excel软件A列中,并按照步长及个数生成结合能数据,见图2
图2
将生成的数据导入Origin软件中,见图3。
图3
此时以结合能作为横坐标,光电子强度作为纵坐标,绘出C
谱图,检查谱
1s
图是否有尖峰,如果有,那是脉冲,应把它们去掉,方法为点Origin 软件中的Data-Move Data Points,然后按键盘上的↓或↑箭头去除脉冲。
本例中的实验数据没有脉冲,无需进行此项工作。
将column A和B中的值复制到一空的记事本文档中(即成两列的格式,左边为结合能,右边为峰强),并存盘,见图4。
图4
2、打开XPS Peak,引入数据:点Data--Import (ASCII),引入所存数据,则
出现相应的XPS谱图,见图5、图6
3、选择本底:点Background,因软件问题, High BE和Low BE的位置最好不改,否则无法再回到Origin,此时本底将连接这两点,Type可据实际情况选择,一般选择Shirley 类型,见图7。
图7
4、加峰:
点Add peak,出现小框,在Peak Type处选择s、p、d、f等峰类型(一般选s),在Position处选择希望的峰位,需固定时则点fix前小方框,同法还可选半峰宽(FWHM)、峰面积等。
各项中的constraints可用来固定此峰与另一峰的关系。
点Delete peak可去掉此峰。
然后再点Add peak选第二个峰,如此重复。
在选择初始峰位时,如果有前人做过相似的实验,可以查到相应价键对应的峰位最好。
但是如果这种实验方法比较新,前人没有做过相似的,就先用标准的峰位为初始值。
最优化所有的峰位,然后看峰位位置的变化。
本例中加了三个峰,C元素注入单晶硅后可能形成C-C、C-Si和C-H三个价键。
根据这三个价键对应的结合能确定其初始峰位,然后添加。
具体过程见图8、9、10。
图8
图9
图10
5、拟合。
选好所需拟合的峰个数及大致参数后,点Optimise region进行拟合,观察拟合后总峰与原始峰的重合情况,如不好,可以多次点Optimise region。
最终拟合结果见图11。
图11
6、参数查看。
拟合完成后,分别点另一个窗口中的Rigion Peaks下方的0、1、2等可看每个峰的参数,此时XPS峰中变红的为被选中的峰。
如对拟合结果不region满意,可改变这些峰的参数,然后再点Optimise。
7、点击Save XPS存图,下回要打开时点Open XPS就可以打开这副图继续进行处理。
8、数据输出。
点击Data――Print with peak parameters,可打印带各峰参数的谱图,通过峰面积可计算此元素在不同峰位的化学态的含量比。
点击Data――Export to clipboard,则将图和数据都复制到了剪贴板上,打开文档(如Word文档),点粘贴,就把图和数据粘贴过去了。
点击Data――Export (spectrum),则将拟合好的数据存盘,然后在Origin 中从多列数据栏打开,则可得多列数据,并在Origin中作出拟合后的图。
XPS能谱数据处理
王博吕晋军齐尚奎
能谱数据转化成ASC码文件后可以用EXCEL、ORIGIN等软件进行处理。
这篇文章的目的是向大家介绍用ORIGIN软件如何处理能谱数据,以及它的优势所在。
下面将分三部分介绍如何用ORIGIN软件处理能谱数据:1、多元素谱图数据处理2、剖面分析数据处理3、复杂谱图的解叠
一、多元素谱图的处理:
1、将ASC码文件用NOTEPAD打开:
2、复制Y轴数值。
打开ORIGIN,将Y轴数据粘贴到B(Y):
3、如图:点击工具栏plot,选择line
4、出现下图:点击B(Y),再点击<->Y,使B(Y)成为Y轴数据。
然后在“set X values”中输入起始值和步长。
5、点击OK,得到下图:
6、利用ORIGIN提供的工具可以方便的进行平滑、位移。
A.位移:
1)如图:选择analysis→translate→vertical或horizontal可以进行水平或垂直方向的位移。
我们以水平位移为例进行讲解。
2)在图中双击峰顶,如图示(小窗口给出的是此点的X,Y值)
3)然后在图中单击其他位置找到合适的X值(小窗口给出的是红十字的X,Y值)
4)双击红十字的位置,峰顶就会位移到此处:
位移可以反复多次的进行,垂直方向的位移和水平方向的一样。
B、平滑
1)如图选择:
2)出现下面的小窗口
3)点击settings出现下面的界面(如果想用平滑后的代替原始的,选择”replace original”,如果想重新做图选”add to worksheet”,下面的数值不用改变)
4)点击operation,选择savizky-golay进行平滑。
得到下图:
二、剖面分析数据处理:
1、用写字板打开ASC码文件,选取所需要的元素
元素名称
剖面分析中的CYCLE 数
起始值及步长
Y轴数据
2、打开ORIGIN软件,如图示:选择column add new columns
如果你的数据有九个cycle那么你要在下面的窗口选择8。
然后在B(Y)….J(Y)中依次输入不同cycle的Y轴数值
点击图中下方工具栏的
waterfall
然后在下图中先输入X 轴起始值及步长,再将Y 值输入(点击B (Y ),然后按住 SHIFT 键不放,再点击最后一个Y 值选项:如E (Y )),松开SHIFT 键,点击ADD 键。
点击OK 得到下图:
应用修改工具得:(X OFFSET 设为0,Y OFFSET 设为100)注意谱线对应的CYCLE 数
如果想要得到其中某一个cycle 的谱图,只要调出原来的worksheet (数据表),再次点击waterfall 。
输入X 轴数据,然后只选一组Y 轴数据(和多元素分析一样),就可以了。
注:不同样品同种..
元素比较也可以用此种方法
三、谱图解叠:
和多元素分析步骤一样,经过平滑、位移,得到下图:(注:画图时,先输入X轴步长等,再输入Y轴数据)
1、去本底:选择tools baseline
2、出现下面的窗口,选择baseline,将number of points后的参数改小一些,比如2,点击create
baseline
4、出现下图:选择小窗口中的modify:
5、拖动每一点到合适的位置(点住鼠标左键不放一直拖到合适的位置):如图
6、然后选择substract得到
7、分别点击X轴、Y轴将坐标更换为原来顺序和数值:
8、如图:选择analysis→Fit multi-peaks→gaussian
9、出现下面的窗口:按需要拟合的子峰个数输入
10、点击ok,得到:
11、点击OK默认选择,根据谱图的形状双击选择子峰位置(红十字代表峰顶):如图
12、刚才设置为两个子峰,所以双击两个位置,这时电脑自动计算出相关数据:如果想要看拟合后的曲线,需激活(调出)谱图窗口。
然后,选择analysis non liner curve fit 如图:
13、得到:
按钮
15、出现下图:
16、选择basic mode→start fitting回到原界面,点击1 lter和10 lter 直到出现新的子峰
17、上图明显也不合理,调节小窗口中各个子峰的数值
满意的谱图
多元素分析注意事项:
不能一味的平滑,有时不平滑反而能更准确的反映样品的性质
位移要有理有据,不能按自己的需要移动。
解谱注意事项:
各个子峰的半峰宽要尽量接近
如果所解谱图不是1S,就会出现裂分峰(比如:2p2/3和2p2/5)此时,一定要根据谱图手册,按裂分峰间距解谱
对于裂分峰峰面积不能随意拟合,要按谱图手册的比例进行。
注意:以上方法得出的数据,仅供参考。