期末复习资料汇总
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高中生期末复习资料大全
高中生期末复习资料大全高中生期末复习资料大全随着高中生期末考试的临近，复习变得尤为重要。
为了帮助同学们更好地备考，我整理了一份高中生期末复习资料大全，供大家参考。
本文将从不同学科的角度出发，为大家提供一些复习资料和学习方法。
语文篇语文作为一门综合性学科，要求学生掌握阅读、写作、翻译等多种技能。
在复习语文时，可以从以下几个方面入手：1. 阅读理解：选择一些经典的阅读材料，如名著、报刊文章等，进行阅读理解练习。
同时，注意积累一些常见的词汇和短语，以便更好地理解文章。
2. 写作技巧：复习写作时，可以选择一些范文进行分析，学习其中的写作技巧和表达方式。
同时，多进行写作练习，提高自己的写作水平。
3. 古诗文：复习古诗文时，可以选择一些重要的古诗文进行背诵，并了解其背后的文化内涵。
同时，注意掌握一些常见的修辞手法和诗歌韵律。
数学篇数学作为一门基础学科，需要学生掌握一定的计算能力和解题技巧。
在复习数学时，可以从以下几个方面入手：1. 基础知识：复习数学的基础知识是十分重要的。
可以选择一些重要的概念和公式进行复习，并进行相关的计算练习。
2. 解题技巧：数学解题需要一定的思维能力和解题技巧。
可以选择一些典型的题目进行分析，学习其中的解题思路和方法。
3. 真题训练：复习数学时，可以选择一些历年的高考真题进行训练。
通过做真题，可以熟悉考试的题型和难度，提高解题能力。
英语篇英语作为一门国际语言，要求学生掌握听、说、读、写等多种技能。
在复习英语时，可以从以下几个方面入手：1. 听力训练：复习英语听力时，可以选择一些听力材料进行训练。
可以通过听录音、看电影等方式提高自己的听力水平。
2. 口语练习：复习英语口语时，可以选择一些日常对话进行练习。
可以找一个语伴一起练习口语，提高自己的口语表达能力。
3. 阅读理解：复习英语阅读时，可以选择一些英语文章进行阅读理解练习。
可以通过阅读英文小说、报纸等提高自己的阅读能力。
物理篇物理作为一门自然科学学科，要求学生掌握一定的物理原理和实验技能。
部编版八年级历史上册期末复习资料汇总
部编版八年级历史上册期末复习资料汇总单元一：古代文明与亚洲风情- 文明起源与古代文明：提要古代文明起源的地区和标志性事件；介绍古代文明在农业、手工业、商业等方面的发展。
- 印度河流域文明：介绍印度河流域文明的地理环境、政治制度、社会生活等方面的特点。
- 中华文明：介绍中国古代文明的起源、黄河文明的特点，以及古代中国的政治制度、科技发明等。
单元二：古代希腊罗马与西方文明- 希腊罗马古典文化：讲解希腊城邦制度、希腊哲学、希腊神话，以及古罗马帝国的政治制度、法律制度等。
- 罗马文明与教的兴起：介绍古罗马的社会结构、军事制度、道路建设等；讲解教的起源、教义和影响。
- 西方文明的传播：阐述西方文明在艺术、文学、法律、科学等方面的传播，以及对东方文明的影响。
单元三：阿拉伯帝国与伊斯兰文明- 阿拉伯帝国的兴起：介绍阿拉伯帝国的建立、人物及其对当时世界的影响。
- 的传播与发展：讲解的创立、基本教义，以及对科学、文化和社会的贡献。
- 伊斯兰文明的辉煌时期：详细介绍阿拉伯数学、医学、地理学等领域的发展，以及穆斯林学者的贡献。
单元四：近代欧洲的开启与变革- 文艺复兴与宗教改革：概述文艺复兴的起源、特点，以及宗教改革对欧洲的影响。
- 近代欧洲的资本主义社会：介绍工业革命的兴起，以及资本主义在社会经济、政治方面的影响。
- 近代科学的进展：阐述科学革命对人类的影响和启示，以及科学思维的普及。
单元五：近代中国的发展与变革- 清朝的衰落与列强入侵：概述清朝的衰落原因，以及列强对中国的入侵和侵略。
- 辛亥革命与民主思想的启蒙：详细介绍辛亥革命的背景、过程和影响，以及中国近代民主思想的兴起。
- 北洋政府与五四运动：讲解北洋政府的建立与发展，以及五四运动对中国现代化进程的推动。
以上是部编版八年级历史上册期末复习资料的汇总，同学们可以根据各个单元的内容进行针对性的复习，加油！。
初一地理期末考复习资料汇总
初一地理期末考复习资料汇总11.地球的形状和大小①地球是一个球体。
②葡萄牙航海家麦哲伦率领的船队首次实现了人类环绕地球一周的航行。
③地球表面积5.1亿平方千米，周长4万千米，赤道半径6378千米，极半径6357千米，平均半径6371千米。
2.纬线和经线①纬线：与地轴垂直并且环绕地球一周的圆圈。
纬线是不等长的，赤道是的纬线圈。
②经线：连接南北两极，并且与纬线垂直相交的半圆。
经线是等长的。
3.纬度和经度①纬度的变化规律：由赤道(0°纬线)向南、北两极递增。
的纬度是90度，在南极、北极。
②赤道以北的纬度叫北纬，用“N”表示;赤道以南的纬度叫南纬，用“S”表示。
③以赤道为界，将地球平均分为南、北两个半球，赤道以北是北半球，赤道以南是南半球。
④经度的变化规律：由本初子午线(0°经线)向西、向东递增到180⑤本初子午线以东的经度叫东经，用“E”表示;本初子午线以西的经度叫西经，用“W”表示。
⑥东、西半球的分界线是：20°W、160°E组成的经线圈。
20°W以西到160°E属于西半球(大于20°W或大于160°E)20°W以东到160°E属于东半球(小于20°W或小于160°E)4.地球的运动①地球运动 ：自转 /公转绕什么转 ：地轴 /太阳方向 ：自西向东 /自西向东周期 : 约24小时 /一年产生的自然现象 : 昼夜交替/形成四季②北半球与南半球的季节相反(春——秋;夏——冬)③地球表面五带的划分：北寒带(66.5°N--90°N)、北温带(23.5°N--66.5°N)、热带(23.5°N--23.5°S)、南温带(23.5°S--66.5°S)、南寒带(66.5°S--90°S)寒带：有极昼极夜现象 热带：有阳光直射现象温带：既无阳光直射现象，又无极昼极夜现象，四季变化明显④低纬：0°--30°;中纬：30°--60°;高纬：60°--90°⑤自西向东拨动地球仪，从北极上空看，地球仪按逆时针方向转;从南极上空看，地球仪按顺时针方向转。
操作系统期末复习资料(知识点汇总)
分为时分复用技术、空分复用技术。
如果虚拟的实现是通过时分复用方式，即对物理设备进行分时使用，设N是谋设备所对
应的逻辑设备数，则每台虚拟设备的平均速度必然小于等于1/N。类似，空分复用实现
虚拟，空间利用也小于等于1/N 。
4． 异步性：
进程的推进速度不可预知。
9． 操作系统五大功能
if(isfull(q)==1){//如果队列为满，生产者无法插入数据
}else{
enqueue(q,data));
}
}
void customer(queue &q){
if(isempty(q)==1){//如果队列为空，消费者取不到东西
}else{
进程挂起与激活：
进程挂起：首先检查被挂起进程的状态，若处于活动就绪状态，便将其改为静止就绪；对于
活动阻塞状态，改为静止阻塞。
进程激活：将进程从外存调入内存，检查其现行状态，若是静止就绪，便改为活动就绪；若
是静止阻塞，改为活动阻塞。
6． 进程同步
1． 由于资源共享和进程合作，进程间存在两种形式的制约关系：
2． C/S模式
由客户机、服务器、网络系统构成。完成一次交互可分为，客户发送请求信息，服务器
接受信息，服务器反馈消息，客户机接受消息。此种模式实现了数据的分布存储，便于
集中管理，可扩展性。但可靠性差。
3． 面向对象程序设计:
4． 微内核操作系统结构：
子操作wait(), signal() 来访问，即P，V操作。原子操作在执行时不可中断。
4． 进程控制信息：
进程控制块的组织方式：
1． 链式方式：把同一状态的PCB，用链接字链接成一个队列，形成就绪队列。
《证券投资学》期末复习资料计算题与论述题汇总
证券投资学复习一、计算题1.债券收益率计算P170-176 参考P171-172例：某债券在第一年年初的价格为1000元, 在这一年年末, 该债券以950元的价格出售。
这种债券在这一年年末支付了20元的利息。
这一年的持有期利率为多少？解: 持有期利率=（950-1+20）/1000= -3%P171题4-1:某债券面值为1000元, 5年期, 票面利率为10%, 现以950元的发行价向全社会公开发行, 则投资者在认购债券后到持至期满时可获得的直接收益率为：Yd＝×100%＝10.53%P172题4-2:在例4-1中的债券若投资者认购后持至第三年末以995元市价出售, 则持有期收益率为：Yh＝×100%＝12.11%P172题4-3:某债券面值为1000元, 还有5年到期, 票面利率为5%, 当前的市场价格为1019.82元, 投资者购买该债券的预期到期收益率为：1019.82＝＋＋＋＋Y＝4.55%P173题4-4:某附息债券, 面值为1000元, 每年付一次利息, 年利率为12%, 期限为10年。
某投资者在二级市场上以960元的价格买入, 4年后该债券到期, 投资者在这4年中利用所得利息进行再投资的收益率为10%。
投资者持有该债券的复利到期收益率为：Yco＝{－1 }×100%＝12.85%2.债券发行价格计算P233-P236页例如：零息债券, 为1000元, 3年期, 发行时市场利率为6%, 请问该债券的发行价格应为多少?解: 发行价格=1000/(1+6%3=839.6P236例6-2:某息票债券, 面值1000元, 3年期, 每年付一次利息, 票面利息为10%, 当市场利率也为10%时, 发行价为：P＝1000×10% /（1＋10%）＋1000×10% /（1＋10%）2＋1000×10% /（1＋10%）3＋1000 /（1＋10%）3＝1000（元）在例6-2中, 若债券发行时市场利率为12%, 则债券发行价为:P＝1000×10% /（1＋12%）＋1000×10% /（1＋12%）2＋1000×10% /（1＋12%）3＋1000 /（1＋12%）3＝951.98（元）在例6-2中, 如果债券实际发行时市场利率为8%, 则债券发行价格为:P＝1000×10% /（1＋8%）＋1000×10% /（1＋8%）2＋1000×10% /（1＋8%）3＋1000 /（1＋8%）3＝1051.54（元）3.股利贴现模型计算P252页1）、某公司2006年每股收益为4元, 其中50%收益用于派发股息, 近3年公司的股息保持10%的增长率, 且将保持此速度增长。
组织行为学期末考试复习资料
一、单选题1.关于无言语沟通不正确的是（）。
A、重音B、表情言语C、体态言语D、动作言语答案： A2.对群体绩效起积极作用的角色是任务角色和（）。
A、自我中心角色B、社会角色C、维护角色D、协调角色答案： C3.智力的核心是（）能力。
A、想象B、记忆C、观察D、思维答案： D4.沿着指挥链进行各种作业，每个人只向一个上级负责，必须绝对地服从这一上级的命令，这种组织结构称为（）A、直线结构B、职能结构C、直线职能制D、事业部结构答案： A5.群体决策的缺点是（）A、更完全的信息和知识B、从众压力C、增加观点的多样性D、提高决策的可接受性答案： B6.组织中的正式权力表达错误的是（）A、法定性权力B、感召性权力C、强制性权力D、奖励性权力答案： B7.目标理论指出，设置合适的目标会使人产生想达到该目标（）。
A、期望B、成就需要C、动机D、急切心理答案： C8.以下哪类动机是按动机的起源分类的？A、直接动机与间接动机B、生理性动机与社会性动机C、主动性动机与辅助性动机D、内部动机与外部动机答案： B9.根据理智、意志、情绪三种心理机能中哪一种占优势来确定性格类型的方法被称为（）。
A、内外倾向型B、机能类型C、独立型与顺从型D、优越型与自卑型答案： B10.以人为对象的社会知觉可以划分为（）。
A、对个人的知觉、人际知觉、角色知觉B、对个人的知觉、群体知觉、角色知觉C、人际知觉、群体知觉、角色知觉D、对个人知觉、群体知觉、人际知觉答案： A11.在社会知觉的偏差中，由获得个体某一行为特征的突出印象，进而将此扩大成为他的整体行为特征的心理效应称为（）。
A、首因效应和近因效应B、第一印象效应C、晕轮效应D、定型效应答案： C12.群体规范可以规划一个人在群体中的行为方式，这是群体规范的（）。
A、标准功能B、导向功能C、评价功能D、动力功能答案： B13.下列哪种领导方式更容易带来高绩效和高满意度（）A、专制的领导方式B、自由放任的领导方式C、民主的领导方式D、灵魂型领导方式答案： C14.在组织行为学中，将一个组织在长期的发展过程中把组织成员结合在一起的行为方式、价值观念和道德规范的是总和称为（）。
基础会计期末复习资料
基础会计期末复习资料一、单项选择〔2×10’＝20分〕二、多项选择〔2×5’＝10分〕三、简答题〔5×3’＝15分〕1、会计特点是指会计和其他经济核算的不同点。
由于会计核确实是会计的差不多环节，会计的特点要紧表达在会计核算方面，它有三个差不多特点：〔1〕以货币为要紧计量尺度，具有综合性。
〔2〕会计核算具有完整性、连续性和系统性。
〔3〕会计核算要以凭证为依据，并严格遵循会计规范。
2、复式记账法的概念及其优点：复式记账法确实是关于每一笔经济业务所引起的会计要素及其项目的增减变动，都以相等的金额，在两个或两个以上的账中相互联系地进行登记的记账方法。
复式记账法的优点有两个：一是能够了解每一笔经济业务引起的资金运动的来龙去脉，通过全部经济业务的会计记录和数据，能够了解经济活动的过程和结果。
二是能够利用账户记录进行试算平稳，检查账户记录的正确性．3、原始凭证与记账凭证的相同与不同之处；记账凭证的审核。
记账凭证的审核〔1〕相同点：两者差不多上会计凭证。
不同点：(1)作用不同。
原始凭证是填制记账凭证的依据：记账凭证是登记账簿的依据。
(2)内容不同。
原始凭证说明经济业务的发生或完成情形，是会计核算的原始资料；记账凭证要紧确定会计分录。
(3)填制人员不同。
原始凭证一样由业务经办人员填制，记账凭证由会计人员填制。
〔2〕记账凭证的审核，除了应对原始凭证进行复审外，要着重审核记账凭证的填制是否正确、是否符合规定要求。
审核的要紧内容是：(1)审核记账凭证是否按已审核无误的原始凭证填制。
记录的内容与所附原始凭证是否一致，金额是否相等；所附原始凭证的张数是否与记账凭证所列附件张数相符。
(2)审核记账凭证所列会计科目(包括一级科目、明细科目)、应借、应贷方向和金额是否正确；借贷双方的金额是否平稳；明细科目金额之和与相应的总账科目的金额是否相等。
(3)审核记账凭证摘要是否填写清晰，日期、凭证编号、附件张数以及有关人员签章等各个项目填写是否齐全。
期末复习资料汇总
第三章双极结型晶体管填空题1、晶体管的基区输运系数是指（基区中到达集电结的少子）电流与（发射结注入基区的少子）电流之比。
由于少子在渡越基区的过程中会发生（扩散），从而使基区输运系数（变大）。
为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（小于）基区少子扩散长度。
2、晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。
3、晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。
为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
4、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α是指发射结（正）偏、集电结（零）偏时的（集电结）电流与（发射结）电流之比。
5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指（发射）结正偏、（集电）结零偏时的（集电结）电流与（基区）电流之比。
6、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
7、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm和60μm，若要获得1kΩ的电阻，则该材料的长度应改变为（600μm）。
8、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
9、小电流时α会（）。
这是由于小电流时，发射极电流中（）的比例增大，使注入效率下降。
10、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。
造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
11、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
12、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。
但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。
13、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。
14、I ES是指（集电）结短路、（发射）结反偏时的（发射）极电流。
期末数学考试复习资料大全
期末数学考试复习资料大全期末数学考试复习资料大全数学作为一门重要的学科，不仅在学校教育中占据着重要地位，而且在我们日常生活中也随处可见其应用。
期末数学考试是对我们所学数学知识的一个综合性检验，为了帮助大家更好地复习数学知识，我整理了一份期末数学考试复习资料大全，希望对大家有所帮助。
一、基础知识回顾首先，我们需要回顾一下数学的基础知识。
这包括数学符号的运用、基本的数学运算、常用数学公式等。
在复习过程中，我们可以通过查阅教材或参考书籍来巩固这些基础知识。
二、重点章节梳理接下来，我们需要梳理数学课程中的重点章节。
这些章节通常包括代数、几何、概率与统计等内容。
在复习这些章节时，我们可以结合教材中的例题和习题来进行练习，加深对知识点的理解和掌握。
1. 代数代数是数学中的基础部分，也是数学思维的重要组成部分。
在代数中，我们需要掌握方程、不等式、函数等概念，并能够灵活运用它们解决实际问题。
在复习代数时，我们可以重点关注代数方程的解法、函数的性质以及不等式的求解方法。
2. 几何几何是数学中的一门重要分支，它研究的是空间和图形的性质。
在几何中，我们需要掌握点、线、面的概念，以及各种图形的性质和计算方法。
在复习几何时，我们可以通过绘制图形、推导证明等方式来加深对几何知识的理解。
3. 概率与统计概率与统计是数学中的一门应用性较强的学科，它研究的是随机事件的发生规律和数据的收集与分析方法。
在复习概率与统计时，我们需要掌握概率的计算方法、统计图表的绘制和数据的分析方法等。
三、解题技巧总结除了复习知识点，我们还需要总结解题技巧。
数学题目通常有一定的套路和规律，掌握了解题技巧可以更加高效地解决问题。
在复习解题技巧时，我们可以结合历年的考试题目进行分析，总结出一些常用的解题方法和技巧。
1. 分析题目在解决数学问题时，我们首先要仔细阅读题目，理解问题的要求和条件。
然后，我们可以通过画图、列式、设变量等方式来帮助我们理清思路，找到解题的关键。
信号与系统期末考试复习资料
第一章绪论1、选择题1。
1、f （5-2t ）是如下运算的结果 CA 、 f （-2t ）右移5B 、 f （-2t )左移5C 、 f （-2t ）右移25 D 、 f （—2t )左移251.2、f （t 0-a t )是如下运算的结果 C .A 、f （—a t ）右移t 0；B 、f （—a t )左移t 0 ；C 、f (-a t )右移a t 0；D 、f （-a t ）左移at0 1。
3、已知 系统的激励e(t ）与响应r(t ）的关系为：)()()(t u t e t r = 则该系统为 B 。
A 、线性时不变系统;B 、线性时变系统;C 、非线性时不变系统；D 、非线性时变系统 1.4、已知 系统的激励e(t ）与响应r （t ）的关系为:)()(2t e t r = 则该系统为 C 。
A 、线性时不变系统 B 、线性时变系统 C 、非线性时不变系统 D 、非线性时变系统 1.5、已知 系统的激励e （t ）与响应r(t)的关系为:)1()(t e t r -= 则该系统为 B 。
A 、线性时不变系统B 、线性时变系统C 、非线性时不变系统D 、非线性时变系统1。
6、已知 系统的激励e （t)与响应r(t ）的关系为:)2()(t e t r = 则该系统为 B A 、线性时不变系统 B 、线性时变系统 C 、非线性时不变系统 D 、非线性时变系统 1。
7.信号)34cos(3)(π+=t t x 的周期为 C . A 、π2 B 、π C 、2π D 、π21.8、信号)30cos()10cos(2)(t t t f -=的周期为： B 。
A 、15π B 、5π C 、π D 、10π1.9、dt t t )2(2cos 33+⎰-δπ等于 B 。
A 。
0 B 。
-1 C 。
2 D.—21.10、 若)(t x 是己录制声音的磁带,则下列表述错误的是： BA. )(t x -表示将此磁带倒转播放产生的信号B. )2(t x 表示将此磁带放音速度降低一半播放 C 。
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第三章双极结型晶体管填空题1、晶体管的基区输运系数是指（基区中到达集电结的少子）电流与（发射结注入基区的少子）电流之比。
由于少子在渡越基区的过程中会发生（扩散），从而使基区输运系数（变大）。
为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（小于）基区少子扩散长度。
2、晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。
3、晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。
为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
4、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α 是指发射结（正）偏、集电结（零）偏时的（集电结）电流与（发射结）电流之比。
5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β 是指（发射）结正偏、（集电）结零偏时的（集电结）电流与（基区）电流之比。
6、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
7、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为 300μm和 60μm，若要获得 1kΩ的电阻，则该材料的长度应改变为（600μ m）。
8、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
9、小电流时α会（）。
这是由于小电流时，发射极电流中（）的比例增大，使注入效率下降。
10、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。
造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
11、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
12、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。
但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。
13、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。
14、I ES是指（集电）结短路、（发射）结反偏时的（发射）极电流。
15、I CS是指（发射）结短路、（集电）结反偏时的（集电）极电流。
16、I CBO是指（发射）极开路、（集电）结反偏时的（共基极反向截止）极电流。
17、I CEO是指（基）极开路、（集电结）结反偏时的（共发射极反向截止）极电流。
I EBO是指（集电）极开路、（发射）结反偏时的（共基）18、极电流。
BV 是指（发射）极开路、（）结反偏，当（I ‘cbo）19、CBO→∞时的 V CB。
20、BV 是指（基）极开路、（）结反偏，当（I ‘ ceo）CEO→∞时的 V CE。
21、BV 是指（集电）极开路、（）结反偏，当（I ‘ebo）EBO→∞时的 V EB。
22、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。
防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。
、比较各击穿电压的大小时可知， BV （大于）BV ，BV （远远大23CBO CEO CBO于）BV EBO。
24、随着信号频率的提高，晶体管的αω ,βω 的幅度会（减小），相角会（滞后）。
25、在高频下，基区渡越时间τb对晶体管有三个作用，它们是：（）、（）和（）。
---------26、基区渡越时间τb是指（）。
当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
27、晶体管的共基极电流放大系数 | αω|随频率的（减小）而下降。
当晶体管的 | αω | 下降到（α0）时的频率，称为α 的截止频率，记为（ fa ）。
28、晶体管的共发射极电流放大系数 | βω | 随频率的（）而下降。
当晶体管的 | βω | 下降到β0 时的频率，称为β的（），记为（）。
29、当 f >>f β时，频率每加倍，晶体管的 | βω| 降到原来的（）；最大功率增益 K pmax降到原来的（）。
30、当（）降到 1 时的频率称为特征频率 f T。
当（ Kp）降到 1 时的频率称为最高振荡频率 f M。
31、当 | βω | 降到（ 1）时的频率称为特征频率 f T。
当 K pmax降到（ 1）时的频率称为最高振荡频率 f M。
32、晶体管的高频优值 M是（）与（）的乘积。
33、晶体管在高频小信号应用时与直流应用时相比，要多考虑三个电容的作用，它们是（）电容、（）电容和（）电容。
34、对于频率不是特别高的一般高频管，τec 中以（）为主，这时提高特征频率 f T的主要措施是（）。
、为了提高晶体管的最高振荡频率 f M，应当使特征频率 f T（），基极35电阻 r bb'（），集电结势垒电容 C TC（）。
问答与计算题1、画出 NPN晶体管在饱和状态、截止状态、放大状态和倒向放大状态时的少子分布图。
2、画出共基极放大区晶体管中各种电流的分布图，并说明当输入电流 I e经过晶体管变成输出电流 I C时，发生了哪两种亏损？3、倒向晶体管的电流放大系数为什么小于正向晶体管的电流放大系数？6、先画出双极晶体管的理想的共发射极输出特性曲线图，并在图中标出饱和区与放大区的分界线， 然后再分别画出包括厄尔利效应和击穿现象的共发射极输出特性曲线图。
7、什么是双极晶体管的特征频率 f T ？写出 f T 的表达式，并说明提高 f T 的各项措施。
8、写出组成双极晶体管信号延迟时间 τ ec 的 4 个时间的表达式。
其中的哪个时间与电流 I e 有关？这使 f T 随 I e 的变化而发生怎样的变化？9、什么是双极晶体管的最高振荡频率 f M ？写出 f M 的表达式，说明提高 f M 的各项 措施。
BBμm ，试求此管的基区输运系数 β *12 , η =6，则其 β *变为多少？之值。
若将此管的基区掺杂改为指数分布，场因子、某均匀基区Bμm, N B 17 -1 , D B 2 -1 , τ B× –7 =10 cm 10 13 NPN =5s ，试求该管的基区输运系数 β* 之值。
又当在该管的发射结上加 0.6V 的正向电 压，集电结短路时，该管的 J nE 和 J nC 各为多少？15、某双极型晶体管的 R □B1= 1000 Ω , R □E Ω，基区渡越时间 τb – 9 s , 当 = 5 =10 I B = 0.1mA 时, I C = 10mA ，求该管的基区少子寿命 τb 。
16、某晶体管的基区输运系数 β* =0.99 ，注入效率 γ=0.97 ，试求此管的 α 与 β 。
当此管的有源基区方块电阻 R □B1 乘以 3，其余参数均不变时，其 α 与 β 变为多少？17、某双极型晶体管当 I B1= 0.05mA 时测得 I C1，当 I B2 = 0.06mA 时测得 I C2= 4mA= 5mA ，试分别求此管当 I C = 4mA 时的直流电流放大系数 β 与小信号电流放大系数 β O 。
18、某缓变基区 NPN 晶体管的 BV= 120V ，β=81，试求此管的 BV 。
CBOCEO21、某高频晶体管的 f β ，当信号频率为 时测得其 | β ω |=10 ，则当f =5MHz f =40MHz时 βω | 为多少？该管的特征频率 f T 为多少？该管的 β 0 为多少？=80MHz |22、某高频晶体管的 β 0=50，当信号频率 f 为 30MHz 时测得 | βω |=5 ，求此管的特征频率 f T ，以及当信号频率 f 分别为 15MHz 和 60MHz 时的 | βω | 之值。
23、某高频晶体管的基区宽度 W=1μm ，基区渡越时间 τ =2.7 ×10 -10 s,f TBb。
当该管的基区宽度减为0.5 μ ，其余参数都不变时， f T 变为多少？=550MHz m 27 、某晶体管当 I B1 = 0.05mA 时测得 I C1 ，当 I B2 = 0.06mA 时测得 I C2 ， = 4mA= 5mA 试分别求此管当 I C = 4mA 时的直流电流放大系数 β 与增量电流放大系数 β 0 。
---------28、已知某硅 NPN 均匀基区晶体管的基区宽度 W= 2μm ，基区掺杂浓度 n = 5×B B1016cm -3 ，基区少子寿命 t B = 1μs ，基区少子扩散系数 D B = 15cm 2s -1 ，以及从发射 结注入基区的少子电流密度 J nE = 0.1A/cm 2。
试计算基区中靠近发射结一侧的非平衡少子电子浓度 n B、发射结电压 V BE 和基区输运系数 β * 。
(0)由 J nEqD Bn B(0),可得： n B (0)J nEWB ,将W BqD BJ nE 0.1Acm 2 , W B 2 10 4 cm, q 1.6 10 19 C, D B 15cm 2 s 1 之值代入，得： n B (0) 8.33 1012 cm 3又由 n B (0) n p0 exp qV BEn i 2 exp qV BE ，kT N B kT得： V BEkT ln n B (0) N B , 将 kT、 n B (0)、 N B 及 n i 之值代入，q n i 2q得： V BE0.55V1 W B2 W B 2已知：1 1, 将 n10 6 s 及 W B 、D B2 L B2D B n之值代入，得：。
W = 0.5 μ m ，基区少子扩散系数29、已知某硅 NPN 缓变基区晶体管的基区宽度BD B = 20cm 2s -1 ，基区自建场因子 η = 20 ，试计算该晶体管的基区渡越时间 t b 。
33、在 N 型硅片上经硼扩散后，得到集电结结深x jc = 2.1 μm ，有源基区方块电阻 R □B1Ω，再经磷扩散后，得发射结结深 x je= 1.3 μ ，发射区方块电阻 R □e= 800 m= 10Ω。
设基区少子寿命 t B = 10-7 s ，基区少子扩散系数 D B = 15cm 2 s -1 ，基区自建场因子 η = 8 ，试求该晶体管的电流放大系数α 与 β 分别为多少？、已知某硅均匀基区晶体管的基区宽度 W B = 2.5 μ ，基区掺杂浓度 n B= 35 NPN m1017cm -3 ，集电区掺杂浓度 n C = 1016cm -3 ，试计算当 V CB = 0 时的厄尔利电压 V A 的值。
第五章 绝缘栅场效应晶体管填空题1、N 沟道 MOSFET 的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。
2、P 沟道 MOSFET 的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。
3、当 V GS V T 时，栅下的硅表面发生 （ ），形成连通（）区和（）=区的导电沟道，在 V DS 的作用下产生漏极电流。