国家半导体产品命名规则

半导体二极管的型号命名国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。

第一部分：用数字表示器件电极的数目。

第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。

第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。

第四部分：用数字表示器件序号。

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。

如表 5 ． 1 所示。

表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母意义字母意义字母意义意义意义2二极管AN 型，锗材料P 普通X低频小功率(fa<3MHz ，Pc<1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。

如A 、B 、C 、D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高BP 型，锗材料W稳压管CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率(fa>3MHz ，Pc<1W)DP 型，硅材料L整流堆3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率(fa<3MHz ，Pc>1W)BNPN 型，锗材料K开关管CPNP 型，硅材料F发光管A高频大功率(fa>3MHz ，Pc>1W)DNPN 型，硅材料S隧道管E化合物材料U光电管T 可控硅CS 场效应管BT 特殊器件2 ．日本半导体器件的命名方法日本半导体器件命名型号由五部分组成。

第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。

1 表示二极管， 2 表示三极管。

第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。

第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。

第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。

第五部分：表示同一型号的改进型产品。

具体符号意义如表 5 · 2 所示。

表 5 ． 2 日本半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分序号意义符号意义序号意义序号意义序号意义O光电二极管或三极管S已在日本电子工业协会注册登记的半导体器件APNP 高频晶体管多位数字该器件在日本电子工业协会的注册登记号ABCD该器件为原型号产品的改进产品BNP 低频晶体管CNPN 高频晶体管1 二极管 D NPN 低频晶体管2 三极管或有三个电极的其他器件EP 控制极可控硅GN 控制极可控硅HN 基极单结晶管JP 沟道场效应管3 四个电极的器件N 沟道场效应管M 双向可控硅3 ．美国半导体器件的命名方法美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。

美国国家半导体(NS)产品命名规则概述美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。

提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。

这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。

特定封装标记按每个元件的部件编号。

下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。

特别代码标准制造信息（第一行）小组件制造信息（第一行）典型元件描述（第二行）其他的信息（第三行和第四行）极小组件标记军用/航空标记强化塑料标记其他标记晶圆制造厂代码装配厂代码制造日期代码裸片批次代码元件系列，产品线和元件类型电气等级信息温度范围代码封装代码ROM 代码标记特别代码元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。

美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C” 或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43ABE”的真正字元。

NS = 标准NS商标U = 晶圆制造厂代码Z = 装配厂代码X = 1-日期或 + 号代表“ES” 工程样本XY = 两个位的日期代码XYY = 三个位的日期代码XXYY = 四个位的日期代码TT = 两个位的裸片批次代码E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97)BBBBB= 五个位的裸片批次代码DD = 一或两个位的Die Step RevSS = 晶圆筛选代码C = 版权标记M = 印在圈内的M> = ESD标记EP = 强化塑料识别A = 检查批次号码DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码I = 微型 SMD 引脚1指示V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+” 号表示為工程样品“ES”* - 假如空间容许标准制造信息（第一行）元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。

导体分立器件的型号命名方法半导体分立器件的型号命名方法：1 国标命名方法：（引自GB249-74 ,1975）半导体器件有5部分组成第一部分：用数字表示器件的电极数目。

2，二极管。

3，三极管第二部分：用汉语拼音表示器件的材料极性。

二极管：A,N 锗材料，B,P 锗材料，C,N 硅材料，D,P 硅材料，三极管：A,PNP 锗材料，B,NPN 锗材料，C,PNP 硅材料，D,NPN 硅材料，E,化合物材料。

第三部分：用汉语拼音表示器件的类型。

P 普通管，V微波管，W 稳压管，C 参量管，Z 整流管，L 整流堆，S 隧道管，N 阻尼管，U 光电管，X 低频小功率，G 高频小功率，D 低频大功率，A 高频大功率，T 体效应管，B 雪崩管，J阶跃恢复管，CS 场效应管，BT 半导体特殊器件，FH 复合管，PIN,PIN 管，JG 激光管。

第四部分：用数字表示器件的序号。

第五部分：用汉语拼音表示规格号。

收藏 分享助理工程师发表于 2010-10-25 23:15 | 只看该作者美国半导体器件的命名方法：美国半导体器件的命名比较混乱，这里介绍的是美国电子工业协会（EIA ）规定的晶体管分立器件的命名法。

第一部分:用符号表示用途和类别，JAN,或J 军用。

无，民用。

威望822 金钱843第二部分：用数字表示PN结数，1，二极管，2 ，三极管。

第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志,N第四部分：美国电子工业协会（EIA）登记序号。

第五部分：同型号的不同档别，A,B,C…美国半导体器件的命名特点：1 除前缀以外，凡以1N,2N,3N开头的器件，大多为美国制造，或美国专利。

2 第四部分只是登记序号，无其他意义，所以相邻号参数也许相差很大。

3，不同厂家生产性能一致的器件使用同一登记号，故可以通用。

TOPaloevera助理工程师威望822金钱8433#发表于 2010-10-25 23:16 | 只看该作者欧洲半导体分立器件的型号命名方法：目前欧洲各国没有明确统一的型号命名方法，但大部分欧洲共同体的国家一般使用国际电子联合会的标准版导体分立器件的型号命名方法。

主题：部分集成电路制造公司名称及型号前缀返回主题列表部分集成电路制造公司名称及型号前缀目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。

下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。

（只写了前缀〕1.National SEMICONDUCTOR Corp.（国家半导体公司〕AD：A/D转换器； DA：D/A转换器；CD：CMOS数字电路； LF：线性场效应；LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕；LP：线性低功耗电路。

2.RCA Corp. (美国无线电公司)CA、LM：线性电路； CD：CMOS数字电路；CDM；CMOS大规模电路。

3.Motorola SEMICONDUCTOR Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司)MC：密封集成电路； MMS：存储器电路；MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。

4.NEC ELECTRONICS,Inc. (日本电气电子公司)uP: 微型产品。

A：组合元件； B：双极型数字电路；C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。

例：uPC、uPA等。

5.Sanyo ELECTRIC Co.,Ltd. (三洋电气有限公司)LA：双极型线性电路； LB：双极型数字电路；LC：CMOS电路； STK：厚膜电路。

6.Toshiba Corp. (东芝公司)TA：双极型线性电路； TC：CMOS电路；TD：双极型数字电路； TM：MOS电路。

7.Hitachi,Ltd. (日立公司)HA：模拟电路； HD：数字电路；HM：RAM电路； HN：ROM电路；8.SGS SEMICONDUCTOR Corp. (SGS半导体公司)TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路；HB、HC：CMOS电路。

例：TD A 后'A'为温度代号。

半导体器件的命名方法1．中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表表2-15 国产半导体器件的型号命名方法例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。

2. 美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。

表2-16 美国半导体器件型号的命名法例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。

3．日本半导体器件命名法日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。

表2-17 日本半导体器件命名法例如2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。

4．欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。

半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表2-18。

表2-18 欧洲半导体器件命名法补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。

常见的后缀有以下几种。

（1）稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的允许误差范围。

其代表的意义如表2-19。

表2-19 稳压二极管后缀字母的含义后缀的第二部分是数字，表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

（2）整流二极管和可控硅型号的后缀是数字，表示其最大反向电压值，单位是伏。

例如BZY88-C9V1表示标称稳压值是9.1V、精度为±5%的硅稳压二极管；BTX64-200表示反向耐压为200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅开关三极管。

2.5.4 几种常用半导体三极管的性能1. 常用小功率半导体三极管常用小功率半导体三极管的特性见表2-20。

元器件的完整型号说明和各国命名方法
不少公司的采购会发现，拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时，经常供应商还会问得更仔细，否则就不知道供给你哪种物料，严重时，采购回来的物料用不了。

为什么会有这种情况呢?问题就在于，很多经验不够的工程师，没有把器件型号写完整。

下面举例来说明，完整的器件型号是怎么样的。

完整的器件型号，一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。

一般工程师只关心前缀和主体型号，而会忽略后缀，甚至少数工程师连前缀都会忽略。

当然，并不是所有器件一定有前缀和后缀，但是，只要这个器件有前缀和后缀，就不可以忽略。

器件前缀一般是代表器件比较大的系列，比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。

又比如，2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同，一个是插件的(TO-92)，一个是贴片的(SOT-23)。

如果BOM上只写5551三极管，那肯定不知道是哪个。

忽略前缀的现象一般稍少一点，但是忽略后缀的情况就比较多了。

一般来说，后缀有以下这些用处：
1、区分细节性能
比如，拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说，同样是706，但是有几种阀值电压，比如MAX706S的阀值电压为2.93V，MAX706T的阀值电压为3.08V，这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。

2、区分器件等级和工作温度
比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431C代表器件的工作温度是0度至70度(民用级)，TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度(工业级)，其中后缀“C”和“I”就代表不同。

１、国产半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示有效电极数目。

2—二极管、3 —三极管第二部分：用汉语拼音字母表示材料和极性。

表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D—P型硅材料。

表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D—NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示类型。

P—普通管、V—微波管、W—稳压管、C—参量管、Z—整流管、L—整流堆、S—隧道管、N—阻尼管、U—光电器件、K—开关管、X—低频小功率管、G—高频小功率管、D—低频大功率管、A—高频大功率管、T—半导体晶闸管（可控整流器）、Y—体效应器件、B—雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT—半导体特殊器件、FH—复合管、PIN—PIN型管、JG—激光器件。

高频、低频（f＝3MHz）大功率管、小功率管（Pc＝1W第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG6A表示NPN型硅材料高频小功率三极管第一部分：主称第二部分：材料与极第三部分：类别第四部分：序号第五部分：规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类别产品序号用字母表示产品规格、档次2二极管A N型锗材料P小信号管（普通管）W 电压调整管和电压基准管（稳压管）L整流堆B P型锗材料N阻尼管Z整流管U光电管C N型硅材K开关管B或C变容管V 混频检波管D P型硅材料JD激光管S遂道管CM磁敏管E 化合物材料H恒流管Y体效应管EF 发光二极管２、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。

美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。

JAN—军级、JANTX—特军级、JANTXV—超特军级、JANS—宇航级、（无）—非军用品。

半导体分立器件的命名方法（1）我国半导体分立器件的命名法例：1) 锗材料PNP型低频大功率三极管：2) 硅材料NPN型高频小功率三极管：3A D50C3D G201 B规格号规格号序号序号低频大功率低频大功率PNP型、锗材料PNP型、锗材料三极管三极管3) N型硅材料稳压二极管：4) 单结晶体管：2C W51B T3 3 E序号规格号稳压管耗散功率N型、硅材料三个电极二极管特种管半导体（2）国际电子联合会半导体器件命名法示例（命名）：A F239SAF239型某一参数的S档普通用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。

因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。

2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。

3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。

如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。

若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。

例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。

4) 第三部分表示登记顺序号。

三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。

例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN 型。

5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。

6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。

极性的确定需查阅手册或测量。

(3) 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。

这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。

如表11所示。

表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法1) JAN2N29042) 1N4001JAN2N2904 1N4001EIA登记序号EIA登记序号EIA注册标志EIA注册标志三极管二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。

半导体分立器件的型号命名方法半导体分立器件的型号命名方法国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见表15。

第一部分用数字“2”表示主称为二极管。

第二部分用字母表示二极管的材料与极性。

第三部分用字母表示二极管的类别。

第四部分用数字表示序号。

第五部分用字母表示二极管的规格号。

表15 国标国产二极管的型号命名及含义第一部分：主称第二部分：材料与极性第三部分：类别第四部分：序号第五部分：规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类别产品序号用字母表示产品规格、档次2 二极管A N型锗材料P 小信号管（普通管）W电压调整管和电压基准管（稳压管）L 整流堆B P型锗材料N 阻尼管Z 整流管U 光电管C N型硅材料K 开关管B或C 变容管V 混频检波管D P型硅材料JD 激光管S 遂道管CM 磁敏管E 化合物材料H 恒流管Y 体效应管EF 发光二极管例如：2AP9(N型锗材料普通二极管2CW56(N型硅材料稳压二极管)2——二极管2——二极管A——N型锗材料C——N型硅材料P——普通型W——稳压管9——序号56——序号电容器的型号命名方法有哪些?（一）国产电容器的型号命名法国产电容器型号命名由四部分组成，各部分的含义见表11。

第一部分用字母“C”表示主称为电容器。

第二部分用字母表示电容器的介质材料。

第三部分用数字或字母表示电容器的类别。

第四部分用数字表示序号。

表11 国产电容顺型号命名及含义第一部分：主称第二部分：介质材料第三部分：类别第四部分：序号字母含义字母含义数字或字母含义用数字表示序号，以区别电容器的外形尺寸及性能指标瓷介电容器云母电容器有机电容器电解电容解C 电容器A钽电解 1 圆形非密封非密封箔式B聚苯乙烯等非极性有机薄膜（常在“B”后面再加一字母，以区分具体材料。

例如“BB”为聚丙烯，“BF”为聚四氟乙烯）2 管形非密封非密封箔式3 叠片密封密封烧结粉，非固体4 独石密封密封烧结粉，固体C高频陶瓷D铝电解5 穿心穿心E其它材料电解6 支柱等G合金电解H纸膜复合7 无极性I玻璃釉8 高压高压高压J金属化纸介9 特殊特殊（二）国外电容器的型号命名方法国外电容器的型号命名由六部分组成，各部分的含义见表12。