下载文档原格式
爸爸我想对您说作文(精选15篇)爸爸我想对您说作文(精选15篇)在平时的学习、工作或生活中，大家都接触过作文吧，作文是从内部言语向外部言语的过渡，即从经过压缩的简要的、自己能明白的语言，向开展的、具有规范语法结构的、能为他人所理解的外部语言形式的转化。
相信写作文是一个让许多人都头痛的问题，下面是WTT整理的爸爸我想对您说作文，欢迎阅读，希望大家能够喜欢。
爸爸我想对您说作文1爸爸，您的教育方法使我有过重的学习压力，我的自由权利已经被您剥夺了。
您总是让我在作业完成好后去读课文，读完后去睡觉，我连一点玩的时间都没有，就算你不在，也不能让我出去，只能在房间里学习。
有时我真的忍不住要玩，都要像小偷一样偷偷摸摸的出去。
爸爸，您能别把我整天关在房间里，好吗？我每天像一只笼中鸟一样，我受不了。
我的成绩可以说是十分优秀，可您总是骂我太差，没有头脑，不论是98分还是99分，您还是照样骂我，连100分都要被您骂得狗血淋头。
您就不能给我一点赞叹吗？就算是一点也行，我真想听您说一声：“嗯，不错。
”求您了，让我听一声吧！有一次，我正在写作业，您还没有回来，我得意洋洋，想要立刻写好作业打电脑，我立刻振奋精神，从7点写到8点半，终于写好了，当我正要打开电脑时，却被突然出现在我面前的你数落了一顿“快去读课文，整天想着玩，成绩重要还是玩重要啊！读完后去睡觉……”在您一声声呵斥下，我不得不遵从你的命令，自己去睡觉了。
爸爸！我知道您这么做是为了我，为了我的学习，但您忽略了我的年龄，我还小，我才11岁，我也是个贪玩的小孩，小孩子爱玩没有罪。
我不想做一只笼中鸟，没有自由，每天面对着牢笼，却不能飞出去，我想要自由，请您站在我这边，为我想想，改变对我的教育方式，让我多一点自由，这样才能让我飞向更远的蓝天，游出更辽阔的大海。
爸爸我想对您说作文2爸爸，从小到大，您一直是我的良师益友，您让我懂得了很多人生中的道理。
记得有一次，我考试没有考好。
您看到我为此苦恼时，不但没有责怪我，而且还安慰我说：“没关系，这次没有考好，还有下次，只要找出丢分的原因，下次不再犯同样的错误就行了。
实验一 共发射极放大电路1、实验目的（1）熟练掌握共发射极放大电路的工作原理，静态工作点的设置与调整方法，了解工作点对放大器性能的影响；（2）掌握放大器基本性能指标参数的测试方法。
2、实验设备（1）模拟电子线路实验箱 1台 （2）双踪示波器 1台 （3）函数信号发生器 1台（4）直流稳压电源 1台 （5）数字万用表 1台3、实验原理图1.1 所示是一个阻容耦合共发射极放大器。
它的偏置电路采用R b1 和R b2 组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R e （Ｒe ＝Ｒe1＋Ｒe2），以稳定放大器的静态工作点。
当在放大器的输入端加输入信号u i 后，在输出端就可以得到一个与u i 相位相反，幅值被放大了的输出信号u o ，从而实现了放大。
（1）静态工作点U BQ = U CC R b2 /（R b1 + R b2）I CQ ≈I EQ =（U BQ -U BE ）/ R e = U EQ / R eU CEQ ≈ U CC -I CQ （R C +R e ）为使三极管工作在放大区，一般应满足： 硅管： U BE ≈ 0.7V U CC >U CEQ >1V （2）电压放大倍数图1.1共发射极放大器CCA u = -βR L ′/r be （注：R L ′＝ＲL ∥ＲC ）（3）输入、输出电阻R i = R b1∥R b2∥r be r be = r bb ′+（1+β）26mV / I EQ mA R o = r o ∥R C ≈ R C4、实验内容与步骤（1）线路连接按图1.1 连接电路，把基极偏置电阻R P 调到最大值，避免工作电流过大。
（2）静态工作点设置接通+12V 直流电源，调节基极偏置电阻R P ，使I EQ =1mA ，也即是使U EQ = 1.9V 。
然后测试各工作点电压，填入表1-1中。
（3）电压放大倍数测量调节信号源，使之输出一个频率为1kHz ，峰峰值为30mV 的正弦信号（用示波器测量）。
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=⨯=P （吸收）；W 5.15.032=⨯=P （吸收） W 15353-=⨯-=P （产生）；W 5154=⨯=P （吸收）；W 4225=⨯=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+-=I I U电流源功率：W 2621-=⋅-=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632-=⋅-=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=-=I ;A 1322-=-=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab -=⨯+++⨯-=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=⨯+-⨯+-=IV 221021425)32(22S =+-=⨯+-⨯+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=-=I ；A 31X -=--=I I ; V 155X -=⋅=I UV 253245X X -=⨯--⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++⨯+⨯⎪⎭⎫ ⎝⎛+⨯+=1046418666661866666ab R (2) Ω=--=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
习 题 11.1． 当负载开路（R L =∞）时测得放大电路的输出电压o u'=2V ；当输出端接入R L =5.1kΩ的负载时，输出电压下降为u o =1. 2V ，求放大电路的输出电阻R o 。
解：'L o o L o R u u R R =•+，'o o(1) 3.4k o L u R R u =-=Ω 1.2 当在放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s =1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ，求放大电路的输入电阻 R i 。
解：ii s i s R u u R R =•+， ∴()2k i i s s iu R R u u ==Ω-1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s = 1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ；放大电路输出端接 R L = 3k Ω的负载，测得输出电压为u o =1.5V ，试计算该放大电路的电压增益 A u 和电流增益 A i ，并分别用 d B （分贝）表示。
解：oi150u u A u ==，dB A dB A u u 5.43lg 20)(== 100()o o Li i s i sI u R A I u u R ===-，dB A dB A i i 40lg 20)(== 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示，试求电路的中频增益A um 、下限截止频率f L 、上限截止频率f H 和通频带f BW 。
解：dB dB A um 40)(= ∴100=umAHz f H 510= Hz f L 20= ∴Hz f f f f H L H BW 510=≈-=图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图1.5 电路如图1.2所示，已知：当输入电压为0.4V 时，要求输出电压为4V 。
试求解R 1和R 2的阻值。
仿真1.1.1 共射极基本放大电路按图7.1-1搭建共射极基本放大电路，选择电路菜单电路图选项（Circuit/Schematic Option ）中的显示/隐藏(Show/Hide)按钮，设置并显示元件的标号与数值等。
１.静态工作点分析选择分析菜单中的直流工作点分析选项（Analysis/DC Operating Point）（当然，也可以使用仪器库中的数字多用表直接测量）分析结果表明晶体管Ｑ１工作在放大状态。
２.动态分析用仪器库的函数发生器为电路提供正弦输入信号Vi(幅值为5mV,频率为10kH)，用示波器观察到输入，输出波形。
由波形图可观察到电路的输入，输出电压信号反相位关系。
再一种直接测量电压放大倍数的简便方法是用仪器库中的数字多用表直接测得。
３.参数扫描分析在图７.１－１所示的共射极基本放大电路中，偏置电阻Ｒ１的阻值大小直接决定了静态电流ＩＣ的大小，保持输入信号不变，改变Ｒ１的阻值，可以观察到输出电压波形的失真情况。
选择分析菜单中的参数扫描选项（Analysis/Parameter Sweep Analysis），在参数扫描设置对话框中将扫描元件设为Ｒ１，参数为电阻，扫描起始值为１００Ｋ，终值为９００Ｋ，扫描方式为线性，步长增量为４００Ｋ，输出节点５，扫描用于暂态分析。
４.频率响应分析选择分析菜单中的交流频率分析项（Analysis/AC Frequency Analysis）在交流频率分析参数设置对话框中设定：扫描起始频率为１Hz，终止频率为１GHz，扫描形式为十进制，纵向刻度为线性，节点５做输出节点。
由图分析可得：当共射极基本放大电路输入信号电压ＶＩ为幅值５mV的变频电压时，电路输出中频电压幅值约为０.５Ｖ，中频电压放大倍数约为－１００倍，下限频率（Ｘ１）为１４.２２Hz，上限频率（Ｘ２）为２５.１２MHz，放大器的通频带约为２５.１２MHz。
由理论分析可得，上述共射极基本放大电路的输入电阻由晶体管的输入电阻rbe限定，输出电阻由集电极电阻Ｒ３限定。
半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R 1.4 U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示，设二极管为理想的，试判断下列情况下，电路中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端的电压AO U 。
（1）V V DD 61=，V V DD 122=；（2）V V DD 61=、V V DD 122-=；（3）V V DD 61-=、V V DD 122-=。
解：1、当V V DD 61=、V V DD 122=时，假设二极管是截止的，则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压，所以二极管截止假设成立。
V V U DD AO 122==。
2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时，假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压，所以二极管截止假设不成立，二极管导通。
V V U DD AO 61==。
3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时，假设二极管是截止的，则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压，所以二极管截止假设不成立，二极管导通。
V V U U DD BO AO 61-===。
1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压VU D 7.0)on (=，试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时，电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。
解：1、当Ω=k R 1时，假设二极管是截止的，则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知，二极管承受正偏电压导通（假设不成立）故可得其等效电路如图P1.2b 所示：根据KCL 、 KVL ：⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O222197.039 解之：mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时，假设二极管是截止的，则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知，二极管承受反偏电压截止（假设成立）01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的，试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出AO两端的电压AO U解：（a ）假设21V V 、均截止，则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=， 21V V 、均承受正偏电压，但2V 管的正向偏值电压更大，故它首先导通。
模拟电子电路设计电子电路是现代科技社会中不可或缺的一部分，而模拟电子电路设计是其中的重要一环。
模拟电子电路设计涉及到各种电子元件的选择，电路的构建和优化，以及性能的分析和改进。
本文将介绍模拟电子电路设计的基本原理和步骤，并探讨如何设计和优化一个模拟电子电路。
一、设计理论和原则1.1 设计理论：在进行模拟电子电路设计之前，我们需要先了解一些相关的设计理论和原则。
比如，电路的基本功能和特性，电流调节和阻抗匹配的方法，以及信号的放大和滤波等基本原理。
这些理论和原则为我们提供了在设计中进行决策的依据。
1.2 设计原则：在模拟电子电路的设计过程中，我们需要遵循一些设计原则来提高电路的性能和稳定性。
比如，选择适合的电子元件，减少电路的噪声和失真，优化电路的频率响应和相位特性等。
二、设计步骤2.1 确定需求：在进行任何电子电路设计之前，首先需要明确设计的需求和目标。
这包括电路的功能要求、输入输出参数、工作条件等。
2.2 选择元件：根据设计需求，选择适合的电子元件。
这些元件可能包括电阻、电容、电感和半导体器件等。
在选择元件时，需要考虑其特性参数、可靠性和成本等因素。
2.3 电路设计：根据需求和选择的元件，进行电路的具体设计。
这包括电路拓扑结构、电参数计算和元件布局等。
在设计过程中，需要考虑电路的性能指标，如增益、频率响应和失真等。
2.4 电路分析和优化：完成电路设计后，需要进行电路的性能分析和优化。
这包括使用电路仿真软件对电路进行分析，查找电路可能存在的问题，并进行相应的改进和优化。
2.5 原理验证：在完成电路设计和优化后，需要进行电路的实验验证。
通过实验，我们可以验证电路设计的正确性，并进一步优化电路的性能。
三、电路设计实例为了更好地理解模拟电子电路设计，我们将以一个放大器电路设计为例进行说明。
3.1 设计需求：我们需要设计一个放大器电路，将输入信号的幅度放大为输出信号的10倍。
输入信号的频率范围为20Hz至20kHz，设计频率响应为平坦的。
第一章 常用半导体器件1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[ ]A.NPN 型硅管B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图D. PNP 型锗管 1.3V b1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电⼦电路（上）书名：模拟电⼦电路基础作者：胡飞跃 [主编] 刘圆圆 游彬 顾梅园 [编著]时间：2016.12⽉第三次印刷第⼀章 模拟电⼦电路导论1.1信号与电⼦系统信号时域信号、频域信号信号频谱描述信号、傅⾥叶变换模拟信号与数字信号电⼦系统1.2放⼤器基本概念及其线性应⽤放⼤器的符号电压增益 Av 20lg|Av|dB电流增益 Ai 20lg|Ai |dB功率增益 Ap 10lg|Ap|dB放⼤器的主要参数增益电压增益电流增益互阻增益互导增益输⼊电阻Ri输出电阻Ro1.3带宽通频带BW第⼆章 理想运算放⼤器及其线性应⽤差模信号与共模信号电压型运放：放⼤差模信号，抑制共模信号实际运放：差模开环增益：100dB以上共模抑制⽐：100dB以上输⼊阻抗⾼：MΩ及以上输出阻抗低：Ω级别带宽较低失调和漂移低2.1集成运放理想模型与分析⽅法特点：⽆限⼤差模开环增益⽆限⼤共模抑制⽐⽆限⼤输⼊阻抗零输出阻抗⽆限⼤带宽零失调与零漂移2.2集成运放线性基本运算电路虚短、虚断反相组态增益输⼊电阻输出电阻反相组态改进电路同相组态增益输⼊电阻输出电阻电压跟随器2.3运放的其他应⽤电路求和电路反相求和同相求和求差电路仪⽤运算放⼤器三运放电路差分放⼤器⾼共模抑制⽐⾼输⼊阻抗低噪声低线性误差低失调漂移积分电路⽅波到三⾓波的转换微分电路矩形波到尖顶脉冲波的转换2.4⾮理想运放的⼯作性能增益与带宽运放的⼤信号参数输出饱和电压输出电流限制摆率与全功率带宽 SR=2πf m V op maxf m为全功率带宽，V op max是放⼤后输出最⼤峰值运放的直流参数失调电压失调电流第三章 晶体⼆极管及其基本应⽤3.1半导体基础知识本征半导体载流⼦的运动⽅式及形成的电流杂质半导体3.2PN结及其特性PN结的形成达到动态平衡PN结的基本特性正向导通反相截⾄PN结的反向击穿现象PN结的电容特性势垒电容扩散电容3.3晶体⼆极管PN结的伏安特性⼆极管的主要参数最⼤正向电流反向击穿电压反向电流极间电容3.4常规⼆极管的建模数学模型曲线模型理想⼆极管模型恒压降模型折线模型交流⼩信号模型图解分析法齐纳⼆极管的建模⼆极管应⽤电路分析限幅电路逻辑电路稳压电路3.5特殊晶体⼆极管肖特基⼆极管发光⼆极管变容⼆极管第四章 场效应管4.1MOSFET结构及⼯作原理N沟道EMOSFET器件结构N沟道EMOSFET⼯作原理截⾄区与沟道的产⽣变阻区的形成饱和区的形成沟道长度调制效应N沟道EMOSFET特性电路符号伏安特性变阻区饱和区截⾄区P沟道EMOSFET特性耗尽型MOSFET互补MOS或CMOS衬底效应4.2结型场效应管结型场效应管的结构⼯作原理vgs对id的影响vds对id的影响特征曲线与特征⽅程变阻区饱和区截⾄区击穿区4.3场效应管电路直流偏置⼯作点各种常⽤偏置电路固定偏置电路分压偏置电路直流分析与交流分析分离场效应管直流电路分析4.4场效应管放⼤电路分析场效应管⼩信号模型放⼤电路的性能指标放⼤器的三种组态共源极共漏极共栅极共源放⼤器接源极电阻的共源放⼤器共栅放⼤器共漏放⼤器或源极跟随器三种组态放⼤器的⽐较v、。
