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ETCH工艺培训

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ETCH(PCB蚀刻培训教材)解析

ETCH(PCB蚀刻培训教材)解析

膜不净；药水浓度高，会导致板面氧化。
褪膜段喷嘴要及时清洗，防止碎片堵塞喷嘴，
影响褪膜质量
二.碱性蚀刻 1.工艺流程 褪膜 蚀刻 新液洗 褪锡
（整孔）
注：整孔工序仅适用于沉金制板
2.工艺原理 －褪膜
定义：用褪菲林液将线路板面上盖住的菲林褪去,露 出未经线路加工的铜面. 经电镀工序后的干膜在碱性褪膜液下溶解或部分成 片状脱落,我司使用的是3% 0.5%氢氧化钠溶液.
水池效应
在蚀刻过程中，线路板水平通过蚀刻机时， 因重力作用在板上面新鲜药液被积水阻挠,无 法有效和铜面反应，称之水池效应。而下面 则无此现象。
蚀刻因子
蚀刻液在蚀刻过程中，不仅向下而且对左右各 方向都产生蚀刻作用，侧蚀是不可避免的。侧蚀宽 度与蚀刻深度之比称之为蚀刻因子。
A 铜线路 B D C
抗蚀层
原理：
CO3-2 + Resist COOH
HCO3- + Resist COO-
CO3-2 主要为Na2CO3 或K2CO3 Resist TOOH为干膜及油墨中反应官能基团 利用CO3-2与阻剂中羧基（COOH）进行酸碱中和反应， 形成COO-和H CO3- ，使阻剂形成阴离子团而剥离。
－蚀刻
³ ° å å » ú × Ô ¶ ¯ Ó Ò ¼ © ¸ × ´ ¿ Ê Ì » ú
400(800) 500X2
Ê Ä Í ¤
480(800)
Na2CO3 ý Å ³ Ý ¼ Á Cu2+± È Ö Ø HCl « Ñ Ë õ Ë ® H2O2 NaOH ý Å ³ Ý ¼ Á
3.2kg 640ml(640ml)
¸× ± ¢
冲板、褪膜、褪菲林换药和补药标准

钢网制作培训

钢网制作培训

3、 电铸模板（Electroformed Stencil） 前两种方法，虽然加工手段不同，但都是将多余材料去除掉而形成网孔， 前两种方法，虽然加工手段不同，但都是将多余材料去除掉而形成网孔，因此 都属于“ 的方法。 都属于“减”的方法。与之不同，电铸是采用“加”的方法而形成网孔的。通 过在一个要形成开孔的基板（或芯模）上显影光刻胶（photoresist)，然后逐个 原子、逐层地在光刻胶周围电镀出模板。产生一个梯形结构。然后，当模板从 基板取下，顶面变成接触面,产生密封效果。 因此，电铸模板脱模效果甚佳。 但，由于其制作效率及成本相当高，只用在印刷精度相当高且上述两种模板无 法达到要求的场合，因此并没有得到普遍采用。
元件类型 QFP
间距 0.65mm 0.5mm 0.4mm 0.3mm
钢网厚度 0.15-0.18mm 0.13-0.15mm 0.10-0.13mm 0.07-0.13mm 0.10-0.15mm 0.08-0.12mm 0.15-0.20mm 0.12-0.13mm 0.07-0.13mm 0.08-0.10mm 0.05-0.10mm 0.03-0.08mm
于2/3) 如0402类元件 焊盘为0.6*0.4若钢网按1：1开孔据面积比大于2/3 知网厚T应小于0.18,同理0201类元 件焊 盘为0.35*0.3得出网厚应小于0.12
（3） 由如上两点得出钢网厚度与焊盘 （元件）对 照表， 当钢网厚度被限定后如 何保证下锡量，如何保证焊 点上锡量，这 将在后面的钢网设计中分类论述
0402 0201 BGA
N/A N/A 1.25-1.27mm 1.00mm 0.5mm
flip chip
0.25mm 0.2mm 0.15mm
0402电阻元件开口

ETCH(PCB蚀刻培训教材)

ETCH(PCB蚀刻培训教材)

蚀刻液温度：46~52oC 蚀刻液PH值：7.8~8.4(50oC) 蚀刻液比重：1.170~1.190 Cu2+：115~135g/l，Cl：150~190g/l 喷药水压力：18~30PSI 喷水压力：20~40PSI
生产线维护
设备的日常保养 A.不使蚀刻液有sludge产生(浅蓝色一价铜污泥),当结渣越 多，会影响蚀刻液的化学平衡，蚀刻速率迅速下降。所 以成份控制很重要－尤其是PH,太高或太低都有可能造成. B.随时保持喷嘴不被堵塞.(过滤系统要保持良好状态) 每周保养时检查喷嘴，若堵塞则立即清除堵塞物。 C.及时更换破损的喷嘴和配件 D.PH计，比重感应器要定期校验.
量，溶液温度及Cu2+浓度。
1.Cl-含量的影响
在氯化铜蚀刻液中Cl-浓度较多时， Cu2+和Cu+实际上 是以络离子的形式存在（[Cu2+Cl4]2－， [Cu+Cl3]2- ），所 以蚀刻液的配制和再生都需要Cl-参加反应，下表为氯离 子溶度与蚀刻速率关系。Biblioteka 蚀刻时间（分）12
10
水溶液
8
6
2N HCl溶液
反应：2CuCl+2HCl+H2O2→2CuCl2+2H2O
自动控制添加系统：通过控制蚀刻速度，双氧水和盐 酸的添加比例，比重和液位，温度等项目，达到自动 连续生产。
我司采用此种再生方法。
二.碱性氨类蚀刻液
1.特性
－不与锡铅发生任何反应 －易再生，成本低，易回收 －蚀铜速度快，侧蚀小，溶铜能力高，蚀刻
为使之蚀铜反应进行更为迅速，蚀液中多加有助剂， 例如：
a. 加速剂( Accelerator) 可促使上述氧化反应更为快速， 并防止亚铜错离子的沉淀。

氢化工艺作业人员安全技术培训大纲及考核标准

氢化工艺作业人员安全技术培训大纲及考核标准

氢化工艺作业人员安全技术培训大纲及考核标准(一)培训|大纲1.范围及要求本大纲规定了氧化工艺技术作业人员安全技术理论培训和实际操作培训的目的、要求和方法。

适用于邻二甲苯或茶的氧化制备邻苯二甲酸昕等工艺过程的操作作业。

典型工艺以外的相近工艺参照本大纲执行。

实际操作培训可根据实际情况，采用观摩、模拟、推演、实际操作等方式进行。

2.引用国家安全生产监督管理总局令第30号《特种作业人员安全技术培训考核管理规定》3.术语定义氧化反应：指物质失去电子的反应。

4.基本条件4.1 年满18 周岁，且不超过国家法定退休年龄；4.2 经社区或者县级以上医疗机构体检健康合格，并无妨碍从事相应特种作业的器质性心脏病、癫瘸病、美尼尔氏症、眩晕症、痛病、震颤麻痹症、精神病、痴呆症、色盲、色弱以及其他职业禁忌性疾病和生理缺陷；4.3 高中或者相当于高中及以上文化程度；4.4 在相关岗位实习三个月以上，具备必要的安全技术知识与技能；4.5 相应特种作业规定的其他条件。

5.培训内容5.1 理论培训内容5.1.1 安全基础知识培训内容所有培训对象都应接受该部分内容的培训。

5.1.1.1 化学基础知识：有机化学知识和无机化学知识。

5.1.1.2 石油及油品基础知识：石油的化学组成及物理性质、主要的石油产品种类及技术指标。

5.1.1.3 氧化生产的基础知识：反应原料和辅料的的预处理、氧化生产工艺、反应产物的后处理、主、副产品的基本知识。

2]25.1.1.4 氧化过程基础知识：氧化反应基础知识、传热、传导基础知识、蒸馆的基本知识。

5.1.1.5 计量基础知识：计量单位和法定计量单位、常用流量计知识。

5.1.1.6 氧化设备基础知识：压力容器的基础知识、塔设备、加热炉、反应器、换热器、空冷器、压缩机、泵的基础知识，设备润滑知识、设备腐蚀的基础知识等。

5.1.1.7 电工的基础知识：炼油装置供、配电知识、安全用电常识等。

5.1.1.8 仪表及自动控制基础知识：仪表基础知识、常用测量仪表的原理、常用仪表和 DCS 使用的基础知识等。

刻蚀(ETCH)工艺的基础知识.doc

刻蚀(ETCH)工艺的基础知识.doc

刻蚀（ETCH）工艺的基础知识何谓蚀刻（Etch）?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。

蚀刻种类：答：（1）干蚀刻（2）湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为：答：poly, oxide, metal半导体中一般金属导线材质为何？答：金身线（W）/铝线（A1）/铜线（Cu）何谓dielectric蚀刻（介电质蚀刻）？答：Oxide etch and nitride etch半导体中一般介电质材质为何？答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正，负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子，正离子，负离子，中性分子,活性基及发散光子等，产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻？答：利用plasma将不要的薄膜去除何谓Under-etching（蚀刻不足）?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留何谓Over-etching（过蚀刻）答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓Etch rate （蚀刻速率）答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度何谓Seasoning （陈化处理）答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。

Asher的主要用途：答：光阻去除Wet bench dryer 功用为何？答：将晶圆表面的水份去除列举目前Wet bench dry方法:答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) I PA Vapor Dry何谓 Spin Dryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓 Mar agon i Dryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除何谓 IPA Vapor Dryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除测Particle时,使用何种测量仪器?答：Tencor Surf scan测蚀刻速率时，使用何者量测仪器？答：膜厚计，测量膜厚差值何谓AEI答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查AEI 口检Wafer须检查哪些项口：答：(1)正面颜色是否异常及刮伤(2)有无缺角及Particle (3)刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理？答：清机防止金属污染问题金属蚀刻机台asher的功用为何？答：去光阻及防止腐蚀金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗？答：因为金属线会溶于硫酸中"Hot Plate”机台是什幺用途？答:烘烤Hot Plate烘烤温度为何？答:90~120 度 C何种气体为Poly ETCH主要使用气体？答:C12, IIBr, IIC1用于Al金属蚀刻的主要气体为答：C12, BC13用于W金属蚀刻的主要气体为答:SF6何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体？答：C4F8, C5F8, C4F6硫酸槽的化学成份为：答:H2SO4/H2O2AMP槽的化学成份为：答:XII40II/II202/II20UV curing是什幺用途？答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UV curing”用于何种层次？答：金属层何谓EMO?答：机台紧急开关EMO作用为何？答：当机台有危险发生之顾虑或己不可控制，可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示？答：(1)警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2)机械手臂危险.严禁打开此门 (3)化学药剂危险.严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置？答：严禁以手去测试漏出之液体.应以酸碱试纸测试.并寻找泄漏管路.遇IPA槽着火时应如何处置?？答：立即关闭IPA输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组BOE槽之主成份为何？答：HF (氢氟酸)与NH4F (氟化铉).BOE为那三个英文字缩写？答：Buffered Oxide Etcher 。

poly etch 培训

poly etch 培训

POLYSILICON ETCH CRITERIA
1． 2． 3． 4． 5． 6． 7． POSTPOST-ETCH SIDEWALL STRINGERS MICROLOADING UNIFORMITY PROFILE/CD CONTROL SELECTIVITY TO OXIDE POLYSI： POLYSI：PR SELECTIVITY
Conductors Resistors Ohmic contact to shallow junctions Good for capacitors
ISSUES THAT EFFECT POLYSILICON ETCH TOPOGRAPHY
Dictates amount of overetch required, which in turn affects profile, CD control and remaining oxide.
POLY 腐蚀后的圆片在POLY条的边缘或图形 腐蚀后的圆片在POLY条的边缘或图形 中会有一些有规则形状的聚合物， 中会有一些有规则形状的聚合物，此为正常现 象，经去胶清洗后即会消失，不影响质量。 经去胶清洗后即会消失，不影响质量。
SILICIDE
A silicide is a refractory metal, typically W, Ti, Mo or Ta, that is compounded with silicon in a ratio of approximately 1:2. Silicide offer the advantages of decreasing gate resistance when compared with polysilicon and MOS process compatibility.

晶圆制造工艺ETCH完整版

晶圆制造工艺E T C H 集团标准化办公室：[VV986T-J682P28-JP266L8-68PNN]晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。

（1）常压CVD(NormalPressureCVD)（2）低压CVD(LowPressureCVD)（3）热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)（4）电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)（5）MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)（6）外延生长法?(LPE)4、涂敷光刻胶?（1）光刻胶的涂敷?（2）预烘(prebake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(postbake)（6）腐蚀(etching)（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6?、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2?膜注入衬底，形成P?型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N?型阱9、退火处理，然后用HF?去除SiO2?层10、干法氧化法生成一层SiO2?层，然后LPCVD?沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2?层，形成PN?之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。

14、LPCVD?沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2?保护层。

15、表面涂敷光阻，去除P?阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS?的源漏极。

用同样的方法，在N?阱区，注入B?离子形成PMOS?的源漏极。

16、利用PECVD?沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。

Etching IBE RIE 原理及设备


9
2
IBE刻蚀原理及设备
离子源构成及工作原理
10
2
IBE刻蚀原理及设备
IBE刻蚀特点
方向性好，各向异性，无钻蚀，陡直度高 分辨率高，可小于0.01μm 不受刻蚀材料限制（金属or化合物，无机物or有机物，绝缘体or半导体均可） 刻蚀过程中可改变离子束入射角θ来控制图形轮廓
离子束刻蚀速率影响因素
A.被刻蚀材料种类 B.离子能量 C .离子束流密度 D.离子束入射角度 11
适用于150mm单片晶片上的SiO2和Si3N4的刻蚀； 刻蚀温度能控制在20－35度之间
主机
射频源
显示器
19
3
RIE刻蚀原理及设备
1
2
SiO2刻蚀 光刻胶掩膜 Profirle 85-90° 刻蚀均匀性 <+/-5% 典型刻蚀速率： PSG 6000Å/min 热氧化SiO2 4000 Å/min 选择比： SiO2: PR >5:1 SiO2: silicon/polysilicon >=10:1
22
4
ICP刻蚀原理及设备
RIE与ICP比较
RIE
离子密度低( ~109 ~1010/cm3) 离子密度与离子能量不能分别控制（ 离子密度大，离子能量也大） 离子能量低，刻蚀速率低 低压下刻蚀速率低 DC Bias高损伤大
ICP
离子密度高 (>1011/cm3)（刻蚀速率 高） 离子密度由ICP功率控制，离子能 量由RF功率控制 在低离子能量下可控离子流量达到 高刻蚀速率（形貌控制） 低压下由于高离子流量从而维持高 刻蚀速率 低DC bias损伤小
ICP操作注意事项
• 小片刻蚀时需要在片子背面涂真空油脂，放片、取片过程中应尽 量避免油脂玷污片子图形表面，可用异丙醇擦除 ICP Service模式权限很大，为避免误操作，仅限关闭真空装置时 操作 在手动模式下进行托盘定位时，一定要注意门阀的开启状态及卡 盘的升起与否，以免造成机械手、阀门、卡盘损坏 射频源功率不宜设置过高,ICP小于2000W,RF小于500W

沉铜和除胶渣培训资料[2]


Mn7+ 、Mn6+及MnO2
Mn2+
工艺参数一:
N-03L 20 % 硫酸 8% – 10 % 温 度 40 ℃（35–45℃） 时 间 4 min (3–5min) N-03L 1L/25 m2 硫酸 0.4 L/25 m2 每1L工作液处理8 – 10 m2 时请更新
工艺参数二:
N-03G 20 g/L 硫酸 8% – 10 % 温 度 40 ℃（35–45℃） 时 间 4 min (3–5min) N-03G 20 g/25 m2 硫酸 0.4 L/25 m2 每1L工作液处理8 – 10 m2 时请更新
膨松对除胶速率之影响
20
除膠速率(mg/dm2)
19.2 17.2 15.2 13.3 12 8.2 6.8 9.3 7.2
7.5'
19.8 16.5
60 oC
17.5 15 12.5 10 7.5 5
15.6
65 oC
13.2 11.1 7.9 9.02
75 oC 12.5' 70 oC
時間(min) 5'
Accelerator 速化
目的:去除锡钯离子胶团之表面锡化合物 (锡壳),將真正执行催化作用之钯原子裸 露出來。
Sn Sn
Pd
Sn Sn
Sn
反应机理:
SnCl2+Cl- → SnCl3PdCl2+2SnCl3- → [Pd(SnCl3)2Cl2]2[Pd(SnCl3)2]Cl2}2_+H2SO4→Pd+Sn(SO4)2+HCl
Desmear/PTH制程稳定之因素
药水特性 人员操作 定期保养 设备维护 经验累积

半导体制程培训CMP和蚀刻pptx整理


半导体制造(zhìzào)工艺流程——CMP
化学机械(jīxiè)平坦化
化学机械(jīxiè)平坦化 〔Chemical-Mechanical Planarization, CMP〕，又称化学机械(jīxiè)研磨 〔Chemical-Mechanical Polishing〕，是半导体器件制造工 艺中的一种技术，使用化学腐蚀及机械(jīxiè)力对加工过 程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。
缺点：本钱高，设备复杂。
干法刻蚀方式：①溅射与离子束铣蚀 ②等离子刻蚀〔Plasma Etching〕 ③③高压等离子刻蚀 ④高密度等离子体〔HDP〕刻蚀 ⑤反响离子刻蚀〔RIE〕
第四页，共31页。
半导体制造(zhìzào)工艺流程
湿法刻蚀
湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、 腐蚀。 优点是选择性好、重复性好、生产(shēngchǎn)效率高、设备简 单、本钱低 缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征 尺寸；会产生大量的化学废液。
第十页，共31页。
半导体制造(zhìzào)工艺流程
CMP
第十一页，共31页。
半导体制造(zhìzào)工艺流程
1、平坦化有关(yǒuguān)的术语 ；
2、传统的平坦(píngtǎn)化技术；
3、化学机械平坦化机理；
4、化学机械平坦化应用。
第十二页，共31页。
半导体制造(zhìzào)工艺流程
有两种CMP机理可以解释是如何来进行 (jìnxíng)硅片外表平坦化的:
1) 外表材料与磨料发生化学反响生成一层相对 容易去除的外表层；
2〕这一反响生成的硅片外表层通过磨料中研磨 机和研磨压力与抛光垫的相对运动被机械地磨 去。
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温度（℃）
蚀刻喷淋上压力（Kg/cm2） 蚀刻喷淋下压力（Kg/cm2）
50-52
2.4-2.8 1.8-2.2
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主要参数
项目 蚀刻速度m/min 氨水洗压力（Kg/cm2） 氨水洗浓度（%） 益流水洗（Kg/cm2） 控制范围 2-5 0.8-1.2 8-10 1.4-2.0
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三、蚀刻岗位故障分析及排除
脱膜不完全
可能原因：
1.药液不够 2.药液温度不够 3.喷嘴堵塞 4.干膜贴膜温度过高 5.过滤器堵塞导致喷 淋压力不够
解决方法：
1.添加新药水 2.加热药水至操作温度 3.清洗喷嘴 4.调节贴膜温度 5.清洗过滤器之堵塞物
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下工序
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退膜
一、目的：
除去铜板上覆盖的干膜，露出底铜层 。 二、控制点 退膜不净、溶锡的控制
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主要参数
项目 NaOH浓度（%） 控制范围 4-6
退膜温度（℃） 退膜喷淋压力（Kg/cm2）
水洗压力（Kg/cm2） 速度（m/min）
45-55 2.0-2.6
1.4-2.0 2.0-5.0
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注意事项
1.每班开工前用毛巾擦拭整机外表至干净，检查传送运转正常及行辘 是否粘胶,喷咀畅通无堵塞。 2.每班清洗退膜缸过滤器中过滤网及缸中的过滤网，防止膜渣堵塞过 滤网、喷管、喷嘴，并对退膜缸内四周及缸底清洗干净。每班更换 一次水洗缸清洗过滤网及过滤筒， 3.每天更换一次退膜缸药水，每班分析一次退膜液的含量。 4.巡线人员生产过程中检查退膜后的板面有无退膜不净、溶锡等品质 缺陷，每4个小时巡线检查所有的压力、温度、速度、液位是否正常。 生产过程中，巡线人员发现滤渣要满出网外必须及时清理，防止药 水溢出缸外。 5. 每周对退膜线做一次保养，检查喷嘴有无堵塞。
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外层蚀刻培训资料
编制：ME/高超
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一、概述
目的：蚀刻工序是用去膜液去除非线路部分的物 质，蚀刻掉印制线路以外的裸铜层，如是镀锡 板则除去抗蚀锡层，再经过人工检板，OK板经 QC抽检合格后，即可出至下工序。
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二、工艺流程
镀锡抗蚀流程 图形电镀 退膜 蚀刻 退锡 检查 镀金抗蚀流程 全板镀金 退膜 蚀刻 检查 下工序
解决方法：
· 加热至操作温度 · 调节比重感应器降低传送速度，让药液比 重回复正常 · pH值低加氨水， pH值高加大排气量
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三、蚀刻岗位故障分析及排除
过蚀现象
可能原因：
解决方法：
传送速度太慢， 提高传送速度，翻蚀时把传送调 翻蚀速度太慢。 至快速度。 板上下两面蚀刻不平均
可能原因：
2.0-2.6
1.4-2.0
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注意事项
1.每班清洗退锡缸及水洗缸过滤器中的过滤网，开工前检查所有传送 运行情况、有无破损，检查所有喷淋的喷嘴是否堵塞。 2.巡线人员每4个小时巡线检查所有的压力、温度、速度、液位是否 正常。 3.接板人员必须检查退锡后板面是否有退锡不净、水分等品质缺陷。 4.每周完成保养一次，保养时硫酸废液排入排酸管道，氢氧化钠排入 排碱管道，保养后必须要拆喷架检查喷嘴是否有堵塞。 5.退锡机烘干段每周清洁一次，过滤网须用吸尘器清洁。
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注意事项
1.量产前先做首板，合格后通知生产部做首板给IPQC检查并做记录， 重新确认之前首板参数的稳定性。 2.首板合格后，进行批量生产，蚀刻巡线人员对蚀刻后的板进行检查， 过程板进行监控。 3.每班清洗过滤器中的过滤网，开工前检查所有传送运行情况、有无 破损，检查所有喷淋的喷嘴是否堵塞，合格后批量生产。 4.巡线人员每4个小时巡线检查所有的压力、温度、速度、液位是否 正常，生产过程中检查蚀刻后板面是否有大面积的蚀刻不干净、 溶锡、残铜等品质缺陷。 5.每周完成保养一次，保养时盐酸废液排入排酸管道，保养后必须要 拆喷架检查喷嘴是否有堵塞。 6.每班分析一次蚀刻液的含量和氨水洗浓度，每班更换一次氨水缸。
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蚀刻
一、目的： 用化学的方法将未被干膜保护的部分铜 面蚀刻掉，留下我们所需要的图形。 二、控制点 生产首板及过程的控制蚀刻不净蚀刻过度
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主要参数
项目 母液氯离子g/l 母液铜离子g/l 母液PH 子液氯离子g/l 子液PH 控制范围 170-190 130-150 8.3-8.7 167-173 9.3-9.9
三、蚀刻岗位故障分析及排除
沿线路部分干膜去不净
可能原因：
图形电镀镀层厚度偏厚
解决方法：
1）降低电流密度 2）改film增大线隙 3）使用较厚的干膜 4）加电镀辅助块
பைடு நூலகம்
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三、蚀刻岗位故障分析及排除
蚀刻不完全
可能原因：
· 药液温度不够 · 药液铜含量不符合要求 · 药液pH值不符合要求
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退锡
一、目的： 用退锡水除去线路表面的锡抗蚀层， 得到所需的线路成型图形。 二、控制点 退锡不净
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主要参数
项目 退锡水（N） 退锡速度m/min 温度（℃） 控制范围 3.5-5.8 1-5 20-40
退锡喷淋压力（Kg/cm2）
益流水洗（Kg/cm2）
1.上下两面喷洗压 力不平均 2. 喷嘴堵塞
解决方法：
1. 调节喷嘴压力使上下压力平 均。 2.除去喷嘴堵塞物
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