(完整版)(整理)2集成门电路习题解答.

一、填空1、 CMOS 逻辑电路中 NMOS 管是增强型，PMOS 管是增强型； NMOS 管的体端接地 ，PMOS 管的体端接VDD 。

2、 CMOS 逻辑电路的功耗由 3 部分组成，分别是 动态功耗 、开关过程中的短路功耗和 静态功耗 ；增大器件的阈值 电压有利于减小短路功耗和静态 功耗。

3、饱和负载 NMOS 反相器的 3 个主要缺点是： 输出高电平有阈值损失 、 输出低电平不是 0，与比例因子 Kr 相关 、输出低电平时有静态功耗 。

4、 三态输出电路的 3 种输出状态是： （ 高电平 ） ，（ 低电平 ）和（ 高阻态 ） 。

2、CMOS 工艺可分为 p 阱 、 n 阱 、 双阱 三种。

在CMOS 工艺中，N 阱里形成的晶体管是PMOS3、通常情况下，在IC 中各晶体管之间是由 场氧 来隔离的；该区域的形成用到的制造工艺是 氧化 工艺。

4、集成电路制造过程中，把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指 光刻 ，包括 晶圆涂光刻胶 、 曝光 、 显影 、 烘干 四个步骤；其中曝光方式包括 ① 接触式 、② 非接触式 两种。

5、阈值电压VT 是指 将栅极下面的si 表面从P 型Si 变成N 型Si 所必要的电压，根据阈值电压的不同，常把MOS 区间分成 耗尽型 、 增强型 两种。

降低VT 的措施包括： 降低杂质浓度 、 增大Cox 两种。

1．写出传输门电路主要的三种类型和他们的缺点：（1）NMOS 传输门，缺点：不能正确传输高电平 ； （2）PMOS 传输门，缺点：不能正确传输低电平； （3）CMOS 传输门，缺点：电路规模较大。

2、对于一般的动态逻辑电路，逻辑部分由输出低电平的 NMOS 网组成，输出信号与电源之间插入了栅控制极为时钟信号的 PMOS ,逻辑网与地之间插入了栅控制极为时钟信号的 NMOS二、简答题1. 为什么的PMOS 尺寸通常比NMOS 的尺寸大？答：1）电子迁移率较大，是空穴迁移率的两倍，即μN =2μP 。

第1章 集成电路的基本制造工艺1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。

第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应复 习 思 考 题2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r ，其图形如图题2.2 所示。

提示：先求截锥体的高度up BL epi m c jc epi T x x T T -----=然后利用公式： b a a b WL T r c -∙=/ln 1ρ ， 212∙∙=--BL C E BL S C W L R r ba ab WL Tr c -∙=/ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++=注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。

2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。

2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下 ，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。

给出设计条件如下：答： 解题思路⑪由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ；⑫由设计条件画图①先画发射区引线孔；②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔；③由A D 先画出基区扩散孔的三边；④由B E D -画出基区引线孔；⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；⑥由A D 先画出外延岛的三边；⑦由C B D -画出集电极接触孔；⑧由A D 画出外延岛的另一边；⑨由I d 画出隔离槽的四周；⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V O L 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作的图进行修正，直至满足V V O L 4.0≤的条件。

（CS C O L r I V V 00ES += 及己知V V C 05.00ES =）第3章 集成电路中的无源元件复 习 思 考 题3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。

集成运放电路试题及答案第三章集成运放电路⼀、填空题1、（3-1，低）理想集成运放的A ud= ，K CMR= 。

2、（3-1，低）理想集成运放的开环差模输⼊电阻ri= ，开环差模输出电阻ro= 。

3、（3-1，中）电压⽐较器中集成运放⼯作在⾮线性区，输出电压Uo只有或两种的状态。

4、（3-1，低）集成运放⼯作在线形区的必要条件是___________ 。

5、（3-1，难）集成运放⼯作在⾮线形区的必要条件是__________，特点是___________，___________。

6、（3-1，中）集成运放在输⼊电压为零的情况下，存在⼀定的输出电压，这种现象称为__________。

7、（3-2，低）反相输⼊式的线性集成运放适合放⼤ (a.电流、b.电压) 信号，同相输⼊式的线性集成运放适合放⼤ (a.电流、b.电压)信号。

8、（3-2，中）反相⽐例运算电路组成电压（a.并联、b.串联）负反馈电路，⽽同相⽐例运算电路组成电压（a.并联、b.串联）负反馈电路。

9、（3-2，中）分别选择“反相”或“同相”填⼊下列各空内。

（1）⽐例运算电路中集成运放反相输⼊端为虚地，⽽⽐例运算电路中集成运放两个输⼊端的电位等于输⼊电压。

（2）⽐例运算电路的输⼊电阻⼤，⽽⽐例运算电路的输⼊电阻⼩。

（3）⽐例运算电路的输⼊电流等于零，⽽⽐例运算电路的输⼊电流等于流过反馈电阻中的电流。

（4）⽐例运算电路的⽐例系数⼤于1，⽽⽐例运算电路的⽐例系数⼩于零。

10、（3-2，难）分别填⼊各种放⼤器名称（1）运算电路可实现A u＞1的放⼤器。

（2）运算电路可实现A u＜0的放⼤器。

（3）运算电路可将三⾓波电压转换成⽅波电压。

（4）运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均⼤于零。

（5）运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均⼩于零。

11、（3-3，中）集成放⼤器的⾮线性应⽤电路有、等。

12、（3-3，中）在运算电路中，运算放⼤器⼯作在区；在滞回⽐较器中，运算放⼤器⼯作在区。

第1章数字电路和集成逻辑门电路习题解答思维题和习题1-1填空题1)三极管截止条件为UBE ≤0V三极管饱和导通条件为IB≥IBS三极管饱和导通的IBS为IBS ≥ (VCC-UCES)/β RC2)当栅极电路输出为高电平时的负载是拉电流负载，当输出为低电平时的负载是填充电流负载3)当晶体管用作电子开关时，其工作状态必须是饱和或关断4)74LTL电路的电源电压值和输出电压的高低电平值分别约为5V、2.7V和0.5V74TTL电路的电源电压值和输出电压的高低电平值分别约为5V、2.4V和0.4V5)OC门被称为开集电极门。

多个OC门输出可以并联实现线路和功能CMOS门电路的输入电流始终为零7)不能暂停CMOS门电路的空闲输入。

与门应连接到高电平，或门应连接到低电平。

1-2选择题1) abc常用于以下电路中的总线应用A。

TSL门电路、0C门电路、漏极开路门电路、互补金属氧化物半导体与非门(2)TTL与非门有n个同类门电路，低电平输入电流为1.5毫安，高电平输入电流为10毫安，最大填充电流为15毫安，最大拉电流为400毫安。

选择正确答案n和最多b。

a . n = 5b . n = 10c . n = 20d . n = 403)与TTL数字集成电路相比，CMOS数字集成电路的突出优势是ACD A。

当三极管用作开关时，为了提高开关速度，da .降低饱和深度b .增加饱和深度c .采用有源漏极电路d .采用反饱和三极管5)进行TTL与非门空闲输入处理，可以使用ABDa。

连接到电源b，连接到电源c，连接到地d，通过电阻3kω并联连接到有用输入6)。

光盘可以在以下电路中实现“线和”功能当A与非门b三态输出门c打开集电极门d打开漏极门7)三态门输出高阻抗状态时，ABD是正确的a .使用电压表测量指针不动b .相当于暂停c .电压不是高或低d .测量电阻指针不动8)已知正向电压降UD = 1.7V，参考工作电流ID = 10mA，TTL门的输出高和低电平分别为UOH = 3.6V，UOL = 0.3V，允许充电电流和牵引电流分别为IOL = 15mA，IOH = 4mA那么电阻r应该选择d。

第三章集成逻辑门电路一、选择题1、三态门输出高阻状态时,( )就是正确的说法。

A、用电压表测量指针不动B、相当于悬空C、电压不高不低D、测量电阻指针不动2、以下电路中可以实现“线与”功能的有( )。

A、与非门B、三态输出门C、集电极开路门D、漏极开路门3.以下电路中常用于总线应用的有( )。

A、TSL门B、OC门C、漏极开路门D、CMOS与非门4.逻辑表达式Y=AB可以用( )实现。

A、正或门B、正非门C、正与门D、负或门5.TTL电路在正逻辑系统中,以下各种输入中( )相当于输入逻辑“1”。

A、悬空B、通过电阻2、7kΩ接电源C、通过电阻2、7kΩ接地D、通过电阻510Ω接地6.对于TTL与非门闲置输入端的处理,可以( )。

A、接电源B、通过电阻3kΩ接电源C、接地D、与有用输入端并联7.要使TTL与非门工作在转折区,可使输入端对地外接电阻RI( )。

A、＞RONB、＜ROFFC、ROFF＜RI＜ROND、＞ROFF8.三极管作为开关使用时,要提高开关速度,可( )。

A、降低饱与深度B、增加饱与深度C、采用有源泄放回路D、采用抗饱与三极管9.CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点就是( )。

A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽10.与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为( )。

A、CT74S肖特基系列B、 CT74LS低功耗肖特基系列C、CT74L低功耗系列D、 CT74H高速系列11.电路如图(a),(b)所示,设开关闭合为1、断开为0;灯亮为1、灯灭为0。

F 对开关A、B、C的逻辑函数表达式( )。

F1F 2(a)(b)Ａ.C AB F =1 )(2B A C F +=Ｂ.C AB F =1 )(2B A C F +=Ｃ. C B A F =2 )(2B A C F +=12.某TTL 反相器的主要参数为IIH ＝20μA;IIL ＝1、4ｍA;IOH ＝400μA;水IOL ＝14ｍA,带同样的门数( )。

第7章 集成运放组成的运算电路本章教学基本要求本章介绍了集成运放的比例、加减、积分、微分、对数、指数和乘法等模拟运算电路及其应用电路以及集成运放在实际应用中的几个问题。

表为本章的教学基本要求。

表 第7章教学内容与要求学完本章后应能运用虚短和虚断概念分析各种运算电路，掌握比例、求和、积分电路的工作原理和输出与输入的函数关系，理解微分电路、对数运算电路、模拟乘法器的工作原理和输出与输入的函数关系，并能根据需要合理选择上述有关电路。

本章主要知识点1. 集成运放线性应用和非线性应用的特点由于实际集成运放与理想集成运放比较接近，因此在分析、计算应用电路时，用理想集成运放代替实际集成运放所带来的误差并不严重，在一般工程计算中是允许的。

本章中凡未特别说明，均将集成运放视为理想集成运放。

集成运放的应用划分为两大类：线性应用和非线性应用。

(1) 线性应用及其特点集成运放工作在线性区必须引入深度负反馈或是兼有正反馈而以负反馈为主，此时其输出量与净输入量成线性关系，但是整个应用电路的输出和输入也可能是非线性关系。

集成运放工作在线性区时，它的输出信号o U 和输入信号（同相输入端+U 和反相输入端-U 之差）满足式（7-1）)(od o -+-=U U A U (7-1)在理想情况下，集成运放工作于线性区满足虚短和虚断。

虚短：是指运放两个输入端之间的电压几乎等于零；虚断：是指运放两个输入端的电流几乎等于零。

即虚短：0≈-+-U U 或 +-≈U U 虚断：0≈=+-I I(2) 非线性应用及其特点非线性应用中集成运放工作在非线性区，电路为开环或正反馈状态，集成运放的输出量与净输入量成非线性关系)(od o +--≠U U A U 。

输入端有很微小的变化量时，输出电压为正饱和电压或负饱和电压值（饱和电压接近正、负电源电压），+-=U U 为两种状态的转折点。

即当+->U U 时，OL o U U = 当+-<U U 时，OH o U U =非线性应用中，集成运放在理想情况下，满足虚断，即0≈=+-I I 。

精品文档自我检测题1.CMOS 门电路采用推拉式输出的主要优点是提高速度，改善负载特性。

2.CMOS 与非门多余输入端的处理方法是接高电平，接电源，与其它信号引脚并在一起。

3.CMOS 或非门多余输入端的处理方法是接低电平，接地，与其它信号引脚并接在一起。

4.CMOS 门电路的灌电流负载发生在输出低电平情况下。

负载电流越大，则门电路输出电压越高。

5.CMOS 门电路的静态功耗很低。

随着输入信号频率的增加，功耗将会增加。

6.OD 门在使用时输出端应接上拉电阻和电源。

7.三态门有3 种输出状态：0 态、1 态和高阻态。

8.当多个三态门的输出端连在一条总线上时，应注意任何时刻只能有一个门电路处于工作态。

9.在CMOS 门电路中，输出端能并联使用的电路有 OD 门和三态门；10.CMOS 传输门可以用来传输数字信号或模拟信号。

11.提高LSTTL 门电路工作速度的两项主要措施是采用肖特基三极管和采用有源泄放电路。

12.当CMOS 反相器的电源电压V DD＜V TN+ V TP （V TN、V TP分别为NMOS 管和PMOS管的开启电压）时能正常工作吗？答：不能正常工作，因为，当反相器输入电压为1/2V DD时，将出现两只管子同时截止的现象，这是不允许的。

13.CMOS 反相器能作为放大器用吗？答：可以。

在反相器的两端跨接了一个反馈电阻R f就可构成高增益放大器。

由于CMOS 门电路的输入电流几乎等于零，所以R f上没有压降，静态时反相器必然工作在v I=v O的状态，v I=v O=V T=V DD/ 2 就是反相器的静态工作点。

反相器的输入电压稍有变化，输出就发生很大变化。

14.如果电源电压增加5%，或者内部和负载电容增加5%，你认为哪种情况会对CMOS 电路的功耗产生较大影响？解：根据公式P D=（C L+C PD）V DD2f，电源的变化对功耗影响更大。

15.当不同系列门电路互连时，要考虑哪几个电压和电流参数？这些参数应满足怎样的关系？解：应考虑以下参数：V OH（min）、V IH（min）、V OL（max）、V IL（max）、I OH（max）、I OL（max）、I IH（max），I IL（max），这些参数应满足以下条件：V OH（min）≥V IH（min）精品文档V OL（max）≤V IL（max）I OH（max）≥ nI IH（max）I OL（max）≥ m I IL（max）16.已知图T2.16 所示电路中各MOSFET 管的V T =2V，若忽略电阻上的压降，则电路中的管子处于导通状态。

思考题与习题1-1 填空题1）三极管截止的条件是U BE ≤0V。

三极管饱和导通的条件是I B≥I BS。

三极管饱和导通的I BS是I BS≥（V CC－U CES）/βRc。

2）门电路输出为高电平时的负载为拉电流负载，输出为低电平时的负载为灌电流负载。

3）晶体三极管作为电子开关时，其工作状态必须为饱和状态或截止状态。

4） 74LSTTL电路的电源电压值和输出电压的高、低电平值依次约为 5V、2.7V、0.5V 。

74TTL电路的电源电压值和输出电压的高、低电平值依次约为 5V、2.4V、0.4V 。

5）OC门称为集电极开路门门，多个OC门输出端并联到一起可实现线与功能。

6） CMOS 门电路的输入电流始终为零。

7） CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。

1-2 选择题1）以下电路中常用于总线应用的有 abc 。

A.TSL门B.OC门C.漏极开路门D.CMOS与非门2）TTL与非门带同类门的个数为N，其低电平输入电流为1.5mA，高电平输入电流为10uA，最大灌电流为15mA，最大拉电流为400uA，选择正确答案N最大为 B 。

A.N=5B.N=10C.N=20D.N=403）CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是 ACD 。

A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽4）三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可 D 。

A.降低饱和深度B.增加饱和深度C.采用有源泄放回路D.采用抗饱和三极管5）对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以 ABD 。

A.接电源B.通过电阻3kΩ接电源C.接地D.与有用输入端并联6）以下电路中可以实现“线与”功能的有 CD 。

A.与非门B.三态输出门C.集电极开路门D.漏极开路门7）三态门输出高阻状态时， ABD 是正确的说法。

A.用电压表测量指针不动B.相当于悬空C.电压不高不低D.测量电阻指针不动8）已知发光二极管的正向压降U D = 1.7V ，参考工作电流I D = 10mA ， 某TTL 门输出的高低电平分别为U OH = 3.6V ，U OL = 0.3V ，允许的灌电流和拉电流分别为 I OL = 15mA ，I OH = 4mA 。

第7章集成运放组成的运算电路本章教学基本要求本章介绍了集成运放的比例、加减、积分、微分、对数、指数和乘法等模拟运算电路及其应用电路以及集成运放在实际应用中的几个问题。

表为本章的教学基本要求。

学完本章后应能运用虚短和虚断概念分析各种运算电路，掌握比例、求和、积分电路的工作原理和输岀与输入的函数关系，理解微分电路、对数运算电路、模拟乘法器的工作原理和输出与输入的函数关系，并能根据需要合理选择上述有关电路。

本章主要知识点1.集成运放线性应用和非线性应用的特点由于实际集成运放与理想集成运放比较接近，因此在分析、计算应用电路时，用理想集成运放代替实际集成运放所带来的误差并不严重，在一般工程计算中是允许的。

本章中凡未特别说明，均将集成运放视为理想集成运放。

集成运放的应用划分为两大类：线性应用和非线性应用。

（1）线性应用及其特点集成运放工作在线性区必须引入深度负反馈或是兼有正反馈而以负反馈为主，此时苴输出量与净输入量成线性关系，但是整个应用电路的输出和输入也可能是非线性关系。

集成运放工作在线性区时，它的输出信号/和输入信号（同相输入端"+和反相输入端〃一之差）满足式（7-1）〃。

=尙0+-工）（7-1）在理想情况下，集成运放工作于线性区满足虚短和虚断。

虚短：是指运放两个输入端之间的电压几乎等于零：虚断：是指运放两个输入端的电流几乎等于零。

即虚短：LL-U+"或虚断：/_ = /+能0(2)非线性应用及其特点非线性应用中集成运放工作在非线性区，电路为开坏或正反馈状态，集成运放的输出量与净输入量成非线性关系人工A°dQ_-6/+)。

输入端有很微小的变化量时，输出电压为正饱和电压或负饱和电压值(饱和电压接近正、负电源电压)，u_=u+为两种状态的转折点。

即当u_>u+时，u o = u OL当时，U°=U OH非线性应用中，集成运放在理想情况下，满足虚断，即/_=/+«0o2.运算电路及其分析方法基本运算电路的共同特点是集成运放接成负反馈形式，工作在线性放大状态，集成运放满足虚短和虚断。

第三章集成逻辑门电路一、选择题1. 三态门输出高阻状态时，（）是正确的说法。

A.用电压表测量指针不动B.相当于悬空C.电压不高不低D.测量电阻指针不动2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有（）。

A.与非门B.三态输出门C.集电极开路门D.漏极开路门3．以下电路中常用于总线应用的有（）。

A.TSL门B.OC门C. 漏极开路门D.CMOS与非门4．逻辑表达式Y=AB可以用（）实现。

A.正或门B.正非门C.正与门D.负或门5．TTL电路在正逻辑系统中，以下各种输入中（）相当于输入逻辑“1”。

A.悬空B.通过电阻2.7kΩ接电源C.通过电阻2.7kΩ接地D.通过电阻510Ω接地6．对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以（）。

A.接电源B.通过电阻3kΩ接电源C.接地D.与有用输入端并联7．要使TTL与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻RI（）。

A.＞RONB.＜ROFFC.ROFF＜RI＜ROND.＞ROFF8．三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可( )。

A.降低饱和深度B.增加饱和深度C.采用有源泄放回路D.采用抗饱和三极管9．CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。

A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽10．与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为（）。

A.CT74S肖特基系列B. CT74LS低功耗肖特基系列C.CT74L低功耗系列D. CT74H高速系列11．电路如图（a），（b）所示，设开关闭合为1、断开为0；灯亮为1、灯灭为0。

F 对开关A、B、C的逻辑函数表达式（）。

F1F2 (a)(b)Ａ．C AB F =1 )(2B A C F += Ｂ．C AB F =1 )(2B A C F +=Ｃ． C B A F =2 )(2B A C F +=12．某TTL 反相器的主要参数为IIH ＝20μA ；IIL ＝1.4ｍA ；IOH ＝400μA ；水IOL ＝14ｍA ，带同样的门数（ ）。

思考题与习题1-1 填空题1）三极管截止的条件是U BE ≤0V。

三极管饱和导通的条件是I B≥I BS。

三极管饱和导通的I BS是I BS≥（V CC－U CES）/βRc。

2）门电路输出为高电平时的负载为拉电流负载，输出为低电平时的负载为灌电流负载。

3）晶体三极管作为电子开关时，其工作状态必须为饱和状态或截止状态。

4） 74LSTTL电路的电源电压值和输出电压的高、低电平值依次约为 5V、2.7V、0.5V 。

74TTL电路的电源电压值和输出电压的高、低电平值依次约为 5V、2.4V、0.4V 。

5）OC门称为集电极开路门门，多个OC门输出端并联到一起可实现线与功能。

6） CMOS 门电路的输入电流始终为零。

7） CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。

1-2 选择题1）以下电路中常用于总线应用的有 abc 。

A.TSL门B.OC门C.漏极开路门D.CMOS与非门2）TTL与非门带同类门的个数为N，其低电平输入电流为1.5mA，高电平输入电流为10uA，最大灌电流为15mA，最大拉电流为400uA，选择正确答案N最大为 B 。

A.N=5B.N=10C.N=20D.N=403）CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是 ACD 。

A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽4）三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可 D 。

A.降低饱和深度B.增加饱和深度C.采用有源泄放回路D.采用抗饱和三极管5）对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以 ABD 。

A.接电源B.通过电阻3kΩ接电源C.接地D.与有用输入端并联6）以下电路中可以实现“线与”功能的有 CD 。

A.与非门B.三态输出门C.集电极开路门D.漏极开路门7）三态门输出高阻状态时， ABD 是正确的说法。

A.用电压表测量指针不动B.相当于悬空C.电压不高不低D.测量电阻指针不动8）已知发光二极管的正向压降U D = 1.7V ，参考工作电流I D = 10mA ， 某TTL 门输出的高低电平分别为U OH = 3.6V ，U OL = 0.3V ，允许的灌电流和拉电流分别为 I OL = 15mA ，I OH = 4mA 。

第7章 集成逻辑门习题解答【7-1】 选择填空：1．在数字电路中，稳态时晶体管一般工作在 开关（放大，开关）状态。

在图中，若u I <0，则晶体管T （截止，饱和），此时u O = (5V ,3.7V ,2.3V)；欲使晶体管处于饱和状态，u I 需满足的条件为 （a. I 0u > b.I CC b c 0.7u V R R β-≥ c. I CCb c0.7u V R R β-<)。

在电路中其他参数不变的条件下，仅R b 减小时，晶体管的饱和程度 （减轻，加深，不变）；仅R c 减小时，饱和程度 （减轻，加深，不变），饱和压降U CES (增大，减小，不变)。

图7-1(a)中C 的作用是 （去耦，加速，隔直）。

2．由TTL 门组成的电路如图7-1(b)所示，已知它们的输入短路电流为I Is =1.6mA ，高电平输入漏电流I IH =40μA 。

试问：当A =B =1时，G 1的 （拉，灌）电流为 ；A =0时，G 1的 （拉，灌）电流为 。

3G A B图7-1(a) 图7-1(b)3．图7-1(c)中示出了某门电路的特性曲线，试据此确定它的下列参数：输出高电平U OH = ；输出低电平U OL = ；输入短路电流I IS = ；高电平输入漏电流I IH = ；阈值电平U T = ；开门电平U ON = ；关门电平U OFF = ；低电平噪声容限U NL = ；高电平噪声容限U NH = ；最大灌电流I OLmax = ；扇出系数N o =。

I1.5VOH u iOLu图7-1(c)4．TTL 门电路输入端悬空时，应视为 （高电平，低电平，不定）；此时如用万用表测量输入端的电压，读数约为 （3.6V ，0V ，1.4V ）。

5．集电极开路门（OC 门）在使用时须在 （输出与地，输出与输入，输出与电源）之间接一电阻。

6．CMOS 门电路的特点：静态功耗 （很大，极低）；而动态功耗随着工作频率的提高而 （增加，减小，不变）；输入电阻 （很大，很小）；噪声容限 （高，低，等）于TTL 门。