qEH=qvB 当霍尔片宽度为b,厚度为d, 载流子浓度为n:
Is=J*S=nevbd
VH
EHb
JsBb ne
1 ne
IsB d
RH
IsB d
只要测出VH(V)以及知道Is(A)、 B(G)和d(cm)可按下式计算RH:
RH
VH d IsB
KHd
霍尔器件对材料的要求
要得到大的霍尔电压
关键是选择霍尔系数大 (即迁移率高、电导率 低)。半导体迁移率高 电阻率适中是制造霍尔 元件较理想的材料。
一般将这类具有优良离子导电能力(s=0.1~10 S·cm-1) 的材料称做快离子导体 (Fast Ion Conductor )或固体电解质(Solid Electrolyte), 也有称作超离子导体(Super Ion Conductor)。
Tubandt电解法
载流子测定多采用:电解、浓差电池和电导 率测定等方法。
霍尔系数
若载流子浓度为ni: RH=±(1/niqi),
由=niqii,得 H=RH H:Hall迁移率
RH
EH J x B0
1 RH ne
Hall效应是电子电 导的特征,Hall系 数的正负与载流子 电荷一致。
RH
1 nie
,
ni
电子浓度
RH
1 nie , ni
空穴浓度
N型 P型
霍尔电压
对于图中a所示的N型半导体, 若在x轴方向通以电流Is,在z轴方 向加磁场B。载流子所受的电场 力与洛伦兹力相等时,样品两侧 电荷积累达到动态平衡:
I 2
1 ( r12
1 r24
)
V3
I 2
1 ( r13
1 r34