边缘刻蚀质量控制及检测-质量问题
➢刻蚀时间不足: 电池的并联电阻下降。
➢射频功率过高: 等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰
击损伤,导致边缘区域的电性能变差从而使电池的性能下 降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
边缘刻蚀质量控制及检测-质量问题
➢ 刻蚀时间过长: 刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时
等离子刻蚀操作流程
等离子刻蚀质量控制-工艺参数
工艺参数
负载容量 (片)
286
工作气体流量(sccm)
CF4
O2
N2
210
21
--
气压 辉光功率 反射功率 (mbar) (W) (W)
100
500
0
预抽 80
主抽
工作阶段时间(s)
充气
辉光
600
辉光颜色
腔体内呈 乳白色, 腔壁处呈 淡紫色
等离子体刻蚀拟解决的问题
➢刻蚀均匀性的控制 ➢刻蚀效果监测
PECVD镀SiNx:H薄膜-单层介质减反射膜
n0
n1d1 0/4
n2
r1
r2
1
δ1
2
n12 n0 n2
n1d1 0 / 4
0
r 0, R 0
减反膜对硅片反射率的影响
PECVD镀SiNx:H薄膜-SiNx的优点
➢SiNx的优点:
➢ 这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。
等离子刻蚀的基本原理
等离子刻蚀的基本原理
➢ 母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或 离子。
CF e CF , CF , CF, F, C以及它们的离子
4
3
2