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模电模块三习题册答案模电模块三习题册是电子工程专业的一门重要课程，通过解答习题可以帮助学生巩固所学的电路分析和设计知识。
在这篇文章中，我将为大家提供一些模电模块三习题册的答案，希望对大家的学习有所帮助。
第一题：给定一个电路，其输入电压为10V，电阻为100Ω，求电路中的电流和电压。
解答：根据欧姆定律，电流可以通过公式I = V/R计算得出，其中V为电压，R 为电阻。
所以，电流I = 10V / 100Ω = 0.1A。
而电压等于电流乘以电阻，即V = I * R = 0.1A * 100Ω = 10V。
因此，电路中的电流为0.1A，电压为10V。
第二题：给定一个电路，其输入电压为5V，电感为0.1H，电容为0.01F，求电路中的谐振频率。
解答：根据谐振频率的公式f = 1 / (2π√(LC))，其中L为电感，C为电容。
将给定的数值代入公式中，可以计算得出谐振频率。
所以，f = 1 / (2π√(0.1H *0.01F)) = 1 / (2π√(0.001)) ≈ 159.15Hz。
因此，电路中的谐振频率约为159.15Hz。
第三题：给定一个放大电路，其输入电压为1V，输入电阻为10kΩ，放大倍数为100，求输出电压和输出电流。
解答：根据放大倍数的定义，输出电压等于输入电压乘以放大倍数。
所以，输出电压Vout = 1V * 100 = 100V。
而输出电流可以通过输出电压除以输出电阻得出，即Iout = Vout / Rout。
由于题目中没有给出输出电阻的数值，无法计算出具体的输出电流。
第四题：给定一个滤波电路，其输入电压为10V，电容为1μF，电阻为1kΩ，求电路中的输出电压。
解答：滤波电路可以通过电容和电阻的组合来实现对输入信号的滤波。
在这个电路中，电容和电阻的组合决定了滤波的特性。
根据滤波电路的公式Vout = Vin / (1 + jωRC)，其中Vin为输入电压，ω为角频率，R为电阻，C为电容。
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
3VO-9.3V8.5V第三章双极型晶体管及其基本放大电路【3・1】填空：1. 双极型晶体管可以分成 _____________ 和 ________________两种类型，它们工作 时有 _________ 和 ________ 两种载流子参与导电。
2. 当温度升高时，双极性晶体管的0将 _______ ,反向饱和电流©0将 _________ ， 正I 对结圧降S JE 将 ______ °3. 当使用万用表判断电路中处于放大状态的某个双极型晶体管的类型与三个电极时, 测出 ____________________ 报为方便。
4. 当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 _______________ ,输岀特性曲线 将 ___________ ,而且输岀特性|11|线Z 间的间隔将_____________ 。
[3-2]用力•用表肓流电斥档测得电路屮晶体管各极对地电位如图3・2所示，试判断晶体管分别处于哪种T 作状态（饱和、截止、放大）?图3-2[3-3]分别画岀图3・3所不备电路的肯流通路和交流通路。
I2.3V+6V（(b )a 3-3R B 490kQo-K cc(-10V) R C3kO<11K■o+ "BEa 3-5”CE %3kQ【34】放大电路如图3・4(a)所示，晶体管的输出特性Illi线以及放大电路的交、直流负载线如图34(b)所示。
设U BE=0.6V,张=3000，试问：1.计算心、瓦、他。
2・若不断加大输入正弦波电压的幅值，该电路先出现截止失真还是饱和失真？刚出现失真时，输出电压的峰峰值为多大？3.计算放大电路的输入电阻、电压放大倍数久和输出电阻。
4.若电路中其他参数不变，只将晶体管换一个0值小一半的管子，这时厶。
、心、Ug以及|血|将如何变化？【3・5】在如图3・5所示的基木放大电路中，设晶体管的/?=100, t7BE Q=-0.2V, r bb-200Q, Ci，C2足够大。
【2-1】 填空：1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。
两种载流子的浓度 。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3．漂移电流是 在 作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。
5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。
它工作在 。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2. 杂质浓度，温度。
3. 少数载流子，(内)电场力。
4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示，其中u i =20sinωt (mV)，f =1kHz ，试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。
假设电容C 容量足够大。
-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1．静态分析静态，是指u i =0，这时u i 视作短路，C 对直流视作开路，其等效电路如图1.4.2(a)所示。
不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析，也可以根据二极管的伏安特性曲线，用图解法求解。
2．动态分析对于交流信号，直流电源和电容C 视作短路；二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内，故可用动态电阻r d 等效，且D d D1ir u ∆=∆，由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。
二极管伏安特性方程：)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ，故式1.4.1可简化为：TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3．交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4．u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
《模拟电子电路》练习册（答案）第一讲练习题填空1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（扩散）运动，另一种称为（漂移）运动。
2．半导体中有两种载流子：一种是（自由电子）、另一种是（空穴）。
3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀）而引起的。
4．半导体中的漂移运动是由于载流子（在电场的作用下）而引起的。
5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（少）。
6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成（N ）型半导体。
7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成（P ）型半导体。
8．N型半导体中空穴是（少数）载流子。
9．P型半导体中空穴是（多数）载流子。
10．P型半导体中自由电子是（少数）载流子。
11．N型半导体中自由电子是( 多数）载流子。
12．PN结中的电流当温度升高时将会（增加）。
13．二极管的主要特性是它的（单向导电性）。
14．二极管的正向电阻比反向电阻（小）得多。
15．二极管的伏安特性是I = Is（e x p V / Vt —1 ）。
16．硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。
17．锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。
18．稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。
选择 ( 黑体字为答案 )21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体）。
22.半导体中的扩散运动是由于（载流子浓度的不均匀）而形成。
23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。
24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。
25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。
26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽），流过PN结的电流(很小）。
27. P型半导体中空穴是(多数载流子）。
28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。
29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴），形成(P ) 型半导体。
30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。
31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
模拟电子技术课程习题第一章习题1-1 PN 结上存在内电场，用导线将P 区端和N 区端短接起来，导线中是否有电流流过？若加光照或加热，导线中是否有电流？为什么？1-2 如用万用表的电阻档测量二极管的正向电阻时，发现用R ×10档测出的电阻值较用R ×100档测得的电阻值小，试用伏安特性曲线解释。
1-3 如图题1.3所示，试判断电路中哪个二极管导通，哪个二极管截止?设各二极管导通时的正向压降为0.7V ，求U 0。
(a) （b ）题1-3图1-4一个二极管工作在正向导通阶段是否有稳压作用?稳压管工作在正向导通阶段是否有稳压作用。
为什么?1-5两只稳压管的稳定电压分别是4V 和6V ，它们的正向导通电压为O ．7V ，试问用它们串联和并联可以得到几种稳压值?1-6 如图1-6所示，若电源电压的有效值为12V ， A 、B 、C 为三只相同的灯泡，问哪只灯泡最亮，并求各灯泡两端电压的平均值。
题1-6图1-7 有人用万用表测量二极管反向电阻时，为了使表棒和二极管引线接触好一些，用双手把两端捏紧，结果测得二极管的反向电阻比较小，认为不合格，但在设备上却正常工作，这是什么原因？这样的操作和判断是否正确?为什么?1-8要使稳压性能好，稳压管的稳压值是大一些好还是小一些好?工作电流是大一些好还是小一些好?温度系数是大一些好还是小一些好?1-9既然三极管有两个PN 结，可否用两个二极管相联以构成一只三极管？说明理由。
1-10 一只NPN型的三极管，具有e、b、c三个电极，能否将e、c两个电极交换使用？为什么？1-11一块正常工作的放大电路板上，测得某晶体管的三只管脚对地电压分别为-6V,-6.2V,-9V，试问这只晶体三极管是PNP型还是NPN型？是锗管还是硅管？并确定各管脚哪个是基极、发射极、集电极。
1-12 测量某硅三极管的各极对地电压值如下：1）V C=6V，V B=7V，V E=0V；2）V C=6V，V B=67V，V E=5.4V; V C=3.6V，V B=47V，V E=3.40V 试判别管子工作在什么区域?1-13能不能用鉴别晶体管的简易方法来鉴别场效应管的三个电极和它的性能好坏?1-14 场效应管的跨导是大一些好还是小一些好？如果管子已经确定，为了使跨导大一些应该如何改变U GS的变化范围？第二章习题2-1 说明如图2-1放大电路中的R B和R C的作用。
模电习题（含答案）1. _⾮常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。
2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体，前者中多数载流⼦是_⾃由电⼦_，少数载流⼦是_空⽳_，后者中多数载流⼦是_空⽳_，少数载流⼦是_⾃由电⼦_。
3. 本征硅中若掺⼊5价元素的元素，则多数载流⼦应是_⾃由电⼦_，掺杂越多，则其数量⼀定越_多_，相反，少数载流⼦应是_空⽳_，掺杂越多，则其数量⼀定越_少_。
4. P 区侧应带_负电_，N 曲⼀侧应带_正电_。
空间电荷区内的电场称为_内电场_，其⽅向从_N 区_指向_P 区_。
5. 在PN 结两侧外加直流电压，正端与P 区相连，负端与N 区相连，这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。
6. 半导体三极管的输⼊特性曲线与⼆极管的正向特性相似，⽽输出特性曲线可以划分为三个⼯作区域，它们是_截⽌_区、_饱和_区和_放⼤_区。
7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升⾼时，半导体三极管的β值_增⼤_，ICBO 值_增⼤_，UBE 值_减⼩_。
8. 半导体三极管能够放⼤信号，除了内部结构和⼯艺特点满⾜要求外，还必须具备的外部⼯作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。
9. ⼯作在放⼤区的某晶体管，当IB 从20微安增⼤到40微安时，Ic 从2毫安变为4毫安，它的β值约为_100_。
10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。
11. NPN 型硅三极管处于放⼤状态时，在三个电极电位中，其电位⾼低关系为_E B C U U U >>_；基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。
12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两⼤类，他们⼯作时有_⾃由电⼦_、_空⽳_两种载流⼦参与导电。
13. 在⽤万⽤表测量⼆极管的过程中，如果测得⼆极管的正反向电阻都为0Ω，说明该⼆极管内部已_击穿_；如果所测得的正反向电阻都为⽆穷，说明该⼆极管已_断路损坏_。
电路与模拟电子技术模拟试卷19一、判断题( 20分 ) （注：请在每小题后（ ）内用“√”表示对，用“×”表示错）1.（2分）在电路分析中，计算两点之间的电位差时，与所选参考点无关。
（ ）2.（2分）在电路中电压源和电流源只能发出功率，不能吸收功率。
（ ）3.（2分）在电压近似不变的供电系统中，负载增加相当于负载电阻减小。
（ ）4.（2分）叠加原理只适用于线性电路的电压、电流和功率的计算。
（ ）5.（2分）同一个一阶电路的零状态响应、零输入响应和全响应具有相同的时间常数。
（ ）6.（2分）正弦交流电路中，频率越高则电感越大、电容越小。
（ ）7.（2分）正弦电路中两个元件串联时，若U 1=10V ，U 2=15V ，则总电压U=U 1+U 2=25V 。
（ ）8.（2分）三相对称负载联成三角形时，线电流是倍，且相位比对应的相电流超前30°。
（ ） 9.（2分）在三相电路中cos ϕ=L L P I ，ϕ为线电压与线电流之间的相位差。
( ）10.（2分）如果一个电感元件，其两端的电压为零，则电感无储能。
（ ）二、选择题（29分）（注：在每小题的备选答案中选择合适的答案编号填入该题空白处）1.（3分）通常电路中的耗能元件为＿＿＿＿。
A.电阻元件B.电感元件C.电容元件D.电压源E.电流源。
2．（3分）AB 间的等效电阻为＿＿＿＿。
A. 2ΩB. 2.5ΩC. 4ΩD. 5Ω3．（3分）如图(1)所示电路的最简形式为 。
4．（3分）如图所示电路，电流I 为。
A ．-2AB ．-1AC ．1AD ．2A5．（3分）交流负载消耗的60W P =，80Var Q =，其实在功率S 为 。
A ．−20VAB ．20VAC ．100VAD ．140VA6．（3分）RC 串联的复阻抗为 。
A ．1R C −ω B ．j R C −ω C ．1j R C+ω D ．1j R C +ω7．（3分）一阶电路的时间常数主要取决于_________。
说明：① 用于训练和评价课程目标1的达成。
② 每个学生独立完成。
1-1、设二极管D 的正向导通压降为0.7V ，选择二极管D 的近似模型（画出模型）并判断其工作状态，计算A 点的电位。
1-2、设二极管均为理想二极管，判断各二极管的工作状态并依据二极管的工作状态画出电路（消除二极管后）的等效模型，列出求AB 间电压的表达式（数学模型）并计算。
1-3、已知V1等于5V ，V2等于0.3V ；LED 的正向导通电压降落为1.7V ，导通电流范围为8~10mA ；写出求电阻R1大小的数学模型表达式并选择一个电阻R1的标称值。
1-4、设三极管T 导通时U BE 为0.7V ，β为100；在E1分别等于0V 、1V 、2V 时，分析判别三极管T 的工作状态（给出判断依据），同时分别写出求AB 间电压的表达式（数学模型）并计算。
ΩABABLED1-5、设三极管T 导通时U BE 为0.7V ，饱和管压降U BES 为0.5V ，β为100；在下列情况下，分别判别三极管T 的工作状态，同时分别写出求AB 间电压的数学模型表达式并给出结果。
①正常情况；②R1开路；③R2开路；④R2短路；⑤R3开路。
1-6、已知三极管β=80，Rc =1k Ω ，r be =200Ω ，Vcc =12V ，R L =1k Ω ，U CEQ =7.5V ，U BEQ =0.7V ；写出估算电阻Rb 大小的相关数学模型表达式并依次计算；写出求空载时交流电压放大倍数和带负载时交流电压放大倍数的数学模型表达式并计算出结果。
1-7、多级放大电路中，阻容耦合和直接耦合各有什么特点？如何根据输入信号类型来选择阻容耦合还是直接耦合电路模型? 如何根据对信号放大的频率特性要求来选择阻容耦合还是直接耦合电路模型?ABR1R2。
1.在本征半导体中加入（D）元素可形成N型半导体。
A.二价B.三价C.四价D.五价2.稳压管是工作在（C）区的二极管。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向导通3.PNP三极管工作在放大状态时，U BE和U BC需满足的关系是（B）。
A.U BE>0，U BC<0B.U BE<0，U BC>0C.U BE<0，U BC<0D.U BE>0，U BC>04. 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图所示，该晶体管的类型是（A）。
A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管5.PN结加反向电压时，空间电荷区将（C）。
A、变窄B、基本不变C、变宽D、不确定6. 半导体稳压二极管正常稳压时，应工作于（A ）A 反向偏置击穿区B 反向偏置未击穿区C 正向偏置导通状态D 正向偏置未导通状态7. 三极管的工作机理是（A ）A 输入电流控制输出电流B 输入电流控制输出电压C 输入电压控制输出电流D 输入电压控制输出电压8．PN结反向偏置时，其内电场被（B）。
A．削弱B．增强C．不变D．不确定9．放大电路中，已知UA=－9V, UB=－6.2V,UC=－6V,则该三级管是（B）。
A. NPN ，硅管B.PNP, 锗管C.NPN, 锗管D.PNP, 硅管10. PN 结形成后，空间电荷区由（B ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴11．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ） 。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B. P 沟道结型场效应管C ．N 沟道增强型MOS 管 D. N 沟道耗尽型MOS 管12.两个参数完全相同的放大电路串联起来后，总的上限频率H f 和下限频率L f 将发生怎样改变（ B ）A.H f 升高，L f 降低B.H f 降低，L f 升高C .H f 、L f 均升高 D.H f 、L f 均降低13.在共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO 将（ B ）。
半导体二极管及其基本电路例1．求图所示电路的静态工作点电压和电流。
解：（1）图解分析法首先把电路分为线性和非线性两部分，然后分别列出它们的端特性方程。
在线性部分，其端特性方程为Ｖ＝Ｖ1－ＩＲ将相应的负载线画在二极管的伏安特性曲线上，如图所示，其交点便是所求的（ＩQ，ＶQ）。
（2）模型分析法①理想二极管模型Ｖ＝0，Ｉ＝Ｖ1／Ｒ②恒压降模型设为硅管，Ｖ＝0.7V，Ｉ＝（Ｖ1－Ｖ）／Ｒ例2．图所示电路中，设Ｄ为理想二极管，试画出其传输特性曲线（Ｖo～Ｖi）。
解：（1）ｖi<0，二极管Ｄ1、Ｄ2均截止，ｖo=2.5V。
（2）ｖi>0当0<ｖi<2.5V时，二极管Ｄ1、Ｄ2均截止，ｖo=2.5V；当ｖi>2.5V时，Ｄ1导通，假设此时Ｄ2尚未导通，则ｖo=(2/3)．(vi-2.5)+2.5V；令ｖo=10V，则ｖi=13.75V，可见当ｖi>13.25V时，Ｄ1、Ｄ2均导通，此时ｖo=10V。
传输特性曲线略。
例3．试判断图中二极管是导通还是截止？并求出AO两端电压ＶA0。
设二极管为理想的。
解：分析方法：（1）将D1、D2从电路中断开，分别出D1、D2两端的电压；（2）根据二极管的单向导电性，二极管承受正向电压则导通，反之则截止。
若两管都承受正向电压，则正向电压大的管子优先导通，然后再按以上方法分析其它管子的工作情况。
本题中：Ｖ12=12V，Ｖ34=12+4=16V，所以D2优先导通，此时，Ｖ12=-4V，所以D1管子截止。
ＶA0 = -4V。
例4．两个稳压管的稳压值ＶZ1=5V，ＶZ2=7V，它们的正向导通压降均为0.6V，电路在以下二种接法时，输出电压Ｖo为多少？若电路输入为正弦信号ＶI=20sinωt（V），画出图（a）输出电压的波形。
解：图（a）中D1、D2都承受反向偏压，所以输出电压Ｖo=ＶZ1+ＶZ2=5V+7V=12V若输入正弦信号ＶI=20sinωt（V）：在输入信号正半周，若ＶI<12V 稳压管处于反向截止状态，Ｖo=ＶI；若ＶI ≥12V 稳压管处于反向击穿状态，Ｖo=12V。
第一章一、选择题1.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移4.下列符号中表示发光二极管的为（）。
A B C D5.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（）。
A.减小B. 基本不变C. 增大D. 先增大后减小二、填空题1.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。
2.PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
3.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。
4.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
5.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。
三、判断题1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
（）3.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（）4.二极管只要加正向电压便能导通。
（ ） 四、计算题1.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
o(c)(d)o2.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
R500ΩR 2k V3.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
R V 3k 10k 32k Ω4.二极管双向限幅电路如图所示，设tV u i ωsin10=，二极管为理想器件，试画出输出u i 和u o 的波形。
V 1V 2R+－4V6V+－u iu o5.电路如下图所示，已知ui ＝10sin ωt (V)，二极管导通电压UD 可忽略不计。
模拟电子技术基础习题集梁玉红编蒋伟荣审电气与信息工程学院2011年4月第一章第一章 绪论习题一． 某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500Mv,它的增益是什么它的增益是什么？？属于哪一类放大电路大电路？？二． 试说明为什么选用频率可连续变化的正弦波发生器作为放大电路的实验试说明为什么选用频率可连续变化的正弦波发生器作为放大电路的实验、、测试信号源号源。
用它可以测量放大电路的那些性能指标用它可以测量放大电路的那些性能指标？？三． 在某放大电路输入端测量到输入正弦波信号电流和电压的峰-峰值分别为5uA 和5mV ，输入端接2K Ω电阻负载电阻负载，，测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。
试计算该放大电路的路的电压增益电压增益Av ，电流增益Ai 、功率增益Ap 。
四． 当负载电阻R L =1K Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路电压放大电路输出电压比负载开路（（R L =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻求该放大电路的输出电阻。
五．一电压放大电路输出端接1K Ω负载电阻时负载电阻时，，输出电压为1V 1V，，负载电阻断开时负载电阻断开时，，输出电压上升到1.1V 1.1V，，求该放大电路的输出电阻R O 。
第二章 常用半导体器件（习题）一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（ ） （5）三极管可以把小能量放大成大能量。
（ ）二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习填 空1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。
2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。
3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。
4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电 。
5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极 。
6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。
7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。
8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。
9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。
10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。
11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。
设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估 算 U A ~ U D 值 。
图 a ：VD 1_______ 偏置 ， U A =_____，U B =_______；图 b ：VD 2________ 置 ， U C =_____，U D =_______。
12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压U AB （设二极管均为理想二极管）图a ：VD_______，U AB _______。
图b ：VD_______，U AB _______。
专业 姓名 学号 成绩
3-1、基本放大电路如图（a ）（b ）所示，图（a ）虚线框内为电路Ⅰ，图（b ）虚线框内为电路Ⅱ。
由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图（c ）、（d ）、（e ）所示，它们均正常工作。
试说明图（c ）、（d ）、（e ）所示电路中
（1）哪些电路的输入电阻比较大；（2）哪些电路的输出电阻比较小；（3）哪个电路的s
u A =s o U U 最大。
3-2、设图所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路。
3-3 判断图中所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种组态(共射、共基、共集接法)。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
专业 姓名 学号 成绩
3-4 设下图中各电路的静态工作点合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出u
A •、i R 、o R 的表达式。
3-5电路如图，已知T1、T2的8021 ，
V U U BEQ BEQ 7.021 ， 200b b r ，试求（1）T1、T2的静态工作点I CQ 及U CEQ ；（2）差模电压放大倍数；（3）差模输入电阻和差模输出电阻。
3-6、电路如图所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bb r =100Ω，静态时｜U B EQ ｜≈。
试求：
（1）静态时T 1管和T 2管的发射极电流。
（2）若静态时u O ＞0，则应如何调节R c 2的值才能使u O ＝0V 若静态u O ＝0V ，则R c 2＝电压放大倍数为多少。
