Department of Electronic Science and Engineering, Nanjing University
Principles and Applications of Novel
SENS R
一、金属薄膜热电阻
技术背景:
80年代以来,薄膜技术不断成熟,薄膜热电阻 随之发展起来。 德、日和美相继建成规模化生产线,我国研究 机构(如上冶所)在薄膜热电阻的工艺研究上 取得了突破性进展,并不断有产品投入市场。 目前,阻值已扩大到2000Ω,元件尺寸已缩小 到1.6mm×1.25mm×1.1mm。 结构上有带线平面型、无引线的SMD型和外伸 导线型等。高温薄膜热电阻的温度范围提高到 850℃甚至1100℃,低温工作温度-55℃。
B L 2 Wk 0 m h K 晶格杂质散射项,负的温度系数 B 2 L q 2mh KC 2 晶界电阻项 q LNA q —— 电子电荷数 k0 —— 玻尔兹曼常数 P(0) —— 晶粒中性区空穴浓度 μP —— 空穴迁移率 (与晶格的振动散射和电离杂质散射有关) A、B —— 与温度无关的常数 mh—— 空穴的有效质量
Department of Electronic Science and Engineering, Nanjing University
新型传感器原理及应用
Principles and Applications of Novel Sensors
数值上,半导体电阻的相对变化( dR/R )值的大 小主要由电阻率变化(dρ/ρ)决定:
Department of Electronic Science and Engineering, Nanjing University
新型传感器原理及应用