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绪论
一. 符号约定
• 大写字母、大写下标表示直流量。如：VCE、IC等。
• 小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。如： vCE、iB等。
• 小写字母、小写下标表示纯交流量。如： vce、ib等。
• 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如： 等。
二． 信号
〔1〕模型的转换
〔2〕分类
〔3〕频谱
二.放大电路
〔1〕模型 实用文档
. 〔2〕增益
如何确定电路的输出电阻ro ？
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. 三．频率响应以及带宽
第一章 半导体二极管
一.半导体的根底知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案
模拟电⼦技术基础习题答案
电⼦技术课程组2018.8.15
⽬录
第1章习题及答案 (1)
第2章习题及答案 (14)
第3章习题及答案 (36)
第4章习题及答案 (45)
第5章习题及答案 (55)
第6章习题及答案 (70)
第7章习题及答案 (86)
第8章习题及答案 (104)
第9章习题及答案 (117)
第10章习题及答案 (133)
模拟电⼦技术试卷1 (146)
模拟电⼦技术试卷2 (152)
模拟电⼦技术试卷3 (158)
第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。A. 五价
B. 四价
C. 三价
（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。A. 增⼤
B. 不变
C. 减⼩
（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。A. 正向导通
B.反向截⽌
C.反向击穿
解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）
图P1.2.1
解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）
图P1.2.2
解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1
解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
精心整理
模拟电子技术
第1章半导体二极管及其基本应用
1．1填空题
1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。
1．2单选题
1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(C)。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷
2．PN结形成后，空间电荷区由(D)构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子
3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B)。
A．减小B．基本不变C．增大
4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将(C)。
A．增大B．基本不变C．减小
5．变容二极管在电路中主要用作(D)。、
A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器
1．3是非题
1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)
2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)
3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。(×)
4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×)
1．4分析计算题
1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3V。
教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学
模拟电子技术课程作业
第1章 半导体器件
1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变
2半导体二极管的主要特点是具有( b )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用
3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN结的死区电压
(b)正向电压等于零
(c)必须加反向电压
4若将PN结短接，在外电路将( c )。
(a)产生一定量的恒定电流
(b)产生一冲击电流
(c)不产生电流
5电路如图所示，二极管D1、D2为理想元件，则在电路中( b )。
(a)D1起箝位作用，D2起隔离作用
(b)D1起隔离作用，D2起箝位作用
(c)D1、D2均起箝位作用
(d)D1、D2均起隔离作用
D1D2R0V2V12VuO
6二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( a )。
(a)增大 (b)减小 (c)不变
7电路如图所示，二极管型号为2CP11，设电压表内阻为无穷大，电阻R=5k，则电压表V的读数约为( c )。
(a)0.7V (b)0V (c)10V DVR10V+-
8电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号ui为如图所示的三角波，则输出电压uO的最大值为( c )。
(a)5V (b)10V (c)7V
DuiRE2V5Vui5V0tuO+-+-+-
9电路如图所示，二极管为理想元件，ui=6sintV，U=3V，当t=2瞬间，输出电压
uO等于( b )。
(a)0V (b)6V
(c)3V
uiRUDuO+-+-+-
10电路如图所示，二极管D1，D2，D3均为理想元件，则输出电压uO＝( a )。
