常用场管代换资料解析

常用场效应管参数及代换场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种用来放大和控制电流的电子元件。

它是由一个金属门极与两个半导体区域（源极和漏极）组成。

在常见的场效应管中，有三种主要类型：结型场效应管（JFET），增强型场效应管（MOSFET）和绝缘栅极场效应管（IGBT）。

本文将重点介绍增强型场效应管（MOSFET）的常用参数及其代换方法。

一、常用参数1.电流参数(i)静态漏极电流（IDSS）：在门极电压VGS=0时，漏极电流的值。

(ii) 静态漏极电流温度系数：静态漏极电流随温度变化的变化率。

(iii) 动态漏极电流（ID）：在特定的电压和温度条件下，从漏极流出的电流的值。

2.电压参数(i)额定漏极到源极电压（VDS）：漏极和源极之间的最大电压。

(ii) 额定源极到栅极电压（VGS）：源极和栅极之间的最大电压。

(iii) 阈值电压（VT）：当栅极电压超过阈值电压时，通道开始导电。

(iv) 栅极欠压（VGS（th））：栅极电压低于这个电压时，场效应管处于截止区。

(v) 漏极饱和电压（VDS（sat））：漏极电压达到饱和时，在这个电压下，漏极与源极之间的电流达到最大值。

(vi) 最大可承受漏极电流（IDM）：超过这个电流值时，场效应管可能损坏。

3.输入参数(i) 栅极输入电容（Cgs）：栅极和源极之间的电容。

(ii) 栅极反向传导（gfs）：源极电流变化与栅极电压变化之间的比例关系。

4.输出参数(i) 漏极输出电容（Cds）：漏极和源极之间的电容。

(ii) 漏极跟随导纳（gd）：漏极电流变化与漏极电压变化之间的比例关系。

5.尺寸参数(i)源极宽度（W）：源极沿着通道长度方向的尺寸。

(ii) 通道长度（L）：源极和漏极之间的距离。

二、代换方法1.输出导纳代换场效应管的漏极跟随导纳gd可以用其中一个公式进行代换：gd ≈ 2IDSS/VGS（th）2.输出电容代换输出电容Cds可以用其中一个公式进行代换：Cds ≈ CM + CGS x VDS/VGS其中CM是一个常数，等于通道本身的电容，CGS是栅极和源极之间的电容。

5n60m场效应管参数及代换5N60M场效应管参数及代换一、引言场效应管是一种常见的电子器件，广泛应用于各种电路中。

5N60M 场效应管是一款常用的型号，本文将介绍其参数及代换。

二、参数介绍1. 额定电流（Id）：5N60M场效应管的额定电流为5A，表示在正常工作条件下，电流不应超过此值，否则可能会导致器件损坏。

2. 额定电压（Vds）：5N60M场效应管的额定电压为600V，表示在正常工作条件下，电压不应超过此值，否则可能会导致器件损坏。

3. 阻态漏极电流（Idss）：5N60M场效应管的阻态漏极电流为25mA，表示在漏极与源极之间的电流，在器件处于关闭状态时的最大值。

4. 最大漏极-源极电压（Vdss）：5N60M场效应管的最大漏极-源极电压为600V，表示在正常工作条件下，漏极与源极之间的最大电压。

5. 阈值电压（Vth）：5N60M场效应管的阈值电压为4V，表示在漏极与源极之间的电压达到此值时，场效应管开始导通。

三、代换方法在某些情况下，我们需要更换场效应管，但是可能找不到完全相同的型号。

此时，可以根据参数进行代换。

常见的代换方法如下：1. 静态工作点匹配：选择代换管时，应确保其静态工作点与原管相近。

静态工作点通常由Id、Vds和Vth决定。

2. 动态特性匹配：选择代换管时，应确保其动态特性与原管相近。

动态特性包括开关速度、输入电容和输出电容等。

3. 功率匹配：选择代换管时，应确保其功率能够满足实际需求。

功率由额定电流和额定电压决定。

四、代换示例假设我们需要代换一款5N60M场效应管，但是找不到完全相同的型号。

我们可以根据参数进行代换。

我们需要确定代换管的静态工作点。

假设我们选取了一款型号为A 的场效应管，其额定电流为4A，额定电压为500V，阻态漏极电流为20mA，最大漏极-源极电压为500V，阈值电压为3.5V。

接下来，我们需要比较代换管的动态特性。

假设型号为A的场效应管的开关速度、输入电容和输出电容与5N60M场效应管相近。

irfp460场效应管参数及代换IRFP460场效应管的参数及代换一、引言场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种电子器件，广泛应用于电子电路中。

IRFP460是一款常用的场效应管，具有一系列的参数和特性。

本文将介绍IRFP460场效应管的参数，并探讨其代换方法。

二、IRFP460场效应管参数1. 额定电压（Vds）：IRFP460的额定电压为500V。

这意味着在正常工作条件下，该管子的最大电压应不超过500V，否则可能造成损坏。

2. 额定电流（Id）：IRFP460的额定电流为20A。

在正常工作条件下，该管子的最大电流应不超过20A，超过这个范围可能导致过热或烧坏。

3. 阻态电阻（Rds(on)）：IRFP460的阻态电阻为0.27Ω。

这是指在管子导通状态下，其引脚之间的电阻大小。

阻态电阻越小，管子的导通性能越好。

4. 阈值电压（Vth）：IRFP460的阈值电压为2-4V。

这是指在FET管子导通之前需要施加的控制电压。

阈值电压越低，管子的导通性能越好。

5. 最大功率（Pd）：IRFP460的最大功率为280W。

这是指在正常工作条件下，该管子能够承受的最大功率。

超过这个范围可能导致过热或烧坏。

三、IRFP460场效应管的代换IRFP460场效应管可以用其他管子进行代换，以适应不同的电路需求。

代换时需要考虑以下几个参数：1. 额定电压（Vds）：选取代换管子时，需确保其额定电压不低于IRFP460的额定电压。

否则，代换管子可能无法承受相同的电压。

2. 额定电流（Id）：选取代换管子时，需确保其额定电流不低于IRFP460的额定电流。

否则，代换管子可能无法承受相同的电流。

3. 阻态电阻（Rds(on)）：选取代换管子时，需确保其阻态电阻不大于IRFP460的阻态电阻。

否则，代换管子的导通性能可能不如IRFP460。

4. 阈值电压（Vth）：选取代换管子时，需确保其阈值电压相近于IRFP460的阈值电压。

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=ΩTO-2523353- ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ2SK3355-ZJ2SK3355-ZJTO-2633355-ZJN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，130/510ns，Ron=Ω2SK3354-S-Z2SK3354-S-ZTO-2633366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩTO-2523367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩTO-2523377-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩTO-2523385-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ2SK3386-Z2SK3386-ZTO-2523386-ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ2SK3385-Z2SK3385-ZTO-2523900-ZPN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩTO-263 3901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关TO-26360V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩ3902-ZKN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩTO-263 3943-ZPN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关40V，82A，104W，29/69ns，Ron=ΩTO-263 738-ZN-MOSFET（耗尽型）功率场效应管30V，2A，20W，Ron=ΩTO-252MTD 10N05A N通道，功率场效应管50V，10A，，Ron=ΩMTD3055ATO-25210N05E 10N05E1N通道，功率场效应管50V，10A，20W，30/45ns，Ron=ΩTO-25210N08E 10N08E1N通道，功率场效应管80V，10A，50W，13/45ns，Ron=ΩTO-252器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型3055AN通道，功率场效应管60V，8A，，Ron=ΩMTD10N05ATO-2523055A1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，Ron=ΩMTD3055E-E1MTD3055E-E1TO-2523055E 3055E1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，20/65ns，Ron=ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523055EL 3055EL1N通道，功率场效应管60V，12A，40W，20/638ns，Ron=ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523N08LN通道，功率场效应管80V，3A，25W，Ron=ΩTO-2525N05 5N05-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=ΩMTD5N06MTD5N06TO-2525N06 5N06-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=ΩMTD5N05MTD5N05TO-2525N08LN通道，功率场效应管60V，5A，，Ron=ΩMTD3055ATO-252SUB40N06-25L N通道，场效应管60V，40A，90W，20/50ns，Ron=ΩSUB45N05-20LSUB45N05-20LTO-26345N03-13LN通道，场效应管30V，45A，88W，20/70ns，Ron=ΩTO-26345N05-20LN通道，场效应管50V，45A，90W，20/60ns，Ron=ΩSUB40N05-25LSUB40N06-25LTO-26360N06-18N通道，场效应管60V，60A，120W，30/50ns，Ron=ΩSUB70N06-14SUB70N06-14TO-26370N03-09BPN通道，场效应管30V，70A，93W，18/45ns，Ron=ΩSUB70N03-09PSUB70N03-09PTO-26370N03-09PN通道，场效应管30V，70A，93W，20/60ns，Ron=ΩSUB70N03-09BPSUB70N03-09BPTO-26370N04-10N通道，场效应管40V，70A，107W，30/100ns，Ron=ΩTO-26370N06-14N通道，场效应管60V，70A，142W，30/60ns，Ron=ΩSUB75N06-12LTO-26375N03-04N通道，场效应管30V，75A，187W，20/190ns，Ron=ΩSUB85N03-04PTO-26375N03-07N通道，场效应管SUB SUB TO-263Ron=Ω75N04-05L N通道，场效应管`40V，75A，250W，30/260ns，Ron=ΩSUB75N05-06TO-26375N05-06N通道，场效应管50V，75A，250W，40/100ns，Ron=ΩSUB75N04-05L75N06-07LTO-26375N05-07N通道，场效应管55V，75A，158W，20/160ns，Ron=ΩSUB70N06-14TO-26375N08-07L N通道，场效应管60V，75A，250W，40/300ns，Ron=ΩSUB75N06-08SUB75N06-08TO-26375N06-08N通道，场效应管60V，75A，250W，40/120ns，Ron=ΩTO-26375N06-12L N通道，场效应管60V，75A，142W，20/150ns，Ron=ΩSUB70N06-14TO-26375N08-09L N通道，场效应管75V，75A，250W，20/200ns，R on=ΩSUB75N08-10SUB75N08-10TO-26375N08--10N通道，场效应管SUB SUB TO-263Ron=Ω85N02-03N通道，场效应管20V，55A，250W，30/670ns，Ron=ΩSUB85N02-06TO-26385N02-06N通道，场效应管20V，85A，120W，40/120ns，Ron=ΩSUB85N02-03TO-26385N03-04P N通道，场效应管30V，85A，166W，23/75ns，Ron=ΩSUB75N03-04TO-26385N03-07P N通道，场效应管30V，85A，107W，25/100ns，Ron=ΩSUB75N03-07SUB75N03-07TO-26385N04-03N通道，场效应管40V，85A，250W，25/145ns，Ron=ΩSUB85N04-04SUB85N04-04TO-26385N04-04N通道，场效应管40V，85A，250W，35/115ns，Ron=ΩSUB85N04-03TUB85N04-03TO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型85N06-05N通道，场效应管60V，85A，250W，25/140ns，Ron=ΩSUB85N08-08SUB85N08-08TO-26385N08-08N通道，场效应管SUB SUB TO-263Ron=Ω85N10-10N通道，场效应管100V，85A，250W，25/85ns，Ron=ΩTO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型注：中功率场效应管主要用在南桥供电，北桥供电，内存供电和AGP供电电路中。

场效应管的替换原则及好坏判断场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种可以控制电流的半导体器件，通过电场来调节导电性能。

替换原则和好坏判断针对FET的选择和应用提供了一些指导。

首先，替换原则是指在一些电路中，当其中一种型号的场效应管无法得到时，可以选择其他型号的FET进行替换。

基本的替换原则如下：1.符合参数要求：替换的FET应具有与原型号相似的电性能和工作参数，例如最大耗散功率、漏极电流、阈值电压等。

一般来说，替换的FET应有相同或近似的电性能和参数。

2. 符合极性要求：替换的FET应与原型号具有相同的极性，即N沟道（N-Channel）FET应替换为同样极性的N沟道FET，P沟道（P-Channel）FET应替换为同样极性的P沟道FET。

3.符合尺寸要求：替换的FET应具有与原型号相似的尺寸和外形，以保证更好的适应原来的电路布局和PCB设计。

除了上述基本替换原则之外，还可以通过以下几个方面来判断替换后的FET是否好坏：1.电流放大能力：FET的电流放大能力是衡量其负载能力的重要指标。

好的替换器件应该具有足够的电流放大能力，以满足电路的工作需求。

2.耗散功率：FET的耗散功率是指其最大能够承受的功率。

好的替换器件应该有足够大的耗散功率，以避免过载导致烧毁。

3.线性度：FET应该具备良好的线性特性，以确保输入和输出之间的关系稳定可靠。

好的替换器件应具有较高的线性度。

4.噪声参数：FET对输入信号噪声的敏感程度是评价其质量高低的重要指标。

好的替换器件应具有较低的噪声参数，以确保信号的清晰和精确。

5.可靠性：好的替换器件应该具有较高的可靠性和稳定性，能够长时间稳定工作而不出现故障。

综上所述，FET的替换原则需要考虑参数、极性和尺寸等因素，而好坏判断则需要考虑电流放大能力、耗散功率、线性度、噪声参数和可靠性等指标。

唯有满足这些条件，替换后的FET才能更好地适应原来的电路并正常工作。

场效应管代换大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。

在实际应用中，由于种种原因，有时需要进行场效应管的代换。

本文将从场效应管的类型、参数、特性等方面，对场效应管代换进行详细介绍，希望能够为工程师和电子爱好者提供一些参考和帮助。

首先，我们需要了解场效应管的基本类型。

根据不同的控制电极结构，场效应管可以分为金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）和结型场效应管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）两种基本类型。

MOSFET又可分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。

而JFET又可分为N沟道JFET和P沟道JFET两种。

不同类型的场效应管在工作原理和参数特性上都有所不同，因此在代换时需要根据实际情况进行选择。

其次，场效应管的代换需要考虑参数特性。

常见的场效应管参数包括最大漏极-源极耐压、最大漏极电流、门极-源极静态电压等。

在进行代换时，需要确保代换管的参数满足原始设计的要求，以保证电路的正常工作。

此外，还需要考虑场效应管的频率特性、温度特性等，确保代换管在各种工作条件下都能够稳定可靠地工作。

另外，场效应管的代换还需要考虑其工作特性。

不同类型的场效应管在工作特性上也有所不同，例如增强型MOSFET具有良好的开关特性和低输入电阻，适合用于功率放大和开关控制电路；而耗尽型MOSFET具有较高的输入电阻和较低的噪声，适合用于低噪声放大器和信号处理电路。

因此在进行代换时，需要根据电路的具体应用来选择合适的代换管，以确保电路性能的稳定和可靠。

最后，需要注意的是，场效应管的代换并非简单地替换器件即可。

在进行代换时，还需要对电路进行一定的调整和优化，以适应新的器件特性。

这可能涉及到电路的参数调整、稳定性分析、温度补偿等方面。

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩTO-2523353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ2SK3355-ZJ2SK3355-ZJTO-2633355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ2SK3354-S-Z2SK3354-S-ZTO-2633366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩTO-2523367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩTO-2523377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩTO-2523385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ2SK3386-Z2SK3386-ZTO-2523386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ2SK3385-Z2SK3385-ZTO-2523900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩTO-2633901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩTO-2633902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩTO-2633943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩTO-263738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管30V，2A，20W，Ron=0.25ΩTO-252MTD 10N05A N通道，功率场效应管50V，10A，1.8W，Ron=0.1ΩMTD3055ATO-25210N05E 10N05E1N通道，功率场效应管50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1ΩTO-25210N08E 10N08E1N通道，功率场效应管80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12ΩTO-252器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型3055A N通道，功率场效应管60V，8A，1.8W，Ron=1.5ΩMTD10N05ATO-2523055A1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，Ron=1.5ΩMTD3055E-E1MTD3055E-E1TO-2523055E 3055E1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，20/65ns，Ron=0.15ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523055EL 3055EL1N通道，功率场效应管60V，12A，40W，20/638ns，Ron=0.18ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523N08L N通道，功率场效应管80V，3A，25W，Ron=0.6ΩTO-2525N05 5N05-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4ΩMTD5N06MTD5N06TO-2525N06 5N06-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4ΩMTD5N05MTD5N05TO-2525N08L N通道，功率场效应管60V，5A，1.75W，Ron=0.3ΩMTD3055ATO-252SUB40N06-25L N通道，场效应管60V，40A，90W，20/50ns，Ron=0.022ΩSUB45N05-20LSUB45N05-20LTO-26345N03-13L N通道，场效应管30V，45A，88W，20/70ns，Ron=0.013ΩTO-26345N05-20L N通道，场效应管50V，45A，90W，20/60ns，Ron=0.018ΩSUB40N05-25LSUB40N06-25LTO-26360N06-18N通道，场效应管60V，60A，120W，30/50ns，Ron=0.018ΩSUB70N06-14SUB70N06-14TO-26370N03-09BP N通道，场效应管30V，70A，93W，18/45ns，Ron=0.009ΩSUB70N03-09PSUB70N03-09PTO-26370N03-09P N通道，场效应管30V，70A，93W，20/60ns，Ron=0.09ΩSUB70N03-09BPSUB70N03-09BPTO-26370N04-10N通道，场效应管40V，70A，107W，30/100ns，Ron=0.01ΩTO-26370N06-14N通道，场效应管60V，70A，142W，30/60ns，Ron=0.014ΩSUB75N06-12LTO-26375N03-04N通道，场效应管30V，75A，187W，20/190ns，Ron=0.04ΩSUB85N03-04PTO-26375N03-07N通道，场效应管30V，75A，120W，30/120ns，Ron=0.007ΩSUB85N03-07PSUB85N03-07PTO-26375N04-05L N通道，场效应管`40V，75A，250W，30/260ns，Ron=0.0055ΩSUB75N05-06TO-26375N05-06N通道，场效应管50V，75A，250W，40/100ns，Ron=0.006ΩSUB75N04-05L75N06-07LTO-26375N05-07N通道，场效应管55V，75A，158W，20/160ns，Ron=0.007ΩSUB70N06-14TO-26375N08-07L N通道，场效应管60V，75A，250W，40/300ns，Ron=0.0075ΩSUB75N06-08SUB75N06-08TO-26375N06-08N通道，场效应管60V，75A，250W，40/120ns，Ron=0.008ΩTO-26375N06-12L N通道，场效应管60V，75A，142W，20/150ns，Ron=0.012ΩSUB70N06-14TO-26375N08-09L N通道，场效应管75V，75A，250W，20/200ns，Ron=0.009ΩSUB75N08-10SUB75N08-10TO-26375N08--10N通道，场效应管75V，75A，187W，40/120ns，Ron=0.01ΩSUB75N08-09LSUB75N08-09LTO-26385N02-03N通道，场效应管20V，55A，250W，30/670ns，Ron=0.003ΩSUB85N02-06TO-26385N02-06N通道，场效应管20V，85A，120W，40/120ns，Ron=0.006ΩSUB85N02-03TO-26385N03-04P N通道，场效应管30V，85A，166W，23/75ns，Ron=0.0043ΩSUB75N03-04TO-26385N03-07P N通道，场效应管30V，85A，107W，25/100ns，Ron=0.007ΩSUB75N03-07SUB75N03-07TO-26385N04-03N通道，场效应管40V，85A，250W，25/145ns，Ron=0.0035ΩSUB85N04-04SUB85N04-04TO-26385N04-04N通道，场效应管40V，85A，250W，35/115ns，Ron=0.004ΩSUB85N04-03TUB85N04-03TO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型85N06-05N通道，场效应管60V，85A，250W，25/140ns，Ron=0.0052ΩSUB85N08-08SUB85N08-08TO-26385N08-08N通道，场效应管75V，85A，250W，30/75ns，Ron=0.008ΩSUB86N06-05SUB86N05-05TO-26385N10-10N通道，场效应管100V，85A，250W，25/85ns，Ron=0.0105ΩTO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型注：中功率场效应管主要用在南桥供电，北桥供电，内存供电和AGP供电电路中。

常用场效应管（25N120等）参数及代换GA25N120AND （IGBT）1200V/25A//TO3P （电磁炉用）QA27N25 （MOSET）250V/27A/TO3P IRP254QA40N25 （MOSET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRP264QA55N25 （MOSET）250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PQA18N50V2 （MOSET）500V/20A/277W/0.225Ω IRP460AQA24N50 （MOSET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PQA28N50 （MOSET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EQL40N50 （MOSET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRPS37N50QA24N60 （MOSET）600V/24A/TO3PQA10N80 （MOSET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PQA13N80 （MOSET）800V/13A/300W/0. Ω/TO3PQA5N90 （MOSET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PQA9N90C （MOSET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PQA11N90C （MOSET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PA30U20DN （快恢复二极管）200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AP30U60S （快恢复二极管）600V/30A/90ns/TO220 MUR1560A30U60DN （快恢复二极管）600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基）100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基）45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管）600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管）600V/30A/35nS/TO247QP44N10 （MOSET）100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IR3710/IR540NQP70N10 （MOSET）100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRP450B （MOSET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRP460C （MOSET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRP460KA3162/AN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSETET驱动ICRHRP860 （快恢复二极管）600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管）600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管）1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管）1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管）1200V/30A/125W/TO220单DSEI20-10A RHRG30120 （快恢复二极管）1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSET）200V/45A/TO3P IRP260GL40N150D （IGBT）1500V/40A/TO264快速IGBTGL60N100BNTD （IGBT）1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT）1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT）1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT）1200V/54A/390W/90ns/TO247QP5N50C （MOSET）500V/5A/73W/1.4Ω/T O-220 替代：IR830,用于35WQP5N50C （MOSET）500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220 替代：IR830，用于35WQP9N50C （MOSET）500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IR840，用于75WQP9N50C （MOSET）500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220 替代：IR840，用于75WQP13N50 （MOSET）500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品QP13N50 （MOSET）500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品QD5N50C （MOSET）500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W QA16N50 （MOSET）500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品DP15N50 （MOSET）500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品QP18N50V2 （MOSET）500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品QP18N50V2 （MOSET）500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品QA18N50V2 （MOSET）500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品QA24N50 （MOSET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品QA24N60 （MOSET）600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品QA28N50 （MOSET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品QL40N50 （MOSET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IR740B （MOSET）400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IR730B （MOSET）400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IR830B （MOSET）500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IR840B （MOSET）500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRP450B （MOSET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRP460C （MOSET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235WQP5N60C （MOSET）600V/5A/TO220QP8N60C （MOSET）600V/8A/TO220QP10N60C （MOSET）600V/10A/TO220QP12N60 （MOSET）600V/12A/51W/0.65Ω/TO220CP11N60 （MOSET）650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管）600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管）600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管）600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管）60V/0.12A/SOT-23 HU76629D3S （MOSET）100V/20A/110W/TO-252HU75639S3S （MOSET）100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT）360V/46A/250W/TO262QP33N10L （MOSET）100V/33A/52MΩ127W/TO2200000000000000000。

20n60场效应管参数代换
20N60场效应管是一种常用的功率场效应管，常用于控制电流和功率放大器的电路中。

在实际电路中，我们经常需要对电路进行参数代换，以便更好地满足实际需求。

下面是关于20N60场效应管参数代换的解释。

首先，20N60场效应管的主要参数包括漏极-源极电压（VDS）、栅极-源极电压（VGS）、漏电流（ID）和最大功率（Pmax）等。

当我们需要进行参数代换时，需要先确定代换参数的需求，然后再根据具体的公式和计算方法进行计算。

例如，假设我们需要将20N60场效应管的漏极-源极电压（VDS）和漏电流（ID）代换为其他参数，可以使用下面的公式进行计算：
VDS = ID * Rds(on) + VGS
其中，Rds(on)表示开通电阻，可以从20N60场效应管的数据手册中查找到。

假设我们选择将漏极-源极电压（VDS）和漏电流（ID）代换为功率（P）和电阻（R），可以使用以下公式：
P = VDS * ID
R = VDS / ID
通过以上公式，我们可以根据具体的需求进行参数代换，以满足实际电路的需要。

需要注意的是，在进行参数代换时，需要考虑20N60场效应管的工作状态，以确保电路的正常工作。

同时，还要注意使用正确的公式和计算方法，以避免出现计算错误。

总之，20N60场效应管参数代换是电路设计和优化中的重要步骤，可以根据具体的需求进行计算和调整。

通过合理的参数代换，可以使电路性能得到充分的发挥，提高电路工作的稳定性和可靠性。

常用三极管详细参数和代换大全三极管是一种广泛应用于电子电路中的活性器件。

它是由一种半导体材料构成的，具有三个区域：发射区，基区和集电区。

三极管有许多重要的参数，如放大因子、最大集电极电压、最大基极电压等。

这些参数对于设计和分析电路非常重要。

1.放大因子（β）：放大因子是指三极管的输出电流与输入电流之间的比值。

它代表了三极管放大信号的能力。

放大因子越大，表示三极管的放大效果越好。

在实际应用中，放大因子一般在30到300之间。

2. 最大集电极电流（ICmax）：最大集电极电流是指三极管能够承受的最大电流。

如果超过了这个限制，三极管可能会损坏。

最大集电极电流一般在几十毫安到几安之间。

3. 最大集电极电压（VCEmax）：最大集电极电压是指三极管的集电极和发射极之间能够承受的最大电压。

超过这个限制，三极管可能会击穿。

最大集电极电压通常在几十伏到数百伏之间。

4. 最大功耗（Pmax）：最大功耗是指三极管能够承受的最大功率。

超过这个限制，三极管可能会受热而损坏。

最大功耗一般在几十到几百瓦之间。

5. 最大工作频率（fmax）：最大工作频率是指三极管能够正常工作的最高频率。

超过这个频率，三极管的性能可能会下降。

最大工作频率一般在几十MHz到几百MHz之间。

除了这些常见的参数外，三极管还有许多其他的参数，例如最小输入电阻、最大输出电阻、最小噪声系数等。

这些参数在特定的应用中非常重要，可以帮助工程师选择合适的三极管和进行电路设计。

当然，在实际电路设计中，有时候可能会需要使用代换三极管。

代换三极管是具有相似特性的三极管，但可能具有不同的封装、功率等级、电流增益等。

代换三极管可以用来替代原始三极管进行电路设计和分析，以节约成本或满足特定的设计需求。

代换三极管通常根据参数进行选择。

首先，要选择与原始三极管具有相似的放大因子，以确保电路性能不受影响。

其次，要选择与原始三极管相似的最大集电极电流和最大集电极电压，以确保代换三极管能够承受相似的工作条件。

常用场效应管参数及代换场效应管是一种常用的电子器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。

场效应管的参数包括管子类型、三极管参数、特性参数等。

本文将介绍常用场效应管的参数及其代换关系。

1.场效应管的类型场效应管分为两种类型：N 沟道型（N-Channel）和 P 沟道型（P-Channel）。

N 沟道型的导电介质是负载，而 P 沟道型则是正载。

2.场效应管的三极管参数（1）漏源电流（ID）：场效应管导通时的电流。

（2）漏源电压（VD）：场效应管导通时的电压。

（3）栅极电压（VG）：用于控制场效应管导通和截止的电压。

（4）漏极电压（VDS）：场效应管导通时的漏极电压。

（5）栅源电压（VGS）：场效应管导通时的栅源电压。

3.场效应管的特性参数（1）漏源电流增益（gm）：当栅源电压变化时，漏源电流的变化率。

（2）输出电导（gds）：当栅源电压变化时，输出端漏源电流的变化率。

（3）输出电导增益（gm/gds）：输出电导与漏源电流的比值，表示场效应管的放大性能。

（4）输入电阻（Rin）：场效应管的输入端电阻，用于表示对输入信号的接受能力。

（5）输出电阻（Rout）：场效应管的输出端电阻，用于表示对输出信号的驱动能力。

（6）跨导电导增益（gm/rd）：跨导电导与输出电阻的比值，表示场效应管的放大性能。

（7）截止电压（VGSoff）：当栅源电压较低时，导通电流减小到很小的值。

4.场效应管的代换场效应管的代换常用于简化电路分析和设计。

常用的场效应管代换模型有三种：电流源代换、跨导电源代换和电阻代换。

（1）电流源代换：当场效应管工作在饱和区时，可以将电流源与场效应管并联，电流源的电流值等于场效应管漏源电流（ID），电压值等于场效应管的漏源电压（VD）。

（2）跨导电源代换：当场效应管工作在正常放大区时，可以将跨导电源与场效应管串联，跨导电源的电流值等于场效应管输电导（gm），电压值等于场效应管的栅源电压（VGS）。

（3）电阻代换：当输入电阻（Rin）和输出电阻（Rout）较大时，可以用电阻代替场效应管。

全系列三极管应用参数和代换大全1.三极管的基本参数：-输入电流（Ib）：三极管的输入电流，决定了三极管的工作状态和放大系数。

-输出电流（Ic）：三极管的输出电流，决定了三极管的输出功率和放大效果。

- 饱和电流（Isat）：当三极管处于饱和区时的最小输入电流。

2.常见的三极管类型：- NPN三极管：是一种常用的晶体管类型，常用于放大和开关电路中。

其代换参数为β（放大系数）和Vbe（基极-发射极电压）。

- PNP三极管：与NPN三极管相反，常用于负向逻辑电路中。

其代换参数为β和Vbe。

- JFET（结型场效应晶体管）：具有较高输入电阻和较低输出电阻，常用于低频放大电路。

其代换参数为Idss（漏源饱和电流）和Vp（栅源电压）。

3.三极管的常见应用参数和代换参数：-放大系数（β）：用于描述三极管的放大能力，β值越大，放大效果越好。

对于NPN三极管来说，β的典型值为100至1000。

- 输入电阻（Rin）：描述三极管对输入信号的电阻，输入电阻越大，对输入信号的影响越小。

对于NPN三极管来说，输入电阻的典型值为几十至几百千欧姆。

- 输出电阻（Rout）：描述三极管对输出信号的电阻，输出电阻越小，对输出信号的影响越小。

对于NPN三极管来说，输出电阻的典型值为几十至几百千欧姆。

- 最大电压（Vceo）：描述三极管的最大工作电压，超过该电压会损坏三极管。

对于NPN三极管来说，Vceo的典型值为20至40伏特。

-最大电流（Ic）：描述三极管的最大工作电流，超过该电流会损坏三极管。

对于NPN三极管来说，Ic的典型值为几十至几百毫安。

4.三极管的代换模型：-小信号模型：用于描述三极管的放大能力和频率特性。

小信号模型将三极管简化为电流放大器，包括输入电流、输出电流和放大系数等参数。

-大信号模型：用于描述三极管的开关能力和功率特性。

大信号模型将三极管简化为开关，包括饱和电流、截止电流和导通电压等参数。

总结：。

场效应管代换大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，它具有电压控制电流的特性，因此在电子设备中有着广泛的应用。

在实际应用中，有时候我们需要根据特定的要求选择不同种类的场效应管进行代换。

本文将为大家介绍场效应管的代换大全，希望能够帮助大家更好地理解和应用场效应管。

首先，我们要了解场效应管的分类。

按照不同的工作原理，场效应管可以分为三种类型，MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。

每种类型的场效应管都有其特定的特性和应用场景，因此在代换时需要根据具体情况进行选择。

接下来，我们将分别介绍不同类型场效应管的代换原则。

首先是MOSFET的代换。

MOSFET主要分为N沟道MOSFET和P沟道MOSFET两种。

在代换时，需要根据电压、电流和功率等参数来选择合适的型号。

一般来说，N沟道MOSFET具有低电阻和高开关速度的特点，适合用于功率放大和开关控制；而P 沟道MOSFET则适合用于负载开关和电源反相器。

其次是JFET的代换。

JFET主要分为N沟道JFET和P沟道JFET两种。

N沟道JFET具有高输入阻抗和低噪声的特点，适合用于放大器和高频电路；而P沟道JFET则适合用于信号开关和混频器等电路。

在代换时，需要考虑输入输出阻抗、电压和频率等参数，选择合适的型号进行替换。

最后是IGBT的代换。

IGBT是一种集成了MOSFET和双极型晶体管特点的器件，具有高电压、高电流和高速度的特点，适合用于大功率开关和变频控制。

在代换时，需要考虑电压容忍度、开关速度和损耗等参数，选择合适的型号进行替换。

总的来说，场效应管的代换需要根据具体的应用场景和要求来进行选择。

在选择时，需要考虑电压、电流、功率、频率、阻抗等参数，并且要充分了解代换器件的特性和性能指标。

希望本文介绍的场效应管代换大全能够帮助大家更好地应用场效应管，提高电子设备的性能和可靠性。

常用功率MOS管代换品牌INFINEON型号09N03LA,IPS09N03L 封装TO-251极限电压25（V）极限电流50（A）沟道类型N沟道品牌INFINEON型号09N05，SPD09N05 封装TO-252极限电压55（V）极限电流9.2（A）沟道类型N沟道品牌MOT/ON型号20N03L,20N03HL 封装TO-252/TO-251极限电压20（V）极限电流30（A）沟道类型N沟道品牌MOT,ON,哈里斯型号MTP3055,MTP2955封装TO-220极限电压60（V）极限电流12（A）品牌NIKO型号P3057LD封装TO-252极限电压25（V）极限电流12（A）品牌ST型号D38NH02L,STD38NH02L 封装TO-252极限电压24（V）极限电流38（A）沟道类型N沟道品牌NIKO型号P45N02LD,P45N02LDG封装TO-252极限电压20（V）极限电流45（A）沟道类型N沟道型号50N03封装TO-252,TO-220极限电流50A（A）沟道类型N沟道品牌PHILIPS型号PHB55N03LTAS封装TO-263极限电压25（V）极限电流55（A）沟道类型N沟道品牌IR,ST,三星，MOT,东芝，哈里斯型号IRF630封装TO-220,TO-220F极限电压200V（V）极限电流9（A）沟道类型N沟道品牌MOT，IR，ST，FSC等型号IFR640封装TO-220，T0-263极限电压200V（V）极限电流18A（A）品牌FAIRCHILD型号603AL封装TO-252极限电压30（V）极限电流25（A）沟道类型N沟道品牌FAIRCHILD型号FDD6676封装TO-252极限电压30（V）极限电流78（A）沟道类型N沟道型号NTD60N02R，NTD60N02RG 封装TO-252极限电压24（V）极限电流62（A）沟道类型N沟道品牌ST型号D70N02L封装TO-252极限电压24（V）极限电流60（A）沟道类型N沟道品牌NIKO型号P70N02LDG封装TO-252极限电压25（V）极限电流70（A）沟道类型N沟道型号P75N02LD,P75N02LD 封装TO-252极限电压25（V）极限电流75（A）沟道类型N沟道品牌ST型号STP75NF75封装TO-220极限电压75（V）极限电流80（A）类型结型场效应管沟道类型N沟道型号80N02,80N02G封装TO-252极限电压24（V）极限电流80（A）沟道类型N沟道品牌ON型号85N02G,NTD85N02G封装TO-252极限电压24（V）极限电流85（A）沟道类型N沟道品牌FAIRCHILD型号FDD8896封装TO-252极限电压30（V）极限电流94（A）用途场效应管沟道类型N沟道品牌ST型号D90NH02L,STD90NH02L 封装TO-252极限电压24（V）极限电流60（A）沟道类型N沟道品牌APEC型号9918H,AP9918H 封装TO-252极限电压20（V）极限电流45（A）品牌ON/MOT型号10N10EL封装TO-252极限电压100（V）极限电流10（A）沟道类型N沟道品牌IR,MOT,PH,三星型号IRF9Z24,IRFZ24 封装TO-220极限电压60（V）极限电流17（A）类型结型场效应管品牌IR,三星型号IRF9Z34,IRFI9Z34 封装TO-220,TO-220F极限电压60（V）极限电流19（A）沟道类型P沟道品牌NEC型号2SJ132，J132 封装TO-252.TO-251 极限电压-30（V）极限电流2（A）沟道类型P沟道品牌NEC型号J128，2SJ128 封装TO-252极限电压100（V）沟道类型P沟道。

7n65场效应管参数代换场效应管是一种半导体器件，通过控制栅电压来调节源极和漏极之间的电流。

在现实应用中，不同的场效应管会有不同的参数，而这些参数互相之间可能存在一定的关系，可以通过参数代换来实现。

常见的场效应管参数有：漏极电流（ID）、栅-源电压（VGS）、漏源电流（IG）、漏-源电流（IG）、漏极电压（VD）和源极电压（VS）等。

在进行场效应管的参数代换时，首先需要了解不同参数之间的关系。

下面以N沟道增强型场效应管为例，介绍几种常见的参数代换方法。

1.K参数代换法K参数是场效应管的一个重要参数，表示了场效应管的工作特性。

它是以漏极电流ID和栅-源电压VGS为基准计算得出的。

在同一K参数的场效应管中，即使ID和VGS的数值不同，但它们的比值始终相等。

因此，可以使用K参数代换法来实现参数的代换。

例如，对于两个场效应管A和B，假设它们的K参数分别为KA和KB。

如果已知场效应管A的ID为IA，VGS为VGA，而想要求场效应管B在同一工作点的ID和VGS，可以使用下面的公式进行代换：IB=IAx(KB/KA)VB=VGAx(KB/KA)通过K参数代换法，可以实现在不同的场效应管中实现工作点的切换，而不必重新设计电路。

2.公共源参数代换法公共源参数是指将场效应管的源极与基准地相接，以漏极电流ID和栅-源电压VGS作为基准进行计算的参数。

在公共源参数下，源极电压VS 和漏极电压VD可以通过公式VD=VS+IDxRD得出，其中RD为负载电阻的阻值。

在进行场效应管参数代换时，可以使用公共源参数代换法来计算漏极电流和栅-源电压。

例如，已知场效应管A的公共源参数为IA和VGA，负载电阻RD为RDA，想要计算场效应管B在相同工作点的ID和VGS，可以使用下面的公式：IB=IAx(RD/RDA)VB=VGAx(RD/RDA)通过公共源参数代换法，可以方便地在不同的场效应管中进行参数的切换和计算。

此外，还有许多其他的参数代换方法，如互导参数法、小信号参数法等，可以根据具体的应用需求选择合适的方法。

8n65场效应管参数及代换场效应管（FET）是一种重要的半导体器件，广泛应用于放大、开关和调节信号等领域。

在选择和应用FET时，了解其参数和代换方法非常重要。

本文将介绍FET的主要参数，以及在代换过程中需要注意的问题。

1. 参数（1）漏极-源极电流Idss：在栅极短路或接地的情况下，漏极-源极电压Vds=0时，漏极-源极电流的最大值。

（2）转移导纳gm：指单位电压的栅-源电流变化率，即gm=dId/dVgs。

（3）漏极电流变化率dId/dVds：在同样的Vgs下，当Vds变化时，漏极电流Id也会发生变化。

dId/dVds描述了这种变化。

（5）输出电阻ro：漏极-源极电流变化时，漏极-源极电压Vds发生的变化，即ro=dVds/dId。

（1）输入电容Ciss：表示当Vds=0时，栅极-源极之间的电容。

包括栅-漏电容Cgs和漏-源电容Cds。

2. 代换方法FET的参数代换需要根据电路的不同需求进行，一般可以采用以下方法进行代换：（1）根据输入/输出端口的使用，选择合适的模型：FET一般分为三种模型：小信号模型、大信号模型和直流模型。

小信号模型主要用于分析FET的放大特性，而大信号模型则适用于分析开关特性。

直流模型则适用于分析FET的偏置电路。

（2）计算静态放大系数µµ=gm×roAv=µ/(1+µ×Cgs×Rg)其中Rg为栅电阻。

（1）计算输入电阻由于输入端当前源的存在，需要计算输入电阻。

通常输入电阻可以简化为：Rin=(1+jωCgd)×(1+jωCgs)/(gms+jωCgs)其中ω为角频率。

输出端口一般不需要考虑高频效应，可以简化为：Rout=RdsFET的参数还会受到温度的影响，所以需要考虑温度对参数的影响。

一般可以采用以下方法：（1）计算关于温度的系数Kp和KvKp=αp×(1-ΔT/T)其中αp、αv为FET的参数温度系数，ΔT为当前温度与室温之差，T为绝对温度。

型号封装形式极性VDS(V)IDS(A)PD(W)AO4404SO-8N沟道308.53 AO4406SO-8N沟道3011.53 AO4408SO-8N沟道30123 AO4410SO-8N沟道30183 AO4412SO-8N沟道308.53 AO4414SO-8N沟道308.53 AO4418SO-8N沟道3011.53 AO4420SO-8N沟道3013.7 3.1 AO4422SO-8N沟道30113 AO4403SO-8P沟道-30-6.13 AO4405SO-8P沟道-30-63 AO4407SO-8P沟道-30-123 AO4409SO-8P沟道-30-153 AO4411SO-8P沟道-30-83 AO4413SO-8P沟道-30-153 AO4415SO-8P沟道-30-83 AO4600SO-8一个N沟道一个P沟道30，　-30 6.9，　-52, 2AO4601SO-8一个N沟道一个P沟道30，　-30 4.7, -82, 2AO4602SO-8一个N沟道一个P沟道30，　-30 4.7, -82, 2AO4603SO-8一个N沟道一个P沟道30，　-30 4.7, -5.82, 2AO4064SO-8一个N沟道一个P沟道30，　-30 6.9, -52, 2AO4606SO-8一个N沟道一个P沟道30，　-30 6.9, -62, 2AO4067SO-8一个N沟道一个P沟道30，　-30 6.9, -62, 2AO4069SO-8一个N沟道一个P沟道30，　-308.5, -52, 2AO4610SO-8一个N沟道一个P沟道30，　-308.5, -7.1 2, 2AO4700SO-8N沟道30 6.92 AO4702SO-8N沟道30113 AO4701SO-8P沟道-30-52 AO4703SO-8P沟道-30-123 AO4705SO-8P沟道-30-103 AO4707SO-8P沟道-30-83 AO4800SO-8双N沟道30 6.92 AO4802SO-8双N沟道3072 AO4806SO-8双N沟道209.42 AO4812SO-8双N沟道30 6.92 AO4816SO-8双N沟道308.52 AO4818SO-8双N沟道308.52 AO4822SO-8双N沟道308.52 AO4824SO-8上N沟Q1道 下N沟道Q230, 308.5, 9,82 2AO9926A SO-8双N沟道2072 AO9926SO-8双N沟道2052 AO9926E SO-8双N沟道2082 AO4801SO-8双P沟道-30-52 AO4801H SO-8双P沟道-30-52 AO4805SO-8双P沟道-30-82AO4807SO-8双P沟道-30-62 AO4900SO-8双N沟道30 6.92 AO4902SO-8双N沟道30 6.92 AO4904SO-8双N沟道30 6.92 AO4906SO-8双N沟道3072 AO4912SO-8上N沟Q2道 下N沟道Q130 307, 8.52 2AO4914SO-8双N沟道308.52 AO4916SO-8双N沟道308.52 AO4918SO-8上N沟Q2道 下N沟道Q1308.32 AO6400TSOP-6N沟道30 6.92 AO6402TSOP-6N沟道30 6.92 AO4604TSOP-6N沟道208.52 AO6401TSOP-6P沟道-30-52 AO6403TSOP-6P沟道-30-5.82 AO6405TSOP-6P沟道-30-52 AO6407TSOP-6P沟道-20-5.52 AO6409TSOP-6P沟道-20-52 AO6601TSOP-6一个N沟道一个P沟道30 -30 3.4 -2.31.15,1.15 AO6604TSOP-6一个N沟道一个P沟道20 -20 3.4 -2.31.15,1.15 AO6702TSOP-6N沟道20 3.8 1.15 AO6801TSOP-6双P沟道-30-2.3 1.15 AO3400SOT-23N沟道30 5.8 1.4 AO3402SOT-23N沟道304 1,4 AO3404SOT-23N沟道30 5.8 1.4 AO3406SOT-23N沟道30 3.6 1.4 AO3408SOT-23N沟道20 5.8 1.4 AO3414SOT-23N沟道20 4.2 1.4 AO3416SOT-23N沟道20 6.5 1.4 AO3401SOT-23P沟道-30 4.2 1.4 AO3403SOT-23P沟道-30-2.6 1.4 AO3407SOT-23P沟道-30-4.1 1.4 AO3409SOT-23P沟道-30-2.6 1.4 AO3411SOT-23P沟道-20-4.4 1.4 AO3413SOT-23P沟道-20-3 1.4 AO3415SOT-23P沟道-20-4 1.4 AO7400SC-70N沟道30 1.70.35 AO7401SC-70P沟道-30-1.20.35 AO7405SC-70-6P沟道-30-1.60.625 AO7407SC-70P沟道-20-1.20.35 AOD404TO252N沟道3085100 AOD406TO252N沟道3085100 AOD408TO252N沟道301860 AOD412TO252N沟道3085100 AOD414TO252N沟道3085100 AO8701TSSOP-8P沟道-30-4.2 1.4 AO8801TSSOP-8双P沟道-20-4.7 1.4 AO8800TSSOP-8双N沟道30 6.4 1.5AO8802TSSOP-8双N沟道207.5 1.5 AO8804TSSOP-8双N沟道208 1.5 AO8806TSSOP-8双N沟道20 6.4 1.5 AO8808TSSOP-8双N沟道208 1.4 AO8810TSSOP-8双N沟道207 1.5RDS ON(mΩ）4.5V3016.5166.5344040122461852412555050 32, 64 70, 70 70, 70 70, 63 42, 87 42, 58 42, 58 28, 180 28, 4042256425255632301542462826 27, 1526502164873332323230 31 242828273342166463874545 75 185 60 13550185337042100265022651808718045974310020020013585.72610765433014 25 15 20代换型号SI4800,SI4802,SI4412,SI4416,SI9410,SI9804,SI4410DY,FDS9412,FDS6612A,FDS6614A,FDS6630A,IRF7 SI4860,SI4892,SI4884,IRF7811A,IRF7811WSI4860,SI4892,SISI4884,SI7888,FDS6694,IRF7811A,IRF7811W,IRF7821SI4362,SI7442,FDS7764,FDS6688,IRF7832SI4802,SI4412,SI4416,SI9410SI4800,SI4802,SI4412,SI4416,SI9410,FDS6612,NDS9410,IRF7201SI4800,SI4802,SI4412,SI4416,SI9410,FDS6612,NDS9410,IRF7201SI4420,SI4816,SI4820,SI4800,SI4482,SI4894,FDS6680,FDS6614,FDS6690,FDS6924,IRF7413SI4420,SI4816,SI4820,SI4800,SI4482,SI4894,FDS6680,FDS6614,FDS6690,FDS6924,IRF7413SI9433,SI9803,FDS8433,IRF7702,IRF7433,IRF7404,IRF7204,IRF7406,IRF7416SI9435,SI4431,FDS9435,FDS4435,FDS6609A,IRF7702,IRF7433,IRF7404,IRF7204,IRF7406,IRF7416SI4835,SI4435,SI4425,SI4825,FDS8435,FDS4435,FDS6675SI4425,SI4427,SI4429,SI4413,SI4411,FDS6670SI4431,SI4435,FDS8435,FDS4435,FDS6609ASI4425,SI4427,SI4429,SI4413,SI4411SI4835,SI4435A,SI4425,FDS8435,FDS4435,FDS6675SI4532,SI4539,SI4544,SI4558,SI4562,SI9928,SI9939,SI4500,SI4542,FDS8928A,FDS8958A,NDS9952A, SI4532,SI4539,SI4544,SI4558,SI4562,SI9928,SI9939,SI4500,SI4542,FDS8928A,FDS8958A,NDS9952A, SI4532,SI4539,SI4544,SI4558,SI4562,SI9928,SI9939,SI4500,SI4542,FDS8928A,FDS8958A,NDS9952A, SI4532,SI4539,SI4544,SI4558,SI4562,SI9928,SI9939,SI4500,SI4542,FDS8928A,FDS8958A,NDS9952A, SI4532,SI4539,SI4544,SI4558,SI4562,SI9928,SI9939,SI4500,SI4542,FDS8928A,FDS8958A,NDS9952A, SI4532,SI4539,SI4544,SI4558,SI4562,SI9928,SI9939,SI4500,SI4542,FDS8928A,FDS8958A,NDS9952A, SI4532,SI4539,SI4544,SI4558,SI4562,SI9928,SI9939,SI4500,SI4542,FDS8928A,FDS8958A,NDS9952A, SI4532,SI4539,SI4544,SI4558,SI4562,SI9928,SI9939,SI4500,SI4542,FDS8928A,FDS8958A,NDS9952A, SI4532,SI4539,SI4544,SI4558,SI4562,SI9928,SI9939,SI4500,SI4542,FDS8928A,FDS8958A,NDS9952A, SI4810,SI4852,SI4736SI4810,SI4852,SI4736SI4833,SI4831SI4833,SI4831SI4833,SI4831SI4833,SI4831SI9926,SI9925,SI9956,SI4804,SI4936,SI9936,NDS9956A,FDS9926A,FDS6912,FDS6912A,FDS6982,FDS69 SI9926,SI9925,SI9956,SI4804,SI4936,SI9936,NDS9956A,FDS9926A,FDS6912,FDS6912A,FDS6982,FDS69 SI9926,SI9925,SI9956,SI4804,SI4936,SI9936,NDS9956A,FDS9926A,FDS6912,FDS6912A,FDS6982,FDS69 SI9926,SI9925,SI9956,SI4804,SI4936,SI9936,NDS9956A,FDS9926A,FDS6912,FDS6912A,FDS6982,FDS69 SI9926,SI9925,SI9956,SI4804,SI4936,SI9936,NDS9956A,FDS9926A,FDS6912,FDS6912A,FDS6982,FDS69 SI9926,SI9925,SI9956,SI4804,SI4936,SI9936,NDS9956A,FDS9926A,FDS6912,FDS6912A,FDS6982,FDS69 SI9926,SI9925,SI9956,SI4804,SI4936,SI9936,NDS9956A,FDS9926A,FDS6912,FDS6912A,FDS6982,FDS69 FDS6982SI9926,SI9925,SI9956,SI4804,SI4936,SI9936,NDS9956A,FDS9926A,FDS6912,FDS6912A,FDS6982,FDS69 SI9926,SI9925,SI9956,SI4804,SI4936,SI9936,NDS9956A,FDS9926A,FDS6912,FDS6912A,FDS6982,FDS69 SI9926,SI9925,SI9956,SI4804,SI4936,SI9936,NDS9956A,FDS9926A,FDS6912,FDS6912A,FDS6982,FDS69 SI9933,SI9934,SI9953,SI4953,FDS4953,FDS8934,FDS9933A,NDS9933A,NDS9953A,IRF7316,IRF7304,IRF SI4953,SI4925,SI4953,SI4925,FDS6975SI4953,SI4925,SI4834,FDS6982SSI4834,FDS6982SSI4814,FDS6900SSI4814,FDS6900SSI4814,FDS6900SSI4834,FDS6982SSI4834,FDS6982SSI4814,FDS6900SSI3442,SI3446,SI3460,SI3424,SI3456,SI3454,FDC633AN,FDC637AN,FDC645AN,FDC653N,FDC655AN,NDC6 SI3442,SI3446,SI3460,SI3424,SI3456,SI3454,FDC633AN,FDC637AN,FDC645AN,FDC653N,FDC655AN,NDC6 SI3442,SI3446,SI3460,SI3424,SI3456,SI3454,FDC633AN,FDC637AN,FDC645AN,FDC653N,FDC655AN,NDC6 SI3441,SI3443,SI3435,SI3447,SI3445,SI3831,SI3457,SI3455,FDC604P,FDC634P,FDC636P,FDC638P,FD SI3457,SI3455,FDC604P,FDC634P,FDC636P,FDC638P,FDC640P,FDC642,FDC654P,FDC658P,NDC652P,NDC63 SI3457,SI3455,FDC604P,FDC634P,FDC636P,FDC638P,FDC640P,FDC642P,FDC654,FDC658,NDC652P,NDC632 SI3435,SI3433,TPC6107,TPC6101SI3435,SI3433,TPC6107,TPC6101SI3552,SI3558,SI3589,FDS6337SI3552,SI3558,SI3589,FDS6337SI3812SI3911,SI3909,FDC6506PSI2302,TN0200T,SI2304,SI2306,NDS331N.NDS335N,NDS351AN,NDS355AN,FDN337N,FDN339AN,FDN357N,FD SI2302,TN0200T,SI2304,SI2306,NDS331N.NDS335N,NDS351AN,NDS355AN,FDN337N,FDN339AN,FDN357N,FD SI2302,TN0200T,SI2304,SI2306,NDS331N.NDS335N,NDS351AN,NDS355AN,FDN337N,FDN339AN,FDN357N,FD SI2302,TN0200T,SI2304,SI2306,NDS331N.NDS335N,NDS351AN,NDS355AN,FDN337N,FDN339AN,FDN357N,FD SI2302,SI2312,NDS331N,NDS335N,NDS351AN,NDS355AN,FDN337N,FDN339AN,FDN357N,FDN359AN,FDN361AN SI2302,SI2312,NDS331N,NDS335N,NDS351AN,NDS355AN,FDN337N,FDN339AN,FDN357N,FDN359AN,FDN361AN SI2302,SI2312,NDS331N,NDS335N,NDS351AN,NDS355AN,FDN337N,FDN339AN,FDN357N,FDN359AN,FDN361AN SI2301,SI2305,SI2315,SI2335,TP0101T,SI2303,SI2307,NDS332P,NDS336P.NDS352AP,NDS356AP,FDN302 SI2301,TP0101T,TP0202T,SI2303,NDS332P,NDS336P.NDS352AP,NDS356AP,FDN302P,FDN304P,FDN308P,FD SI2307,NDS332P,NDS336P.NDS352AP,NDS356AP,FDN302P,FDN304P,FDN308P,FDN336P,FDN338P,FDN340P,F SI2303,NDS332P,NDS336P.NDS352AP,NDS356AP,FDN302P,FDN304P,FDN308P,FDN336P,FDN338P,FDN340P,F SI2305,SI2315,SI2323,SI2333,SI2331,SI2335,SI2311,FDC634P,FDC636P,FDC638P,FDC640PSI2305,SI2315,SI2323,SI2333,SI2331,SI2335,SI2311,FDC634P,FDC636P,FDC638P,FDC640PSI2305,SI2315,SI2323,SI2333,SI2331,SI2335,SI2311,FDC634P,FDC636P,FDC638P,FDC640PSI1304,SI1300SI1307,SO1305SI1407,SI1405,SO1403,FDG328P,FDG326P,FDG316PSI1407,SI1405,SO1403,FDG328P,FDG326P,FDG316PFDB6676FDB6676FDB6030BL,FDB6035BL,PHD55N03,PHD66NQ03,SUB70N03-09BP,FDB6676,FDB7030BL,FDB7045L,FDB630BL,IPD09N03LA,PHD108NQ03,PHD66NQ03,PHD55N03 FDB6676,FDB7030BL,FDB7045L,FDB630BL,PHD108NQ03,PHD66NQ03,PHD55N03,ISL9N306N,NTD60N02,NTD70 SI6923FDW2508PSI6968SI6968,FDW2501N,FDW2507NZ,FTD2011,FTD2017SI6968,SI6866,SI6966,SI6968EDQ,FDW2507NZ,FTD2011,FTD2017 SI6968,SI6866,SI6966SI6925,SI6926,SI6928SI6968EDQDS6630A,IRF7910,24,IRF741324,IRF7413IRF7406,IRF7416,FDS8958A,NDS9952A,IRF7317,IRF7319,IRF9339,FDS8958A,NDS9952A,IRF7317,IRF7319,IRF9339,FDS8958A,NDS9952A,IRF7317,IRF7319,IRF9339,FDS8958A,NDS9952A,IRF7317,IRF7319,IRF9339,FDS8958A,NDS9952A,IRF7317,IRF7319,IRF9339,FDS8958A,NDS9952A,IRF7317,IRF7319,IRF9339,FDS8958A,NDS9952A,IRF7317,IRF7319,IRF9339,FDS8958A,NDS9952A,IRF7317,IRF7319,IRF9339,FDS8958A,NDS9952A,IRF7317,IRF7319,IRF93396912A,FDS6982,FDS6930A,IRF7301,IRF7311,IRF7313,IRF7331,IRF7341Q6912A,FDS6982,FDS6930A,IRF7301,IRF7311,IRF7313,IRF7331,IRF7341Q6912A,FDS6982,FDS6930A,FDS6898,IRF7301,IRF7311,IRF7313,IRF7331,IRF7341Q 6912A,FDS6982,FDS6930A,IRF7301,IRF7311,IRF7313,IRF7331,IRF7341Q6912A,FDS6982,FDS6930A,IRF7301,IRF7311,IRF7313,IRF7331,IRF7341Q6912A,FDS6982,FDS6930A,IRF7301,IRF7311,IRF7313,IRF7331,IRF7341Q6912A,FDS6982,FDS6930A,IRF7301,IRF7311,IRF7313,IRF7331,IRF7341Q6912A,FDS6982,FDS6930A,IRF7301,IRF7311,IRF7313,IRF7331,IRF7341Q6912A,FDS6982,FDS6930A,IRF7301,IRF7311,IRF7313,IRF7331,IRF7341Q6912A,FDS6982,FDS6930A,IRF7301,IRF7311,IRF7313,IRF7331,IRF7341QIRF7316,IRF7304,IRF7306,IRF7314,IRF7104DC655AN,NDC631N,NDC651N,LRLMS1902,IRLMS2002IRLMS1503C653N,FDC655AN,NDC631N,NDC651N,LRLMS1902,IRLMS2002IRLMS1503C653N,FDC655AN,NDC631N,NDC651N,LRLMS1902,IRLMS2002IRLMS1503,FDC636P,FDC638P,FDC640P,FDC642P,FDC654P,FDC658P,NDC652P,NDC632P,IRLMS4502,SI3443DV,IRLMS6702,IRLMS68 C658P,NDC652P,NDC632P,IRLMS4502,SI3443D,IRLMS6702,IRLMS6802,IRLMS5703C658,NDC652P,NDC632P,IRLMS4502,SI3443DV,IRLMS6702,IRLMS6802,IRLMS5703FDN339AN,FDN357N,FDN359AN,FDN361AN,FDV303NFDN339AN,FDN357N,FDN359AN,FDN361AN,FDV303NFDN339AN,FDN357N,FDN359AN,FDN361AN,FDV303NFDN339AN,FDN357N,FDN359AN,FDN361AN,FDV303NN,FDN359AN,FDN361AN,FDV303NN,FDN359AN,FDN361AN,FDV303NN,FDN359AN,FDN361AN,FDV303N2AP,NDS356AP,FDN302P,FDN304P,FDN308P,FDN336P,FDN338P,FDN340P,FDN342P,FDN358P,FDN360P,FDN304P,FDN308P,FDN336P,FDN338P,FDN340P,FDN342P,FDN358P,FDN360PP,FDN338P,FDN340P,FDN342P,FDN358P,FDN360PP,FDN338P,FDN340P,FDN342P,FDN358P,FDN360P,PHD66NQ03,PHD55N03,ISL9N306N,NTD60N02,NTD70N03,NTD08N02306N,NTD60N02,NTD70N03,NTD08N02DV,IRLMS6702,IRLMS6802,IRLMS5703 8P,FDN360P。

场效应管(2008-11-11 17:39:42)标签：场效应管it场效应管一：场效管的作用场效管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但它与三极管的工作原理不一样场效管也有三只脚，分别是控制极栅极（G极）、源极（S极）、漏极（D极）场效管与三极管三只引脚的对应关系：栅极（G）对应基极（B）、源极（S）对应发射极（E）、漏极（D）对应集电极（C）二：场效管的分类主板中的场效管，按照极性有P沟道和N沟道主板上常用的场效管有SOT－23、SOT－223、SO－8、TO－251、TO－252（TO－263）等其中SOT－23封装的有代码为KIN或K72或K7A或K7B的2N7002（N沟道）；代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等开题，这种场效管主要用在放大和电子开关电路中其中SO－8封装的场效管，其内部有两个场效管，这种场效管通常称为双场效管，主板中常用的型号有FDS8936、SI9936、NDS9956A、FDS9926A、FDS6912、FDS6912A、FDS6982、FDS6930A 等，这种场效管主要用在电子开关和小功率稳压供电电路中其中SOT－223封装的有代码为BSP100（N沟道）、P3055LL（N沟道）等型号，这种场效管主要用在中，小功率稳压电路中，如北桥供电、3.3V供电其中TO－251封装的有代码为HUF76107D3（N沟道）、AMP3055（N沟道）等型号，这种场效管主要应用在中功率供电电路中，如南桥供电、北桥供电、AGP显卡供电、内在供电电路中其中TO－252（TO－263）封装的有代码为HUF76121D3S、60N03、50N03、45N03、FDB6030、CEB703AL、CEB603AL、RF1S45N03LSM、RFD3055SM、BUZ102SL、PHD96NQ03LT、PHD98N03LT、PHD9NQ20T、FDB6670、K3296、32N03等型号，以上都属于N沟道场效管，都属于大功率N 沟道场效管，这种场效管主要应用在大供电电路中，如CPU供电电路三：场效管的识别在电脑电路中，场效管常用字母“Q”、“V”、“VT”加数字表示对于主板中使用的贴片场效管来说，从左到右其引脚基本为G、D、S（散热片接D极）四：场效管的检测与代换在维修中，主板中的场效管通常为击穿（短路）损坏，这时保引脚之间通常呈短路状态，因此用数字万用表的二极管档检测各引脚间的压降值通常为0V。

60r360p场效应管参数代换场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子设备中。

在电子学中，场效应管被用来调节和放大电信号，是现代电子设备中不可或缺的部分。

本文将详细讨论60r360p场效应管参数代换的原理与方法。

在电子电路设计中，通过场效应管的参数代换可以简化电路分析的复杂性，提高电路设计的效率。

60r360p场效应管的参数代换是将一个FET的电特性转化为另一个FET的等效电路。

通过参数代换，可以在不改变电路整体性能的情况下，将某一种场效应管替换为另一种场效应管，从而实现电路性能的优化。

基本上，60r360p场效应管参数代换的原理是利用两种不同种类的场效应管之间的电特性相似性以及一些近似计算的方法来实现。

在进行参数代换时，需要确保两种FET的工作点相同，以保证电路性能不受影响。

接下来将介绍一些60r360p场效应管参数代换的常见方法。

首先，一个常见的参数代换方法是基于两个FET的输入电阻和跨导。

在进行参数代换时，可以通过比较两个FET的输入电阻和跨导参数来确定它们之间的等效性。

如果两个FET的输入电阻和跨导值相近，则可以将它们视为等效的，从而实现参数代换。

另外，60r360p场效应管参数代换还可以基于两个FET的输出电导。

通过比较两个FET的输出电导值，可以确定它们之间的等效性，并实现参数代换。

在进行参数代换时，需要注意输出负载的匹配情况，以确保电路性能的稳定。

此外，还可以通过比较两个FET的开关电压和饱和电压来进行参数代换。

通过比较两个FET的开关电压和饱和电压值，可以确定它们之间的等效性，并进行参数代换。

在实际应用中，需要注意两种FET之间的电压兼容性，以确保电路正常工作。

总的来说，60r360p场效应管参数代换是一种常用的电路优化方法，可以简化电路分析的复杂性，提高电路设计的效率。

通过合理的参数代换，可以实现电路性能的优化，并满足不同应用场景的需求。

80nf70场效应管参数代换贴片电容（Chips）和电感（Inductors）是工程师在电路设计中必不可少的元件，他们担负着重要的角色，主要影响系统的组件数量，功耗，噪声和频率响应，定义了电路设计中器件的位置和组合方式。

80nf70场效应管（FETs）参数代换是集成电路（IC）设计中至关重要的一个步骤。

80nf70 FETs参数代换的基本意义是将原来的信号处理电路的特征（例如电压阻抗、输入阻抗、输出阻抗、电容、电感）替换为只由80nf70 FETs构成的处理电路的特征，从而可以实现更高效率和更高灵活性的电路设计。

有了80nf70 FETs参数代换，工程师可以使用基本的80nf70 FETs构件，改变电路的特征，而不需要增加新的组件。

80nf70 FETs参数代换的基本原理是，在更改电路特征和参数方面，以已经有的80nf70 FET元件替换原有的电路组件。

这样的参数代换通常会尽可能地改善电路的噪声控制，低功耗表现，频率响应和电压控制。

为了保证80nf70 FETs参数代换的准确性，工程师必须考虑FETs 参数之间的关系，特别是参数代换时间，它有助于改善系统的质量和性能。

因此，针对FETs参数代换，工程师需要谨慎的调试和评估，以确保电路的准确性。

在实际的电路设计中，80nf70 FETs参数代换可以实现各种功能，如电压稳定、控制、降噪等。

这些功能都可以实现系统的准确性和性能，进而改善产品质量。

此外，80nf70 FETs参数代换同样可以实现低质量和高质量电路设计，以最大程度地减少功耗，噪声，频率响应和其他系统参数。

从以上可以看出，80nf70 FETs参数代换在电路设计工作中是一项重要的任务，它可以帮助工程师实现更高的性能，更少的噪声，更低的功耗，更好的灵活性和更高的产品质量，因此受到了广泛的关注和应用。

总之，80nf70 FETs参数代换虽然不是一项复杂的技术，但是它在电路设计中起到至关重要的作用，能够改善系统的性能，提高质量，降低功耗，减少噪声，这是工程师经常使用的一项高效的元件代换方法。