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极紫外光刻的原理及应用1. 引言极紫外光刻（又称EUV光刻）是一种先进的微影技术，它使用极紫外（EUV）光源进行光刻，并广泛应用于半导体制造中。
本文将介绍极紫外光刻的原理，以及它在半导体行业中的应用。
2. 极紫外光刻的原理极紫外光刻使用的光源是极紫外辐射，其波长为13.5纳米，远远短于传统光刻技术所使用的193纳米深紫外光。
极紫外光源的产生涉及复杂的物理过程，包括激光产生等离子体、从等离子体中产生极紫外光等步骤。
极紫外光刻使用的掩模还需要比传统光刻技术更高的反射率和更低的光散射率。
这是因为极紫外光源的波长很短，对掩模上细微缺陷的敏感度更高。
因此，制造高质量掩模对于极紫外光刻的成功应用至关重要。
3. 极紫外光刻的应用3.1 半导体制造极紫外光刻在半导体行业中有重要的应用。
随着半导体器件的尺寸越来越小，传统光刻技术已经无法满足制造高密度芯片的需求。
而极紫外光刻技术通过使用更短的波长，可以实现更高的分辨率和更小的线宽。
因此，它被广泛应用于半导体制造中，特别是在制造7纳米及以下尺寸的芯片中。
3.2 光刻机制造极紫外光刻技术的发展也推动了光刻机制造行业的发展。
光刻机是进行光刻过程的装置，它将掩模上的图形投影到光刻胶上，形成图案。
随着极紫外光刻技术的普及，对于光刻机的性能和稳定性的要求也越来越高。
因此，光刻机制造商需要不断改进技术，以适应极紫外光刻的要求。
3.3 研究和发展极紫外光刻作为一项新的微影技术，也需要不断的研究和发展。
许多研究机构和企业致力于提高极紫外光刻的性能和稳定性，以推动其应用的进一步发展。
此外，极紫外光刻在其他领域的应用也正在受到研究者的关注，如光学元件制造、生物医学和纳米技术等领域。
4. 极紫外光刻的优势和挑战极紫外光刻相比于传统光刻技术具有以下优势： - 更高的分辨率，可以制造更小的芯片尺寸。
- 更高的工艺容差，可以制造更复杂的器件结构。
- 更低的成本，可以提高生产效率。
然而，极紫外光刻也面临着一些挑战： - 极紫外光源的稳定性和可靠性需要进一步提高。
常用半导体中英对照表（建议收藏）01.常用半导体中英对照表离子注入机 ion implanterLSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory，又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
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负性光刻胶 negative photoresist正性光刻胶 positive photoresist无机光刻胶 inorganic resist多层光刻胶 multilevel resist电子束光刻胶 electron beam resistX射线光刻胶 X-ray resist刷洗 scrubbing甩胶 spinning涂胶 photoresist coating后烘 postbaking光刻 photolithographyX射线光刻 X-ray lithography电子束光刻 electron beam lithography离子束光刻 ion beam lithography深紫外光刻 deep-UV lithography光刻机 mask aligner投影光刻机 projection mask aligner曝光 exposure接触式曝光法 contact exposure method接近式曝光法 proximity exposure method光学投影曝光法 optical projection exposure method 电子束曝光系统 electron beam exposure system分步重复系统 step-and-repeat system显影 development线宽 linewidth去胶 stripping of photoresist氧化去胶 removing of photoresist by oxidation等离子［体］去胶 removing of photoresist by plasma刻蚀 etching干法刻蚀 dry etching反应离子刻蚀 reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀 isotropic etching各向异性刻蚀 anisotropic etching反应溅射刻蚀 reactive sputter etching离子铣 ion beam milling，又称“离子磨削”。
离子注入机 ion implanterLSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
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“光刻机”的概念、技术及其在专利文献中的分布作者：王晓东来源：《中国科技术语》2014年第07期摘要：光刻机技术是大规模集成电路制造领域中的核心技术。
文章介绍了光刻机的概念、结构及其简要技术发展历程，并列举和解释了光刻机技术领域的重点技术术语，此外，针对光刻机技术的专利文献查新检索，总结了光刻机技术在专利文献分类中的分布情况。
关键词：光刻，光刻机，专利，IPC分类中图分类号：N04；TN4；TN30S 文献标识码：A 文章编号：1673-8578（2014）S1-0075-03Technology of Lithography Tool and its Distribution in Patent LiteraturesWANG XiaodongAbstract： Lithography tool is a core device used in the manufacture of integrated circuits. The concept， construction and development of lithography tool are introduced in this paper. Several important technical terms are commentated. The distribution of patent literatures concerning the stepper in the IPC classification is proposed for scitech novelty retrieval.Keywords： lithography，lithography tool，patent，IPC收稿日期：2014-06-28作者简介：王晓东（1977—），男，江苏苏州人，专利审查助理研究员，研究方向为光学及激光技术。
通信方式：wangxiaodong_2@。
光学光刻和极紫外光刻
光刻技术是半导体芯片制造过程中至关重要的一步。
它通过在芯片表面覆盖一层光刻胶，然后利用光刻机通过模板进行曝光和显影，最终将芯片上的电路图案转换成为实际的电路。
光刻技术中有两种主要的方法：光学光刻和极紫外光刻。
这两种技术在芯片制造中起到了不同的作用。
光学光刻是最早应用于芯片制造的光刻技术。
它使用的波长通常为365纳米，使用的曝光机制是直接投射法，即在芯片表面覆盖一层光刻胶，在模板上对所需的电路图案进行曝光，然后将曝光后的光刻胶中未曝光的部分显影掉，使其形成一层图案保护层，随后通过蚀刻工艺，将所需的电路图案刻在芯片上。
极紫外光刻是目前芯片制造领域中最先进的光刻技术。
它使用的波长为13.5纳米，比光学光刻使用的波长小了20倍，可以获得更小的细节。
极紫外光刻使用的曝光机制是反射式光刻，即通过将极紫外光通过附加反射镜反射到芯片表面上，然后将曝光后的光刻胶中未曝光的部分显影掉。
由于极紫外光刻使用的波长更小，因此可以获得更小的细节，可以实现更高的密度和更多的电路元件。
但是，极紫外光刻的成本非常高，需要昂贵的设备和高质量的光刻胶，因此只有一些大型半导体制造商才能使用这种技术。
使用光学光刻和极紫外光刻可以实现将电路图案传输到芯片上，这是制造高性能电子设备的关键一步。
有了这些技术，我们可以实现更小、更快和更强大的芯片，推动数码产品的创新和发展。
半导体一些术语的中英文对照离子注入机ion implanterLSS理论Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
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多层介质钝化multilayerdielectricpassivation划片scribing电子束切片electronbeamslicing烧结sintering印压indentation热压焊thermocompressionbonding热超声焊thermosonicbonding冷焊coldwelding点焊spotwelding球焊ballbonding楔焊wedgebonding内引线焊接innerleadbonding外引线焊接outerleadbonding梁式引线beamlead装架工艺mountingtechnology附着adhesion封装packaging金属封装metallicpackagingAmbipolar双极的Ambienttemperature环境温度Amorphous无定形的，非晶体的Amplifier功放扩音器放大器Analogue(Analog)comparator模拟比较器Angstrom埃Anneal退火Anisotropic各向异性的Anode阳极Arsenic(AS)砷Auger俄歇Augerprocess俄歇过程Avalanche雪崩Avalanchebreakdown雪崩击穿Avalancheexcitation雪崩激发Backgroundcarrier本底载流子Backgrounddoping本底掺杂Backward反向Backwardbias反向偏置Ballastingresistor整流电阻Ballbond球形键合Band能带Bandgap能带间隙Barrier势垒Barrierlayer势垒层Barrierwidth势垒宽度Base基极Basecontact基区接触Basestretching基区扩展效应Basetransittime基区渡越时间Basetransportefficiency基区输运系数Base-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢Bias偏置Bilateralswitch双向开关Binarycode二进制代码Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体Bipolar双极性的BipolarJunctionTransistor(BJT)双极晶体管Bloch布洛赫Blockingband阻挡能带Chargeconservation电荷守恒Chargeneutralitycondition电中性条件Chargedrive/exchange/sharing/transfer/storage电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmicaletching化学腐蚀法Chemically-Polish化学抛光Chemmically-MechanicallyPolish(CMP)化学机械抛光Chip芯片Chipyield芯片成品率Clamped箝位Clampingdiode箝位二极管Cleavageplane解理面Clockrate时钟频率Clockgenerator时钟发生器Clockflip-flop时钟触发器Close-packedstructure密堆积结构Close-loopgain闭环增益Collector集电极Collision碰撞CompensatedOP-AMP补偿运放Common-base/collector/emitterconnection共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/sourceconnection共栅/漏/源连接Common-modegain共模增益Common-modeinput共模输入Common-moderejectionratio(CMRR)共模抑制比Compatibility兼容性Compensation补偿Compensatedimpurities补偿杂质Compensatedsemiconductor补偿半导体ComplementaryDarlingtoncircuit互补达林顿电路ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor(CMOS)互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementaryerrorfunction余误差函数Computer-aideddesign(CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM)计算机辅助设计/测试/制De.broglie德布洛意Decderate减速Decibel(dB)分贝Decode译码Deepacceptorlevel深受主能级Deepdonorlevel深施主能级Deepimpuritylevel深度杂质能级Deeptrap深陷阱Defeat缺陷Degeneratesemiconductor简并半导体Degeneracy简并度Degradation退化DegreeCelsius(centigrade)/Kelvin摄氏/开氏温度Delay延迟Density密度Densityofstates态密度Depletion耗尽Depletionapproximation耗尽近似Depletioncontact耗尽接触Depletiondepth耗尽深度Depletioneffect耗尽效应Depletionlayer耗尽层DepletionMOS耗尽MOSDepletionregion耗尽区Depositedfilm淀积薄膜Depositionprocess淀积工艺Designrules设计规则Die芯片（复数dice）Diode二极管Dielectric介电的Dielectricisolation介质隔离Difference-modeinput差模输入Differentialamplifier差分放大器Differentialcapacitance微分电容Diffusedjunction扩散结Diffusion扩散Diffusioncoefficient扩散系数Diffusionconstant扩散常数Diffusivity扩散率Diffusioncapacitance/barrier/current/furnace扩散电容/势垒/电流/炉Electrostatic静电的Element元素/元件/配件Elementalsemiconductor元素半导体Ellipse椭圆Ellipsoid椭球Emitter发射极Emitter-coupledlogic发射极耦合逻辑Emitter-coupledpair发射极耦合对Emitterfollower射随器Emptyband空带Emittercrowdingeffect发射极集边（拥挤）效应Endurancetest=lifetest寿命测试Energystate能态Energymomentumdiagram能量-动量(E-K)图Enhancementmode增强型模式EnhancementMOS增强性MOSEntefic(低)共溶的Environmentaltest环境测试Epitaxial外延的Epitaxiallayer外延层Epitaxialslice外延片Expitaxy外延Equivalentcurcuit等效电路Equilibriummajority/minoritycarriers平衡多数/少数载流子ErasableProgrammableROM(EPROM)可搽取（编程）存储器Errorfunctioncomplement余误差函数Etch刻蚀Etchant刻蚀剂Etchingmask抗蚀剂掩模Excesscarrier过剩载流子Excitationenergy激发能Excitedstate激发态Exciton激子Extrapolation外推法Extrinsic非本征的Extrinsicsemiconductor杂质半导体Face-centered面心立方Falltime下降时间Heatsink散热器、热沉Heavy/lightholeband重/轻空穴带Heavysaturation重掺杂Hell-effect霍尔效应Heterojunction异质结Heterojunctionstructure异质结结构HeterojunctionBipolarTransistor（HBT）异质结双极型晶体Highfieldproperty高场特性High-performanceMOS.(H-MOS)高性能MOS.Hormalized归一化Horizontalepitaxialreactor卧式外延反应器Hotcarrior热载流子Hybridintegration混合集成Image-force镜象力Impactionization碰撞电离Impedance阻抗Imperfectstructure不完整结构Implantationdose注入剂量Implantedion注入离子Impurity杂质Impurityscattering杂志散射Incrementalresistance电阻增量（微分电阻）In-contactmask接触式掩模Indiumtinoxide(ITO)铟锡氧化物Inducedchannel感应沟道Infrared红外的Injection注入Inputoffsetvoltage输入失调电压Insulator绝缘体InsulatedGateFET(IGFET)绝缘栅FETIntegratedinjectionlogic集成注入逻辑Integration集成、积分Interconnection互连Interconnectiontimedelay互连延时Interdigitatedstructure交互式结构Interface界面Interference干涉Internationalsystemofunions国际单位制Internallyscattering谷间散射Matching匹配Maxwell麦克斯韦Meanfreepath平均自由程Meanderedemitterjunction梳状发射极结Meantimebeforefailure(MTBF)平均工作时间Megeto-resistance磁阻Mesa台面MESFET-MetalSemiconductor金属半导体FETMetallization金属化Microelectronictechnique微电子技术Microelectronics微电子学Millenindices密勒指数Minoritycarrier少数载流子Misfit失配Mismatching失配Mobileions可动离子Mobility迁移率Module模块Modulate调制Molecularcrystal分子晶体MonolithicIC单片ICMOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos.Transistor(MOST)MOS.晶体管Multiplication倍增Modulator调制Multi-chipIC多芯片ICMulti-chipmodule(MCM)多芯片模块Multiplicationcoefficient倍增因子Nakedchip未封装的芯片（裸片）Negativefeedback负反馈Negativeresistance负阻Nesting套刻Negative-temperature-coefficient负温度系数Noisemargin噪声容限Nonequilibrium非平衡Nonrolatile非挥发（易失）性Normallyoff/on常闭/开Numericalanalysis数值分析Occupiedband满带Officienay功率Photoelectriccell光电池Photoelectriceffect光电效应Photoenicdevices光子器件Photolithographicprocess光刻工艺(photo)resist（光敏）抗腐蚀剂Pin管脚Pinchoff夹断PinningofFermilevel费米能级的钉扎（效应）Planarprocess平面工艺Planartransistor平面晶体管Plasma等离子体Plezoelectriceffect压电效应Poissonequation泊松方程Pointcontact点接触Polarity极性Polycrystal多晶Polymersemiconductor聚合物半导体Poly-silicon多晶硅Potential(电)势Potentialbarrier势垒Potentialwell势阱Powerdissipation功耗Powertransistor功率晶体管Preamplifier前置放大器Primaryflat主平面Principalaxes主轴Print-circuitboard(PCB)印制电路板Probability几率Probe探针Process工艺Propagationdelay传输延时Pseudopotentialmethod膺势发Punchthrough穿通Pulsetriggering/modulating脉冲触发/调制Pulse WidenModulator(PWM)脉冲宽度调制Punchthrough穿通Push-pullstage推挽级Qualityfactor品质因子Quantization量子化Schottkybarrier肖特基势垒Schottkycontact肖特基接触Schrodingen薛定厄Scribinggrid划片格Secondaryflat次平面Seedcrystal籽晶Segregation分凝Selectivity选择性Selfaligned自对准的Selfdiffusion自扩散Semiconductor半导体Semiconductor-controlledrectifier可控硅Sendsitivity灵敏度Serial串行/串联Seriesinductance串联电感Settletime建立时间Sheetresistance薄层电阻Shield屏蔽Shortcircuit短路Shotnoise散粒噪声Shunt分流Sidewallcapacitance边墙电容Signal信号Silicaglass石英玻璃Silicon硅Siliconcarbide碳化硅Silicondioxide(SiO2)二氧化硅SiliconNitride(Si3N4)氮化硅SiliconOnInsulator绝缘硅Siliverwhiskers银须Simplecubic简立方Singlecrystal单晶Sink沉Skineffect趋肤效应Snaptime急变时间Sneakpath潜行通路Sulethreshold亚阈的Solarbattery/cell太阳能电池Solidcircuit固体电路SolidSolubility固溶度Sonband子带Transistoraging(stress)晶体管老化Transittime渡越时间Transition跃迁Transition-metalsilica过度金属硅化物Transitionprobability跃迁几率Transitionregion过渡区Transport输运Transverse横向的Trap陷阱Trapping俘获Trappedcharge陷阱电荷Trianglegenerator三角波发生器Triboelectricity摩擦电Trigger触发Trim调配调整Triplediffusion三重扩散Truthtable真值表Tolerahce容差Tunnel(ing)隧道（穿）Tunnelcurrent隧道电流Turnover转折Turn-offtime关断时间Ultraviolet紫外的Unijunction单结的Unipolar单极的Unitcell原（元）胞Unity-gainfrequency单位增益频率Unilateral-switch单向开关Vacancy空位Vacuum真空Valence(value)band价带Valuebandedge价带顶Valencebond价键Vapourphase汽相Varactor变容管Varistor变阻器Vibration振动Voltage电压Wafer晶片Waveequation波动方程Waveguide波导Wavenumber波数CT:ContaminationThreshold??污染阀值Ctrl:Control控制；管理；抑制D:Die芯片DAC igitalAnalogConverter??数字转换器DSP igitalSignalProcessing数字信号处理EFO:ElevtronicFlame-Off电子打火系统FA:FaceAngle顶锥角（面锥角）FAB:FreeAirBall空气球FD:FloppyDisk软盘，软式磁碟片Frd:Forward??前进GEM:GenericHi:HightMagnification高倍率Hybd:Hybrid混合动力/混合式Impd:Impedence阻抗Ins:Inspection检查，检验L/F eadFrame框架Lo:LowMagnification低倍率PM reventiveMaintenance??PR atternRecognitionT/P:TopPlate??顶板UPH:UnitPerHour??每小时产量UTI:UltrasonicTransducerInterface超声波传感受器接口VLL:VisualLeadLocator导脚定位W/C:WireClamp??线夹W/H:WorkHolder??轨道W/S:WireSpool??线轴ESD:ElectroStaticDischarge静电释放EPa:ESDProtectedarea??静电防护区ESDS??????????????????????静电敏感设备BM:BreakdownMaintenance事后维修CM:CorrectiveMaintenance改良保养PVM:PreventiveMaintenance预防保养MP:MaintencePreventive保养预防PM:ProductionMaintenance生产保养BG：backgrinding??背部研磨DS：diesaw????将wafer切die DA：dieattach??=DB:diebond??装片WB：wirebond焊线????。
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半导体一些术语的中英文对照精选文档TTMS system office room 【TTMS16H-TTMS2A-TTMS8Q8-半导体一些术语的中英文对照离子注入机 ion implanterLSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
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